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2022/1/24 10:52:30
【兆亿微波商城】上周，业内最受关注的新闻，非三星计划在美国德克萨斯州奥斯汀建设一个价值100亿美元的晶圆厂莫属了。这被认为是其追赶台积电发展步伐的又一举措。实际上，三星在美国建新晶圆厂已经不是什么新闻了，该公司在这方面早有想法，特别是去年台积电宣布在美国亚利桑那州投资120亿美元新建5nm晶圆厂以后，三星希望在其美国原有晶圆厂的基础上，更上一层楼，不被台积电甩在远处。在5nm制程方面，三星已经赶上了台积电的脚步，于2020年实现了量产。但在3nm上，三星似乎还是落后于台积电的，据报道，台积电已经为其3nm工艺的晶圆厂投资了200亿美元。为了缩短差距，有报道称，三星将完全跳过4nm制程节点，直接上3nm。由于3nm制程工艺的难度极大，如果三星美国工厂计划生产3nm制程芯片的话，按照正常进度，目前还处于初步计划阶段的德克萨斯州奥斯汀的晶圆工厂，在2023年前难以开展生产。而台积电的3nm制程工艺将于今年进行试产，2022年量产。这对于力求赶超台积电的三星来说，压力还是很大。不过，相信三星3nm制程的主阵地应该还是在韩国本土的。同5nm一样，全球半导体业具备且正在3nm制程上进行竞争的产商，依然只有台积电和三星这两家。由于3nm工艺更加高精尖，这种“塔尖上”的竞争会更加激烈，因为能够给这两大晶圆厂提供相关设备、工具、材料、服务等的上游企业更少了，这对于上游供应商来说是个好消息，因为它们的竞争者很少，但对于下游的台积电和三星来说，可选择的上游供应链余量更有限了，特别是对于三星来讲，难度恐怕会更大。晶圆厂建设台积电方面，该公司董事长刘德音曾经表示，在3nm制程上，于南科厂的累计投资将超过 2万亿元新台币，目标是3nm量产时，12英寸晶圆月产能超过60万片。60万片的月产能，这是一个非常惊人的数字，不过，在量产初期是达不到的，需要一个过程。据Digitimes报道，台积电3nm芯片在2...
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2021/2/2 15:53:21
近年来“软件定义汽车”成为汽车行业的重要发展趋势，所谓软件定义汽车，是指以人工智能为核心的软件技术所决定的未来汽车，它是一个大型的移动终端，可以连接各种服务，将人从单一的驾驶中解放出来，在乘坐中进行娱乐、休息和办公。我们会根据生活中的不同需求在手机上下载不同的软件，比如查路线、听音乐、网购等等，可以说这些五花八门的软件更高质量的辅助了人们的日常生活。那么，未来的软件定义汽车也是这样，未来汽车内部的所有软件都会集中到小小的处理器上，凭此就可以实现智能驾驶，车载娱乐，也可以减少交通事故，让汽车更加节能环保。“智能驾舱解决方案”让软件定义汽车不再遥远纵观目前市场上所有的汽车品牌，都在围绕自动驾驶、车联网、人机交互技术开展广泛的研发，未来，科幻片中的智能机器人“管家”将不再遥远。现阶段决方案在创新上有三大领先技术：1、虚拟化技术在智能驾舱解决方案中，首次在硬件底层处理器之上构建一个虚拟层，从而实现快速启动、共享图像、共享驱动器的基础上，实现了多操作系统的支持，保证仪表稳定独立的操作系统。通过虚拟化技术将实现中控屏、仪表屏、后座娱乐屏、HUD投影屏、消费电子屏之间的充分互动，保障仪表安全显示车辆信息。2、独特的安卓操作系统系统不仅支持HTML5技术，同时可以集成外部应用，更可以在安卓平台上开放一个适合第三方开发的SDK。通过定制化安卓系统，用户可以下载第三方APP来实现，以达到在此平台上开发自己的专属APP下载到自己的车里来使用的功能。3、车外互联技术通过LTE和V2X的技术进行对外沟通，将大流量数据的处理都融合在一个平台上，不仅降低了车企的开发成本，并且提升了用户体验的安全性。目前车辆之间的通讯(V2V)，已经实现了车辆之间前向刹车预警的预警，特种车辆预警和紧急刹车灯预警等功能。之前我们讲到过的V2X中的路边单元，比如信号灯提示、限速提示和道路施工提示都可以在这个平台融合实现。软件...
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2021/1/20 10:30:44
兆亿微波商城开售Qorvo CMD328K3低噪声放大器，适用于X波段和Ku波段卫星通信2021年12月3日 – 专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商兆亿微波商城电子 (Trillion Microwave Mall) 即日起备货Qorvo? CMD328K3 6GHz – 18GHz低噪声放大器 (LNA)。该器件非常适合用于有小尺寸、低功耗需求的电子防御和通信系统。兆亿微波商城电子分销的Qorvo CMD328K3是一款宽带MMIC LNA，工作频率6GHz至18GHz，噪声系数仅1.4dB，并且增益大于27dB，相应的1dB压缩点输出功率为+12dBm。该器件采用50Ω匹配设计，无需使用外部直流模块或进行射频端口匹配。CMD328K3放大器采用无引线的3mm × 3mm塑料表面贴装气腔封装，是替代混合放大器的理想之选，适用于X波段和Ku波段雷达、卫星通信和电子防御接收器等应用。
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2021/12/6 9:12:20
半导体行业从诞生至今，先后经历了三代材料的变更历程。第三代半导体材料主要是以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带（禁带宽度 Eg2.3eV）的半导体材料。据了解，我国把大力支持发展第三代半导体产业，写入“十四五”规划，计划在2021-2025年期间，在教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面，大力支持发展第三代半导体产业，以期实现产业独立自主。 与我们熟悉的传统第一代、第二代半导体材料硅（Si）和砷化镓（GaAs）相比，第三代半导体具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度高、介电常数小等独特的性能，使其在光电器件、电力电子、射频微波器件、激光器和探测器件等方面展现出巨大的潜力。碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）作为第三代半导体的代表材料受到市场的关注。全球第三代半导体产业赛道已经开启，其制成芯片可被广泛用于新一代通信、电动车等热门新兴产业。第三代半导体迎风口半导体材料其实已经历经了三代的发展，第一代是四五十年代开始以锗、硅为代表的IV族半导体材料，把人类带进电子晶体管收音机的时代，而第二代是从上世纪六七十年代开始，以III-V族半导体的发展开辟了光电和微波应用。第三代半导体材料的出现最早是从八十年代开始，以碳化硅SiC、氮化镓GaN为代表，主导资源和能源节约，催生了新型照明、显示等新应用需求和产业。实际第三代半导体材料已经出现了很长时间，一般情况下这些材料的真正应用都需要至少十年以上的培育期。举一个例子，一个电子产品的核心部分有计算逻辑类器件（如CPU、GPU），也会有存储部分（RAM、硬盘），此外还会有提供电力和控制的模块。电子产品里面的各类器件，它的基础材料基本都是以硅Si为主，而第三代半导体就是要为未来提供能够比硅Si材料更加优良的器件核心材料。以第三代半导体的典型代表碳化硅（SiC）为例...
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2021/3/4 10:33:50