为解决传统接触器在兼容性、可靠性及智能化三大痛点，金升阳推出接触器宽压节能专用控制模块--KM系列，该系列搭载自研IC芯片，集输入电压范围宽、支持单线圈无短路环设计、兼容多种接触器型号及低功耗小体积等多功能于一体。严格遵循GB/T14048.4-2020、GB/T14808-2016等国家标准，品质有保障。可广泛应用于行吊专用接触器、电梯专用接触器及储能系统BMS专用接触器等其他负载，金升阳可为其提供一站式电源解决方案。产品优势1.低成本高兼容性a.支持单线圈无短路环设计，有效降低物料成本；b.支持24-550VAC&DC宽压输入,适用于全球电网；c.单一型号覆盖更多场景，可以简化选型与库存。2.低功耗高可靠性a.低视在功率，节能降耗可达90%；b.抗晃电能力强，吸合稳定，防止脱扣；c.内置EMC/浪涌防护，保护功能齐全。3.小体积高智能化a.集成芯片尺寸紧凑，释放更多设计空间；b.通过优化线圈电流，有效实现噪音抑制；c.智能IC精准驱动，支持远程控制及高温预警。4.长寿命高安全性a.20ms极速响应，有效提高触头使用寿命；b.100%国产化物料，供应稳定，品质保障；c.支持无电解电容设计,显著延长电气寿命。性能对照表产品特点•交直流通用，宽压范围输入•节能降耗，低视在功率•小体积•噪音≤25db•20ms极速响应•支持无电解电容设计•工作环境温度：-40℃to+70℃免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2025/10/14 13:48:00
Littelfuse公司近日发布IX3407B单通道电隔离栅极驱动器，该产品采用2.5 kV电容隔离技术，为大功率应用设计带来突破性进展。新型驱动器通过提供7 A峰值电流输出和卓越的噪声抑制能力，显著提升了电机驱动器、逆变器和工业电源系统的性能与可靠性。这款驱动器专为应对高功率密度设计挑战而开发，具备高速开关性能和简化的系统架构，为工程师在太阳能逆变器、工业自动化和高效UPS系统等应用提供了更为优化的解决方案。技术难点与行业挑战高功率电子系统设计面临多重挑战。信号完整性在高压环境下难以维持，低压控制信号与高压功率器件之间的接口常成为系统故障点。空间限制制约产品创新，传统隔离方案如光耦合器或变压器占用大量电路板面积，阻碍设备小型化趋势。热管理同样是关键难题，功率器件在高温环境下运行稳定性直接影响系统寿命。此外，电磁干扰在工业环境中尤为突出，高噪声环境下的共模瞬态抗扰度决定系统可靠性。系统复杂度与成本控制间的平衡也考验着设计工程师的智慧。Littelfuse的创新解决方案●IX3407B通过多项技术创新应对上述挑战。集成电容隔离技术是核心突破，提供2.5 kV可靠电气隔离，同时实现高速信号传输。●高驱动能力确保开关效率，7 A峰值拉/灌电流配合独立输出引脚，实现精准栅极控制，减少开关损耗。●增强的噪声免疫力提升系统稳定性，150 kV/µs的CMTI等级使器件能在嘈杂的工业环境中稳定工作。●智能保护功能增加系统可靠性，集成主动关断(ASD)与欠压锁定(UVLO)功能，有效防范各种故障状态。产品的核心作用IX3407B在功率系统中充当信号桥梁与驱动核心，负责将低压控制信号安全、高效地转换为能驱动高压功率器件的大电流信号。其电容隔离屏障在控制电路与功率级之间建立安全隔离，保护敏感控制元件免受高压侧干扰和损坏。作为开关性能优化器，驱动器通过快速、精确的栅极控制，显著降低功率...
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2025/10/14 13:44:13
威世科技Vishay Intertechnology, Inc.近日宣布推出通过AEC-Q200认证的金属化聚丙烯薄膜DC-Link电容器---MKP1848e，该系列产品工作温度高达+125℃，并在高湿环境下展现出卓越的稳定性。这些特性使其成为汽车、能源和工业等严苛环境应用的理想选择。新发布的MKP1848e系列基于IEC60384-16第3版的III级标准，能在额定电压和60°C/93%相对湿度条件下持续稳定工作1344小时，为电源转换系统提供了前所未有的可靠性保障。01 严苛环境下的技术挑战现代汽车电子和工业设备对元器件提出了前所未有的要求。高温环境稳定性成为首要挑战，发动机舱和电力电子设备内部温度常常超过传统元器件的承受极限。高湿环境耐受性直接影响产品寿命，特别是在电动汽车底盘和户外能源设备中，湿度波动会导致传统电容器性能急剧下降。纹波电流能力制约着功率密度提升，高功率应用需要元器件承受更大的电流应力。此外，空间限制与热循环应力也是设计工程师面临的主要难题，紧凑布局和温度急剧变化对电容器的机械和电气性能构成了严峻考验。02 Vishay的创新解决方案MKP1848e系列通过材料创新和结构优化，为行业挑战提供了全面解决方案。金属化聚丙烯薄膜技术确保了在宽温度范围内的稳定性，同时提供了优异的介电特性。优化的内部结构设计将纹波电流能力提升至44.5A，较上一代产品提高25%，满足高功率应用需求。创新的防潮封装技术基于IEC60384-16 Grade III标准，确保在高湿环境下长期可靠运行。增强的端接技术提供卓越的抗热冲击能力，支持-40℃至+125℃的1000次温度循环，适应最严苛的环境应力。03 产品的核心作用MKP1848e在电源系统中扮演着能量缓冲与滤波核心的角色，特别是在高功率DC-Link应用中，其性能直接影响整个系统的效率和可靠性。作为直流母线电...
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2025/10/13 13:22:53
Holtek半导体近日推出两款专为烟雾报警器设计的增强型Flash MCU——BA45F25752和BA45F25762。这两款产品高度集成了双通道烟雾检测AFE、红外/蓝光LED驱动、万年历及蜂鸣器驱动器等关键功能，为智能烟雾报警器提供完整的单芯片解决方案。相较于前代BA45F5750/BA45F5760系列，新产品增加了蓝光LED支持、温度补偿和蜂鸣器驱动等实用功能，特别适合需要事件记录功能的高端烟雾探测产品。01 行业痛点与技术挑战现代烟雾报警器设计面临几大核心挑战。误报频繁是首要问题，传统传感器易受厨房油烟、蒸汽等干扰，导致误报警。功耗控制直接影响产品寿命，特别是电池供电设备需保证长达10年的稳定运行。此外，功能单一制约产品升级，消费者需要更智能、具备事件记录功能的产品。设计复杂度也不容忽视，如何在有限空间内集成更多功能成为工程师的难题。02 Holtek的创新解决方案●BA45F25752/BA45F25762通过多项创新技术解决行业痛点。双通道烟雾检测架构结合红外与蓝光LED，实现多光谱分析，显著提升检测准确性。●低功耗LIRC设计确保3V锂电池供电设备可达10年使用寿命，满足长期免维护需求。内置温度传感器提供实时环境补偿，避免温度变化引起的误报。●集成万年历模块为事件记录提供精准时间戳，支持时间敏感性调整策略。内置升压电路可直接驱动蓝光LED和蜂鸣器，简化外围设计。03 产品核心价值这两款MCU在烟雾探测系统中扮演着智能处理中枢的角色，实现了从信号采集到报警输出的全流程控制。其双检测通道支持同时分析红外与蓝光散射特性，能有效区分真实火警烟雾与干扰颗粒。万年历功能超越简单计时，支持智能灵敏度调整，根据不同时段自动优化检测参数。关键竞争优势●存储配置灵活：BA45F25752提供8K×16 Flash ROM/1024×8 RAM/128...
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2025/10/13 13:18:05
10月10日，业界传来重要消息，英伟达已正式批准三星电子的第五代高带宽内存（HBM3E）用于其最新一代GB300人工智能加速器。这一突破标志着三星在经历多次技术验证失利后，终于重返英伟达核心供应链体系，打破了此前由美光和SK海力士主导的“双寡头垄断”格局。英伟达CEO黄仁勋已向三星电子会长李在镕发出正式信函，确认三星的12层堆叠HBM3E模块已通过资格测试。双方目前正就供应数量、价格及交付时间表进行最后协商。01 破冰之旅：三星的19个月回归路三星电子重返英伟达供应链的道路可谓一波三折。此次合作突破，距离三星首次传出有望进入英伟达供应链已过去一年七个月。回顾此次合作进程，时间线显示，2024年3月的英伟达GTC大会期间，黄仁勋曾对三星HBM技术给予关键认可——在其展示的HBM3E样品上签下“Jensen Approved”（黄仁勋认可）。然而，在后续推进中，三星HBM3E产品在英伟达严格的质量测试中屡次出现问题，导致合作进程一度停滞。转折点出现在2025年，有消息称，李在镕紧急下令三星内部启动“强硬式改革”，聚焦HBM技术稳定性与可靠性提升，要求团队务必达到业界标准。自2025年8月底起，李在镕将大部分时间投入美国商务活动，期间与黄仁勋进行了面对面会谈，这种被称为 “李式销售”的高强度客户对接策略，对合作达成起到了关键作用。02 HBM格局：三足鼎立的市场现状美光则采取了差异化策略，完全跳过HBM3代，直接专注于HBM3E。该公司已向客户交付HBM4样品，并实现了11Gbps的业界速度。在此背景下，三星重返英伟达供应链具有里程碑意义。HBM3E是当前AI芯片的关键组成部分，其总线速度超过1TB/s，成为英伟达、AMD和英特尔最新AI芯片的必备元件。03 GB300芯片：AI加速器的核心动力英伟达GB300系列是AI加速器市场的重要产品，它们正被广泛应用于全球各大云服务提供商...
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2025/10/13 13:14:27
全球智能手机市场正迎来结构性转变，高端化趋势推动平均售价持续攀升。根据CounterpointResearch最新数据，2025年全球智能手机平均售价预计达370美元，并将在2029年稳步增长至412美元，年均复合增长率达3%。这一增长动能主要来自5G普及、生成式AI技术应用以及消费者对高端机型需求的提升，标志着智能手机产业从销量驱动转向价值驱动的新阶段。均价走势与市场动态2025年全球智能手机平均售价预计将达370美元，较2024年的357美元实现稳步提升。这一增长趋势并非短期波动，而是可持续的结构性调整，预计到2029年，全球智能手机平均售价将达412美元，2025-2029年间年均复合增长率为3%。与此同时，全球智能手机年收入也将同步增长，预计到2029年将达到5640亿美元，2025年至2029年的收入复合年增长率将达5%。市场回暖与价格提升同步进行。IDC预测2025年全球智能手机出货量将同比增长1%，达到12亿台。尽管出货量增幅有限，但平均售价的增速明显高于出货量增长，这意味着智能手机市场正从追求规模转向注重价值提升。价格攀升的核心驱动力硬件成本上涨与技术创新智能手机平均售价上涨与物料清单成本增加密切相关。SoC是导致成本上涨的主要因素之一。随着芯片制造商采用更工艺节点，从2025年开始晶圆制造成本有所上升。高通和联发科等公司推出的最新SoC产品不仅价格更高，性能也更加强大。以联发科Dimensity9400为例，其NPU、Cortex-X925和Immortalis-G925性能分别提升了40%、30%和40%，售价较前代产品高出20%以上。内存价格同样成为关键因素。从2023年第三季度到2024年第二季度，DRAM和NAND的现货价格平均上涨了60%以上。生成式AI趋势推动了对LPDDR5x9600和NANDUFS4.0等高性能内存的需求，这些新型内存解决方...
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2025/10/11 13:19:13
半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）近日宣布成功开发出一款创新型保护用肖特基势垒二极管——RBE01VYM6AFH。该产品在低正向电压（VF）与低反向电流（IR）这对通常相互制约的关键参数之间取得了突破性平衡，可为ADAS（高级驾驶辅助系统）摄像头及各类搭载高像素图像传感器的应用提供更高可靠性的电路保护解决方案。近年来，随着ADAS摄像头等应用的精度提升，其搭载的图像传感器的像素也越来越高。这使得产品无法对电源关断时图像传感器感光产生的光生电压进行充分控制，从而存在对应用产品造成损坏的风险，而采用具有低VF特性的肖特基势垒二极管进行保护被认为是行之有效的方案。另一方面，为了防止运行时的热失控，还需要具备低IR特性。但由于VF与IR之间存在此消彼长的权衡关系，因此如何兼顾二者一直是个难题。在这种背景下，ROHM通过从根本上重新改进器件结构，成功开发出兼具低VF和低IR特性的肖特基势垒二极管，使其能够胜任保护工作。“RBE01VYM6AFH”是一款突破常规思维的产品，它创新性地将通常用于整流用途的肖特基势垒二极管的低VF特性用在了保护用途中。通过采用基于ROHM自有技术的创新型器件结构，同时实现了通常难以兼顾的低VF和低IR特性。凭借这些优异的特性，新产品即使在严苛的环境条件（VF：Ta=－40℃、IR：Ta=125℃）下，仍同时满足市场VF＜300mV（IF=7.5mA）和IR＜20mA（VR=3V）的特性要求。因此，新产品不仅能够防止应用产品停止运行时的高光生电压*1导致的电路损坏，还能大大降低运行过程中出现热失控和误动作的风险。新产品的封装采用小型扁平引脚SOD-323HE（2.5mm×1.4mm）封装形式，兼具出色的可安装性和节省空间优势。在需要在狭小空间中安装的车载摄像头、工业设备、安防设备等众多应用中，均可灵活使用。另外，新产品还符合车载电子元器件可...
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2025/10/11 13:13:42
威世科技（VishayIntertechnology）于2025年9月30日宣布推出四款新型1200VFREDPt®超快恢复整流器，包括VS-E7JX0112-M3、VS-E7JX0212-M3以及通过AEC-Q101认证的VS-E7JX0112HM3和VS-E7JX0212HM3。这些器件采用eSMP®系列SlimSMAHV（DO-221AC）封装，具有105nC的低反向恢复电荷（Qrr）和1.45V的低正向压降（VF），同时恢复时间短至45ns，结电容低至2.5pF。该系列产品针对工业驱动、电动汽车车载充电器、储能系统等高频应用场景，在提升效率的同时显著降低开关损耗。一、技术难点以及应对方案在高温、高频率的工业与汽车应用环境中，传统整流器因开关损耗大、恢复特性差，容易导致系统效率下降和发热问题。Vishay通过以下技术方案解决这些痛点：●铂掺杂寿命控制技术：采用平面结构和铂掺杂优化电荷存储，在保持低反向恢复电流的同时，将恢复时间缩短至45ns–50ns，显著降低开关损耗。●紧凑型封装设计：SlimSMAHV封装的尺寸为2.6mm×5.2mm，厚度仅0.95mm，比传统SMA封装更薄。其3.2mm的最小爬电距离和CTI≥600的模塑料，满足IEC60664-1高压安全标准，有助于减少外部元件数量。●电气参数均衡优化：通过权衡Qrr与VF的关系，1A型号的VF低至1.45V，2A型号为1.60V，同时将结电容控制在2.5pF–3.0pF，兼顾高频性能与导通损耗。二、核心作用该系列整流器的核心作用是作为高频电源电路的“高效开关枢纽”，通过快速恢复特性抑制电压尖峰和振荡，为快速开关IGBT与Si/SiCMOSFET提供去饱和保护，并作为钳位、缓冲或续流二极管，提升系统可靠性和功率密度。三、产品关键竞争力●优异的开关性能：Qrr低至105nC（1A型...
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2025/10/10 13:19:23
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子于2025年10月9日宣布，推出全新无磁电感式位置传感器（IPS）IC产品系列，包括RAA2P3226、RAA2P3200和RAA2P4200三款型号。新产品具备高分辨率、高精度与高可靠性，是传统磁编码器/光学编码器的理想替代方案。与此同时，瑞萨同步推出一款网页版电感式位置传感器线圈优化工具，该工具通过自动化线圈布局、仿真和调谐，助力客户轻松创建定制化线圈方案，显著降低了设计门槛。一、技术难点以及应对方案在工业自动化、机器人等高精度应用场景中，传统的位置传感技术（如磁编码器和光学编码器）常常面临一些挑战：它们可能体积较大、成本较高，并且易受环境因素（如粉尘、潮湿、杂散磁场）干扰，需要频繁维护。瑞萨电子的新型电感式位置传感器（IPS）IC及其配套工具通过以下方式应对这些挑战：●无磁感应原理：IPS产品基于非接触式线圈传感器技术，采用简易金属标靶和双线圈/单线圈配置。这种原理使其天生不受杂散磁场影响，并且能够在-40°C至125°C的宽温范围以及粉尘、潮湿、机械振动和电磁干扰等恶劣环境下稳定运行，基本无需维护。●网页版线圈优化工具：针对定制化线圈设计复杂、精度要求高的难点，瑞萨推出的网页版工具能够自动化完成线圈的布局、仿真和调谐。这使工程师无需深度依赖芯片供应商的技术支持，就能设计出高精度的线圈，显著降低了开发难度和学习成本。二、核心作用这一系列传感器IC的核心作用是作为各类工业运动控制系统的 “高精度位置感知核心” 。它们通过检测金属标靶相对于传感线圈的旋转、线性或弧形位置变化，将机械运动转换为精确的数字或模拟信号，从而为机器人关节、电机换向、执行器等应用提供可靠的位置反馈。三、产品关键竞争力●卓越的精度与速度：高端型号RAA2P3226支持双线圈传感，提供最高19位分辨率和优于0.01°的绝对精度。RAA2P32...
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2025/10/10 13:15:33
Microchip Technology（微芯科技公司）近日推出MCP9604集成热电偶调理IC，作为业界首款单芯片四通道I²C热电偶调理解决方案，该系统精度高达±1.5°C。该器件支持-200°C至+1372°C的宽温区测量，兼容8种主流热电偶类型，通过高度集成的单芯片设计取代传统分立方案，显著降低高低温工业应用的成本与设计复杂度。一、技术难点以及应对方案工业温度测量长期面临多通道系统误差累积、外部元件依赖度高及校准流程繁琐等挑战。传统分立方案需组合多芯片和被动元件，导致误差叠加、PCB布局复杂且校准成本高昂。MCP9604通过三重创新破局：●高阶算法整合：采用NIST ITS-90标准方程式（支持K型热电偶第九阶精度）替代传统一阶线性近似，显著提升测量准确性；●全链路集成：单芯片内集成ADC、冷端补偿传感器、放大器及数学运算引擎，减少多达15个外部元件；●自动校准优化：通过硬件集成消除分立方案所需的逐台验证与校准流程，缩短部署周期数周。二、核心作用MCP9604的核心作用是作为工业温度测量系统的 “精准数据采集中枢” ，将多路热电偶的微弱信号转换为高精度数字温度读数，通过I²C接口直接输出至主控制器，为化工、医疗、 HVAC等系统提供可靠的多点测温保障。三、产品关键竞争力●卓越的精度与通道密度：四通道同步测量实现±1.5°C系统精度，支持J/K型等8类热电偶；●显著的降本增效：高集成度削减BOM成本，简化PCB布局，避免多器件校准；●宽泛的环境适应性：覆盖-200°C至+1372°C范围，适用于极端高低温场景；●便捷的开发支持：配套EV19L27A评估板及免费软件，支持快速原型验证。实际应用场景●工业过程控制：化工反应釜、食品产线、HVAC系统的多点温度监控；●医疗与低温...
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2025/10/10 13:13:33
威世科技（VishayIntertechnology）近日推出了业内首款采用表面贴装（SMD）封装的车规级Y1陶瓷安规电容器——SMDY1汽车级系列。该器件在Y1绝缘等级下支持高达500VAC（1500VDC）的额定工作电压，并提供最高4.7nF的电容值。产品已通过AEC-Q200认证并支持PPAP文档，专为纯电动（EV）、混合动力（HEV）和插电式混合动力汽车（PHEV）中恶劣高湿热环境下的EMI/RFI抑制和滤波而设计。一、技术难点以及应对方案在传统汽车电子设计中，安规电容器普遍面临三大挑战：引线式封装占用PCB空间大、人工插装成本高，以及在高温高湿环境下稳定性不足。SMDY1系列通过以下创新方案解决这些痛点：●紧凑型SMD设计：采用回流焊工艺实现表面贴装，显著降低加工成本。其扁平化外壳支持PCB背面安装，避免了引线元件所需的双面电气间隙，助力小型化设计。●强化环境适应性：防潮等级达到IEC60384-14附录I标准的IIB级，并通过了“双85”（85°C/85%相对湿度、1000小时满载）严格测试，确保在恶劣环境下长期稳定运行。●高绝缘与阻燃保障：提供爬电距离10mm（C壳）和14.5mm（D壳）两种封装选项，并采用符合UL94V-0标准的阻燃环氧树脂封装，提升系统安全性。二、核心作用SMDY1系列的核心作用是作为汽车电力电子系统的“电磁兼容与安全卫士”。它通过高效抑制电磁干扰（EMI/RFI）和提供可靠的电气隔离，确保车载充电器（OBC）、牵引逆变器、电池管理系统（BMS）等关键部件在复杂工况下稳定工作，并满足严格的安规要求。三、产品关键竞争力●业界首创的封装形式：首款SMD封装的Y1类车规安规电容，兼具高可靠性与安装便捷性。●优异的电气性能：高额定电压（500VAC/1500VDC）与容值范围（470pF至4700pF）兼顾安全与滤波需求。●卓越的环境耐...
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2025/10/9 13:19:08
金升阳科技（MORNSUN）近期推出了全面升级的70W煤矿专用高压电源——PVA70-27BxxR2系列。该系列采用紧凑型设计，较同类产品体积缩减38%，支持85-900VAC/120-1300VDC超宽输入电压，并具备4000VAC高隔离耐压能力。产品专为煤矿监控、安防设备等场景设计，工作温度范围达-30℃至+70℃，且集成多重保护机制，为恶劣工业环境提供高可靠性供电解决方案。一、技术难点以及应对方案煤矿电力环境存在电压波动大（127VAC-1140VAC）、空间受限、高隔离安全要求及电磁干扰复杂等挑战。传统电源需通过工频变压器抽头切换适应电压，易因接线错误引发故障。PVA70-27BxxR2的创新方案包括：●自主拓扑与芯片技术：通过优化控制架构，实现无抽头全电压兼容，避免误接线风险；●结构集成优化：减少变压器、散热片等元件数量，在127×70×42mm尺寸内实现70W功率密度，适配紧凑安装空间；●强化电磁兼容性：将EMS性能提升至A级，脉冲群/浪涌抗扰度满足4级标准（±4KV），有效抑制现场干扰；●三防工艺与热管理：PCB双面涂覆三防漆，结合宽温设计，保障高湿、粉尘环境下的长期稳定运行。二、核心作用该电源的核心作用是作为煤矿智能化设备的“高效电能转换枢纽”。它将波动剧烈的电网电压转化为稳定可靠的直流电源，直接支撑监控系统、本安设备、通信交换机等关键负载，助力煤矿少人化、无人化升级。产品关键竞争力●超宽电压兼容性：覆盖85-900VAC输入，兼容127/220/380/660VAC多种煤矿电网标准；●卓越防护性能：4000VAC隔离耐压配合输出短路/过流/过压保护，提升系统安全性；●长效质保与服务：提供3年质保，降低客户维护成本；●节能与可靠性平衡：开板封装设计强化散热，全电压范围效率最优。实际应用场景●煤矿安全监控系统：为瓦斯监测、视频监控...
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2025/9/29 13:55:31
在半导体制造的激烈战场中，2nm制程晶圆代工领域正上演着一场惊心动魄的“价格与市场争夺战”。2025年，三星电子（005930.KS）率先出招，将其2nm（SF2）制程晶圆的代工报价大幅下调至20000美元，这一动作犹如一颗重磅炸弹，在行业内掀起了层层波澜，其目标直指应对台积电在该领域的强势竞争。据台媒DigiTimes的最新报道，三星此次降价绝非偶然，而是有着明确的市场战略考量。其核心目的在于吸引更多客户，进而提升2nm晶圆厂的产能利用率。要知道，此前市场就流传着台积电2nm晶圆代工报价高达30000美元的消息，三星此次新报价与之相比，低了整整三分之一，这无疑给那些对成本较为敏感的客户提供了极具吸引力的选择。回顾三星2nm制程的发展历程，初期其良率情况并不乐观，低于30%。不过，三星并未因此而退缩，而是全力以赴投入良率改进工作，并立下了在年底将良率提升至70%的明确目标。功夫不负有心人，9月初，韩国媒体ETnews就曾报道，三星电子晶圆代工部门正紧锣密鼓地准备量产下一代旗舰级移动处理器Exynos 2600，且预计将采用自家2nm制程，这一消息也从侧面反映出三星在良率提升方面已经取得了实质性的进展。在市场合作方面，三星也迎来了重大利好。电动汽车领域的巨头特斯拉上月与三星签订了一份价值高达22万亿韩元（约165亿美元）的半导体代工合约。这份合约的重点是为特斯拉生产高性能系统半导体“AI6”，该芯片预计将利用三星第二代2nm（SF2P）制程，于2026年在三星美国晶圆厂实现量产。特斯拉的加入，无疑为三星2nm制程的发展注入了一剂强心针，有望进一步提升三星SF2P的良率。然而，三星在2nm制程的市场拓展之路上并非一帆风顺。目前，三星第一代2nm制程除了于Exynos 2600外，尚未有其他大客户采用。反观台积电，虽然其2nm制程还未正式量产，但已经提前锁定了苹果、AMD、高通、...
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2025/9/29 13:49:34
在当前工业自动化向智能化、柔性化发展的趋势下，高效可靠的通信与控制技术成为关键支撑。兆易创新（GigaDevice）近期推出的GDSCN832 EtherCAT从站控制器与GD32H75E超高性能微控制器（MCU） 构成了一套完整的芯片级解决方案。该方案深度融合硬件加速与实时控制算法，显著提升了EtherCAT网络的数据传输效率和同步精度，特别适用于工业机器人、协作机器人及精密运动控制领域，助力实现多轴设备的高精度协调与柔性制造。依托这些产品，兆易创新将进一步推动工业自动化与机器人技术的深度融合，为开发者带来更丰富、高效的解决方案，驱动工业控制系统的创新与升级。EtherCAT®技术需要怎样的MCU来适配诞生于2003年的EtherCAT®（Ethernet for Control Automation Technology）是一种专为工业自动化设计的高性能以太网通信协议。它通过提供高速、稳定的数据传输，满足了伺服控制系统对精确同步和快速响应的需求。EtherCAT®支持微秒级的分布式时钟同步，确保多轴协调运动控制的高精度，同时其简单的网络拓扑结构和灵活配置简化了安装与维护，并减少了CPU负载，使更多资源可以用于复杂的控制算法。此外，EtherCAT®拥有广泛的设备兼容性和强大的生态系统，众多制造商提供符合标准的产品，如伺服驱动器、I/O模块等，确保互操作性的同时，允许用户根据需求选择最合适的硬件组合。在工业机器人领域，EtherCAT®的应用尤为突出。其微秒级的响应速度和纳秒级的同步精度对于六轴机械臂等需要多轴协同的设备至关重要。据公开资料显示，库卡、发那科等主流机器人厂商广泛采用EtherCAT®作为控制总线，以实现焊接、搬运、喷涂等复杂作业。目前热门的人形机器人需要控制大量关节并集成多种传感器，EtherCA...
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2025/9/28 14:01:09
瑞萨电子于2025年9月25日宣布推出面向高端电机控制的RA8T2微控制器（MCU）产品群。该系列MCU基于性能强大的1GHzArm®Cortex®-M85处理器，并可选配250MHz的Arm®Cortex®-M33协处理器，形成异构双核架构。产品采用22nmULL工艺制程，集成了高达1MB的高速MRAM（磁阻随机存取存储器）和2MBSRAM（包括紧耦合内存TCM），并配备专为电机控制优化的PWM定时器、16位ADC及丰富的工业网络接口（如双千兆以太网MAC和EtherCAT从站控制器），旨在满足工业自动化、机器人等应用对高算力、高实时性和精密控制的严苛需求。一、技术难点以及应对方案在现代工业自动化和机器人领域，实现精密的电机控制面临多重挑战：需要极高的计算性能来运行复杂的控制算法（如磁场定向控制FOC），同时要保证极低的响应延迟和抖动（高实时性），并且需要将实时控制、通信任务（如网络同步）乃至轻量AI功能高效地集成在单一芯片上。RA8T2系列通过以下创新设计应对这些挑战：●异构双核计算架构：主核Cortex-M85负责高性能数学运算和复杂控制算法，其集成的ArmHelium™技术显著提升了DSP和机器学习任务的效率。可选配的Cortex-M33核则可独立处理通信协议栈、系统管理等非实时任务，或与M85核协同工作。这种分工实现了硬实时控制与非实时操作的隔离，降低了系统复杂度，节省了成本与PCB空间。●高速内存子系统：集成的高速MRAM不仅具有非易失性，其写入速度和耐用性均优于传统Flash，有利于数据记录和快速启动。为每个CPU核心配备的TCM可确保关键代码和数据以极低延迟被访问，极大减少了中断和分支处理时的抖动，为高精度实时控制提供了稳定的性能基础。●专为电机控制优化的外设：定时器支持高达300MHz的PWM频率，具备互补输出、死区...
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2025/9/28 13:57:58
英飞凌科技（Infineon Technologies）近日宣布扩展其CoolSiC™ 650V G2系列碳化硅（SiC）MOSFET产品线，新增75mΩ导通电阻（RDS(on)）规格型号。该器件提供多样封装选择，包括TOLL、ThinTOLL 8x8、TOLT、D2PAK、TO247-3及TO247-4，全面支持顶部冷却（TSC）与底部冷却（BSC）两种散热方案。新品基于第二代CoolSiC技术，旨在为AI服务器电源、可再生能源系统、电动汽车充电桩等中高功率应用提供更高功率密度和卓越的散热灵活性。一、技术难点以及应对方案在中高功率开关模式电源（SMPS）等应用中，设计工程师常面临散热效率与功率密度提升的矛盾：传统硅基器件在高频开关下损耗较大，而有限的PCB空间对散热设计构成严峻挑战。英飞凌CoolSiC™ 650V G2 MOSFET通过以下技术创新应对这些难题：●独特的非对称沟槽栅结构：该技术通过优化晶面处理，显著降低了栅氧化层界面态密度，从而获得更高的沟道载流子迁移率。这不仅有效降低了导通电阻，还改善了开关损耗。●XT互联技术：在1200V G2单管产品中采用的改进型.XT扩散焊技术，能显著降低焊料层厚度，从而降低结壳热阻。与标准焊接技术相比，该技术可降低热阻约30%，提升了散热效率。●支持双面散热（TSC/BSC）的封装设计：例如，TOLT封装允许设计人员利用PCB正反两面进行散热，其直接散热效率最高可达95%。这种设计减少了寄生效应，提升了空间利用率。二、核心作用这款75mΩ CoolSiC™ MOSFET的核心作用是作为中高功率电路中的高效电能转换开关。它通过利用碳化硅材料优异的开关特性和低导通损耗，在提升系统整体效率的同时，有效降低热能损耗，从而支持设备向更紧凑、功率密度更高的方向发展。三、产品关键竞争力●优异的开关性能：产品具有超低开关损耗和快速开关能力，其...
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2025/9/28 13:53:17
联发科在深圳正式发布年度旗舰芯片天玑9500。这款芯片采用台积电第三代3nm制程（N3P工艺），集成超过300亿个晶体管，成为联发科有史以来性能最强大的移动平台。天玑9500首次搭载Arm最新发布的C1系列CPU内核和Mali G1-Ultra GPU，采用“全大核”CPU设计。性能测试显示，其单核成绩达4007分，多核成绩达11217分，超越了苹果A19 Pro。vivo X300系列将首发搭载天玑9500，并于10月13日正式发布。01 工艺与架构：台积电3nm加持，能效比大幅提升天玑9500采用台积电第三代3nm制程（N3P工艺），相比前代N3E工艺，在相同功耗下性能提升5%，或在相同频率下功耗降低5-10%。这一先进制程为天玑9500的能效表现奠定了坚实基础。芯片采用全新“全大核”CPU架构，包含1个主频高达4.21GHz的C1-Ultra超大核、3个3.5GHz的C1-Premium大核以及4个2.7GHz的C1-Pro能效核。这一配置使得天玑9500的单核性能较上一代提升32%，多核性能提升17%。能效方面表现更为突出，天玑9500在峰值性能下超大核功耗降低55%，多核整体功耗下降37%。这意味着用户在享受高性能同时，能够获得更长的电池续航时间。02 图形处理：GPU性能提升33%，光追性能翻倍天玑9500搭载全新的Mali G1-Ultra GPU，引入GPU Dynamic Cache架构。这一设计使得图形性能提升33%，同时在峰值性能下功耗降低42%。光线追踪性能大幅提升119%，并率先支持120FPS高帧率光追手游。游戏实测表现亮眼，在《王者荣耀》120帧模式下，功耗相比上一代降低19%；《原神》全高画质下功耗降低9%。天玑9500还全球率先支持虚幻引擎5.6 MegaLights和5.5 Nanite方案，为移动游戏提供主机级别的画质体验。这意味着手游...
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2025/9/28 13:49:27
Bourns公司近期推出了SE系列微型温度保护器（TCO）小型断路器组件，专为支持最高240W功率的USB电力传输（PD）标准而设计。该产品采用紧凑的表贴式封装（尺寸仅4.7mm x 2.8mm，高度1.23mm），是Bourns当前最小型的54V耐压TCO器件。其核心价值在于为Type-C连接器提供高效的过温保护，助力客户在满足欧盟通用充电器指令等法规要求的同时，提升高功率快充设备的安全性。一、技术难点以及应对方案随着USB PD标准功率提升至240W，Type-C连接器在异常插入或灰尘积累时易因微短路引发局部过热，甚至导致连接器熔化或设备损坏。传统方案需依赖外部IC或复杂电路，不仅占用空间，还增加成本和设计复杂度。SE系列的解决方案聚焦三点突破：●双金属机械结构：通过温度敏感双金属片触发机械式断路，无需外部供电即可在超温时瞬时切断电路。●精准温度阈值：提供72°C至85°C范围内多档跳闸温度选项（公差±5°C），适应不同设备的散热需求。●简化系统设计：直接集成于连接器附近，省去额外开关或IC，降低元件数量和布板难度。二、核心作用SE系列的核心作用是作为高功率USB-C线缆和设备的“热安全卫士”。其通过实时监测连接器温度，在检测到异常发热时立即断开电流，防止过热引发的燃烧风险，同时凭借自恢复或可重置特性（部分型号），在故障排除后恢复供电，提升产品可靠性和用户体验。三、产品关键竞争力●超高功率密度：在4.7mm x 2.8mm封装内支持240W PD标准，适合空间受限的紧凑型设备。●宽温域保护：72°C–85°C可调跳闸温度范围，覆盖多数快充场景的过热临界点。●高可靠性设计：采用耐腐蚀双金属机制（如AD/SD系列特性），确保在潮湿环境中长期稳定工作。●合规性优势：符合RoHS指令，并满足欧盟通用充电器指令对USB-...
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2025/9/26 13:55:19