2024 年 12 月 4 日，中国——意法半导体 L99MH98 8通道栅极驱动引入专利技术，可构建没有电流检测电阻的直流电机驱动设计，从而降低耗散功率和物料成本。L99MH98 能够独立控制四路全桥预驱或八路半桥预驱或八路高边/低边预驱，适用于驱动电动座椅、天窗、侧滑门和电动尾门等直流电机应用。L99MH98内置电荷泵，可用于驱动反接保护 MOSFET。L99MH98最大栅极驱动电流可达120mA, 栅极驱动能力可配置，满足驱动多个外部 MOSFET需求。三段式栅极控制分三步施加栅极电流，最大程度降低电磁辐射。L99MH98内置模数转换器 (ADC),可采样每路MOSFET的漏极-源极电压 (VDS)，用间接电流测量方法取代传统电流检测电阻方法。意法半导体的间接电流测量专利技术是用VDS电压测量值和RDS(on) 电阻测算值来计算每路 MOSFET 路径电流，其中，RDS(on)是用传感器(二极管)测量到的温度值换算得到MOSFET导通内阻。可编程多重故障保护是意法半导体的另一项专利功能，该功能可以单独关闭出现故障的半桥，防止故障影响整个驱动电路，同时让没有受故障影响的半桥正常运行，从而提高驱动系统的可靠性。多重故障保护可检测电源过压、半桥过压/欠压、高温报警、电荷泵故障、VDS监测失效等故障，并根据故障类型选择性地关闭功能诊断、看门狗和电荷泵等功能。L99MH98已获得AEC-Q100 认证，并符合 ISO 26262 功能安全标准要求，满足功能安全 ASIL B等级。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/12/6 13:51:03
市场消息传出，英伟达下一代Blackwell架构芯片GB200的量产计划再度遭遇技术瓶颈，微软将削减订单。供应链透露，这次问题来自美商大厂，为了将72颗Blackwell GPU通过5000根NVLink铜缆进行高速互连，所开发出的全新cartridge连接器模组，每个cartridge中有几千根线，在GH200规格下达到每根112G，而GB200规格预计升级至224G，难度大幅提升，现在面临良率不佳测试不过关的瓶颈，量产时间恐再推迟至2025年3月。据悉，英伟达今年3月发布了全新的Blackwell计算平台及GB200超级芯片。与前一代H100 GPU相比，GB200超级芯片在大语言模型推理工作负载方面的性能提升了30倍。近期有知情人士透露，英伟达的GB200芯片在装有72个芯片的服务器中使用时会过热。这些设备预计每个机架功耗高达120kW。这些问题迫使英伟达多次重新评估其服务器机架的设计，因为过热会限制GPU性能并存在组件损坏的风险。客户们担心这些挫折可能会阻碍他们在数据中心部署新芯片的时间表。作为对延误和过热问题的回应，英伟达发言人表示，“我们正在与云服务提供商合作，将其作为我们工程团队和流程中不可或缺的一部分。工程迭代是正常且符合预期的。将GB200这一迄今为止的系统集成到各种数据中心环境中，需要与我们的客户共同设计。”英伟达还表示，“目前客户正在抢占GB200系统的市场先机”。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/12/6 13:45:51
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布， 推出TO-263（D2PAK）封装新型车规级表面贴装厚膜功率电阻器---D2TO35M。Vishay Sfernice D2TO35M通过AEC-Q200认证，具有多脉冲处理能力，25 °C壳温下功率耗散达35 W，适用于各种汽车应用。日前发布的器件功率耗散和稳定性均优于标准TO-263（D2PAK）封装器件，适用于多脉冲和重复脉冲条件下使用。电阻器25 °C下1000次脉冲最大阻值偏移为2%，100 000次脉冲阻值偏移小于5%，导通时间为500 ms，关断时间为11 s，脉冲能量18.9 J。器件通过1000次快速温变（RCT）测试，负荷寿命达1000小时。D2TO35M采用无感设计，阻值范围10 W 至10 kW，容差分别为± 2 %、± 5 %和± 10 %，热阻为4.28 °C/W，温度系数（TCR）为150 ± ppm/°C，工作温度范围 -55 °C至+175 °C。器件符合RoHS标准，270 °C/10 s回流焊条件下保持稳定。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/12/4 11:13:30
2024 年 11月29日，中国——意法半导体宣布 STM32WL33系列无线微控制器 (MCU) 正式上市，新系列产品集成了最新一代Sub-GHz长距离射频收发器、Arm® Cortex®-M0+处理器内核和针对智能表计应用定制的外设以及改进的省电功能。新款 MCU 大大简化了无线解决方案的设计，缩短了产品上市时间，并延长了电池续航时间。这些新的面向物联网的微控制器可用于智能 (水电燃气) 表、警报系统、智能建筑设备、物流跟踪和近距离检测。新产品还是其他高端智能监测系统的理想选择，例如，智慧城市监测、智慧农业监测，包括土壤状况和动物福利报告、森林火灾检测、水表和漏水检测等。在开发新产品时，开发人员可以利用灵活的产品选项、超低功耗架构、一流的射频能效和创新功能来优化无线通信距离，简化产品设计，延长电池续航时间。新产品集成了意法半导体独特的模拟流量感测控制器 LCSC，可以简化和优化水表设计。LCSC 集成电路可与传统的机电式水表配合使用，无需 MCU介入即可测量水流量，并提供适当的防篡改功能。凭借这些功能特性，LCSC 为水表带来安全保护，将电池续航时间延长至 15 年以上，同时优化水表的集成度和成本结构。此外，新产品还有一个超低功耗 (4.2µA) 宽带唤醒射频接收器。在主通信射频收发器为了省电而关闭电源期间，该宽带唤醒射频接收器能够监听唤醒信号。这个常开射频接收器对电池耗电量的影响微乎其微，并提供待机模式，在收到正确的射频唤醒信号后，快速做出响应。应用场景包括流动抄表或电池供电监控设备应用固件升级服务唤醒功能。此外，由固定位置信标标签等设备生成的唤醒信号可以通过OOK 调制传输信息，为物流和仓库行业提供便捷的资产跟踪或位置标记解决方案。芯片上集成一整套可编程存储器、外设和安全服务，让开发人员只用很少的外部电路就能开发功能丰富的应用。集成的功...
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2024/12/2 13:17:49
2024 年 11 月 29日，中国——意法半导体推出了标准阈值电压 (VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶体管，新系列产品兼备强化版沟槽栅技术的优势和出色的抗噪能力，适用于非逻辑电平控制的应用场景。工业级晶体管STL300N4F8 和 车规晶体管STL305N4F8AG 的额定漏极电流高于300A，最大导通电阻 RDS(on)为1mΩ，可在高功率应用中实现出色的能效。动态性能得到了改进，65nC(典型值)的总栅极电荷和低电容(Ciss, Crss)确保在高开关频率下电能损耗降至最低。MOSFET体二极管的低正向电压和快速反向恢复特性有助于提高系统的能效和可靠性。有了新系列器件，设计人员可以利用意法半导体最新的 STripFET F8 技术为无线电动工具、工业生产工具等设备设计电源、电源转换器、电机驱动装置。MOSFET 的能效可延长电池续航时间，降低耗散功率，准许应用系统在采用简单的热管理设计情况下持续输出高功率，从而节省电路板空间，降低物料成本。车规器件的目标应用是整车电机驱动装置和DC/DC转换器，包括车身电子设备、底盘和动力总成。具体应用场景包括车窗升降器、座椅定位器、天窗开启器、风扇和鼓风机、电动助力转向、主动悬架和减排控制系统。意法半导体的 STripFET F8 技术确保器件具有很高的稳健性和更大的安全工作区 (SOA)，能够处理大功率，耐受大功率造成的漏源电压 (VDS)大幅下降。此外，175°C 的最高工作结温让MOSFET适用于极端恶劣的工作环境。此外，该技术可以缩减裸片尺寸，降低导通电阻RDS(on)，提高价格竞争力，采用尺寸紧凑的封装。这两款器件都采用节省空间的 PowerFLAT 5x6 封装，同时还提供汽车工业要求的可润湿侧翼封装。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文...
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2024/12/2 13:14:35
11月28日，市调机构TrendForce在报告中指出，在2025年各机器人大厂逐步实现量产的前提下，预估2027年全球人型机器人市场产值有望超越20亿美元，2024年至2027年间的市场规模年复合增长率将达154%。TrendForce表示，人型机器人能否迈向商用，关键在于体察认知、对话交流和运动执行能力的实现。受惠于生成式AI，机器人的认知能力已有飞跃性增长，可通过感知层掌握人事时地物；对话能力也显著进步，能与人类作多面向对话交流。人型机器人的运动执行能力取决于关键零组件技术，据TrendForce调查，目前人型机器人各项零组件成本占比中，以行星滚柱螺杆占22%最高，其馀有复合材料件（含塑料及金属）9%、6D力矩传感器8%，以及空心杯马达占6%等，且零组件领域皆有一定程度的技术壁垒。预期人型机器人的软、硬件供应链将与智能终端设备、工业机器人与无人机供应链高度重叠，目前在此三类供应链具备竞争优势的供应商，未来更容易切入人型机器人市场。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/12/2 11:52:04
意法半导体新推出一款增强版移动数据通信模块，可简化大规模物联网设备的连接和管理，加快可持续智能电网和智能产业的应用。ST87M01模块平台通过了NB-IoT认证，可选装ST4SIM嵌入式SIM （eSIM）卡，以便接入移动网络服务。此外，该系列模块现在还预装了Vodafone网络配置文件，因此，客户可以快速轻松地接入网络覆盖面极大的Vodafone全球移动网络。此外，意法半导体还在同一模块中增加了无线M-Bus（wM-Bus）连接功能，为收集居民水电燃气的使用数据提供了一个额外的标准化的备用信道。在移动通信网络中断的情况下，无线M-Bus可以用作备用网络连接。无线M-Bus提高了抄表的灵活性，抄表员可以根据需要选择开车上门抄表和在办公室远程抄表。市场领先的智能水表创新公司Maddalena S.p.A选用了ST87M01设计在其最新的高端水表产品线，加快尖端水表解决方案的开发周期。Maddalena S.p.A.首席技术官Filippo Fontanelli表示：“通过与意法半导体合作，我们能够集成的NB-IoT物联网技术，选用这个市场上屈指可数的开箱即用的尺寸紧凑的具有NB-IoT认证的移动连接功能的工业级模块。通过采用这个解决方案，我们的新电表能够加快客户的智能电网部署。这一合作突显，技术领域，合作伙伴关系越来越重要，让我们能够提供可靠、高性能的解决方案，满足市场不断变化的需求。”意法半导体特定应用产品（ASP）部门总经理Domenico Arrigo表示：“与集成一种连接技术的解决方案相比，在同一模块内整合eSIM和NB-IoT两种连接技术的解决方案可以简化系统管理，降低系统成本，同时保护数安全，并增加一道额外的安全保护。ST87M01为客户提供了加载Vodafone移动网络配置文件的便捷选项，为希望大规模部署总包物联网解决方案的客户带来明显优势。”该模块的主要灵活性...
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2024/11/29 11:50:31
2024 年 11 月 26 日，中国北京讯 - 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子今日宣布，推出瑞萨面向工业应用打造的最高性能微处理器（MPU）——RZ/T2H，凭借其强大的应用处理能力和实时性能不仅能够实现对多达9轴工业机器人电机的高速、高精度控制，而且还在单芯片上支持包括工业以太网在内的各种网络通信。这款MPU主要面向可编程逻辑控制器（PLC）、运动控制器、分布式控制系统（DCS）和计算机数控（CNC）等工业控制器设备。随着无人化生产需求的日益增长，垂直多关节机器人等工业机器人和工业控制器设备正被广泛部署，以加速自动化生产进程，瑞萨RZ/T2H MPU可融合开发这些应用所需的所有功能和性能。传统工业系统需要多个MPU或现场可编程门阵列（FPGA）组合来控制这些应用，而RZ/T2H MPU现在仅需单个芯片即可满足所有要求，从而减少组件数量，并节省FPGA程序开发的时间及成本。单芯片方案实现高性能应用处理与快速实时控制RZ/T2H配备四个Arm® Cortex®-A55应用CPU，最高工作频率为1.2GHz，对于外部存储器，其支持32位LPDDR4-3200 SDRAM。两个最高工作频率为1GHz的Cortex-R52 CPU负责实时处理，每个内核配备总计576KB的高容量紧耦合存储器（TCM）。这使得在单芯片上执行Linux应用程序、机器人轨迹生成和PLC序列处理等CPU和内存密集型任务成为可能。同时，RZ/T2H还能担负电机控制和工业以太网协议处理等快速且精确的实时控制任务。多达9轴的电机控制可降低元件成本并缩短开发时间瑞萨RZ/T2H能够以高速且精确的操作控制工业机器人中的多达9个伺服电机，其配备实现多达9轴电机控制所需的必要功能，包括三相PWM定时器、用于测量电流值的Δ-Σ接口，以及编码器接口（支持A-format™、EnDat、BiSS...
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2024/11/29 11:42:27
台积电高雄2nm晶圆厂举行进机典礼，预计明年上半年展开试产，这也是台积电在高雄的首座晶圆厂，象征台积电高雄布局迈入新里程碑。台积电对于此次的高雄2nm晶圆厂进机典礼相当低调，属于内部活动，不对外公开。传闻称，此次典礼由台积电资深副总经理暨共同营运长秦永沛主持，高雄市长陈其迈和供应链伙伴也受邀参加，不过依据高雄市政府信息，陈其迈公开行程仅出席市政总质询。台积电董事长暨总裁魏哲家在10月法说会中表示，对2nm制程感到兴趣的客户比想像的多，台积电将准备比3nm更多的产能。按照规划，台积电2nm制程将于明年量产，在新竹宝山和高雄两地布建2nm产能；其中，新竹宝山第1座2nm厂已于今年4月进机，将于明年生产，宝山第2座2nm厂将于2026年量产，台积电高雄第1座2nm厂也将于2026年量产。根据台积电官方公布的数据显示，台积电2nm制程在相同功耗下，速度较升级版3nm（N3E）制程提升10%至15%；在相同性能下，功耗则降低25%至30%；整体的芯片密度也将提升逾15%。市场预期，台积电大客户苹果（Apple）和AMD应是其首批2nm客户。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/11/29 11:37:37
英飞凌科技股份公司近日宣布推出新型高压分立器件系列CoolGaN™ 650 V G5晶体管，该系列进一步丰富了英飞凌氮化镓（GaN）产品组合。该新产品系列的适用范围广泛，包括USB-C适配器和充电器、照明、电视、数据中心、电信整流器等消费和工业开关电源（SMPS）、可再生能源，以及家用电器中的电机驱动器。最新一代CoolGaN™晶体管可直接替代CoolGaN™ 600 V G1晶体管，实现了现有平台的快速重新设计。新器件改进了性能指标，确保为重点应用带来具有竞争力的开关性能。与主要同类产品和英飞凌之前的产品系列相比，CoolGaN™ 650 V G5晶体管输出电容中存储的能量（Eoss）降低了多达50%，漏源电荷（Qoss）和栅极电荷（Qg）均减少了多达 60%。凭借这些特性，新器件在硬开关和软开关应用中都具有出色的效率。与传统的半导体技术相比，其功率损耗大幅降低，根据具体使用情况可降低20%-60%。这些优势使该系列器件能够在高频率下以极低的功耗工作，因此具有出色的功率密度。CoolGaN™ 650 V G5晶体管使SMPS应用变得更小、更轻，或在规定外形尺寸的情况下提高输出功率范围。该新型高压晶体管产品系列提供多种 RDS(on) 封装组合。十种 RDS(on) 级产品采用各种SMD封装，如 ThinPAK 5x6、DFN 8x8、TOLL 和 TOLT。所有产品均在奥地利菲拉赫和马来西亚居林的高性能8英寸生产线上生产。未来，CoolGaN™将过渡到 12 英寸生产线。这将使英飞凌进一步扩大其CoolGaN™产能，并确保在GaN功率市场上拥有稳健的供应链。Yole Group预测到2029年，该市场规模将达到 20 亿美元。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/11/27 11:49:21
2024年11月26日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出四款采用eSMP® 系列SMF（DO-219AB）封装的汽车级器件---VS-E7FX0112-M3、VS-E7FX0212-M3、VS-E7FX0112HM3和VS-E7FX0212HM3，进一步扩展其第七代1200 V FRED Pt®超快恢复整流器平台阵容。1 A 和 2 A 整流器针对工业和汽车应用进行了优化，在同类器件中，不仅在反向恢复电荷（Qrr）和正向压降之间实现了权衡，还提供了更低的结电容和更短恢复时间。日前发布的Vishay整流器包括VS-E7FX0112-M3和VS-E7FX0212-M3，以及符合AEC-Q101标准的VS-E7FX0112HM3和VS-E7FX0212HM3。为了降低开关损耗并提高效率，这些器件融合了低至45 ns的快速恢复时间，低至105 nC的Qrr（典型值），低至1.45 V的正向压降和低至3.0 pF的结电容等特点。性能可靠的整流器在尺寸为4.2 mm x 1.4 mm的紧凑封装中提供了高达21 A的非重复峰值浪涌电流，厚度低至1.08 mm，最小爬电距离仅2.2 mm。器件可用作反激辅助电源的钳位、缓冲和续流二极管，也可用作自举驱动器功能的高频整流器，同时可为最新快速开关IGBT和高压Si/SiC MOSFET提供去饱和保护。VS-E7FX0112-M3、VS-E7FX0112HM3、VS-E7FX0212-M3和VS-E7FX0212HM3的典型应用包括工业驱动器和工具、电动汽车（EV）车载充电器和电机、发电和储能系统，以及Ćuk转换器和工业LED SEPIC电路。 整流器采用平面结构，通过铂掺杂寿命控制，在不影响性能的情况下确保系统的可靠性和稳定性，同时经过优化的存储电荷和低恢复电流可...
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2024/11/27 11:46:38
据报道，近期业界传出，台积电通知海内外设备供应商，暂缓2026年设备需求及设备交付计划，等待后续安排。业界人士认为，AI趋势并未变，此举主要是考虑特朗普上台后政策的不确定性，必须先观察形势，之后再重新评估需求，以应对未来时局变化。目前台积电全力扩充CoWoS产能，2024~2025两年产能目标连续逾倍增，且还是供不应求。报道重点介绍了台积电的建设进度，包括其从群创光电台南四厂新收购的工厂（AP8厂），该工厂预计将于2025年3月至4月完工。设备安装计划于2025年下半年进行，生产贡献将于当年晚些时候开始。据报道，台积电还在与群创光电谈判收购第二家工厂。与此同时，其嘉义工厂的目标是在2025年底前交付设备，并在2026年初安装，重点是SoIC（集成芯片系统）扩展，生产可能在2026年底开始。客户方面，业内消息称，台积电计划在2025年将其CoWoS封装产能增加一倍以上，英伟达将消耗高达60%的扩大产能，而AMD和ASIC开发商则努力增加其份额。台积电的每月CoWoS产能目前预计在2024年将达到每月35000片，为十多个主要客户提供服务，其中英伟达占据一半以上的可用产能。展望2025年，台积电每月的CoWoS产能将达到75000片，其中英伟达已通过预订获得60%的产能。这一重要分配反映了市场对英伟达H200和Blackwell系列的强劲需求。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/11/27 11:43:12
11月25日消息，据台媒《经济日报》报道称，近日业内传出消息称，处理器大厂AMD有意进入移动芯片领域，相关产品将采用台积电3nm制程生产，有利于助攻台积电3nm产能利用率维持“超满载”盛况，订单能见度直达2026下半年。对于相关传闻，AMD不予评论。台积电也不评论市场传闻，亦不评论与单一客户的业务细节。根据传闻显示，在AMD MI300系列AI加速器（APU）在AI服务器领域快速冲刺之际，也在规划要推出面向移动设备的APU，预计将采用台积电3nm制程。值得注意的是，AMD此前已经与三星进行合作，将其RDNA GPU IP授权给了三星，使得三星自研的手机SoC Exynos 2200加入了基于AMD RDNA 2构架打造Xclipse GPU，使得三星能够支持光线追踪等图像处理能力。鉴于AMD已在智能手机芯片领域与三星进行了合作，业界预计，其新款移动APU也有望率先被用于三星旗舰智能手机，而该APU可能会是交由台积电3nm代工。当然也不能排除，AMD是将其相关IP授权的给三星，使得其可以将之整合到自己的旗舰SoC当中。报道称，AMD今年有望续居台积电前三大客户，并与台积电延伸封装合作。根据AMD与台积电技术论坛公布的信息，AMD MI300系列不仅采用台积5nm家族制程，并藉由台积电3DFabirc平台多种技术整合，例如将5nm GPU与CPU以SoIC-X技术堆叠于底层芯片，并再整合在CoWoS封装，实现百万兆级高速运算创新。市场研究机构TrendForce此前的报告也指出，台积电不仅最大客户苹果积极采用3nm制程，AMD、联发科、高通等主要客户也相继导入台积电3nm。随着客户群在3nm应用日益多元，台积电3nm家族订单能见度并已延长至2026下半年。根据预计，台积电3nm今年相关产能较去年大增三倍，但仍无法满足客户订单，传闻台积电已陆续祭出多项措施来扩充更多产能，并加速产...
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2024/11/27 11:35:27
2024年11月22日，中国——意法半导体推出了一款基于IO-Link的工业标准和设备报警执行器参考设计，最终交货形式是开箱即用的成品板卡及配套协议栈和应用软件。EVLIOL4LSV1板卡采用意法半导体的L6364Q双通道IO-Link收发器处理通信任务，通过IPS4260L智能低边功率开关控制指示灯。该板卡可直接连接到指示信号灯系统，例如，工厂自动化使用的智能警示灯、提示剩余量或紧急程度的料位报警器，以及其他系统警告装置。该板卡还为开发者测评IPS4260L和L6364Q集成电路提供了一个快捷的方式，并配备了IO-LINK主站连接器四针的M12接口和用于烧录代码的五针SWD连接器。STM32G071CB微控制器运行意法半导体独有的IO-Link演示用协议栈和应用软件，处理系统控制和诊断任务，并与收发器和低边开关连接通信。L6364Q收发器配备完整的保护功能，支持包括38.4kbit/s COM2和230.4kbit/s COM3在内的标准IO-Link通信速率。该收发器的工作模式支持单字节或多字节模式，还可以进入透传模式，通过简单的UART接口将IO-Link通信控制权交给微控制器。内置保护措施确保EMC抗扰度在无额外保护元件的情况下达到2.5kVpk耦合浪涌脉冲/500Ω阻抗。IPS4260L低边驱动器有四个输出端，用于驱动一端连接电源电压的负载，每个输出端由微控制器的数字输出信号独立控制。驱动器的电源电压范围是8V到50V，每个输出端的电流可以在0.5A到3.0A的范围内独立设置，每个通道都集成了独立的过载保护和过热保护功能，并提供开路、过载和过热诊断信号，以方便系统管理，提高系统可靠性。该参考设计还采用了意法半导体的SMBJ30CA TVS（瞬态电压抑制）二极管，可以在电源轨上承受2Ω输出阻抗条件下的耦合浪涌脉冲。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信...
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2024/11/25 11:29:31
针对5G/6G 新的应用场景需求，频岢近期推出系列化高性能基站滤波器，能满足高功率和小型化的双重需求。如图1移动通信基站示意图所示，蜂窝基站作为移动通信中的重要单元，是移动设备相互通讯的连接点，也是互联网的接口设备。PolarFire® FPGA 以太网传感器桥接器为NVIDIA边缘 AI 平台提供低功耗多传感器桥接功能为了帮助开发人员构建人工智能（AI）驱动的传感器处理系统，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）发布了支持NVIDIA Holoscan 传感器处理平台的PolarFire® FPGA 以太网传感器桥接器。PolarFire FPGA支持多协议，作为Microchip平台的重要组成部分，是首款兼容基于MIPI® CSI-2® 的传感器和MIPI D-PHY℠ 物理层的解决方案。后续解决方案将支持多种不同接口的传感器，包括SLVS-EC™ 2.0、12G SDI、CoaXPress® 2.0 和 JESD204B。该平台使设计人员能够充分利用NVIDIA Holoscan生态系统的强大功能，同时利用PolarFire FPGA的高能效技术、低延迟通信和多协议传感器支持。NVIDIA Holoscan可帮助简化边缘人工智能和高性能计算（HPC）应用的开发和部署，可实现实时洞察。它将低延迟传感器流和网络连接所需的硬件和软件系统整合到一个平台。该平台包括用于数据处理的优化库、用于启动人工智能推理管道开发的人工智能模型示例、用于促进快速原型开发的模板应用程序以及用于运行流媒体、成像和其他应用程序的核心微服务。PolarFire FPGA以太网传感器桥接器能够将实时传感器数据桥接到NVIDIA Holoscan以及NVIDIA IGX和NVIDIA Jetson平台，用于边缘人工智能和机器人技...
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2024/11/25 11:26:42
全新多路复用寄存时钟驱动器、多路复用数据缓冲器和PMIC，使下一代MRDIMM速度提升至高达每秒12,800兆次传输，满足AI和高性能计算应用需求全球半导体解决方案供应商瑞萨电子今日宣布率先推出面向第二代DDR5多容量双列直插式内存模块（MRDIMM）的完整内存接口芯片组解决方案。人工智能（AI）、高性能计算（HPC）和其它数据中心应用对内存带宽的要求不断提高，这就需要新的DDR5 MRDIMM。它们的运行速度高达每秒12,800兆次传输（MT/s）；与第一代解决方案相比内存带宽提高1.35倍。瑞萨与包括CPU和内存供应商在内的行业领导者以及终端客户合作，在新型MRDIMM的设计、开发与部署方面发挥了关键作用。瑞萨设计并推出三款全新关键组件：RRG50120第二代多路复用寄存时钟驱动器（MRCD）、RRG51020第二代多路复用数据缓冲器（MDB），和RRG53220第二代电源管理集成电路（PMIC）。此外，瑞萨还批量生产温度传感器（TS）和串行存在检测（SPD）集线器解决方案，并为包括行业标准下一代MRDIMM在内的各类服务器和客户端DIMM提供全面的芯片组解决方案。作为内存接口领域的卓越厂商，瑞萨致力于为用户提供高质量、高性能的产品和服务。Davin Lee, Senior Vice President and General Manager of Analog & Connectivity and Embedded Processing表示：“AI和HPC应用对更高性能系统的需求持续增长。瑞萨紧跟这一趋势，与行业领导者携手开发下一代技术及规范。这些公司依靠瑞萨提供的专业技术知识和生产能力来满足日益增长的需求。我们面向第二代DDR5 MRDIMM的最新芯片组解决方案，体现了瑞萨在这一市场领域的卓越地位。”瑞萨RRG50120第二代MRCD用于MRDIMM，缓冲主...
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2024/11/25 11:16:21
英伟达推出2款新AI硬件，H200 NVL PCIe GPU和GB200 NVL4。英伟达表示约七成的企业机架仅可提供不到20kW的电力供应，并采用空气冷却，而PCIe AIC形态的H200 NVL就是为这些环境推出的相对低功耗风冷AI计算卡。英伟达推出2款新AI硬件，H200 NVL PCIe GPU和GB200 NVL4。英伟达表示约七成的企业机架仅可提供不到20kW的电力供应，并采用空气冷却，而PCIe AIC形态的H200 NVL就是为这些环境推出的相对低功耗风冷AI计算卡。H200 NVL为双槽厚度，最高TDP功耗从H200 SXM的700W降至600W，算力也有一定下降 （INT8 Tensor Core算力下滑约15.6% ），不过HBM内存容量和带宽是与H200 SXM相同的 141GB、4.8TB/s。H200 NVL PCIe GPU支持双路或四路的900GB/s每GPU的NVLink桥接器互联。H200 NVL内存容量是此前H100 NVL的1.5倍，带宽也达1.2倍，拥有1.7倍的AI推理性能，在HPC 应用中性能也高出30%。英伟达此次还推出了面向单服务器解决方案的GB200 NVL4超级芯片，聚合了2个Grace CPU和4个 Blackwell GPU，HBM内存池容量达1.3TB，相当于2组GB200 Grace Blackwell超级芯片，整体功耗5.4kw。相比于包含4个Grace CPU和4个Hopper GPU的上代GH200 NVL4系统，新的GB200 NVL4拥有 2.2倍的模拟性能、1.8倍的AI训练性能和1.8倍的AI推理性能。GB200 NVL4超级芯片2025年下半年上市。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/11/25 11:10:43
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用PowerPAK® SO-8S（QFN 6x5）封装的全新150 V TrenchFET® Gen V N沟道功率MOSFET---SiRS5700DP，旨在提高通信、工业和计算应用领域的效率和功率密度。与上一代采用PowerPAK SO-8封装的器件相比，Vishay Siliconix SiRS5700DP的总导通电阻降低了68.3 %，导通电阻和栅极电荷乘积（功率转换应用中MOSFET的关键品质因数（FOM）降低了15.4 %，RthJC降低了62.5 %，而连续漏极电流增加了179 %。日前发布的器件具有业内导通电阻（10 V 时为 5.6 mW）以及导通电阻和栅极电荷乘积FOM（336 mW*nC），可最大限度降低传导造成的功率损耗。因此，设计人员能够提高效率，满足下一代电源的要求，例如6 kW AI服务器电源系统。此外，PowerPAK SO-8S封装具有超低的 0.45 °C/W RthJC，可实现高达144 A的持续漏极电流，从而提高功率密度，同时提供强大的SOA能力。SiRS5700DP非常适合同步整流、DC/DC转换、热插拔开关和OR-ing功能。典型应用包括服务器、边缘计算、超级计算机和数据存储；通信电源；太阳能逆变器；电机驱动和电动工具；以及电池管理系统。MOSFET符合RoHS标准且无卤素，经过100 % Rg和UIS测试，符合IPC-9701标准，可实现更加可靠的温度循环。器件的标准尺寸为6 mm × 5 mm，完全兼容PowerPAK SO-8封装。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/11/22 13:08:54