Nexperia今日宣布对其丰富的齐纳二极管产品组合进行两项优化，以消除不良的过冲和噪声行为，这在齐纳技术领域是重大进步。首先，新型50 µA齐纳系列二极管推出B-selection (Vz +/-2%)，Vz范围从1.8 V到51 V，提供标准版和汽车版。这使得它们非常适合汽车应用，例如电动汽车(EV)的车载充电器，以及广泛的工业和消费应用，例如通用计算单元、电池管理系统、设备充电器和智能手表。Nexperia的全新50 µA器件系列目前即使在高电压（高达75 V）下也能提供完整的齐纳功能。它们的设计旨在完全消除噪声和过摆冲现象，这是过去许多齐纳二极管导致应用故障的共同特征。这些器件采用小尺寸封装，包括SOT23、SOD323、SOD523和SOD123F以及带或不带侧边可湿焊盘(SWF)的DFN1006BD-2和DFN1006-2。附带SWF具有显著的优势，包括对焊点质量进行高度可靠的自动光学检测(AOI)以及增强焊点坚固性，与没有SWF的器件相比，增强了与PCB的结合。此外，Nexperia还解决了其现有通用PZU齐纳二极管系列中的过冲和噪音问题。这将为工程师提供更大的灵活性，用于诸如电源电压稳定、传感器或电源电压比较等应用，以及为MOSFET提供栅极和雪崩击穿保护。PZU系列提供SOD323、SOD323F、SOT23、DFN1006BD-2和DFN1006-2 (2.4 V-51 V)封装，包括汽车版本和标准版本。这为设计人员提供了一种可行的替代方案，适用于需要更灵敏的齐纳二极管“拐点”的关键应用，或标准齐纳二极管可能出现噪声和过摆冲行为的应用。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/9/20 11:35:38
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新增五款不同尺寸和力度级别的器件---IHPT1411AFELR73ABA、IHPT1207AGELR39AB0、IHPT1710ACEL1R2AB0、 IHPT1411AFELR73AB0和 IHPT1614ACEL2R7BB0，扩充采用电磁阀结构的IHPT触控反馈执行器产品线（带Immersion公司许可证）。Vishay Custom Magnetics执行器工作电压12 V，适用于车载和商用人机界面（HMI）LCD显示器、触摸屏、触摸开关和按钮控制面板，具有高脉冲和振动能力，可提供清晰的高分辨（HD）触觉反馈。日前发布的器件从29 mm x 21 mm到44 mm x 37 mm有四款外形尺寸，可变力输出达120 N，采用小型两件式结构，带安装孔，便于安装和直接操作。执行器快速响应时间为5 ms，结合高机械力，可产生高分辨触觉效果，工作电压8 V至16 V。IHPT执行器适合用于音频信号不足以向用户传递执行信息的恶劣嘈杂环境。器件采用牢固的刚性铜芯和铁芯结构，可在+105 C高温下运行，满足严苛应用高可靠性要求。符合AEC-Q200标准的车规级IHPT1411AFELR73ABA适用于汽车仪表板和中控台，可为电子变速箱、方向盘、座椅和其他车载控制系统提供触觉反馈。IHPT1207AGELR39AB0、IHPT1710ACEL1R2AB0、 IHPT1411AFELR73AB0和 IHPT1614ACEL2R7BB0典型应用包括工厂自动化和控制系统、消费电器、娱乐和健康设备、以及医疗、国防、航空电子和演播室音频设备。由于许可限制，执行器不能用于游戏等应用。电磁器件额定工作电压低至12 V，不需要其他技术所需的额外高压电路。因此，IHPT系列产品的成本低于线性谐振、线性宽带、偏心旋转质量和压...
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2024/9/19 16:06:42
TDK株式会社推出爱普科斯 (EPCOS) B32377G系列新型三相交流滤波电容器。新系列元件采用三角形连接，填充物也不同于现有系列中的软聚氨酯树脂，而是不可燃的氮气。新电容器顺应了移动出行电气化和可再生能源发展的大趋势，可在逆变器的输入和/或输出端抑制谐波失真并减少无功功率，从而提高电能质量，并增强风能、太阳能和工业驱动等应用的可靠性。这些电容器的直径范围为75至136 mm，高度范围为218至351 mm，电容范围为3 x 15 µF至3 x 330 µF，额定RMS电压为330至1000 V。其在额定电压下的使用寿命预期长达250,000小时（热点温度为+70°C），远超油浸技术的100,000小时典型使用寿命。另外，新元件的最高热点温度（可达+90°C）也高于油浸技术的热点温度 (+85°C) 。电容器的绕组结构基于具有自愈性的金属化聚丙烯薄膜，具有低损耗（tan ẟ为0.7至1.2 ∙ 10-3）和高脉冲电流耐受能力（高达27.3 kA），并且最大RMS电流可达80 A以上（环境温度为+55°C）。该系列电容器配备三相过压断路器，可确保在过载情况下实现受控断开。接线端子则采用M4、M5或M6笼式弹簧连接技术。特性和应用主要应用逆变器系统的输入和输出滤波电源逆变器的谐波失真滤波主要特点和优势自愈性低损耗因子三角形连接，额定RMS电压为330至1000 V氮气填充，干式在热点温度为+70 °C和额定电压条件下的使用寿命长达250,000小时最高热点温度可达+90 °C免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/9/18 10:46:53
TDK株式会社宣布推出一款基于Tronics AXO®300加速度计平台的新锐产品。这也是Tronics继成功发布适用于航空电子的AXO315、用于陆地和海洋定位系统的AXO305，以及适合铁路和倾角测量应用的AXO301之后，再次扩展其产品组合，推出AXO314。后者是一款具有±14 g测量范围的高性能数字MEMS加速度计，专为具有高抗冲击性能和高抗振动性能要求的工业应用而设计。AXO314采用业内独有的闭环架构，具有优异的线性度和抗振动性能，是一种小尺寸、轻重量与低功耗 (SWaP)、数字化且具有成本效益的解决方案，可用于替代体积大且昂贵的战术级石英加速度计，并且优势明显。AXO314具有出色的一年复合偏置可重复性 (1mg) 和偏置稳定性 (4 µg)，是一款结构坚固、体积小巧、精度高的加速度传感器解决方案。其高稳定性和可靠性可满足恶劣工况中动态系统的应用要求。Tronics的高稳定性MEMS陀螺仪GYPRO®4300与AXO314共享同一SMD J引线陶瓷封装，具有优异的热稳定性，并且都采用24位SPI接口。因此结合GYPRO®4300，AXO314非常适用于海陆空测绘应用以及航空和地勤车辆的GNSS辅助定位系统中广泛用到的多轴战术级惯性测量单元 (IMU) 和惯性导航系统 (INS)。AXO314不属于双重用途出口管制类别，并符合REACH和RoHS标准。与TDK其他高性能MEMS惯性传感器产品组合中的所有产品一样，AXO314加速度计出厂时进行了校准，可在工作温度范围内提供高精度输出。同时，用户还可以选择原始数据输出，以便定制补偿策略。特性和应用主要应用航空和地勤车辆的GNSS辅助导航和定位系统中的IMU和INS航空测绘矿业仪器的测量和钻探引导用于轨道几何测量系统的IMU主要特点和优势测量范围为±14 ...
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2024/9/18 10:44:29
在此前iPhone 16系列的发布会上，苹果公司发布了新一代的A18系列处理器，其中A18 Pro则是苹果目前最强的移动处理器。根据苹果在发布会上的描述，其A18 Pro相比上一代的A17 Pro的CPU性能提升了15%，功耗低了20%，GPU性能也提升了20%。当时芯智讯就表示，A18系列性能的提升主要还是依赖于制程工艺带来的提升。从最新曝光的Geekbench 6 测试信息来看，也印证了我们的判断。首先我们来对比下苹果官方公布及Geekbench 6 检测的A18 Pro和A17 Pro配置信息：A18 Pro采用的是台积电第二代3nm制程（N3E），拥有6个CPU核心（2个性能核＋4个能效核），主频4.04GHz，4MB二级缓存，6核心GPU，16核神经网络引擎（35TOPS）。Geekbench 6 的单核跑分成绩为3409，多核成绩为8492。A17 Pro是基于台积电第一代的3nm制程（N3B），拥有6个CPU核心（2个性能核＋4个能效核），主频3.77GHz，4MB二级缓存，6核心GPU，16核神经网络引擎（35TOPS）。Geekbench 6 的单核跑分成绩为2914，多核成绩为7199。从上面的对比可以看到，A18 Pro和A17 Pro在CPU、GPU、NPU核心数量（包括NPU算力）上都保持了一致。最大的不同在于A18 Pro的CPU主频（4.04GHz）相比A17 Pro的主频（3.77GHz）提升了约7.2%。而这也主要得益于A18 Pro采用了更优秀的台积电N3E制程工艺，根据台积电的说法，其N3E制程相比N3B在相同功耗下可以带来5%左右的性能提升。从具体的Geekbench 6 测试成绩对比来看，A18 Pro的单核成绩相比A17 Pro约17%，多核成绩则提升了约15.2%。如果排除掉主频提升带来的影响，实际上CPU性能仅提升了约10%左...
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2024/9/18 10:29:54
9月11日，英飞凌科技股份公司（infineon）宣布，公司已成功开发出全球首款300毫米功率氮化镓（GaN）晶圆技术。英飞凌是世界上第一家在现有且可扩展的大批量制造环境中掌握这项突破性技术的公司。这一突破将有助于大幅推动基于 GaN 的功率半导体市场。与 200 mm 晶圆相比，300 mm 晶圆上的芯片生产在技术上更先进，效率更高，因为更大的晶圆直径每个晶圆可容纳 2.3 倍的芯片。目前基于氮化镓的功率半导体在工业、汽车和消费、计算和通信应用中得到快速采用，包括AI系统的电源供应器、太阳能逆变器、充电器和适配器以及电机控制系统。最先进的 GaN 制造工艺可以提高器件性能，从而为最终客户的应用带来好处，因为它可以实现效率性能、更小的尺寸、更轻的重量和更低的总成本。此外，300 毫米制造通过可扩展性确保了卓越的客户供应稳定性。英飞凌科技股份公司首席执行官Jochen Hanebeck表示：“这一显著的成功是我们创新实力和全球团队专注工作的结果，旨在展示我们作为氮化镓和电源系统创新领导者的地位。这项技术突破将改变行业游戏规则，使我们能够释放氮化镓的全部潜力。在收购 GaN Systems 近一年后，我们再次证明我们决心成为快速增长的 GaN 市场的领导者。作为电源系统的领导者，英飞凌掌握了所有三种相关材料：硅、碳化硅和氮化镓。”据介绍，英飞凌在其位于奥地利菲拉赫的功率工厂现有的 300 mm 硅生产中，成功地在一条集成试验线上制造了 300 mm GaN 晶圆。该公司正在利用现有 300 mm 硅和 200 mm GaN 生产中的成熟能力。英飞凌将根据市场需求进一步扩大 GaN 产能。300 毫米 GaN 制造将使英飞凌能够塑造不断增长的 GaN 市场，预计到本十年末，该市场将达到数十亿美元。这一开创性的技术成功凸显了英飞凌作为电源系统和物联网领域全球半导体领导者的地位。英飞...
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2024/9/14 10:31:12
资策会产业情报研究所(MIC)发布台湾半导体趋势预测，预估到2025年整体产值将达到5.52万亿新台币，比今年大幅增长15.9％。其中，存储器价格回温与AI需求将为两大成长动能。回顾2024年半导体市场成长，超过八成为存储器产值所带动，AI需求约占一成多。到了2025年，存储器居五成左右，AI会进一步占到四成。预估2024年台湾半导体产业产值将达4.76万亿新台币，成长21.3％。展望2025年，先进芯片将持续引领台湾半导体产值成长，整体产值将成长15.9％，达到5.52万亿新台币。次产业如晶圆代工预估成长18％，IC设计、存储器／IDM、IC封测将分别增14％、15％、10％。从2023年起的Cloud AI发展，到2024下半年至2025年由AI PC与AI手机带动的边缘AI(Edge AI)影响扩大，都将为供应链带来商机。由半导体结合AI的发展方向，将推动全球科技生态系的变革与再造，催生产业价值链的创新变化。值得留意的是，随着AI更加落实甚至可代理决策，预期2026年之后半导体市场，将受到更多AI治理相关的政策性因素影响。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/9/14 10:29:07
三星电子宣布，已开始大规模生产其1太比特 (Tb) 四级单元 (QLC) 第9代垂直NAND (V-NAND)。继今年4月实现业界首个三级单元 (TLC) 第九代V-NAND量产后，三星又实现业界首个QLC第九代 V-NAND量产，巩固了在高容量、高性能NAND闪存市场的领导地位。 三星电子表示，在TLC版本推出仅四个月后，QLC第9代 V-NAND就成功量产，这使我们能够提供全系列先进的SSD解决方案，满足AI时代的需求。随着企业级SSD市场快速增长，对AI应用的需求不断增加，我们将继续通过QLC和TLC第9代V-NAND巩固领导地位。三星计划扩大QLC第9代V-NAND的应用范围，从品牌消费产品开始，并扩展到移动通用闪存 (UFS)、PC和服务器SSD，以满足包括云服务提供商在内的客户需求。 三星QLC第九代V-NAND汇集了多项创新，取得了技术突破。采用三星独有的通道孔蚀刻技术，以双层堆栈结构实现业界最高层数，并利用TLC第九代V-NAND 的技术专长，优化单元面积和外围电路，实现业界领先的位密度，比上一代QLC V-NAND高出约 86%。设计模具技术可调整操作单元的字线 (WL) 的间距，以确保跨层和层内单元特性的一致性和优化。随着V-NAND层数的增加，这些特性变得越来越重要。与以前的版本相比，采用设计模具可将数据保留性能提高约20%，从而提高产品可靠性。预测程序技术可预测并控制单元状态变化，以最大限度地减少不必要的操作。三星的QLC第9代V-NAND通过技术改进，写入性能提高了一倍，数据输入/输出速度提高了60%。通过使用低功耗设计，数据读取和写入功耗分别降低了约30％和50％。该方法通过仅感测必要的位线（BL）来降低驱动NAND单元的电压并最大限度地降低功耗。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所...
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2024/9/14 10:26:42
TDK株式会社（TSE：6762）进一步扩大了其车载等级CA 系列MEGACAP（带金属框架）电容器产品阵容。该系列产品于2024年9月开始量产。车载等级直插式MEGACAP电容器，符合AEC-Q200车载标准通过优化金属框架材料实现低电阻产品阵容包括99 nF/1000 V（1类电介质）和47 μF/100 V（2类电介质）产品的实际外观与图片不同。TDK标志没有印在实际产品上。TDK株式会社（TSE：6762）进一步扩大了其车载等级CA 系列MEGACAP（带金属框架）电容器产品阵容。该系列产品于2024年9月开始量产。近年来，混合动力汽车（HEV）和纯电动汽车（BEV）等电动动力系统汽车以及高效充电技术的发展取得了显著进展，两者都有助于减少温室气体排放。在这些应用场景中，逆变器、车载充电器（OBC）及无线电力传输（WPT）系统等子系统的功耗不断增加，因此，MLCC必须处理大电流并具有大电容。为了满足上述需求，TDK推出了CA系列——业内最大*的3层堆叠配置、带金属框架的MLCC（6.00 x 5.60 x 6.40毫米）。由此，TDK现可提供广泛的产品阵容，包括99 nF/1000 V（1类电介质）和47 μF/100 V（2类电介质）。为了处理大电流，TDK通过优化金属框架的材料，在原产品的基础之上进一步降低了等效串联电阻（ESR）。这有助于减少组件数量并促进设备小型化。今后，TDK将继续扩大其产品阵容，以满足客户需求。* 截至2024年9月, 根据 TDK主要应用电源线路的平滑和去耦车载充电器（OBC）和无线电力传输（WPT）等子系统中的谐振电路逆变器中的缓冲电路主要特点与优势通过优化金属框架材料实现低电阻通过采用多个MLCC实现大电容，以助力减少组件数量，促进设备小型化高可靠性，符合AEC-Q200车载标准型号免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信...
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2024/9/13 11:18:20
2024年9月11日，美国北卡罗来纳州达勒姆市、中国上海市讯 — 全球碳化硅（SiC）技术 Wolfspeed, Inc.于近日宣布推出最新 2300 V 无基板碳化硅模块。这一碳化硅解决方案经过优化设计，可带来效率、耐用性、可靠性、可扩展性的提升，将助力推动可再生能源、储能、高容量快速充电等领域的变革。这款 2300 V 无基板碳化硅模块针对 1500 V 直流母线应用开发，并采用了 Wolfspeed 的 200 mm 碳化硅晶圆。Wolfspeed 2300 V 无基板碳化硅模块针对 1500 V 直流母线应用开发，并采用了 Wolfspeed 的 200 mm 碳化硅晶圆。Wolfspeed 同时宣布了与 EPC Power 公司达成合作。EPC Power 公司是北美地面电站逆变器制造商。EPC Power 将在其地面电站光伏与储能系统中采用 Wolfspeed 模块，籍以实现可扩展性的高功率转换系统和高性能控制与系统冗余。Wolfspeed 高级副总裁兼功率半导体总经理 Jay Cameron 表示：“太阳能市场依旧是可再生能源产业增长最为快速的领域。作为碳化硅企业，我们致力于开发出合适的解决方案，开启现代能源新时代的大门。能效、可靠性、可扩展性是我们客户最为关注的。包括 EPC Power 在内的客户群充分认可 Wolfspeed 碳化硅带来的巨大优势。”EPC Power 公司总裁兼首席产品官 Devin Dilley 表示：“碳化硅器件开启了逆变器性能和可靠性跨越式发展的大门。我们致力于在新型 ‘M’ 逆变器中实现极高的可靠性、性能和安全性，同时与关键供应商达成深度商业合作关系。Wolfspeed 无疑是最好的选择。”随着全球各地对于可再生能源的投资不断扩大，预计到 2032 年，太阳能的市场市值将达到 3000 亿美元。根据国际能源署 IEA 的预测，2...
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2024/9/13 11:02:44
台积电3nm需求强劲，产能吃紧，海内外同步动起来扩产。法人预期，截至今年底，保守估计台积电3nm月产能至少达8万片以上，后续进一步扩增到10万片；未来也会在美国与日本厂区另各建置每月1.5万片3nm产能，等于未来3nm制程在海内外厂区月产能合计将达13万片左右。针对外传的3nm制程扩产进度与计划，台积电对此表示，不评论市场传闻，有关相关产能说明，依法说会所述为主。台积电先前于7月的法说会中提到，在今年第2季时，公司观察到客户对AI与高端智慧型手机相关需求，比第1季更加强大，这使得其领先业界的3nm与5nm制程技术的整体产能利用率，将于下半年提升。台积电先前已公布，该公司于策略上转换部分5nm设备以支援3nm产能。而其3nm制程于今年扩增三倍，但仍供不应求。法人认为，因应客户端强劲的需求，后续台积电3nm制程产能若想尽快从8万片提升为10万片，关键就在于具备2万片产能的厂区从何而来，新建厂区在时程上肯定来不及，所以目前研判应当就是如上所述，把部分5nm制程设备挪来使用，增加3nm制程产能。台积电先前提到，该公司从2020到2024年，在3、5、7nm制程的产能复合成长率达25％。台积电3nm Q4接单再冲一波 预期全年业绩大增34%苹果预计台北时间10日发布iPhone 16新机，搭载台积电3nm打造的A18系列处理器，引爆台积电3nm第一波出货高潮之后，高通、联发科最新5G旗舰芯片接棒于10月问世，加上英伟达（NVIDIA）、AMD也将接力导入3nm，引领台积电3nm第4季起再冲一波，挹注营运可期。台积电向来不评论单一客户与接单动态。法人看好，台积电3nm接单热转，不仅本季美元营收拼再超标，全年业绩年增幅可望由原预估的26%至29%，上调为31%至34%。手机处理器与高效能运算（HPC）相关芯片是台积电3nm两大应用，苹果为最先导入的客户，用于新机的A18与A18 Pro处...
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2024/9/12 16:14:50
美光推出适用于下一代人工智能（AI）GPU的量产版12层HBM3E芯片，内存堆栈容量高达36GB，速度超过9.2Gb/s。美光表示，目前正在将可供制造的（production-capable）12层第五代HBM（HBM3E）送交给AI产业链重要合作伙伴，以进行验证程序。美光9月9日正式宣布推出12层堆栈的HBM3E内存。新产品具有36GB容量，旨在用于AI和HPC（高性能计算）工作负载的前沿处理器，例如英伟达的H200和B100/B200 GPU。美光的12层HBM3E内存堆栈拥有36GB容量，比之前的8层版本（24GB）高出50%。容量增加使数据中心能够在单个处理器上运行更大的AI模型。此功能消除了频繁卸载CPU的需要，减少了GPU之间的通信延迟，加快了数据处理速度。在性能方面，美光的12层HBM3E堆栈可提供超过1.2TB/s的内存带宽，数据传输速率超过9.2Gb/s。据美光称，该公司的HBM3E不仅提供的内存容量比竞争对手高出50%，功耗也低于8层HBM3E堆栈。美光的12层HBM3E包含一个完全可编程的内存内置自检（MBIST）系统，以确保为客户提供更快的产品上市时间和可靠性。该技术可以全速模拟系统级流量，从而对新系统进行全面测试和更快的验证。美光的HBM3E内存设备与台积电的CoWoS封装技术兼容，该技术广泛用于英伟达的H100和H200等AI处理器封装中。据悉，美光已开始开发其下一代内存解决方案，包括HBM4和HBM4E。这些即将推出的内存类型将继续满足AI处理器（包括基于Blackwell和Rubin架构的英伟达GPU）对高级内存日益增长的需求。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/9/12 16:10:24
据市场调查机构Allied Market Research的《单晶硅晶圆市场》报告指出，2022年单晶硅晶圆市场价值为109亿美元，预计到2032年将达到201亿美元，2023年~2032年的复合年均增长率（CAGR）为6.4%。单晶硅片是一种薄而扁平的硅片，由单个硅晶体制成，具有一致的晶体结构。由于其高纯度和均匀的晶体结构，它经常用于制造半导体和太阳能电池，这使其成为导电和捕获阳光的出色材料。人们和企业希望减少碳足迹并转向更可持续的能源，市场对太阳能的需求正在迅速增长，这也是单晶硅片行业的重要驱动因素之一。不断增长的电子产品的需求也推动了单晶硅片市场的增长，因为单晶硅片广泛用于生产微芯片、LED和传感器等电子设备。单晶硅片因其高纯度、高均匀性和优异的电气性能而广泛用于电子设备的生产。此外，对电子产品日益增长的需求继续推动市场的增长，这得益于物联网（IoT）的发展、人工智能（AI）在各个行业的使用增加以及电动汽车的日益普及等因素。按类型细分的市场来看，2022年市场6英寸细分市场份额最高。不过，预计12英寸细分市场将成为预测期内增长最快的细分市场。6英寸单晶硅片的流行主要得益于其在集成电路（IC）和其他微型器件制造以及可再生能源行业太阳能电池板中的应用，这是单晶硅片市场的新趋势之一。从按销售渠道细分的市场来看，2022年市场以直接渠道细分市场为主。单晶硅片的直接渠道细分市场是该市场的重要组成部分，其驱动因素是节约成本和加强供应链控制的需求。从应用来看，半导体市场份额很高。不过，太阳能细分市场很可能是增长最快的细分市场。从地区来看，2022年市场以亚太地区为主。此外，预测期内，单晶硅片市场增长预计在亚太地区最高。亚太地区的一个主要优势是该地区有许多发展中国家，因此有许多快速增长的公司正在掌握先进技术。综合起来，这为购买和使用单晶硅片提供了重要机会。报告中介绍的单晶硅片市场参与...
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2024/9/11 10:48:14
美国柏恩 Bourns 全球知名电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商，扩展 Riedon™ 工业分流电阻产品线，推出六款新型号。全新分流电阻具备卓越的电流处理能力，以满足高精度电流检测的需求。精准测量在多项应用中皆至关重要，包括电池管理系统 (BMS)、太阳能逆变器、焊接设备、热处理设备、电池充电器、电源供应器、阴极保护整流器以及船舶和移动配件等。Bourns 推出 Riedon™ RSN 和 RS 系列分流电阻为面板安装产品，新款工业分流电阻提供面板和总线安装选项。电流处理能力自 1 A 至 1200 A，阻值从 0.0417 毫欧到 100 毫欧，公差范围为 0.25% 至 1%。Bourns 推出的 Riedon™ RSH、RSI、RSJ 和 RSW 系列分流电阻则设计为可直接安装在总线上，电流处理能力自 5 A 至 6000 A，阻值从 0.025 毫欧到 10 毫欧，公差为 0.25%。Bourns 推出的所有 Riedon™ 工业分流电阻均为精密分流电阻，采用低电阻的 Manganin™ 作为其电阻材料。这些新型分流电阻还提供 -40 °C 到 +80 °C 的广泛工作温度范围，并具有紧凑的尺寸和中央安装的电压接点，以简化并优化系统实施。Bourns 全新六款 Riedon™ 工业分流电阻现已上市，符合 RoHS* 标准。*RoHS指令 2015/863 之 2015 年 3 月 31 日和附件。2023年4月，Bourns 子公司 BE Services Company, Inc. 收购了 Riedon, Inc. 的部分资产，包括其标志和商标，以及持续生产原 Riedon™ 产品的权利。「Riedon Logo」是 BE Services Company, Inc. 在美国注册的商标。「Riedon」是BE Services C...
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2024/9/11 10:46:28
TDK株式会社通过采用全新磁芯材料进一步扩展了爱普科斯 (EPCOS) ERU33系列大电流电感器，推出了适合更大电流应用的ERU33M元件。该新元件采用了全新的合金粉磁芯材料，相比之前的磁芯材料具有更柔和的饱和特性，迎合了汽车和工业应用中不断增加的功率密度和电流需求。此次扩展共有三种新型号可供选择，采用屏蔽设计，适用于通孔 (THT) 安装，在+100°C条件下的设计饱和电流为55A至120A，覆盖电感值范围1.4 µH至7.2 µH，直流电阻低至0.46 mΩ至1.2 mΩ。其采用扁平线绕组，尺寸非常紧凑，仅为33 x 33 mm，器件高度为11 mm或15.3 mm。通过强化扁平线圈与带有隔离涂层的合金粉磁芯的紧密接触，该设计可以配合客户端的散热垫片，实现元件的高效散热。除了标准型号，新元件还可以根据客户要求定制以提供其他电感值。新型号电感器符合RoHS标准并通过AEC-Q200认证，工作温度范围为-40°C至+150°C。在汽车领域，其典型应用包括DC-DC转换器的降压-升压扼流圈（例如用于48V车载电源或车载充电器输入滤波器中的差模扼流圈），以及中、大电流电池充电器和逆变器。在工业电子领域，它们可用作大电流电源、光伏系统的太阳能逆变器和负载点 (PoL) 转换器中的储能和输出扼流圈。为了方便用户了解新元件的性能，TDK提供了ERU33M扼流圈 (B82579X0033) 样品套件，其中包含了全部的三个型号，每个型号各提供四个样品。特性和应用主要应用汽车和工业应用中的DC-DC转换器，VRM模块，PoL转换器和逆变器的中的储能扼流圈主要特点和优势大饱和电流：55 A至120 A低直流电阻：0.46 mΩ或1.20 mΩ非常紧凑的尺寸：仅33 x 33 mm，高度为11 mm或15.3 mm可直接贴附散热片，有效提升散...
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2024/9/11 10:41:35
人工智能（AI）巨头英伟达股价美国时间周二暴跌9.5%，市值蒸发2789亿美元（约合1.98万亿元人民币），创下美国股票有史以来最大跌幅，原因是投资者在经济数据不佳导致的广泛市场抛售中减弱了对AI的乐观情绪。根据LSEG数据，英伟达创纪录的单日市值损失超过Meta Platforms在2022年2月发布惨淡预测时遭受的2320亿美元损失。英伟达市值大幅缩水，这表明主要投资者对新兴AI技术变得更加谨慎，而该技术推动了今年股市的大部分涨幅。自该公司公布收益未能达到高预期以来，该公司在三个交易日内下跌14%。在美国司法部向英伟达和其他公司发出传票以寻找芯片制造商违反反垄断法的证据后，英伟达股价在尾盘交易中再次下跌2%。在7月创下历史新高收盘时，英伟达的股价在2024年几乎增长了两倍。近期的亏损使其今年迄今已上涨118%。在英伟达上周发布季度报告后，分析师对截至2025年1月的财年净收入的平均预期已从上周报告前的约680亿美元攀升至703.5亿美元。这些上调的盈利预期，加上英伟达的股价下跌，使得这家芯片制造商目前的市盈率为预期收益的34倍，低于6月份的40倍以上，与其两年平均水平一致。芯片股普遍下跌周二，芯片行业遭受的损失是巨大的，费城证券交易所芯片指数（.SOX）暴跌7.75%，创下2020年以来的最大单日跌幅，其中安森美半导体、科磊（KLA）和MPS（芯源系统）下跌超过9%。AMD和博通股价分别下跌7.8%和6.2%。英特尔股价是今年费城半导体指数中表现第二差的股票，下跌8.8%。芯片设备制造商应用材料公司下跌7%。全球最大的芯片代工厂台积电股价下跌幅度大致相同。纳斯达克100指数下跌近3.2%，标准普尔500（.SPX）指数下跌2.1%。Alphabet、微软和苹果公司股价周二下跌至少1.9%，因为这种痛苦蔓延到了希望利用AI重塑经济的大型科技公司。周二芯片股的疲软伴随着华尔...
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2024/9/10 11:35:21
近年来，随着市场对高压输入DCDC砖类电源的需求不断增加，金升阳推出100W、150W DC/DC宽压电源——VRF3D_QB-100WR3-N 、VRF3D_QB-150WR3-N两个系列。可广泛应用于工控、电力、通信等领域。该系列产品效率高达89.5%，追求更有效的“降本增效”。产品具备超宽的工作温度范围、高隔离电压（加强绝缘）、优良的温升性能，具有多重保护等功能。不仅有品质承诺，还有服务保障与技术支持，以其高可靠性及综合性能为客户提供更优选择。一、产品优势1）优良的温度降额曲线温度性能对于产品稳定性有着不可忽视的影响，VRF3D_QB-100WR3-N 、VRF3D_QB-150WR3-N系列产品实现工作温度范围 -40℃ to +105℃（壳温），同时，满足270VDC输入，90℃壳温下可带满载的优良性能。2）全面优异的性能产品除了具备优良的温度性能，还具备隔离电压3000VAC（加强绝缘），输出效率高达89.5%，低纹波噪声等优良性能；同时，该系列产品具有输入欠压、过压保护，输出过压、过流、过温、短路等保护功能，可有效防止客户系统或设备工作异常造成不必要的损失。二、 产品应用 该系列产品可广泛应用于工控、电力、通信等领域，适应于大功率且有高可靠性需求的场景，为其提供高稳定、高性能的优质电源。三、 产品特点宽输入电压范围 180-435VDC效率高达 89.5%（VRF3D_QB-150WR3-N）加强绝缘， 隔离电压 3000VAC底板工作温度： -40℃ to +105℃输入欠压、 过压保护， 输出过压、 过流、 短路保护，过温保护国际标准砖类：1/4砖满足 EN62368 认证标准免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/9/9 11:03:36
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司近日宣布推出一款综合评估套件，适用于嵌入式边缘人工智能（Edge-AI）和机器学习（ML）系统设计。全新PSoC™ 6 AI 评估套件提供了构建智能消费、智能家居和物联网应用所需的全部工具。该解决方案能够在传感器数据源旁执行推理，与以云计算为中心的解决方案架构相比，它能够为用户带来更佳的实时性能和能效等优势。PSoC™ 6外形小巧，尺寸为35 mm x 45 mm，成本更低且集成了多种传感器和连接功能，非常适合本地数据采集、快速原型开发、模型评估和解决方案创建。PSoC™ 6 AI 评估套件还利用了英飞凌的微控制器（MCU）、传感器和连接产品组合以及强大的软件开发环境，包括英飞凌的ModusToolbox™和Imagimob Studio产品，用于定制边缘ML模型和即插即用的Ready Models。英飞凌科技物联网、工业和消费级微控制器高级副总裁Steve Tateosian表示：“英飞凌一直助力推动边缘AI的发展，这就要求我们的硬件产品组合具备出众的实时计算能力和能效，并且我们的开发工具能够简化和加快应用的开发。凭借最新的评估套件，我们创造了一个完整、易用的英飞凌硬件和软件生态系统，这将加速消费、智能家居、商业和工业物联网应用领域的智能解决方案的开发与部署。”这款全新的AI评估套件是英飞凌完整AI技术解决方案的重要补充，其中包括：•用于边缘AI模型的硬件。该评估套件基于英飞凌 PSoC™ 6 MCU，支持使用英飞凌丰富的XENSIV™产品开发汽车、工业和消费级应用，以及包括 Wi-Fi、蓝牙和低功耗蓝牙（BLE） 解决方案在内的连接功能。•用于各类应用的AI模型和工具。通过 Imagimob Studio，开发人员可以快速投入生产。该平台可免费使用，支持用户轻松地从头开始构建高质量AI模型和优化现有模型。Imagi...
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2024/9/9 10:52:35