全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司推出全新CoolGaN™晶体管700 V G4产品系列。与市场上的其他氮化镓（GaN）产品相比，该系列晶体管的输入和输出性能优化了20%，从而提高效率，降低功率损耗，并提供了更具成本效益的解决方案。凭借电气特性与封装的优势结合，它们能够在消费类充电器和笔记本适配器、数据中心电源、可再生能源逆变器、电池存储等众多应用中发挥出色的性能。该产品系列包含13款器件，额定电压为700 V、导通电阻范围在20 mΩ至315 mΩ之间。由于器件规格粒度增多，再加上PDFN、TOLL、TOLT等多种行业标准封装选项加持，因此客户可以根据应用的要求选择RDS电阻和封装，以更具成本效益的解决方案优化并实现电气与热系统性能。该系列器件的特点是开启和关闭速度快且开关损耗极小。此外，凭借具有850 V业界最高瞬态电压的700 V E模式，它们能够更好地抵御用户环境中的异常情况（例如电压峰值），提高整个系统的可靠性。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/7/16 11:05:46
实时计算密集型应用（如智能嵌入式视觉和机器学习）正在推动嵌入式处理需求的发展，要求在边缘实现更高的能效、硬件级安全性和高可靠性。Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）今日发布PIC64系列产品，进一步扩大计算范围，满足当今嵌入式设计日益增长的需求。PIC64系列支持需要实时和应用级处理的广泛市场，使Microchip成为MPU领域的单一供应商解决方案提供商。PIC64GX MPU是即将发布的新产品系列中的首款产品，可支持工业、汽车、通信、物联网、航空航天和国防领域的智能边缘设计。Microchip首席执行官兼总裁Ganesh Moorthy表示：“Microchip是8 位、16位和32位嵌入式解决方案的领导者，随着市场发展，我们的产品线也必须随之发展。新增的64位MPU产品组合使我们能够提供低、中、高端计算处理解决方案。PIC64GX MPU 是多款64位 MPU中的首款产品，旨在支持智能边缘，满足所有细分市场的广泛性能需求。”智能边缘通常需要具有非对称处理功能的64位异构计算解决方案，以便在具有安全启动功能的单处理器集群中运行Linux®、实时操作系统和裸机。Microchip的PIC64GX 系列采用具有非对称多处理（AMP）和确定性延迟的64位RISC-V®四核处理器，可满足中端智能边缘计算需求。PIC64GX MPU是首款具有AMP功能的RISC-V®多核解决方案，适用于混合关键性系统。它采用四核设计，具有支持 Linux 的中央处理器（CPU）集群、第五微控制器级显示器和 2 MB 灵活的二级缓存，运行频率为625 MHz。PIC64GX系列引脚与Microchip的PolarFire® SoC FPGA器件兼容，为嵌入式解决方案开发提供了极大的灵活性。此外，该款产品可利用 Microchip ...
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2024/7/15 17:30:02
TDK株式会社宣布进一步扩大其用于汽车以太网通信 10BASE-T1S的 ACT1210E 系列（3.2 x 2.5 x 2.5 毫米 – 长x 宽x 高）共模滤波器产品阵容。该新款共模滤波器将于2024年7月开始量产。• 实现符合OPEN联盟共模滤波器EMC测试规范的IV级线间电容的产品• 通过将绕组线激光焊接到金属化端子上从而实现高可靠性• 符合 AEC-Q200 （D版）要求产品的实际外观与图片不同。TDK标志没有印在实际产品上。TDK株式会社（TSE：6762）宣布进一步扩大其用于汽车以太网通信 10BASE-T1S的 ACT1210E 系列（3.2 x 2.5 x 2.5 毫米 – 长x 宽x 高）共模滤波器产品阵容。该新款共模滤波器将于2024年7月开始量产。与传统产品相比，新款 ACT1210E-131-2P-TL00 滤波器将线间电容降低了约30%。在OPEN联盟共模扼流圈EMC测试规范中，该产品首开行业先河，以最低线间寄生电容达到了IV级水平。在100 kHz频率下的共模电感为130 µH，额定电流达70 mA。除共模滤波器外，10BASE-T1S 通信电路中还包括防物理层设备（PHY）和防静电（ESD）组件以及其它电子元件，而这些元件各有其电容。随着总电容量不断增加，信号波形湍流随之增强，进而导致正常通信中断。为解决这一问题，工程师需要选择适合低电容的元件。为实现高S参数，新产品采用了TDK专有的设计结构以及优化材料，以减少电容引起的信号失真的影响，并有效抑制共模噪声。不仅如此，TDK 的创新高精度自动绕线技术确保了品质稳定和高可靠性。TDK 提供阵容广泛的汽车用共模滤波器，不仅包括符合当前主流 CAN、CAN FD 和 Flex-Ray协议要求的滤波器，同时也包括符合以太网协议要求的滤波器，比如通信速率分别为100兆比特/秒和1000兆比特/...
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2024/7/15 17:25:55
据中国台湾业界消息，台积电2nm（N2）制程芯片即将于下周在位于中国台湾北部新竹科学园区的宝山工厂试产，有望率先用于苹果iPhone 17 Pro和其它苹果产品。知情人士透露，台积电于2023年12月首次向苹果进行2nm制程相关示范，预计试产时间为2024年10月。业界认为，台积电2nm技术量产进度优于预期，此前市场预计最早将于第四季度量产。据台积电官方介绍，2nm制程节点相比3nm能效可提升10%~15%，功耗则最多降低30%。当试产良率达到一定标准时，便可以推进到量产阶段。台积电将从2nm工艺开始应用GAA（全环绕栅极）纳米片晶体管结构，这有助于提高性能。此外台积电还将基于2nm节点推出背面供电（BSPR）技术，进一步提升芯片密度和速度，预计2026年量产。得益于人工智能（AI）芯片的强劲需求，台积电现有3nm产能供不应求。业界最新消息称，“产能到年底前都排得很满”，此外有传言称台积电将提高3nm代工服务价格。有消息称苹果已经与台积电秘密达成独家协议，包下台积电2nm首批全部产能，这与此前苹果独占首批3nm产能的做法类似，A17 Pro为首款采用台积电3nm制程的量产芯片，拥有约190亿个晶体管。为应对AI芯片订单需求，台积电位于高雄的第二座2nm工厂也在加紧建设当中。根据外资报告，台积电2024年资本支出可能达到上限值320亿美元，2025年有望进一步升至370亿美元，原因是提前部署2nm工艺量产，采购设备。随着竞争对手三星同样发力2nm GAA工艺，并获得订单，台积电提前部署产能目的是为保持在晶圆代工领域的地位。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/7/15 17:24:27
英飞凌科技股份公司近日推出新一代高压（HV）和中压（MV）CoolGaNTM半导体器件系列。这使客户能够将氮化镓（GaN）的应用范围扩大到40 V至700 V电压，进一步推动数字化和低碳化进程。在马来西亚居林和奥地利菲拉赫，这两个产品系列采用英飞凌自主研发的高性能 8 英寸晶圆工艺制造。英飞凌将据此扩大CoolGaNTM的优势和产能，确保其在GaN器件市场供应链的稳定性。据Yole Group预测，未来五年GaN器件市场的年复合增长率（CAGR）将达到46%。英飞凌科技电源与传感系统事业部总裁Adam White表示：“这两个系列的发布是建立在英飞凌去年收购GaN Systems的基础之上，它们将为我们的客户带来更高的效率和性能。英飞凌新一代高压和中压CoolGaNTM系列展示了我们的产品优势，并且完全采用8英寸工艺制造，证明了GaN在更大晶圆直径上的快速扩展能力。我们期待客户通过这些新一代GaN器件推出各种创新应用。”全新650 V G5系列适用于消费、数据中心、工业和太阳能领域的应用。该系列产品是英飞凌基于GIT的新一代高压产品。另一个采用8英寸工艺制造的全新系列是G3中压器件，覆盖了60 V、80 V、100 V和120 V的CoolGaNTM晶体管电压等级，以及40 V双向开关（BDS）器件。G3中压产品主要面向电机驱动、电信、数据中心、太阳能和消费应用。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/7/11 15:14:40
东芝电子元件及存储装置株式会社（简称“东芝”）推出两款双极型晶体管“TTA2070和TTC5810”（采用SC-62封装：东芝别名PW-Mini ）。这两款产品适用于功率器件中的栅极驱动电路、消费设备和工业设备中的电流开关以及LED驱动电路。TTA2070的集电极-发射极额定电压和集电极额定电流（DC）为-50 V/-1 A；TTC5810的集电极-发射极额定电压和集电极额定电流为50 V/1 A。新产品TTA2070和TTC5810采用小型贴片式SC-62封装。与东芝采用相同封装方式的现有产品[1]相比，新产品的导线材料从金改为铜，树脂材料从含卤素升级为不含卤素，但额定值及电气特性与现有产品相当，因此有助于减少对环境影响。同时，其易于替代东芝的现有产品。东芝将继续扩展有助于减少对环境影响的产品线。注：[1]2SA2070，2SC5810应用消费设备和工业设备功率器件的栅极驱动电路电流开关LED驱动电路等特性使用铜导线材料和无卤素树脂材料，减少对环境影响大集电极额定电流（DC）：IC＝-1 A（TTA2070）IC＝1 A（TTC5810）小型贴片式SC-62封装：4.6 mm×4.2 mm（最大值），厚度＝1.6 mm（最大值）主要规格内部电路应用电路示例注：本文所示应用电路仅供参考。需要进行全面评估，特别是在量产设计阶段。提供这些应用电路示例并不授予任何工业产权许可。特性曲线（参考）特性相当。（新产品TTC5810与东芝现有产品2SC5810的对比）免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/7/11 15:10:10
英飞凌科技股份公司近日推出两项全新的CoolGaN™产品技术：CoolGaN™双向开关（BDS）和CoolGaN™ Smart Sense。CoolGaN™ BDS拥有出色的软开关和硬开关性能，提供40 V、650 V 和 850 V电压双向开关，适用于移动设备USB端口、电池管理系统、逆变器和整流器等。CoolGaN™ Smart Sense 产品具有无损电流检测功能，简化了设计并进一步降低了功率损耗，同时将各种晶体管开关功能集成到一个封装中，适用于消费类USB-C 充电器和适配器。CoolGaN™ BDS高压产品分为650 V 和 850 V两个型号，采用真正的常闭单片双向开关，具有四种工作模式。该系列半导体器件基于栅极注入晶体管（GIT）技术，拥有两个带有衬底终端和独立隔离控制的分立栅极。它们利用相同的漂移区来阻断两个方向的电压，即便在重复短路的情况下也具备出色的性能，并且通过使用一个BDS代替四个传统晶体管，可提高效率、密度和可靠性，使应用能够从中受益并大幅节约成本。在替代单相H4 PFC、HERIC逆变器，和三相维也纳整流器中的背对背开关时，该系列器件能够优化性能，而且还可用于交流/直流或直流/交流拓扑结构中的单级交流电源转换等。CoolGaN™ BDS 40 V是一款基于英飞凌肖特基栅极氮化镓自主技术的常闭单片双向开关。它能阻断两个方向的电压，并且通过单栅极共源极的设计进行了优化，以取代电池供电消费产品中用作断开开关的背对背 MOSFET。首款40 V CoolGaN™ BDS产品的 RDS(on) 值为 6 mΩ，后续还将推出一系列产品。相比背对背硅FET，使用40 V GaN BDS的优点包括节省50% - 75%的PCB面积、降低50%以上的功率损耗，以及减少成本。CoolGaN™ Smart Sense产品具有2 kV静电放电耐受能力，可连接到控制器电流...
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2024/7/10 16:52:29
据中国台湾业界消息，人工智能（AI）等领域的热潮正推动被动元件市场繁荣，尽管地缘政治、通货膨胀等因素仍然存在，但被动元件大厂国巨等对AI应用增长的潜力持乐观态度，因为其客户的库存正在回到正常水平。国巨2024年6月营收达1000.04亿元新台币（约合3.08亿美元），环比下降6.6%，同比增长14%。2024年第二季度营收达到314.19亿元新台币，环比和同比分别增长10.2%和17.3%，创下季度营收新高。展望未来，国巨预计由于第二季度基线较高，因此第三季度不太可能出现大幅度增长，预计下半年表现持平，但产能利用率将略有提高。AI产业的增长，推动了导电浆料和厚膜半导体供应商勤凯科技（Ample Electronic Technology）的业绩。该公司预计第三、第四季度将迎来AI PC驱动的元器件升级周期，预计产值将有所提升。勤凯科技已获得AI相关元件专用导电浆料的认证和订单，2024年6月该公司营收同比增长19.1%，预计第二季度同比增幅将超过20%。勤凯科技援引日本村田的预测，称由于今年下半年智能手机和汽车市场将出现复苏，全球主要被动元件制造商已将产能利用率提高到80%~85%。业界分析，展望未来，无源被动元件行业将继续向高电容、高电压、高频率以及模块化集成的小型产品发展，以满足5G、Wi-Fi 6、电动汽车和自动驾驶等领域的需求。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/7/10 16:48:29
2024年7月4日–作为持续致力于提供强大、前沿的智能图像感知技术的一部分，安森美（onsemi）宣布已完成对SWIR Vision Systems的收购。SWIR Vision Systems是胶体量子点（CQD）短波红外（SWIR）技术的供应商，该技术扩展了可检测光的光谱范围，可以透视物体并捕捉以前无法捕捉到的图像。安森美将这一专利技术整合到其业界的 CMOS 传感器中，将显著增强公司的智能感知产品组合，并为工业、汽车等关键市场的进一步发展铺平道路。CQD 使用具有独特光学和电子特性的纳米颗粒或晶体，可以精确调节以吸收更宽范围波长的光。这项技术将系统的可视性和检测范围从标准 CMOS 传感器波长扩展到了 SWIR 波长。迄今为止，由于传统砷化镓铟（InGAas）工艺的高昂成本和制造复杂性，SWIR 技术的应用受到了限制。通过此次收购，安森美将把硅基 CMOS 传感器和制造专长与 CQD 技术相结合，以更低的成本和更高的产量提供高度集成的 SWIR 传感器。这将带来结构更紧凑、成本效益更高的成像系统，具有更宽的光谱，可广泛应用于商业和工业领域。这些SWIR 传感器能够透视高密度材料、气体、织物和塑料，这在许多行业都非常重要，特别是在监控系统、硅检测、机器视觉成像和食品检测等工业应用中。在自动驾驶汽车成像领域，更高的光谱范围将产生更好的可视性，使得在极端黑暗、浓雾或冬季眩光等恶劣条件下也能更好的视物。SWIR Vision Systems 现已成为安森美的全资子公司，其技术精湛的团队将并入公司的智能感知事业群。该团队将继续在北卡罗来纳州运营。此次收购预计不会对安森美近期至中期的财务展望产生重大影响。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/7/9 15:17:54
据报道，英伟达AI GPU H200上游芯片端于Q2下旬起进入量产期，预计在Q3以后大量交货。但英伟达Blackwell平台上市时程提前至少一到两个季度，影响终端客户采购H200的意愿。供应链指出，目前待出货的客户端订单仍多集中于HGX架构的H100，H200比重有限，Q3将量产交货的H200主要为英伟达DGX H200；至于B100则已有部分能见度，预计出货时程落在明年上半年。H200作为H100 GPU的迭代升级产品，基于Hopper架构，首次采用了HBM3e高带宽内存技术，实现了更快的数据传输速度和更大的内存容量，尤其针对大型语言模型应用表现出显著优势。根据英伟达官方发布的数据，在处理诸如Meta公司Llama2这样的复杂大语言模型时，H200相较于H100在生成式AI输出响应速度上最高提升了45%。H200被定位为英伟达在AI计算领域的又一里程碑式产品，不仅继承了H100的优势，还在内存性能上取得了重大突破。随着H200的商业化应用，对高带宽内存的需求预期将持续攀升，这将进一步带动整个AI算力硬件产业链的发展，特别是HBM3e相关供应商的市场机会。而B100 GPU将采用液冷散热技术。散热成为芯片性能提升的关键因素，英伟达H200 GPU的TDP为700W，保守估计B100的TDP接近千瓦，传统风冷或不能满足芯片工作过程中对于散热需求，散热技术将全面向液冷革新。英伟达CEO称，从B100 GPU开始未来所有产品的散热技术都将由风冷转为液冷。银河证券认为，英伟达推出B100GPU在性能方面至少是H200的两倍，将超过H100的四倍，而芯片性能的提升一方面来源于制程，另一方面散热也成为芯片性能提升的关键因素，英伟达H200 GPU的TDP为700W，保守估计B100的TDP接近千瓦，传统风冷或不能满足芯片工作过程中对于散热需求，散热技术将全面向液冷革新。免责声明：本文为...
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2024/7/9 15:02:50
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出专为电子引爆系统设计的新型系列TANTAMOUNT™表面贴装固体模压型片式钽电容器---TX3。Vishay Sprague TX3系列器件机械结构牢固，漏电流（DCL）低，具有严格的测试规范，性能和可靠性优于商用钽电容器和MLCC。日前发布的电容器DCL仅为0.005CV，与其他电容技术相比，钽电容器能量密度高，可提供更高能量确保正确起爆，是采矿和拆除应用远程引爆系统的理想选择，满足可靠放电的要求。该器件的钽阳极技术与Vishay业界出色的介质成型技术相结合，确保严苛环境下稳定的电气性能。为保证可靠性，TX3系列电容器的测试规范比标准商用器件更加严格。每个产品均采用标准筛选法进行100%浪涌电流测试，并对关键电气特性进行二次额外筛查，以消除批次间误差。为提供可靠解决方案，器件容芯和引线框采用硬塑料树脂封装。与MLCC相比，电容器符合MIL-STD-202测试标准，具有更高的抗冲击（100 g）和抗震动（20 g）能力。TX3系列器件采用B（EIA 3528-21）和C（EIA 6032-28）封装，容值范围10 µF至100 µF，额定电压16 V至25 V，容差低至± 10 %。器件+25 °C下ESR为0.700 W至2.3 W，纹波电流为0.438 A，工作温度高达+125 °C。TX3系列器件采用无铅（Pb）端子，符合RoHS和Vishay绿色标准，无卤素。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/7/5 10:51:27
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出16款新型第三代1200 V碳化硅（SiC）肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN 肖特基（MPS）结构设计，具有高浪涌电流保护能力，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低，有助于提升开关电源设计能效和可靠性。日前发布的新一代SiC二极管包括5 A至40 A器件，采用TO-220AC 2L、TO-247AD 2L和TO-247AD 3L插件封装和D2PAK 2L（TO-263AB 2L）表面贴装封装。由于采用MPS结构——利用激光退火背面减薄技术——二极管电容电荷低至28 nC，正向压降减小为1.35 V。此外，器件25 °C下典型反向漏电流仅为2.5 µA，因此降低了导通损耗，确保系统轻载和空载期间的高能效。与超快恢复二极管不同，第三代器件几乎没有恢复拖尾，从而能够进一步提升效率。 碳化硅二极管典型应用包括FBPS和LLC转换器AC/DC功率因数校正（PFC）和 DC/DC超高频输出整流，适用于光伏逆变器、储能系统、工业驱动器和工具、数据中心等。这些严苛的应用环境中，器件工作温度可达+175°C，正向额定浪涌电流保护能力高达260 A。此外，D2PAK 2L封装二极管采用高CTI ³ 600的塑封料，确保电压升高时优异的绝缘性能。器件具有高可靠性，符合RoHS标准，无卤素，通过2000小时高温反偏（HTRB）测试和2000次热循环温度循环测试。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/7/2 11:49:35
据中国信通院发布数据显示，2024年5月，国内市场手机出货量3032.9万部，年增16.5%；其中，5G手机2553.1万部，年增26.6%，占同期手机出货量的84.2%。1月至5月，国内市场手机出货量1.22亿部，年增13.3%，其中5G手机1.02亿部，年增20.3%，占同期手机出货量的83.9%。2024年5月，国产品牌手机出货量2530.1万部，年增12.8%，占同期手机出货量83.4%；上市新机型46款，年增48.4%，占同期手机上市新机型数量的93.9%。1月至5月，国产品牌手机出货量1.02亿部，年增18.8%，占同期手机出货量的83.4%；上市新机型166款，年减1.8%，占同期手机上市新机型数量92.7%。智能手机的部分，2024年5月出货量为2860万部，年增13.5%，占同期手机出货量的94.3%；上市新机型37款，年增37.0%，占同期手机上市新机型数量的75.5%。1月至5月，智能手机出货量1.15亿部，年增11.1%，占同期手机出货量的94.4%；上市新机型130款，年减17.7%，占同期手机上市新机型数量的72.6%。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/7/2 11:46:50
据韩媒BusinessKorea报道，美光科技采取大胆的战略举措，跨越第四代高带宽内存HBM3，直接进军第五代HBM3E，旨在抢占下一代HBM市场的重要份额。这一决定已经开始得到回报，美光获得了Nvidia的订单并开始增加供应量，最终于去年底向Nvidia全面供应HBM3E。3月份，SK海力士开始量产并交付8层HBM3E，三星也于4月份紧随其后。4月底，SK海力士原计划在今年Q3完成12层HBM3E的开发，并于明年供货。然而，仅仅一周之内，SK海力士就修改了路线图，“5月份提供样品，第3季度量产”。据业内人士消息，美光在2024财年第3季度财报电话会议上宣布，其第五代HBM3E在此期间的收入超过1亿美元。这一里程碑凸显了美光科技积极进军HBM市场，预计明年将占据超过20%的市场份额，并计划将份额提高至25%。韩国投资证券评论了三星的进展，表示：“三星的HBM3E Nvidia认证正在取得进展，目标是在第三季度完成8层，在第四季度完成12层。如果没有三星电子，就不可能确保充足的HBM供应。从Nvidia的角度来看，它别无选择，只能积极争取三星电子的认证。”三星电子在其HBM战略中一直积极主动，发言人表示：“今年，我们将HBM供应量比去年增加了三倍多，以位数计算。明年，我们计划供应量是去年的两倍多就像今年一样。”三星目前正在向客户供应12层产品样品，并计划明年量产12层HBM3E。目前占据HBM市场53%份额的SK海力士决定将原定于2026年量产的12层HBM4提前至明年。该公司还计划在其清州M15x工厂建立一个集成的HBM生产工艺，包括EUV设备，计划于2025年竣工，并于2026年第三季度投入运营。拥有9% HBM市场份额的美光科技正在考虑将其马来西亚工厂转变为HBM专用生产线，并扩大其在台湾台中的HBM生产线。此外，美光在日本的新广岛工厂将作为HBM生产基地，进一步巩固其...
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2024/7/2 11:43:35
光电耦合器（Optocoupler）是一种能够实现电气和光电信号隔离的器件，通常由发光二极管和光敏晶体管构成。针对光电耦合器进行好坏检测，可以按照以下步骤进行：目视检查：首先，检查光电耦合器外观是否有物理损坏，如是否有裂纹、烧坏痕迹等。电气测试：连接光电耦合器至测试电路中，通常光电耦合器的引脚分为输入端和输出端。通过万用表或示波器等仪器，测量输入端施加的电压和输出端接收的电压信号，以确定是否有输入到输出间隔离效果。通常需要在输入端施加一个合适的电压或电流信号来触发输出端的响应。光电测试：使用一个LED或其他光源照射光电耦合器的发光二极管（LED）部分，观察光敏晶体管（光敏二极管）是否能够输出相应的信号，以检验光电转换功能是否正常。测试输出参数：测量光电耦合器输出信号的电压、电流等参数，确保输出信号符合预期的范围。综合检测：综合考虑电气测试、光电测试和输出参数测试的结果，判断光电耦合器的好坏情况。请注意，在测试光电耦合器时，应根据具体器件规格书和厂家提供的测试方法进行操作，防止误操作导致器件损坏。
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2024/7/1 17:24:35
意法半导体此次在MWC上海 (6月26-28日) 展出的ST4SIM-300方案符合即将出台的 GSMA eSIM IoT部署标准。其又被称为SGP.32，这一标准引入了特殊功能，方便管理接到蜂窝网络的物联网设备。为安全资产跟踪和数十亿台智能家居、工厂和城市设备数据安全处理赋能2024 年 6 月 26 日，中国——意法半导体此次在MWC上海 (6月26-28日) 展出的ST4SIM-300方案符合即将出台的 GSMA eSIM IoT部署标准。其又被称为SGP.32，这一标准引入了特殊功能，方便管理接到蜂窝网络的物联网设备。意法半导体边缘设备验证和M2M蜂窝营销经理 Agostino Vanore 表示：“ST4SIM-300 IoT eSIM解决方案利用即将出台的 GSMA新规范， 增强设计灵活性，简化了网络运营商的切换操作，并简化了对大量连接设备的管理过程。在一个连接量越来越多、安全保护越来越严密的世界中，新产品将能够在全球无缝跟踪资产，将智能设备连接到云端，安全处理数十亿台设备产生的数据，支持医疗服务和智能基础设施、城市、工厂和家庭。”与现有的M2M eSIM卡和Consumer eSIM卡的规范不同，IoT eSIM卡标准 (SGP.32) 的制定目的是满足当今的物联网部署需求。意法半导体ST4SIM-30可以最大限度地提高远程SIM卡配置 (RSP) 的自动化程度，轻松批量管理设备SIM 配置文件，支持网络运营商远程切换，省去实体换卡的操作。ST4SIM-300 eSIM卡符合最新的 5G 标准，方便部署用户界面功能有限的设备和低功耗广域网 (LPWAN) 设备。ST4SIM-300 eSIM卡有多种外形尺寸的样片，包括适用于智能电表、GPS 跟踪器、资产监视器、远程传感器、医疗穿戴设备等类似设备的晶圆级封装 (WLCSP)。ST4SIM-300搭载意法半导体的...
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2024/7/1 11:45:37
随着人工智能（AI）处理器对功率的要求日益提高，服务器电源（PSU）必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率，这主要是因为高级GPU的能源需求激增。到本十年末，每颗高级GPU芯片的能耗可能达到2千瓦或以上。这些需求以及更高要求的应用和相关特定客户需求的出现，促使英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）开发电压650 V以下的SiC MOSFET产品。现在，英飞凌基于今年早些时候发布的第二代（G2）CoolSiCTM技术，推出全新CoolSiC™ MOSFET 400 V系列。全新MOSFET产品组合专为AI服务器的AC/DC级开发，是对英飞凌最近公布的PSU路线图的补充。该系列器件还适用于太阳能和储能系统（ESS）、变频电机控制、工业和辅助电源（SMPS）以及住宅建筑固态断路器。英飞凌功率系统业务线负责人Richard Kuncic 表示：“英飞凌提供的丰富高性能MOSFET和GaN晶体管产品组合能够满足AI服务器电源对设计和空间的苛刻要求。我们致力于通过CoolSiC™ MOSFET 400 V G2等产品为客户提供支持，推动AI应用实现最高能效。”与现有的650 V SiC和Si MOSFET相比，新系列具有超低的传导和开关损耗。这款AI服务器电源装置的AC/DC级采用多级PFC，功率密度达到100 W/in³以上，并且效率达到99.5%，较使用650 V SiC MOSFET的解决方案提高了0.3个百分点。此外，由于在DC/DC级采用了CoolGaN™晶体管，其系统解决方案得以完善。通过这一高性能MOSFET与晶体管组合，该电源可提供8千瓦以上的功率，功率密度较现有解决方案提高了3倍以上。全新MOSFET产品组合共包含10款产品：5款RDS(on) 级（11至45 mΩ）产品采用开尔文源TOLL和 D&...
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2024/7/1 11:41:33
2024 年 6 月 27 日，中国——意法半导体开始量产新系列车规高边功率开关管，新产品采用意法半导体专有的智能熔断保护功能并且支持SPI 数字接口，提高设计灵活性和功能安全性。四通道VNF9Q20F是意法半导体采用的单晶片VIPower M0-9 MOSFET工艺并集成STi2Fuse专利技术的新系列功率开关的首款产品，STi2Fuse产品基于I2t(current squared through time-to-fuse)专利技术，检测到过流，支持100µs 内做出快速响应并关断MOSFET功率开关管。VNF9Q20F 用作智能断路器，增强电路板上的电压稳定性，防止 PCB 电路板走线、连接器和线束过热。在防止破坏性过载中，意法半导体新的车规功率开关还支持电容充电模式，允许无危害性的冲击电流存在，因此，能够在大电容负载条件下正常运行。VNF9Q20F 适用于最新的区域控制电气/电子架构，还可替代保险丝和继电器， ECU配电隔离，支持驻车时整车电气系统的配电管理。由于STi2Fuse支持64 个限流值的可编程配置，为设计人员提供高精度的过载处理的灵活性。芯片内部集成10 位模拟数字转换器 (ADC) 和故障寄存器，可提供丰富的诊断信息和数字电流检测反馈，以支持车辆相关功能，例如，预测性维护。VNF9Q20F通过 SPI 提供诊断数据，内置自检功能， 可使系统达到 ISO 26262 规定的安全完整性等级。在发生故障或功能异常时，嵌入式故障安全模式可使系统保持工作状态。VNF9Q20F现已量产，采用6mm x 6mm QFN封装。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/7/1 11:33:58