意法半导体此次在MWC上海 (6月26-28日) 展出的ST4SIM-300方案符合即将出台的 GSMA eSIM IoT部署标准。其又被称为SGP.32，这一标准引入了特殊功能，方便管理接到蜂窝网络的物联网设备。为安全资产跟踪和数十亿台智能家居、工厂和城市设备数据安全处理赋能2024 年 6 月 26 日，中国——意法半导体此次在MWC上海 (6月26-28日) 展出的ST4SIM-300方案符合即将出台的 GSMA eSIM IoT部署标准。其又被称为SGP.32，这一标准引入了特殊功能，方便管理接到蜂窝网络的物联网设备。意法半导体边缘设备验证和M2M蜂窝营销经理 Agostino Vanore 表示：“ST4SIM-300 IoT eSIM解决方案利用即将出台的 GSMA新规范， 增强设计灵活性，简化了网络运营商的切换操作，并简化了对大量连接设备的管理过程。在一个连接量越来越多、安全保护越来越严密的世界中，新产品将能够在全球无缝跟踪资产，将智能设备连接到云端，安全处理数十亿台设备产生的数据，支持医疗服务和智能基础设施、城市、工厂和家庭。”与现有的M2M eSIM卡和Consumer eSIM卡的规范不同，IoT eSIM卡标准 (SGP.32) 的制定目的是满足当今的物联网部署需求。意法半导体ST4SIM-30可以最大限度地提高远程SIM卡配置 (RSP) 的自动化程度，轻松批量管理设备SIM 配置文件，支持网络运营商远程切换，省去实体换卡的操作。ST4SIM-300 eSIM卡符合最新的 5G 标准，方便部署用户界面功能有限的设备和低功耗广域网 (LPWAN) 设备。ST4SIM-300 eSIM卡有多种外形尺寸的样片，包括适用于智能电表、GPS 跟踪器、资产监视器、远程传感器、医疗穿戴设备等类似设备的晶圆级封装 (WLCSP)。ST4SIM-300搭载意法半导体的...
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2024/7/1 11:45:37
随着人工智能（AI）处理器对功率的要求日益提高，服务器电源（PSU）必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率，这主要是因为高级GPU的能源需求激增。到本十年末，每颗高级GPU芯片的能耗可能达到2千瓦或以上。这些需求以及更高要求的应用和相关特定客户需求的出现，促使英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）开发电压650 V以下的SiC MOSFET产品。现在，英飞凌基于今年早些时候发布的第二代（G2）CoolSiCTM技术，推出全新CoolSiC™ MOSFET 400 V系列。全新MOSFET产品组合专为AI服务器的AC/DC级开发，是对英飞凌最近公布的PSU路线图的补充。该系列器件还适用于太阳能和储能系统（ESS）、变频电机控制、工业和辅助电源（SMPS）以及住宅建筑固态断路器。英飞凌功率系统业务线负责人Richard Kuncic 表示：“英飞凌提供的丰富高性能MOSFET和GaN晶体管产品组合能够满足AI服务器电源对设计和空间的苛刻要求。我们致力于通过CoolSiC™ MOSFET 400 V G2等产品为客户提供支持，推动AI应用实现最高能效。”与现有的650 V SiC和Si MOSFET相比，新系列具有超低的传导和开关损耗。这款AI服务器电源装置的AC/DC级采用多级PFC，功率密度达到100 W/in³以上，并且效率达到99.5%，较使用650 V SiC MOSFET的解决方案提高了0.3个百分点。此外，由于在DC/DC级采用了CoolGaN™晶体管，其系统解决方案得以完善。通过这一高性能MOSFET与晶体管组合，该电源可提供8千瓦以上的功率，功率密度较现有解决方案提高了3倍以上。全新MOSFET产品组合共包含10款产品：5款RDS(on) 级（11至45 mΩ）产品采用开尔文源TOLL和 D&...
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2024/7/1 11:41:33
2024 年 6 月 27 日，中国——意法半导体开始量产新系列车规高边功率开关管，新产品采用意法半导体专有的智能熔断保护功能并且支持SPI 数字接口，提高设计灵活性和功能安全性。四通道VNF9Q20F是意法半导体采用的单晶片VIPower M0-9 MOSFET工艺并集成STi2Fuse专利技术的新系列功率开关的首款产品，STi2Fuse产品基于I2t(current squared through time-to-fuse)专利技术，检测到过流，支持100µs 内做出快速响应并关断MOSFET功率开关管。VNF9Q20F 用作智能断路器，增强电路板上的电压稳定性，防止 PCB 电路板走线、连接器和线束过热。在防止破坏性过载中，意法半导体新的车规功率开关还支持电容充电模式，允许无危害性的冲击电流存在，因此，能够在大电容负载条件下正常运行。VNF9Q20F 适用于最新的区域控制电气/电子架构，还可替代保险丝和继电器， ECU配电隔离，支持驻车时整车电气系统的配电管理。由于STi2Fuse支持64 个限流值的可编程配置，为设计人员提供高精度的过载处理的灵活性。芯片内部集成10 位模拟数字转换器 (ADC) 和故障寄存器，可提供丰富的诊断信息和数字电流检测反馈，以支持车辆相关功能，例如，预测性维护。VNF9Q20F通过 SPI 提供诊断数据，内置自检功能， 可使系统达到 ISO 26262 规定的安全完整性等级。在发生故障或功能异常时，嵌入式故障安全模式可使系统保持工作状态。VNF9Q20F现已量产，采用6mm x 6mm QFN封装。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/7/1 11:33:58
随着国内轨道交通领域逐渐向高端化、成熟化迈进，市场对电源的成本、可靠性等指标提出更高要求。金升阳在深入分析轨道交通领域各类设备应用环境后，通过自主平台技术升级，推出机壳式封装DC/DC铁路电源URF1D_M-60WR3系列。该系列满足EN 50155铁标认证，采用机壳式封装设计使安装更便捷，内部集成EMC电路，可应用于温度环境恶劣、空间狭小的严苛环境，更能满足市场实际应用需求。一、产品优势（1）机壳式封装，散热性能好，安装便捷URF1D_M系列机壳式封装的铁路电源采用接线安装方式使安装更为简便，提高了电源模块的通用性和可替换性。该系列铁路电源结构紧凑，体积小巧，广泛适用于各铁路系统。同时，通过机壳式封装和散热孔的合理布局，电源内部的热量可以更迅速散发到外部环境中，从而保持产品的温升性能良好。URF1D_M系列产品拥有-40℃ to +80℃的宽工作温度范围，且可在55℃环境下满载工作。优良的温升性能确保产品可以在长时间高负荷运行下依然保持稳定的工作状态。这不仅延长了产品的使用寿命，还提高了整个系统的可靠性。（2）集成EMC电路，更高性价比铁路电源的电磁兼容性（EMC）至关重要。URF1D_M系列产品采用了集成EMC技术，无需配套滤波器使用，实现更高的性价比的同时有效抑制电磁干扰，为铁路系统提供稳定、可靠的电力支持。（3）加强绝缘3000VAC设计，满足EN 50155铁标认证URF1D_M系列产品设计满足EN 50155铁路标准，且采用了加强绝缘设计，隔离电压满足I-O:3000VAC、I/O-FG:3000VAC ，有效保障恶劣、极端环境条件下稳定运行。二、产品应用广泛应用于轨交、AGV、叉车等铁路系统及关联设备中三、产品特点4:1宽电压输入：40-160VDC高效率： 91%宽工作温度范围：-40℃ to +80℃（55℃满载）机壳式封装，安装便捷保护功能全面：输入欠压...
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2024/7/1 11:27:53
知情人士称，台积电正在探索一种芯片封装的新方法，使用矩形面板状基板而不是传统的圆形晶圆，这将允许在每个晶圆上放置更多组芯片。报道称，该研究处于早期阶段，可能需要“几年”才能商业化，但它代表了台积电的重大技术转变，此前台积电认为使用矩形基板太具挑战性。据知情人士透露，目前正在试验的矩形基板尺寸为510mm×515mm，可用面积是目前12英寸圆形晶圆的三倍多。消息人士称，矩形形状意味着边缘剩余的未使用面积会更少。台积电的芯片堆叠和组装技术采用12英寸硅晶圆，这是目前最大的硅晶圆。台积电正在扩大其芯片封装产能，以满足不断增长的需求。据知情人士透露，中国台湾台中工厂的扩建主要是为了英伟达，而台南工厂的扩建是为了亚马逊及其芯片设计合作伙伴Alchip。当被问及此事时，台积电表示“密切关注封装技术的进展和发展，包括面板级封装”。芯片封装技术曾经被视为芯片制造中技术含量相对较低的一个领域，但如今它对于保持半导体进步的步伐已变得越来越重要。以英伟达的H200和B200等AI计算芯片为例，仅使用的芯片生产是不够的，还需要采用台积电首创的芯片封装技术CoWoS。例如，对于B200芯片组，CoWoS可以将两个Blackwell图形处理单元组合在一起，并将它们与八个高带宽存储（HBM）芯片连接起来，从而实现快速数据吞吐量和加速计算性能。 伯恩斯坦研究公司（Bernstein Research）的半导体分析师马克·李（Mark Li）表示，台积电可能很快就需要考虑使用矩形基板，因为AI芯片组对每个封装中芯片数量的要求将越来越高。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/6/25 10:54:43
TDK 株式会社推出面向汽车和工业应用场景的 TAS8240 传感器，扩大了其隧道磁阻（TMR）角度传感器产品系列。这款全新传感器提供紧凑型 QFN16（3 x 3 mm²）和 TSSOP16 (5 x 6.4 mm²)封装，可实现四个冗余模拟单端 SIN/COS 输出和低功耗。此传感器有助于精确的角度测量，可在受限的空间环境中实现高性能。作为 360°角度传感器，TAS8240 适用于精确测量安全关键型装置（如动力转向、制动助力器或牵引电机）中使用的无刷直流电机的转子位置。*TAS8240 现已开始批量生产，可提供样品。TAS8240 是一款基于 TMR 的紧凑型传感器，带有冗余，经济实惠，由 4 个惠斯通电桥组成，适用于角度检测在 -40℃ 至 +150℃ 的环境温度范围内，角度精度可达±1.0°在温度、磁场范围和寿命范围内具有较高的稳定性提供安全相关应用（如动力转向电机）所需的带冗余的精确转子位置测量该传感器包含四对 TMR 半桥，并通过在 x-y 平面上施加磁场提供四个单独的 SIN/COS 输出。然后，即使在其中一个输出信号发生故障的情况下，也可以实现高达 ASIL D 级的更高系统安全级别，同时提供更高的位置信息可用性。QFN16 封装是一款表面贴装技术（SMT）解决方案，与 TSSOP16 相比，其所占面积小得多，非常适合空间有限的应用场景。可润湿的侧板有助于保障焊接质量，并适用于汽车级场景。根据系统架构的不同，新传感器还可以支持故障后不影响操作的概念。TDK的 TMR 技术得益于公司在磁传感器技术方面的长期专业知识，并通过成功将精密的 TMR 技术集成到小型封装中，来优化其传感器产品。传感器的角度精度在不同温度和传感器使用寿命内可保持稳定。TAS8240 在已扩展磁场范围内的确定性行为开启了新的应用场景可能性...
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2024/6/25 10:53:35
德州仪器 (TI)推出了适用于 250W 电机驱动器应用的650V 三相 GaN IPM。这款全新的 GaN IPM 解决了工程师在设计大型家用电器及加热、通风和空调 (HVAC) 系统时通常面临的许多设计和性能折衷问题。DRV7308 GaN IPM 可实现 99% 以上的逆变器效率，能够优化声学性能、缩减解决方案尺寸并降低系统成本。德州仪器电机驱动器业务部门经理 Nicole Navinsky 表示：“高压家用电器及 HVAC 系统的设计人员正努力达成更高的能效标准，以期支持全球环境可持续发展目标。同时，他们也致力于满足消费者对可靠、静音及小巧系统的需求。借助德州仪器全新的 GaN IPM，工程师能够设计出满足所有这些期望并以出色效率运行的电机驱动器系统。”德州仪器 GaN 助力提升系统效率和可靠性全球范围内针对家电和 HVAC 系统的能效标准（如 SEER、MEPS、Energy Star 和 Top Runner 标准）正变得日益严格。与现有解决方案相比，DRV7308 可利用 GaN 技术实现超过 99% 的效率，提升热性能，功耗可降低 50%，从而协助工程师满足上述标准。此外，DRV7308 实现了业内较低的死区时间和低传播延迟（均小于 200ns），这可达到更高的脉宽调制 (PWM) 开关频率，从而减少可闻噪声和系统振动。这些优势与 DRV7308 更高的功率效率和集成特性相得益彰，还能减少电机发热问题，进而提高系统可靠性并延长使用寿命。强大集成和高功率密度可缩减解决方案尺寸和成本顺应家电小型化的趋势，DRV7308 协助工程师开发更小巧的电机驱动器系统。全新 IPM 基于 GaN 技术，具有高功率密度，并采用 12mm x 12mm 封装，使之成为面向 150W 至 250W 电机驱动器应用的业界超小型 IPM。在出色效率的加持下，DRV7308 无需外部散...
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2024/6/24 11:19:35
TDK 株式会社成功开发出一种用于下一代固态电池 CeraCharge 的材料，其能量密度达到 1,000 Wh/L，约为 TDK 传统固态电池能量密度的100倍。新型固态电池的能量密度是 TDK 传统固态电池的100倍。TDK 的目标是开发可用于各种可穿戴设备（如无线耳机、助听器、智能手表）的新型固态电池，以取代现有的纽扣电池。利用 TDK 的专有材料技术，TDK 成功开发出一种新型固态电池材料，由于使用了氧化物固体电解质和锂合金阳极，其能量密度大大高于 TDK的传统量产固态电池（类型：CeraCharge）。此外，氧化物固体电解质的使用也使电池尤为安全，可适用于可穿戴设备和其他与人体直接接触的设备。根据欧盟电池法规，纽扣电池要求更换为可充电电池，而该电池可用于取代纽扣原电池，从而减少对环境的影响。TDK 将以开发新产品固态电池为目标，努力开发电池芯和封装结构设计，并向量产迈进。此外，TDK 还将运用在电子元件业务中积累的生产工程技术，通过积层层压技术提高电池容量，并扩大其工作温度范围。主要应用各种可穿戴设备，如无线耳机、助听器和智能手表环境传感器代替纽扣电池主要特点和优点使用氧化物固体电解质使电池尤为安全更小的尺寸和更高的电容有助于缩小设备尺寸和延长工作时间免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/6/21 15:41:23
近日据外媒Wccftech报道，英伟达(NVIDIA) 2023年数据中心GPU出货量达400万片，吃掉市场98%供货量，完全主宰市场。报道称，早在2023年就预期NVIDIA数据中心和AI市场的“超级周期”即将开始。Hopper GPU和产品带来庞大需求，还有其他领域的AI应用，让大型科技公司数据中心GPU需求暴增。科技公司有足够运算能力不可或缺，NVIDIA成为最能充分利用市场需求的公司。TechInsights数据显示，NVIDIA 2023年成功出货约376万台数据中GPU，比2022年出货量增加近百万台，横扫整个2023年数据中心GPU市场，竞争对手几乎没有机会。数据还显示，NVIDIA以362亿美元拿下98%数据中心GPU市场营收，是2022年的三倍。市场没有足够的AI芯片满足暴增的需求，且大部分需求针对NVIDIA产品而来，竞争对手很难有长足进步。Blackwell产品进入供应链后，NVIDIA将获得更多的吸引力与利益。尽管AMD和英特尔等竞争对手方案越来越受欢迎，但要挑战NVIDIA还需更多努力。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/6/18 11:02:05
2024年6月12日--智能电源和智能感知技术的企业安森美(onsemi)， 最新发布第 7 代 1200V QDual3 绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 功率模块，与其他同类产品相比，该模块的功率密度更高，且提供高10%的输出功率。该800 安培 (A) QDual3 模块基于新的场截止第 7 代 (FS7) IGBT 技术，带来业界能效表现，有助于降低系统成本并简化设计。应用于 150 千瓦的逆变器中时，QDual3 模块的损耗比同类最接近的竞品少 200 瓦（W），从而大大缩减散热器的尺寸。QDual3模块专为在恶劣条件下工作而设计，非常适合用于大功率变流器，例如太阳能发电站中央逆变器、储能系统 (ESS)、商用农业车辆（CAV）和工业电机驱动器。目前，根据不同的应用需求有两种产品可供选择——NXH800H120L7QDSG 和 SNXH800H120L7QDSG。随着可再生能源采用率不断提高，对于高峰需求管理和持续供电保障等相关解决方案的需求也随之日益增长。要想维持电网稳定性和降低成本，就必须要削减电力需求高峰时段的用电量，即采取削峰填谷。利用 QDual3 模块，制造商可以在相同系统尺寸下，设计出发电和蓄电能力更强的太阳能逆变器和储能系统，提高能源管理效率，增强储存能力，从而更平稳地将太阳能电力并网到电网中。此外，该模块还支持将多余的电力储存在储能系统中，能够有效缓解太阳能发电的间歇性问题，确保供电的可靠性和稳定性。对于大型系统应用，可以将这些模块通过并联来提升输出功率，达到数兆瓦级别。与传统的600A模块解决方案相比，800A的QDual3模块显著减少了所需模块的数量，极大地简化了设计复杂度并降低了系统成本。QDual3 IGBT 模块采用 800 A 半桥配置，集成了新的第 7 代沟槽场截止 IGBT 和二极管技术，采用安森美的封装技术，从而降低了开关损耗和导...
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2024/6/18 10:59:11
连接和电源解决方案供应商 Qorvo®今日宣布，率先在业界推出采用 TOLL 封装的 4mΩ 碳化硅（SiC）结型场效应晶体管（JFET）——UJ4N075004L8S。该产品专为包括固态断路器在内的电路保护应用而设计，UJ4N075004L8S 所具有的低电阻、卓越的热性能、小巧的尺寸和高可靠性等优点在上述应用中至关重要。UJ4N075004L8S 的导通电阻 RDS(on) 低至 4mΩ，是业内采用标准分立封装的 650V 至 750V 等级功率器件中导通电阻最低的器件。较低的导通电阻使发热量显著降低，加之紧凑的 TOLL 封装，使解决方案的尺寸比 TO-263 封装的同类产品小 40%。新品可应对目前电磁式断路器对有限空间尺寸的所有要求，且无需复杂的冷却系统即可运行，加速从电磁式断路器向基于半导体的固态断路器（SSCB）的转型。“随着 UJ4N075004L8S 的推出，Qorvo 将继续领导 SiC 电源产品的创新，以超小型元件封装的超低导通电阻 FET 器件助力电路保护等应用的发展。”Qorvo SiC 电源产品业务产品线市场总监 Ramanan Natarajan 表示，“SSCB 市场正迅速增长，Qorvo 的最新产品是这一技术演进中的重要里程碑。”Qorvo 的 JFET 器件坚固耐用，能够在电路故障时承受极高的浪涌电流并实现关断，非常适合应对电路保护领域的挑战。其最新款 JFET 还能承受高瞬时结温而不发生性能劣化或参数漂移。JFET 的常开特性使其能无缝集成到默认导通状态的系统中，并在故障条件下转为关断状态。UJ4N075004L8S 现已提供样品，并将于 2024 年第四季度投入量产；届时，Qorvo 还将推出更多 JFET 产品，包括额定电压为 750V 的 5mΩ 产品和额定电压 1200V 的 8mΩ 产品，均采用 TO-247 封装。...
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2024/6/18 10:57:26
2024年6月14日，中国–意法半导体推出了一个包含50W发射端和接收端的Qi无线充电配套方案，以加快医疗仪器、工业设备、家用电器和计算机外围设备等高功率应用无线充电器的研发周期。通过采用意法半导体的新无线充电解决方案，开发者可以把无线充电的便利性和充电速度带到对输出功率和充电速度有更高要求的应用领域，包括无线吸尘器、无线电动工具、无人机等移动机器人、医疗药物输送设备、便携式超声系统、舞台灯光和移动照明、打印机和扫描仪。因为不再需要电缆、连接器和复杂的对接配置，这些产品的设计变得更简单，价格更便宜，工作更可靠。STEVAL-WBC2TX50电能发射板采用意法半导体超级充电(STSC)协议，最大输出功率高达50W。STSC是意法半导体独有的无线充电协议，充电速度高于智能手机和类似设备所用的标准无线充电协议，可以给更大的电池充电，而且充电速度更快。该板还支持Qi 1.3 5W Baseline Power Profile (BPP)和15W Extended Power Profile (EPP)两种充电模式。意法半导体的STWBC2-HP电能发射系统封装是板载主要芯片，整合了STM32G071 Arm®Cortex®-M0微控制器和射频专用前端。该前端提供信号调理和频率控制功能，驱动发射端的高分辨率PWM信号发生器，采用4.1V到24V直流电源，还包含MOSFET栅极驱动器和USB充电D+/D-接口。此外，STWBC2-HP系统封装SiP可以与意法半导体的STSAFE-A110安全单元配套，提供Qi兼容设备验证功能。STEVAL-WLC98RX电能接收板可处理高达50W的充电功率，安全可靠地支持STSC的全部功能及BPP和EPP充电模式。自适应整流器配置(ARC)将充电距离延长高达50%，为使用成本更低的线圈和更灵活的配置提供了可能。该接收板还...
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2024/6/18 10:55:20
在全球范围内，电动汽车的高昂售价仍然是影响潜在买家下单的最大障碍之一。电动汽车目前的制造成本高于传统燃油汽车的主要原因，是电池和电机技术所带来的昂贵成本。市面上近期的解决方案是通过车辆层面的节能，包括改进与电动汽车充电基础设施的整合，来提升现有电池技术的效率。如今，这些挑战都可以通过英特尔子公司Silicon Mobility发布的最新OLEA U310片上系统（SoC）来解决。这一下一代技术能够显著提升电动汽车的整体性能，简化设计和生产流程，并拓展SoC服务，确保可以在各种EV充电平台中无缝运作。这一全新SoC是Silicon Mobility在行业中率先推出的一款集硬件和软件于一体的完整解决方案。OLEA U310经过专门设计，可与分布式软件相结合，满足电气架构中动力系域控制的需求。基于独特的混合和异构架构，单个OLEA 310 FPCU可替代一个系统组合中的最多6个标准微控制器，来并行控制逆变器、电机、变速箱、DC-DC转换器以及车载充电。使用310 FPCU，OEM和Tier 1供应商能够同时实现对多个不同功率和能量功能的实时控制。除了物料清单（BoM）的减少，早期数据显示，与现在的电动汽车相比，在相同功率下，OLEA 310的使用可将能效提高5%，电机尺寸缩小25%，冷却需求减少35%，无源元件尺寸缩小30倍。Silicon Mobility全新解决方案的推出，让电动汽车厂商能够设计出性能卓越、续航里程更远、生产成本可能更低的软件定义电动汽车，因为需要集成的元件数量减少了。这一全新解决方案与英特尔汽车业已推出的AI增强型软件定义汽车（SDV）SoC系列相结合，将共同推动行业向全电动和软件定义的未来转型。 免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/6/18 10:53:21
首先需要了解一下什么是特罗半导体？特罗半导体成立于2011年1月，是射频（RF）和电源管理应用硅上氮化镓（GaN-on-Si）半导体技术的先驱。先进的专有技术和设备以高昂的价格显著降低了系统解决方案的复杂性、尺寸、重量和功耗，与Silicon解决方案相比，功率转换性能显著提高。特罗半导体是一家无晶圆厂半导体公司总部位于美国芝加哥，在美国伊利诺伊州阿灵顿高地和印度加尔各答设有设计中心。特罗半导体的研发团队致力于开发利用宽带隙技术的颠覆性解决方案，帮助客户解决射频和电源设计挑战，并加快从5G蜂窝基础设施到消费者、汽车、国防和安全等广泛应用的上市时间。特罗半导体与领先的半导体铸造厂和组装厂合作，提供优质和久经考验的产品。主要产品：功率放大器；射频开关；GaN晶体管低噪放大器线性驱动器；增益模块；GaN功率晶体管。型号：TS8021N；TS8423K1；TS8728N；TS8729N；TS86436P。选型可直接联系在线客服！
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2024/6/13 16:26:47
Microchip 近日宣布推出新型TimeProvider® XT 扩展系统。该系统是扇出机架，搭配冗余TimeProvider 4100 主时钟使用，可将传统BITS/SSU设备迁移到模块化的弹性架构中。TimeProvider XT为运营商提供了替换现有SONET/SDH频率同步设备的明确途径，同时增加了对5G网络至关重要的授时和相位功能。TimeProvider 4100主时钟的附件，可扩展至200 个完全冗余的T1、E1 或CC同步输出端关键基础设施通信网络需要高精度、高弹性的同步和授时，但随着时间的推移，这些系统会逐渐老化，必须迁移到更现代化的架构。Microchip （微芯科技公司）今日宣布推出新型TimeProvider® XT 扩展系统。该系统是扇出机架，搭配冗余TimeProvider 4100 主时钟使用，可将传统BITS/SSU设备迁移到模块化的弹性架构中。TimeProvider XT为运营商提供了替换现有SONET/SDH频率同步设备的明确途径，同时增加了对5G网络至关重要的授时和相位功能。作为Microchip广泛部署的TimeProvider 4100主时钟的附件，每个TimeProvider XT 机架配置有两个分配模块和两个插入式模块，可提供40个完全冗余且可单独编程的输出，其同步符合 ITU-T G.823 标准，可实现漫游和抖动控制。运营商最多可连接五个XT机架，以扩展多达200个完全冗余的T1/E1/CC 通信输出。所有配置、状态监控和报警报告均通过 TimeProvider 4100主时钟完成。这一新解决方案使运营商能够将关键的频率、授时和相位要求整合到现代化平台，从而节省维护和服务成本。Microchip负责频率和时间系统业务部的副总裁Randy Brudzinski 表示：“借助新推出的TimeProvid...
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2024/6/11 14:07:28
物联网设备的数量正在迅速增加并应用到各行各业之中。随着智能设备数量上涨，用户对设备配置和配对等操作所应具有的简易性之要求也一并提高。为此，英飞凌科技股份公司推出了OPTIGA™ Authenticate NBT产品。这是一款高性能的NFC I2C桥接标签产品，适用于对物联网设备进行单点验证和安全配置等功能的实现。这款产品是市面上唯一一款使用非对称加密进行签名及验签操作、并获得NFC Forum Type 4类认证的标签产品。OPTIGA™ Authenticate NBT通过使用NFC（近场通信）技术，为物联网设备与支持非接触式读卡功能的智能设备(如智能手机)间的相互通信提供便利，实现该场景下，对大数据量的无缝且高速数据传输需求的方案的落地。OPTIGA™ Authenticate NBT可用于多种应用场景，如：对无显示屏电子设备进行安全配置、对共享车辆进行激活、对智能设备(如智能灯泡)进行安装前的无源调试、为便携式医疗设备（如健康监护仪）进行自动的体征数据记录等。OPTIGA™ Authenticate NBT采用英飞凌的Integrity Guard 32安全架构，硬件及算法库均通过CC EAL6+认证，具有出色的安全性。该标签产品支持对称和非对称加密验证，以及直通和异步数据传输模式。基于 TEGRION™硬件，OPTIGA™ Authenticate NBT支持非接场景下848 Kbit/s的传输速率，其I2C接口则可以支持1 Mbits/s的传输速率，为需求高性能数据传输的应用提供重要的助力支持。这款NFC I2C桥接标签提供 8 KB 的大容量内存，可有效满足客户和特定应用的多配置信息的储存。另外，由于采用了片上高自有电容的设计，此产品可有效支持小天线设计的实现，为客户在物料上的降本增效及产品空间规划上要求提供助力。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更...
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2024年6月6日 - 安森美(onsemi)，随着数据中心为了满足人工智能计算的庞大处理需求而变得越来越耗电，提高能效变得至关重要。安森美最新一代T10 PowerTrench®系列和EliteSiC 650V MOSFET的强大组合为数据中心应用提供了一种完整解决方案，该方案在更小的封装尺寸下提供了无与伦比的能效和卓越的热性能。与一般的搜索引擎请求相比，搭载人工智能的引擎需要消耗超过10倍的电力，预计在未来不到两年的时间，全球数据中心的电力需求将达到约1,000太瓦时（TWh）[ 国际能源署《电力2024》报告]。从电网到处理器，电力需要经过四次转换来为人工智能请求的处理提供电能，这可能导致约12%的电力损耗。通过使用T10 PowerTrench系列和EliteSiC 650V解决方案，数据中心能够减少约1%的电力损耗。如果在全球的数据中心实施这一解决方案，每年可以减少约10太瓦时的能源消耗，相当于每年为近百万户家庭提供全年的用电量[ 依据美国能源信息管理局的年度家庭用电量数据]。EliteSiC 650V MOSFET提供了卓越的开关性能和更低的器件电容，可在数据中心和储能系统中实现更高的效率。与上一代产品相比，新一代碳化硅(SiC) MOSFET的栅极电荷减半，并且将储存在输出电容(Eoss)和输出电荷(Qoss)中的能量均减少了44%。与超级结 (SJ) MOSFET 相比，它们在关断时没有拖尾电流，在高温下性能优越，能显著降低开关损耗。这使得客户能够在提高工作频率的同时减小系统元件的尺寸，从而全面降低系统成本。另外，T10 PowerTrench 系列专为处理对DC-DC功率转换级至关重要的大电流而设计，以紧凑的封装尺寸提供了更高的功率密度和卓越的热性能。这是通过屏蔽栅极沟槽设计实现的，该设计具有超低栅极电荷和小于 1 毫欧的导通电阻RDS(on)。...
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2024/6/11 14:02:12
近日，世界半导体贸易统计组织(WSTS)宣布上调最新的半导体市场预测。据WSTS修正的预测数据显示，2024年全球半导体市场将实现16%的增长，达到6110亿美元。这反映了过去两个季度的强劲表现，特别是在运算终端市场。安森美（Onsemi）推出了一系列碳化硅（SiC）芯片，旨在通过借鉴其已经为电动汽车销售的技术，使驱动人工智能（AI）服务的数据中心更加节能。安森美是少数几家碳化硅芯片供应商之一，碳化硅是传统硅元件的替代品，制造成本更高，但在将电力从一种形式转换为另一种形式方面效率更高。近年来，碳化硅在电动汽车中得到广泛应用，使用该类芯片可以提高汽车的续航里程。安森美电源方案分部总裁Simon Keeton表示，在典型的数据中心，电力从进入建筑物到最终被芯片用于工作至少要转换四次。他表示，在这些转换过程中，大约12%的电力会以热量的形式损失掉。“实际使用这些设备的公司——亚马逊、谷歌和微软——会因为这些损失而受到双重损失，”Simon Keeton说，“首先，他们要为以热量形式损失的电力买单。然后，由于电力以热量形式损失，他们还要为冷却数据中心而支付电费。”安森美相信可以将这些电力损失减少整整1%。虽然1%听起来并不多，但人们对AI数据中心将消耗多少电力的估计令人震惊。机构预计在未来不到两年的时间，全球数据中心的电力需求将达到约1000太瓦时（TWh）。Simon Keeton说，这个总数的1%“足以为100万户家庭提供一年的电力。因此，这让我们思考如何进一步改善功率损耗。”免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/6/11 13:46:33