德州仪器 (TI)今日推出了全新的集成式汽车芯片，能够帮助各个价位车辆的驾乘人员，实现更安全、更具沉浸感的驾驶体验。TI AWRL6844 60GHz 毫米波雷达传感器通过运行边缘 AI 算法的单个芯片，支持用于座椅安全带提醒系统的占用检测、车内儿童检测和入侵检测，从而实现更安全的驾驶环境。亮点：·德州仪器通过业内的单芯片 60GHz 毫米波 (mmWave) 雷达传感器提升检测精度，能够支持三种通过边缘人工智能 (AI) 来实现的车内检测应用。·汽车制造商可以通过一款高度集成、基于 Arm®、结合 TI 基于向量的 C7x 数字信号处理器 (DSP) 内核的业界先进的汽车微控制器 (MCU) 和处理器，提供卓越的音频体验。·TI 的全新音频放大器是业界的音频放大器，采用单电感器 (1L) 调制技术，使其能够以一半的电感器数量实现 D 类性能。德州仪器 (TI)今日推出了全新的集成式汽车芯片，能够帮助各个价位车辆的驾乘人员，实现更安全、更具沉浸感的驾驶体验。TI AWRL6844 60GHz 毫米波雷达传感器通过运行边缘 AI 算法的单个芯片，支持用于座椅安全带提醒系统的占用检测、车内儿童检测和入侵检测，从而实现更安全的驾驶环境。借助 TI 的下一代音频 DSP 核心、AM275x-Q1 MCU 和 AM62D-Q1 处理器，能够更加经济实惠地获得高质量音频体验。结合 TI 全新的模拟产品（包括 TAS6754-Q1 D 类音频放大器），工程师可以获得一个完整的音频放大系统解决方案。“无论是入门级汽车还是豪华级汽车，无论是燃油车还是电动汽车，如今的驾驶员都期望这些车辆能够提供更佳的车内体验，”TI 嵌入式处理部门高级副总裁 Amichai Ron 表示。“TI 持续提供创新技术，旨在推动未来汽车驾驶体验的发展和改进。我们的边缘 AI ...
浏览次数：
17
2025/1/13 13:44:53
对实现下一阶段自动驾驶和自主驾驶而言，在密集的城市环境中探测行人是一项挑战。为达到SAE定义的L2+至L4自动驾驶要求，开发新一代4D和成像雷达至关重要。在此背景下，英飞凌科技股份公司发布了其最新的RASIC™ CTRX8191F 28nm雷达单片微波集成电路（MMIC）的最终样品。CTRX8191F专为满足自动驾驶的要求而设计，具有高性能、低系统成本的特点，并将推动新一代雷达成像模块的开发。CTRX8191F雷达MMIC具有更强大的性能，且信噪比优于前几代产品，并在8个发射器和8个接收器的系统配置下，探测到最远380米的易受伤害的道路使用者和车辆。这款RASIC™ MMIC实现了低频下多个半导体器件的级联，从而减少对电路板上昂贵射频材料的需求。此外，RASIC™ CTRX8191F采用经过优化的封装上装载（LoP）设计，便于使用低成本的波导天线。其数字PLL在生成复杂波形方面具有很高的灵活性，并具有市面上最短的反激时间（为了加快雷达系统的设计和部署，英飞凌还提供CARKIT综合雷达开发套件。CARKIT基于 CTRX8191F传感器原型开发模块，支持各种系统配置，包括通过千兆以太网接口传输原始ADC数据、FFT中间结果和雷达探测结果等。附带的示例代码和图形用户界面可加快原型的开发和设计速度，使开发人员能够快速而高效地实现其雷达系统设计理念。该套件还包含一根波导天线，可根据客户的特定要求轻松换成定制天线。CARKIT已推出多个版本，包括配备8个发射器和 8 个接收器的新一代 4D前端雷达配置，以及面向标准市场的高性价比转角/前雷达解决方案（配备4个发射器和4个接收器）。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
浏览次数：
23
2025/1/13 13:41:55
据CINNO Research发布最新报告称，得益于全球手机终端市场的稳健增长，叠加华南市场持续保持高位备货需求，2024年全球智能手机面板出货量延续强劲的增长趋势。CINNO Research统计数据表明，2024年全球智能手机面板出货量或将达到22.7亿片，同比增长8.7%，达到了历史新高点。这一成就体现了行业供应链在全球经济不确定性中的强大适应能力和弹性。1月9日，据CINNO Research发布最新报告称，得益于全球手机终端市场的稳健增长，叠加华南市场持续保持高位备货需求，2024年全球智能手机面板出货量延续强劲的增长趋势。CINNO Research统计数据表明，2024年全球智能手机面板出货量或将达到22.7亿片，同比增长8.7%，达到了历史新高点。这一成就体现了行业供应链在全球经济不确定性中的强大适应能力和弹性。在这一轮的增长中，主流手机品牌全球面板采购量（不包括白牌及维修市场）预计将达到12.1亿片，同比增长5.3%，其中，主流国产品牌的占比有望达到57.8%，超越五成，同比上升1.4个百分点，彰显了中国手机品牌在全球市场上的强劲势头。在国内市场，小米、OPPO和vivo继续占据面板采购量的前三甲位置，三家合计份额或将达到34.0%。小米：2024年小米智能手机面板采购量或将达1.71亿片，同比增长21.7%，位居国内第一。OPPO： OPPO稳居市场第二，预计2024年的智能手机面板采购量将达到1.44亿片，同比增长3.5%。与2023年相比，这一规模和排名将在2024年继续保持，充分展示了OPPO的稳健经营能力。vivo：vivo的表现同样抢眼，预计其2024年的智能手机面板采购量将达到9,800万片，同比增长4.2%。进一步观察2024年前三季度的数据，小米智能手机面板累计采购量为1.3亿片，位居国内第一；OPPO智能手机面板采购量为1.2亿片，同比...
浏览次数：
19
2025/1/13 13:38:11
据悉，LG Display（LG显示）今年将开始制造四层白光OLED（W-OLED）面板。该公司之前的W-OLED面板采用三层堆叠结构，面板的发光层由三层组成。增加另一层堆叠可以提高面板的亮度——新面板将于今年在广州开始生产。三层W-OLED的堆叠结构从下到上依次是蓝色、绿色/黄绿色/红色和蓝色（B-GYG-R）。而四层W-OLED的堆叠结构从下到上依次是蓝色、绿色、蓝色和红色（B-G-B-R）。之前的绿色/黄绿色/红色堆叠在新结构中被分为绿色和红色堆叠。LG Display计划首先将新结构应用于其电视面板。OLED电视在过去因亮度不及液晶（LCD）电视而受到批评。LG Display曾使用微透镜阵列（MLA）和氘来改善这一点，但预计MLA不会用于四层W-OLED。与此同时，三星显示今年也将推出五层量子点-OLED（QD-OLED），比之前增加了一层堆叠。其四层QD-OLED的堆叠结构为蓝色、蓝色、绿色和蓝色。五层结构将在顶部增加一层绿色。由于QD-OLED使用蓝光源，绿色具有提高屏幕亮度的效果。新的五层QD-OLED预计将首先用于27英寸显示器。MSI表示计划将该技术用于其27英寸显示器。这些用于大型面板的堆叠技术与iPad OLED面板中使用的两层串联技术不同。电视和显示器面板采用开放式金属掩模制造，每层代表一种颜色，顶部添加滤光片以显示不同颜色。而对于智能手机和平板电脑面板，每层都有不同的颜色子像素。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
浏览次数：
19
2025/1/13 13:34:12
在日新月异的数字存储领域，固态硬盘（SSD）已成为重塑数据存储和访问方式的关键技术。SSD得益于其更高的可靠性、更快的速度、更低的功耗、更佳的性能以及更轻巧紧凑的设计，因而比传统硬盘驱动器（HDD）更受欢迎。预计到2028年，SSD市场规模将达到670亿美元。其中，电源断电保护（PLP）所需的硬件、固件和软件占据了相当大的市场份额；这些对于确保SSD系统在断电后仍能正常运行至关重要。本文将深入探讨SSD技术的复杂世界，并阐述其优势以及对计算环境产生的变革性影响。此外，我们还将介绍SSD技术的最新进展，包括电源管理集成电路（PMIC）和PLP及其在企业数据存储中的作用。了解SSD中的断电保护在快速发展的数字存储领域，SSD在改变数据存储和检索方式方面扮演着举足轻重的角色。大型企业使用的企业数据存储系统用于处理、保存和保障诸如云计算、数据挖掘及在线交易等活动中的重要数据。这些系统部署在各大数据中心。如图1所示，SSD中的PLP在断电期间可提供足够的能量，将关键数据保存至NAND（NAND闪存作为一种非易失性存储技术，在无电源的情况下也能保持数据）。此类PLP系统已在SSD市场存在了一段时间，在断电时保护数据安全方面发挥了重要作用。PLP的主要任务是延长SSD的运行时间，以便安全地将数据从驱动器的临时存储移动到永久存储器，确保数据在系统重新通电后仍然存在且可访问。PLP系统通过使用特殊电容器使SSD保持时间足够长的供电，从而将缓存中的所有数据都保存到NAND闪存中，并更新目录信息。如下图2所示，此类电容器可存储足够的能量，在断电后使SSD能够继续运行并完成数据备份。这些能量为系统提供了额外的运行时间，使得系统能够在断电后完成向存储器写入数据的操作。此外，一些SSD使用特殊的软件规则来控制断电时数据的写入方式，从而确保数据安全并降低出错的可能性。接下来，让我们快速了解一下SSD的主...
浏览次数：
22
2025/1/10 13:22:00
DRAM市场将在2025年第一季度出现显著的价格下跌，PC、服务器和GPU VRAM细分市场预计将出现大幅下跌。根据TrendForce的最新预测，季节性需求波动加上买家的战略库存管理正在推动下降趋势。在PC DRAM市场，价格预计将下降8%-13%。这一下降主要是由于消费者需求疲软和DDR4内存模块供过于求。虽然DDR5的采用率正在稳步增长，但尚未达到抵消上一代DDR4模块供过于求所需的规模。因此，PC制造商正在利用较低的价格来增加库存，尽管他们很谨慎，以避免在需求不确定的情况下出现库存过剩。服务器DRAM价格预计也会下降，尽管降幅不如PC DRAM大，预测降幅为5%~10%。从DDR4到DDR5和高带宽存储器（HBM）的持续过渡继续影响着服务器DRAM市场。主要供应商正在将生产能力从DDR4重新分配到更新的技术，以满足数据中心和AI应用日益增长的需求。然而，DDR4内存的供过于求，加上企业客户谨慎的采购策略，导致价格受到抑制。虽然DDR5的采用率正在增长，但其目前的使用量仍不足以抵消DDR4的供应过剩。在GPU VRAM领域，价格预计将下跌5%~10%，这主要是由于需求低迷和库存水平上升。尽管部分生产能力已转向HBM，尤其是用于AI和数据中心应用的高性能GPU，但对传统图形DRAM的需求仍然疲软。游戏和专业图形市场尚未从高库存水平和疲软的消费者需求时期完全恢复，导致GPU VRAM价格持续下跌。DRAM价格的持续下跌与过去两年观察到的更广泛趋势一致。先前的报告表明，2023年初价格大幅下跌，仅第一季度DRAM成本就暴跌20%。这些降价是由供应过剩和消费者需求低迷共同推动的，导致全年价格持续下跌。到2024年，尽管下滑速度有所放缓，但市场仍面临挑战。制造商库存水平高企，消费电子、游戏和数据中心等关键领域的需求依然疲软。此外，DDR5和HBM等较新内存技术的缓慢采用导致老一...
浏览次数：
16
2025/1/10 13:17:40
台积电先进封装大扩产，其中CoWoS制程是扩充主力。随著群创旧厂购入后设备进机与台中厂产能扩充，2025年台积电CoWoS月产能将上看7.5万片。行业调研机构semiwiki分析称，台积电在中国台湾大举扩充先进封装产能，其中随着英伟达需求推动，预估2025年 CoWoS月产能估计6.5万片-7.5万片，2026年估计月产9-11万片。此外，2025年预计英伟达占据CoWoS总需求的63%，表明其在采用CoWoS技术方面的领导地位。紧随其后的是博通，占据13%的份额。AMD和Marvell各占据8%并列第三，表明两家公司对这项技术的兴趣相当。semiwiki指出，其他贡献者包括AWS + Al chip（3%）、英特尔（2%）、Xilinx（1%）和其他（3%）。另一方面，研调机构TrendForce在2024年11月亦发布报告称，随着英伟达最新Blackwell平台芯片2025上半年逐步放量，将带动台积电CoWoS-L需求量超越CoWoS-S，占比有望逾60%，并驱动台积电CoWoS月产能于年底接近翻倍、达7.5万至8万片。此外，主要云端服务供应商（CSP）积极投入ASIC AI芯片建置，包括亚马逊AWS等巨头2025年对CoWoS需求量亦将明显上升。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
浏览次数：
22
2025/1/10 13:11:25
随着各品牌厂家对知识产权（IP）和设备的附件配件的保护管理意识越来越高，安芯半导体推出基于SHA-3第三代安全散列算法(Secure Hash Algorithm 3)的新一代低成本高性能防复制加密芯片RJGT28E16。产品介绍RJGT28E16集成符合FIPS 202标准的SHA-3安全哈希算法引擎，支持符合FIPS 202标准的密钥哈希消息认证码（HMAC），集成256位安全EEPROM、递减计数器和唯一的64位ROM识别码(ROM ID)。系统框图详细介绍EEPROM的每页有读写保护配置，对于参与认证运算页的数据可配置为禁止外部读写，保证数据不被异常更改或被盗取。主密钥页任何时候都不能读出，可配置写入保护。递减计数器页写入初始之后，不可再次外部更改，只能递减。ROM ID可作为产品的电子序列号。在多器件1-Wire网络中，其ROM ID作为网络中的节点地址。RJGT28E16通过单触点1-Wire总线通信，极大简化了处理器与加密器件的连线或触点，采用CRC-16检验通信的正确性。RJGT28E16适配宽工作电压范围，2.4V-5.0V；工作温度范围：-40°C -+85°C。典型应用电路RJGT28E16参数如下产品应用免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
浏览次数：
22
2025/1/9 11:48:27
Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推出TPSMB非对称TVS二极管系列，这是首款上市的非对称瞬态电压抑制（TVS）二极管，专门用于保护汽车应用中的碳化硅（SiC）MOSFET栅极驱动器。 这一创新产品满足下一代电动汽车 (EV) 系统对可靠过压保护日益增长的需求，提供一种结构紧凑的单元件解决方案，取代了传统用于栅极驱动器保护的多个齐纳二极管或 TVS 元件。TPSMB 非对称 TVS 二极管系列为 SiC MOSFET 栅极驱动器提供卓越的保护，与传统硅基 MOSFET 或 IGBT 相比，SiC MOSFET 栅极驱动器的开关速度更快，因此容易发生过压故障。TPSMB 系列独特的非对称设计支持SiC MOSFET不同的正负栅极驱动器额定电压，确保在使用 SiC MOSFET的各种苛刻汽车电源应用中实现更高性能，这些应用包括：车载充电器 (OBC)电动汽车牵引逆变器输入/输出接口Vcc 总线这些应用要求SiC MOSFET栅极驱动器具有高性能过压保护(OVP)，以确保最佳性能、寿命和效率。Littelfuse 保护业务产品管理总监 Charlie Cai 在强调该产品为汽车工程师带来的价值时表示：“TPSMB非对称TVS二极管系列为SiC MOSFET栅极驱动器保护提供了创新解决方案，无需使用多种元件，简化了工程师的设计流程。其紧凑、可靠的设计可确保关键汽车电源系统免受过压故障的影响，为电动汽车和其他高性能应用的持续发展提供支持。”TPSMB非对称系列表面贴装TVS二极管具有以下主要特性和优点：单元件SiC MOSFET栅极驱动器保护：取代多个齐纳或TVS二极管，简化设计并减少元件数量；非对称栅极驱动器电压保护：专为保护SiC MOSFET栅极驱动器而设计，这些驱动器需要...
浏览次数：
15
2025/1/8 16:20:36
Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推出TPSMB非对称TVS二极管系列，这是首款上市的非对称瞬态电压抑制（TVS）二极管，专门用于保护汽车应用中的碳化硅（SiC）MOSFET栅极驱动器。 这一创新产品满足下一代电动汽车 (EV) 系统对可靠过压保护日益增长的需求，提供一种结构紧凑的单元件解决方案，取代了传统用于栅极驱动器保护的多个齐纳二极管或 TVS 元件。TPSMB 非对称 TVS 二极管系列为 SiC MOSFET 栅极驱动器提供卓越的保护，与传统硅基 MOSFET 或 IGBT 相比，SiC MOSFET 栅极驱动器的开关速度更快，因此容易发生过压故障。TPSMB 系列独特的非对称设计支持SiC MOSFET不同的正负栅极驱动器额定电压，确保在使用 SiC MOSFET的各种苛刻汽车电源应用中实现更高性能，这些应用包括：车载充电器 (OBC)电动汽车牵引逆变器输入/输出接口Vcc 总线这些应用要求SiC MOSFET栅极驱动器具有高性能过压保护(OVP)，以确保最佳性能、寿命和效率。Littelfuse 保护业务产品管理总监 Charlie Cai 在强调该产品为汽车工程师带来的价值时表示：“TPSMB非对称TVS二极管系列为SiC MOSFET栅极驱动器保护提供了创新解决方案，无需使用多种元件，简化了工程师的设计流程。其紧凑、可靠的设计可确保关键汽车电源系统免受过压故障的影响，为电动汽车和其他高性能应用的持续发展提供支持。”TPSMB非对称系列表面贴装TVS二极管具有以下主要特性和优点：单元件SiC MOSFET栅极驱动器保护：取代多个齐纳或TVS二极管，简化设计并减少元件数量；非对称栅极驱动器电压保护：专为保护SiC MOSFET栅极驱动器而设计，这些驱动器需要...
浏览次数：
15
2025/1/3 11:21:35
圣邦微电子推出 SGM8431-1Q，一款高输出电流、轨至轨输入/输出、单 CMOS 车规级运算放大器。该器件可广泛应用于汽车应用中的多种场景，包括但不限于振荡器激励驱动器、电机驱动器、扬声器驱动器，以及 4mA 至 20mA 传输器。SGM8431-1Q 是一款专为汽车领域设计的单通道、轨至轨输入/输出、高电压和高输出驱动能力的 CMOS 运算放大器。这款器件针对 4.5V 至 36V 的单电源高压工作环境进行了特别优化，能够提供至少 400mA 的峰峰输出电流。针对混合动力汽车和电动汽车中电机驱动器的旋转变压器励磁需求，SGM8431-1Q 以其高电压和高输出电流的特性，特别适合于这些应用。在这些应用中，SGM8431-1Q 能够有效替代传统的由运算放大器和功率晶体管组成的复杂旋转变压器励磁驱动器，简化系统设计。经过 AEC-Q100 认证的 SGM8431-1Q，确保了其在汽车应用中的可靠性和耐用性。该器件采用符合环保理念的 TO-252-5 封装，并且能够在 -40℃ 至 +125℃ 的宽温度范围内稳定工作，满足汽车行业对高性能运算放大器的严苛要求。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
浏览次数：
17
2025/1/2 13:41:20
据SemiAnalysis报道，英伟达已经完成升级版Blackwell GPU，即B300芯片的流片，并透露了改进版的Grace-Blackwell组件，即GB300。报告指出，B300设计目标与B100和B200使用的相同，即台积电的4NP 4nm标称制造工艺。然而，对设计的调整使得其FLOPS性能比B200高出多达50%。B300 GPU还使用12层HBM3E DRAM，使得每块GPU的内存容量增加到288GB，尽管内存带宽仍保持在每块GPU 8TB/s。英伟达于2024年3月推出B100、B200 Blackwell GPUs和GB200组件，后者配备一个基于ARM的CPU加上两个GPU。原始Blackwell部件的推出因服务器机架中GPU过热而蒙上阴影。然而，机架的设置、液冷的使用，内部热监控以及性能管理技术都很复杂，需要超大规模客户和机架供应商进行大量配置和迭代的工作。运行温度更高SemiAnalysis表示，B300系列Blackwell部件的热设计预算增加到每CPU 1.2kW——相比之下B200 为1kW，并且具有更大的内存容量，非常适合推理应用。制造芯片的前沿晶圆通常在生产线上花费约三个月的时间，加上晶圆级测试、封装和组件测试的时间，通常决定了从流片到芯片发货的最低周期为六个月。据SemiAnalysis称，B300在封装上与B200/GB200有一些不同。据报道，英伟达将仅提高“SXM Puck”模块上的B300和BGA封装中的Grace CPU，让客户在计算板上采购更多组件。推荐的主机管理控制器 (HMC) 来自初创公司 Axiado，第二层内存是LPCAMM模块，可能来自美光。英伟达CEO黄仁勋将于2025年1月7日在拉斯维加斯举行的消费电子展上发表主题演讲，届时他可能会借此机会确认B300。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版...
浏览次数：
17
2025/1/2 13:36:36
看来英特尔准备在新一代产品中进一步提升VRAM容量，有消息称英特尔计划明年推出一款24GB Battlemage GPU。泄露的清单表明BMG-G21芯片上采用翻盖设计，理论上可容纳12个16Gb GDDR6模块。由于该报告声称这款GPU面向专业人士，因此它很可能是英特尔的Pro系列或Flex系列的指定产品。英特尔12月正式向主流市场推出Battlemage系列，包括Arc B580和即将发布的Arc B570。在这些GPU中，B580受到热烈欢迎；需求持续超过供应，以至于英特尔现在承诺每周补货以保持库存。传闻称英特尔至少准备了三种Battlemage芯片：BMG-G31、BMG-G21和BMG-G10。BMG-G21为Arc B580提供支持，包括192位接口和20个Xe2核心。业内人士称，英特尔计划在2025年推出一款配备24GB VRAM的专业GPU。所谓“专业”表明这款GPU并非针对主流市场；很可能是基于Alchemist的Flex系列或Pro系列的继任者。该GPU的目标用户群体包括数据中心、边缘计算、科学研究和个人开发。发货记录显示，英特尔一直在运送一款基于BMG-G21的GPU，采用翻盖配置的内存进行测试。作为参考，英特尔目前在Arc Pro系列中的旗舰产品Arc Pro A60拥有12GB VRAM。显存容量在训练AI模型和LLM（大语言模型）推理中起着巨大作用。当前竞争对手的容量高达48GB，比如AMD的Radeon W7000 GPU和英伟达的Ada Lovelace工作站卡。值得注意的是，英特尔BMG-G21是与英伟达RTX 4060竞争，而不是RTX 4090或RTX 6000 Ada。而且更现实的竞争对手可能是配备16GB的英伟达RTX 2000 Ada或配备8GB内存的AMD Radeon Pro W7600。3免责声明：本文为转载文章，转载此文目...
浏览次数：
15
2025/1/2 13:34:47
PC等终端产品需求缺乏，导致DRAM价格连续3个月下跌，跌幅扩大。因需求低迷，导致在智能手机、PC、数据中心服务器上用于暂时存储数据的DRAM价格继续下跌。11月份DDR4 8Gb批发价(大宗交易价格)为每个1.9美元左右，容量较小的4Gb价格为每个1.46美元左右，比上个月下跌4%，连续第3个月下跌，跌幅比9-10月的3%呈现扩大。DRAM需求中，约50%来自PC和服务器、约35%来自智能手机。库存下降，不过中国市场的终端产品销售放缓，持续为买方市场。存储厂商无法以强硬的姿态进行涨价谈判。AI用HBM供应追不上需求，然而HBM供应开始稳定，很难按照存储厂商预定的价格进行交易。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
浏览次数：
14
2024/12/31 9:40:28
艾诺半导体的ezSiP(System in Package)降压电源模块EZ8828和EZ8836，该系列产品支持单颗最高42V(EZ8836)的输入电压，最大16A(EZ8828)输出电流，同时也可采用多颗EZ8828/EZ8836并联来提升功率等级。适用于测试机、医疗设备、通信基站等领域中使用24V总线供电的较大功率工业应用场景，同时也标志着艾诺半导体对工业、医疗等领域应用的持续拓展和深耕。选择合适的艾诺电源模块可以有效满足有设计时间和空间限制难题的工程师需求，为他们提供高效、可靠的电源管理解决方案。01 EZ8828/EZ8836产品特点· 输入电压范围：4.5 to 32V(EZ8828) 4.5 to 42V(EZ8836)· 输出电压范围：0.6 to 14V(EZ8828) 0.6 to 18V (EZ8836)· 输出电流：双路6A单路并联12A(EZ8836) 双路8A单路并联16A(EZ8828) · 支持I²C数字通信· ±1.2%最大总直流输出精度· 支持差分远端采样· 支持多相均流· 频率可调250kHz~750 kHz· 输出过流、过压保护· 输出过温保护· 额定工作温度范围：-40℃~125℃· 80-Lead 10mm×12.5mm×5.01mm BGA封装02 效率优秀，可靠性高凭借集成技术与卓越的封装工艺，艾诺半导体EZ8826和EZ8836的峰值效率能够达到 96%以上。同时，其特殊的封装材料与形式，一方面有效减小了整体方案的尺寸，另一方面还起到了均匀温升的作用，进而提高了整体的效率和可靠性。不同输入输出电压下的效率数据可参考下图2和...
浏览次数：
32
2024/12/30 13:21:19
美国柏恩 Bourns 全新扩展其产品线，推出符合 AEC-Q200 标准车规级 HVMA03F40C-ST10S 反激式变压器。该系列专为在紧凑尺寸中实现高功率密度与更高效率而设计，Bourns 持续推出具备更高能力的高隔离反激式及栅极驱动变压器系列产品，以因应当今汽车、工业以及能源储存设计对于功率密度的不断增长需求。Bourns® HVMA 型号变压器的多项特性使其成为电动车、晶体管栅极驱动、高压电池管理系统，以及混合动力车辆中跨电压系统隔离供电的理想解决方案。此外，该系列亦能有效支持宽带隙设计中使用的高频碳化硅 (SiC)、绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 和氮化镓 (GaN) 开关组件。Bourns 在开发微型化磁性结构方面具备成熟的设计技术。此款最新变压器符合 IEC 标准的隔离与高电气间隙/爬电距离要求，并采用尖端的机械与电气设计，有助于提升系统性能与安全性。Bourns® HVMA03F40C-ST10S 提供 10 毫米爬电距离的表贴式封装，设计人员可在现有平台上利用其支持高达 900 V 的工作电压，或简化新平台的设计。此外，此款 3 瓦反激式变压器支援 100 kHz 至 400 kHz 的开关频率范围，以及 -40 °C 至 +155 °C 的工作温度范围。全新 Bourns® HVMA03F4A-LP8S 系列反激式变压器现已上市，符合 RoHS* 标准和 REACH** 规范。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
浏览次数：
19
2024/12/30 13:18:47
12月26日，市调机构Counterpoint Research在报告中指出，自折叠屏智能手机市场诞生以来，中国市场经历了快速增长，但目前增速有所放缓。预计2024年中国折叠屏手机出货量将达到910万部，同比增长2%。Counterpoint Research表示，在折叠屏手机类别中，大折叠手机的表现优于小折叠手机，这主要得益于大折叠手机提供了更广泛的使用场景。受此趋势影响，OPPO和vivo今年相继停止了小折叠手机的生产。然而，与上面的趋势相反，小米在7月推出了其首款小折叠手机Mix Flip，市场反响热烈。Counterpoint Research认为，尽管中国的折叠屏手机市场增速放缓，但在饱和的智能手机市场中，折叠屏手机市场仍是一个亮点。为了吸引更多消费者并推动更广泛的普及，创新且更具吸引力的使用场景将变得至关重要。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版问题，请联系小编进行处理。
浏览次数：
16
2024/12/30 13:14:38
随着尖端代工厂2025年开始使用2nm工艺节点量产芯片，半导体领域正在上演一场激烈的竞争。这恰逢3nm量产的第三年。首批搭载3nm芯片的智能手机是苹果iPhone 15 Pro和iPhone 15 Pro Max，这两款手机都配备基于台积电第一代3nm节点（N3B）构建的A17 Pro应用处理（AP）。台积电第二代3nm节点（N3E）用于制造iPhone 16系列所用的A18和A18 Pro AP。尽管早前有传言称台积电将使用其2nm节点制造A19系列AP，但明年的iPhone 17系列芯片将采用台积电第三代3nm工艺（N3P）制造。苹果可能希望等到2026年的iPhone 18系列才使用2nm节点制造其A20和A20 Pro AP，以节省费用。使用新工艺节点制造芯片所用的硅片价格通常在该节点使用的第一年更高。全球最大的晶圆代工厂台积电已经在2nm上已有足够的客户。除了其最大客户苹果已全部签约2026年的2nm产能外，台积电的客户如HPC（高性能计算）制造商、人工智能（AI）、芯片制造商和移动芯片制造商也都参与其中。这使得台积电在2nm订单方面领先于英特尔和三星代工厂。除了苹果，其他表示希望搭上购买台积电2nm产能的知名公司包括AMD、英伟达、联发科和高通。过去几年，三星代工厂在4nm、3nm和2nm的良率方面一直存在问题。三星代工厂在为高通生产骁龙8 Gen1时，4nm良率非常糟糕，以至于后来高通放弃三星代工，转而选择台积电。台积电制造了骁龙8+ Gen 1 AP。最终，三星代工厂将4nm 良率提高到70%。然而，三星代工厂在3nm方面仍然存在良率问题，据报道，这导致3nm Exynos 2500 AP的生产延迟。因此，三星可能不得不支付额外的资金，为所有Galaxy S25系列手机配备更昂贵的骁龙8 Elite SoC，而不是其内部的Exynos 2500。低良率会增加...
浏览次数：
15
2024/12/30 13:13:40