24MR-35M+同轴适配器定义Mini-Circuits 的 24MR-35M+ 是一款同轴适配器，一端为 2.4 mm 直角公头（Right-Angle Male），另一端为 3.5 mm 公头（Male），支持从直流（DC）至 33 GHz 的广泛应用。该型号在整个频率范围内提供优异的电压驻波比（VSWR）和低插入损耗。24MR-35M+ 采用钝化不锈钢结构制造，整体长度仅为 0.71 英寸（约 18.03 mm），紧凑耐用，适用于空间受限的高频系统。特性超宽带，直流至33GHz低插入损耗，典型值0.11 dB。出色的VSWR，1.11:1典型值。直角车身电气规格（在 +25°C 条件下）参数 频率 (GHz)最小值典型值最大值单位频率范围-DC-33GHz插入损耗0.01–33-0.11 0.44dB电压驻波比 (VSWR)0.01–33-1.111.35:1备注：规格测试最低频率为 0.01 GHz。案例风格图
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2026/3/19 14:22:58
BAT-1+吸收式固定衰减器定义BAT-1+ 是一款宽带、双向、吸收式固定衰减器，采用高可靠性且可重复性优异的砷化镓（GaAs）半导体工艺制造。其工作频率范围从直流（DC）至 60 GHz，在整个频段内实现了出色的衰减精度与平坦度，同时保持卓越的回波损耗性能。该型号可承受高达 2 W 的输入功率，使其成为多种应用的理想选择，包括：测试与测量、卫星通信、雷达系统、电子战（EW）、电子对抗防御系统（ECM Defense Systems）、电信基础设施以及 5G 通信。特性宽频带：DC 至 60 GHz覆盖从基带到毫米波全频段，适用于各类射频系统设计。高功率处理能力：2 W支持中高功率应用场景，如发射链路调节或负载匹配。优异回波损耗：典型值 14 dB表明端口匹配良好，反射小，有助于提升系统稳定性与信号完整性。封装尺寸：1.5 × 1.5 mm，6 引脚 QFN 式封装小型化表面贴装封装，便于集成到高密度 PCB 布局中，适合自动化生产。应用测试与测量设备卫星通信系统雷达、电子战（EW）及电子对抗防御系统（ECM）电信基础设施5G sub-6 GHz 及毫米波（mmW）应用功能图（俯视图）
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2026/3/19 14:20:12
BAT-4+吸收式固定衰减器定义BAT-4+ 是一款宽带、双向、吸收式固定衰减器，采用高可靠性且可重复性优异的砷化镓（GaAs）半导体工艺制造。其工作频率范围从直流（DC）至 60 GHz，在整个频段内实现了出色的衰减精度与平坦度，同时保持卓越的回波损耗性能。该型号可承受高达 2 W 的输入功率，使其成为多种应用的理想选择，包括：测试与测量、卫星通信、雷达系统、电子战（EW）、电子对抗防御系统（ECM Defense Systems）、电信基础设施以及 5G 通信。特性宽频带：DC 至 60 GHz覆盖从基带到毫米波全频段，适用于各类射频系统设计。高功率处理能力：2 W支持中高功率应用场景，如发射链路调节或负载匹配。优异回波损耗：典型值 15 dB表明端口匹配良好，反射小，有助于提升系统稳定性与信号完整性。封装尺寸：1.5 × 1.5 mm，6 引脚 QFN 式封装小型化表面贴装封装，便于集成到高密度 PCB 布局中，适合自动化生产。应用测试与测量设备卫星通信系统雷达、电子战（EW）及电子对抗防御系统（ECM）电信基础设施5G sub-6 GHz 及毫米波（mmW）应用功能图（俯视图）
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2026/3/19 14:16:23
BAT-20+固定衰减器定义BAT-20+ 是一款宽带、双向、吸收式固定衰减器，采用高可靠性且可重复性优异的砷化镓（GaAs）半导体工艺制造。其工作频率范围从直流（DC）至 60 GHz，在整个频段内实现了出色的衰减精度与平坦度，同时保持卓越的回波损耗性能。该型号可承受高达 1.6 W 的输入功率，使其成为多种应用的理想选择，包括：测试与测量、卫星通信、雷达系统、电子战（EW）、电子对抗防御系统（ECM Defense Systems）、电信基础设施以及 5G 通信。特性宽带，直流至60 GHz高功率处理，1.6 W出色的回波损耗，典型。18分贝1.5x1.5 mm，6引线QFN型封装应用测试和测量设备卫星通信雷达、电子战和电子对抗防御系统电信基础设施5G低于6 GHz和毫米波功能图（俯视图）
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2026/3/19 14:09:57
BFHKI-2162+陶瓷带通滤波器定义BFHKI-2162+ 是一款微型低温共烧陶瓷（LTCC）超高中频抑制带通滤波器，其通带范围为 19.4 GHz 至 23.8 GHz，可支持多种应用。该型号在 10.3 GHz 以下实现高达 72 dB 的阻带抑制，在 40 GHz 以下实现 49 dB 的阻带抑制。该滤波器采用小巧的 4.95 mm × 3.65 mm 陶瓷封装形式，非常适合高密度信号链 PCB 布局，能够与 MMIC 尺寸和性能完美匹配。BFHKI 系列内置集成式中介层焊盘，便于通过自动化制造设备安装到 PCB 上。得益于其坚固的单片结构，该模型在整个宽频带内提供典型的 2.8 dB 插入损耗。LTCC 制造工艺确保了射频性能的极小波动，同时交付的产品能胜任高湿度与极端温度等严苛环境条件。该型号可承受最高 1 W 的射频输入功率，并拥有宽广的工作温度范围：-55°C 至 +125°C。特性带集成插入板的LTCC带通滤波器超高阻带抑制，典型。49分贝小尺寸，4.95x3.65毫米坚固的陶瓷结构应用测试和测量设备卫星通信航空航天和国防信号调节功能图+25°C时的典型频率响应
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2026/3/19 14:04:49
BFHK-1202+带通滤波器定义Mini-Circuits的BFHK-1202+带通滤波器采用紧凑、坚固的陶瓷封装，通过Ku波段的下边缘为上X波段提供精确滤波。利用专有材料科学和分布式设计拓扑，确保关键任务设计的高度可重复性能。该滤波器在9.5至13.5 GHz范围内提供0.85 dB的典型通带损耗，在0.1至4.5 GHz范围内具有46 dB和74 dB至30 GHz的出色阻带抑制，大大抑制了干扰和谐波。BFHK-1202+的额定射频输入功率高达1W，可在-55°C至+125°C的宽温度范围内运行，结合了可靠性和高性能，适用于要求苛刻的卫星通信、雷达、电子战和测试环境。特性超高阻带抑制，典型值62 dB。可表面安装的拾放式标准机箱标准小1812（4.5x3.2毫米）表壳样式高质量分布式滤波器拓扑宽阻带屏蔽结构防止滤波器失谐通过采用LGA（陆地栅格阵列）减少占地面积应用测试和测量设备卫星通信航空航天和国防信号调节功能图典型频率响应图
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2026/3/19 14:01:58
PMA1-14LV+低噪声 MMIC 放大器定义PMA1-14LV+ 是一款基于 pHEMT 的低噪声 MMIC 放大器，具有高 IP3 和平坦增益。其工作频率范围为 0.05 GHz 至 10 GHz，具备高动态范围特性，典型参数包括：噪声系数 1.0 dB、增益 21.9 dB、P1dB +20.4 dBm、OIP3 +28.4 dBm。这种性能组合使其非常适用于对灵敏度和动态范围要求高的接收机应用。PMA1-14LV+ 采用单一 +5 V 电源供电，与 50 Ω 阻抗良好匹配，并采用小型薄型 1.5 x 1.5 mm QFN 式封装，便于集成到高密度电路板布局中。特性高增益，典型。21.9分贝典型低噪声系数。1.0分贝OIP3高，典型。+28.4 dBm典型高P1dB。+20.4 dBm单电源电压，60mA时+5V1.5 x 1.5 mm 6引线QFN型封装应用测试和测量设备回程无线电系统卫星通信雷达、电子战和电子对抗防御系统5G无线基础设施功能图（俯视图）
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2026/3/19 13:53:09
AD8226 是一款低成本、宽电源电压范围的仪表放大器，仅需一个外部电阻即可设定介于 1 至 1000 之间的任意增益。AD8226 设计用于兼容多种信号电压。其宽输入范围与轨到轨输出能力，使信号能够充分利用电源轨的动态范围。由于输入范围还包含低于负电源的能力，因此即使在没有双电源供电的情况下，也能对接近地电平的小信号进行放大。AD8226 可在 ±1.35 V 至 ±18 V 的双电源或 2.2 V 至 36 V 的单电源下工作。AD8226 的鲁棒性输入端专为连接真实世界传感器而设计。除了宽工作范围外，AD8226 还能承受超出电源轨的电压。例如，在 ±5 V 供电条件下，该器件保证可耐受输入端 ±35 V 电压而不损坏。最小及最大输入偏置电流均有明确规格，便于实现开路检测功能。AD8226 非常适合多通道、空间受限的工业应用。与其他低成本、低功耗仪表放大器不同，AD8226 的最小增益为 1，并可轻松处理 ±10 V 信号。凭借 MSOP 封装和 125°C 温度等级，AD8226 能在紧凑、零气流的设计环境中稳定运行。AD8226 提供 8 引脚 MSOP 和 SOIC 两种封装形式，完全支持 –40°C 至 +125°C 的工作温度范围。若是需要封装和性能类似但增益可调范围为 5 至 1000 的器件，可考虑选用 AD8227电子元器件。常见应用工业过程控制桥式放大器医疗器械便携式数据采集多通道系统
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2026/3/18 13:33:48
HMC547ALP3EGaAs MMIC SPDT非反射开关，直流-20 GHz定义HMC547ALP3E 是一款通用型宽带高隔离度非反射式 GaAs pHEMT SPDT 开关，采用无引脚 QFN 表面贴装塑料封装。工作频率范围从直流（DC）至 20 GHz，该开关提供高隔离度和低插入损耗。其特性包括：在高达 5 GHz 时隔离度 50 dB，在高达 15 GHz 时隔离度 40 dB。该开关通过互补负电压控制逻辑线进行操作，需 -5/0V 控制电压，无需额外偏置电源。HMC547ALP3E 封装于无引脚 QFN 3×3 mm 表面贴装器件中。具备的特征高隔离度：在5 GHz以下50 dB40 dB至15 GHz低插入损耗：10 GHz时为1.8 dB2.5 dB@20 GHz快速切换非反光设计QFN SMT封装，9mm²常见应用•基站基础设施•光纤和宽带电信•微波无线电和甚小孔径终端•军用无线电、雷达和ECM•测试仪器
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2026/3/18 13:17:02
图1和图2中的功率损耗曲线可与图3至图6中的负载电流降额曲线配合使用，用于计算LTM4615在不同散热片配置和气流条件下的近似θJA（结到环境）热阻。图1图2LTM4615电子元器件的两个输出通道均工作在满载4A电流下，图1和图2中的功率损耗曲线分别绘制了每个输出电压通道在最高4A负载下的总功耗。VLDO稳压器设定为0.5W的功耗，通常适用于压差为0.5V或更低的应用场景。例如：1.2V转1V、1.5V转1V、1.5V转1.2V以及1.8V转1.5V等压差组合均可支持VLDO最大负载；但若需更高压差，则需对VLDO进行进一步的热分析。图3图4、5、64A输出对应的电压为1.2V和3.3V。选择这两个电压值是为了涵盖较低和较高的输出电压范围，以便推导热阻模型。热模型基于温控箱内多个温度测量点数据，并结合热建模分析得出。在无气流和有气流条件下，随着环境温度升高，监测结温并相应降低输出电流或功率。结温被维持在约120°C，同时留出相对于最大允许结温125°C的5°C安全裕量。随着环境温度上升，内部模块损耗减少，从而导致输出电流下降。图1和图2中的功率损耗曲线显示了作为负载电流函数的功率损耗量，该函数针对两个通道均有定义。所监测的120°C结温减去 ambient 工作温度，即表示允许的模块温升幅度。举例而言，在图3中，当环境温度为-90°C时，每通道负载电流降至3A，此时两通道在5V/1.2V @ 3A输出下的功耗约为1.4W。加上VLDO的0.5W功耗，总计为1.9W。若从120°C的最大结温中减去90°C的环境温度，得到温差30°C，再除以1.9W，即可得出15.7°C/W的热阻值。表1指定的15°C/W热阻值与此非常接近。下图1、2中提供了在有无散热片及气流条件下，1.2V和...
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2026/3/18 11:48:48
输出电容LTM4615 开关器件专为每个通道提供低输出电压纹波而设计。 bulk 输出电容需选用具有足够低等效串联电阻（ESR）的型号，以满足输出电压纹波和瞬态响应要求。输出电容可选用低 ESR 钽电容、低 ESR 聚合物电容或陶瓷电容。典型输出电容值范围为 66μF 至 100μF。若系统设计师需要进一步降低输出纹波或动态瞬态尖峰，则可能需要额外的输出滤波措施。下图列出了不同输出电压与输出电容组合的矩阵，旨在最小化在 2A/μs 瞬变条件下的电压跌落和过冲。该表格通过优化总等效 ESR 和总 bulk 电容量，以最大化瞬态性能。故障条件：电流限制与过热保护LTM4615 采用电流模式控制，其固有特性可在稳态运行及瞬态过程中逐周期限流电感电流。除过载情况下的电流限制外，LTM4615 还具备过热关断保护功能，当任一通道温度升至约 150°C 时，将禁止开关操作。
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2026/3/18 11:41:57
LTM4615 是一款具有一个额外 1.5A VLDO (非常低压差) 线性稳压器的完整 4A 双路输出开关模式 DC/DC 电源。其引脚功能主要如下：VIN1, VIN2 (J1-J5, K1-K5); (C1-C6, D1-D5)：电源输入引脚施加于这些引脚与GND引脚之间的输入电压。建议将输入去耦电容直接放置在VIN引脚与GND引脚之间。VOUT1, VOUT2 (K9-K12, L9-L12, M9-M12); (C9-C12, D9-D12, E11-E12)：电源输出引脚在这些引脚与GND引脚之间连接输出负载。建议将输出去耦电容直接放置在这些引脚与GND引脚之间。GND1, GND2, (H1, H7-H12, J6-J12, K6-K8 L1, L7-L8, M1-M8); (A1-A12, B1, B7-B12, C7-C8, D6-D8, E1, E8-E10)：输入和输出回路的公共接地引脚TRACK1, TRACK2 (L3, E3)：输出电压跟踪引脚当模块配置为主控输出时，若在RUN/SS引脚对地接入软启动电容，可控制主调节器的斜坡上升；或通过外部电阻分压网络将其连接至主控调节器的跟踪引脚以实现从属控制。若无需跟踪功能，则将TRACK引脚连接至VIN。注意：跟踪功能必须存在负载电流才能正常工作。FB1, FB2 (L6, E6)：开关稳压器误差放大器的负向输入引脚内部通过一个4.99kΩ精密电阻连接至VOUT。可通过在FB与GND引脚间外接电阻来编程设定不同的输出电压。两个电源模块可通过将此引脚并联至相邻模块的FB引脚实现均流。FB3 (F6)：LDO误差放大器的负向输入引脚内部通过一个4.99kΩ电阻连接至LDO_OUT。可通过在FB3与GND引脚间外接电阻来编程设定不同的输出电压。COMP1, COMP2 (L5, E5)：电流控制阈值及误差放大器...
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2026/3/18 11:38:07
LT3790LT®3790 是一款同步四开关降压 - 升压电压/电流调节控制器。它同样可在输入电压高于、低于或等于输出电压时，实现对输出电压、输出电流或输入电流的精确调控。其恒定频率、电流模式架构支持频率在 200kHz 至 700kHz 间可调或同步。在降压或升压运行中亦无需顶部 FET 刷新开关周期。具备 60V 输入与输出能力，并能在不同工作区域间平滑过渡，LT3790 是汽车、工业、通信及电池供电系统中电压调节器和电池/超级电容充电器的理想选择。此外，LT3790 还提供输入电流监控、输出电流监控以及多种状态标志功能，例如 C/10 充电终止指示和输出短路标志。LT3791-1LT®3791-1 是一款同步四开关降压 - 升压电压/电流调节控制器。该控制器可在输入电压高于、低于或等于输出电压的情况下，对输出电压、输出电流或输入电流进行稳压控制。其恒定频率、电流模式架构允许工作频率在 200kHz 至 700kHz 范围内调整或与外部时钟同步。在降压或升压操作中无需顶部 FET 刷新开关周期。凭借 60V 输入能力、60V 输出能力以及各工作区间之间的无缝切换特性，LT3791-1 非常适用于汽车、工业、电信乃至电池供电系统中的电压调节器、电池/超级电容器充电器等应用。对于新设计，我们推荐使用 LT8390：一款 60V 同步四开关降压 - 升压控制器，因其在性能上相比 LT3791-1 有多项改进。两者的区别LT3790 是 LT3791-1 的改进版本，推荐用于新设计中。部分外部元件值可能有所调整，但除此之外，LT3790 电子元器件在功能上与 LT3791-1 等效。两者之间的主要区别如下：电流检测满量程电压不同LT3790 的典型全量程电流检测电压 V_(ISP-ISN) 为 60mV，而 LT3791-1 为 100mV（典型值）。这一改...
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2026/3/17 11:35:07
基本的 PCB 布局要求设置一个专用的接地层平面。此外，对于大电流应用，多层板可为功率元件提供散热路径。PGND 接地层平面不应布设任何走线，并应尽可能靠近功率 MOSFET 所在的层。将输入电容 C_IN、开关 M1、M2 和二极管 D1 放置在一个紧凑区域内；将输出电容 C_OUT、开关 M3、M4 和二极管 D2 放置在另一个紧凑区域内。使用过孔（via）直接连接各元件（包括 LT3790 的 SGND 和 PGND 引脚）至接地层平面。每个功率元件应使用多个大型过孔。为 V_IN 和 V_OUT 使用完整的铜箔平面，以维持良好的电压滤波效果并降低功率损耗。将所有未使用的层用铜箔填充（铺铜）。铺铜有助于降低功率元件温升，并应将铜区连接到任意直流网络（如 V_IN 或 PGND）。分离信号地与功率地。所有小信号元件的地应统一返回至 SGND 引脚的一点，该点再就近连接至功率源（即开关 M2 和 M3）附近的 PGND。尽量将开关 M2 和 M3 靠近控制器放置，同时保持 PGND、BG 和 SW 走线短而粗。将高 dV/dT 节点（SW1、SW2、BST1、BST2、TG1、TG2）远离敏感的小信号节点。由开关 M1、M2、D1 和输入电容 C_IN 构成的回路应具有短的引线长度和 PCB 走线；同样，由开关 M3、M4、D2 和输出电容 C_OUT 构成的回路也应尽量缩短引线和走线。输出电容的负极（–）端子应尽可能靠近输入电容的负极（–）端子连接。将顶部驱动器自举电容 C1 紧邻 BST1 和 SW1 引脚放置；将顶部驱动器自举电容 C2 紧邻 BST2 和 SW2 引脚放置。将输入电容 C_IN 和输出电容 C_OUT 尽量靠近功率 MOSFET 放置。这些电容在升压和降压操作中承载 MOSFET 的交流电流。SNSN 和 SNSP 引脚的走线应并行布置，且间距最小...
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2026/3/17 11:31:00
LT3790 是一款电流模式控制器，可提供高于、等于或低于输入电压的输出电压。LTC 专有拓扑与控制架构在降压（buck）或升压（boost）操作中均使用一个电流检测电阻。所感应的电感电流由反馈放大器 A11 和 A12 的输出——即 Vc 引脚上的电压进行控制。Vc 引脚受三个输入信号控制：一路来自输出环路反馈，一路来自输入电流环路，第三路来自另一个反馈环路。无论哪个反馈输入更高，都将优先起作用，从而迫使转换器进入恒流模式或恒压模式。LT3790 电子元器件被设计为可在两种工作模式之间平滑切换。电流检测放大器 A1 检测 IVINP 与 IVINN 引脚之间的电压，并向放大器 A11 提供预增益。当 IVINP 与 IVINN 间电压达到 50mV 时，A1 输出 IVINMON_INT 至 A11 的反相输入端，此时转换器进入恒流模式。若电流检测电压超过 50mV，A1 输出增大，导致 A11 输出下降，从而减少输送到输出的电流量。以此方式，电流检测电压被稳定在 50mV。输出电流放大器的工作方式类似于输入电流放大器，但其基准电压为 60mV 而非 50mV。输出电流检测电平也可通过 CTRL 引脚调节。将 CTRL 强制拉低至 1.2V 以下，可使 ISMON_INT 与 CTRL 保持相同电平，从而实现电流限制控制。该输出电流放大器支持轨到轨操作。同样地，若 FB 引脚电压高于 1.2V，则 A11 输出降低，以减小电流水平并调节输出电压（恒压模式）。LT3790 提供监控引脚 IVIMON 和 ISMON，它们分别与输入和输出电流放大器两端的电压成比例。主控制环路可通过将 EN/UVLO 引脚拉低来关闭。当 EN/UVLO 引脚电压高于 1.2V 时，内部 14μA 电流源会对 SS 引脚处的软启动电容 CSS 充电。随后，Vc 电压会被钳位在一个比 SS 电压高...
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2026/3/17 11:14:48
一个有源理想二极管进入反向偏置状态时的动态行为，最准确的描述是：先经历一段延迟期，随后进入反向恢复期。在延迟阶段，由于寄生电阻和电感的限制，会积累一定的反向电流。在反向恢复阶段，储存在寄生电感中的能量会被转移到电路中的其他元件上。此时的电流变化率（slew rate）可能高达 100A/μs 或更高。高变化率与串联在输入和输出路径上的寄生电感相结合，可能在 LTC4359 的 IN、SOURCE 和 OUT 引脚处引发潜在破坏性的瞬态电压——尤其是在反向恢复期间。若输入端对地发生零阻抗短路，则问题尤为严重，因为它允许在延迟阶段建立起最大可能的反向电流。当 MOSFET 最终切断该反向电流时，LTC4359 电子元器件的 IN 和 SOURCE 引脚将承受负向电压尖峰，而 OUT 引脚则出现正向电压尖峰。为防止在输入短路条件下损坏 LTC4359，应按下图所示保护 IN、SOURCE 和 OUT 引脚：IN 和 SOURCE 引脚：通过两个 TransZorb® 或 TVS 二极管钳位至 VSS 引脚进行保护。对于 ≥24V 的输入电压，需使用 D4（70V TVS）以在输入短路期间保护 MOSFET 栅极氧化层。在 MOSFET 关断后出现的负向尖峰，可通过 D2（24V TVS）进行钳位；D2 允许最高 24V 的反向输入电压，同时保持 MOSFET 关闭 —— 若无需反向输入保护，则可省略 D2。D1（70V TVS）用于在负载阶跃和过压条件下保护 IN 和 SOURCE 引脚免受正向电压冲击。OUT 引脚：可通过以下方式之一进行保护：使用至少 1.5μF 的输出电容 C_OUT；在 MOSFET 两端并联 TVS 二极管；利用 MOSFET 自身的雪崩击穿能力。注意：若依赖 MOSFET 的雪崩击穿来保护 OUT 引脚，必须确保其 BV_DSS 额定值远低于...
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2026/3/17 11:07:58
LTC4359 是一款正高压理想二极管控制器，用于驱动外部 N 沟道 MOSFET 以替代肖特基二极管。它通过控制 MOSFET 的正向压降，确保即使在轻载条件下也能实现平滑电流传输而不产生振荡。若电源发生故障或短路，其快速关断功能可最大限度减少反向电流瞬态。该器件还提供关断模式，可将静态电流降低至负载开关应用下的 9μA，或理想二极管应用下的 14μA。在大电流二极管应用中，LTC4359 电子元器件可降低功耗、热耗散、电压损耗及 PCB 板面积。凭借其宽工作电压范围、承受反向输入电压的能力以及高温额定值，LTC4359 能够满足汽车和电信应用的严苛要求。此外，LTC4359 还可轻松在具有冗余电源的系统中实现电源“或”功能。具备的特征通过更换功率肖特基二极管来降低功耗宽工作电压范围：4V至80V反向输入保护至-40V9µA低关断电流低150μA工作电流平稳切换，无振荡控制单沟道或背对背N沟道MOSFET提供6引脚（2mm×3mm）DFN、8引脚MSOP和8引脚SO封装AEC-Q100符合汽车应用标准常见应用汽车电池保护冗余电源供应停滞电信基础设施计算机系统/服务器太阳能系统
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2026/3/17 11:03:02
正确使用情况下，LTC1562 滤波器电子元件可承受远超其供电电压的输入信号摆幅。这要求在设计时加以注意——例如，当需要从较小期望信号中滤除大带外干扰时，该特性非常有用。这种对宽范围输入电压的灵活性源于 INV 输入端处于“虚拟地”电位，类似于带有负反馈的运算放大器的反相输入端。LTC1562 本质上响应的是输入电流，而外部阻抗 Z_IN（下图）两端仅出现输入电压 V_IN。为接受超出电源电压范围的输入信号，必须确保：LTC1562 始终处于上电状态（非关断模式）；避免使接收输入的二阶模块的 V1 或 V2 输出饱和。若违反上述任一条件，INV 输入将偏离虚拟地电位，导致过载状况，其恢复时间取决于具体电路细节。如果此过载迫使 INV 输入超出电源电压范围，则可能损坏 LTC1562。防止过载最微妙的一点是：需考虑所有可能的输入信号或频谱，并确保没有任何一个信号会驱动 V1 或 V2 达到电源轨极限。请注意，即使某个通道未被用作信号输出，也不允许其输出饱和。如有必要，可通过降低通带增益（即增大文中图片中的 Z_IN 阻抗）来减小输出摆幅。最后需要解决的问题是：电流和电压限制。流入虚拟地 INV 节点的电流最终会流经驱动 V1 和 V2 的输出电路。因此，输入电流幅度（|V_IN / Z_IN|，见图3）应通过设计限制在小于 1mA，以保证良好的失真性能。另一方面，输入电压 V_IN 出现在外部元件 Z_IN（通常为电阻或电容）两端。该元件当然必须额定能承受施加于其上的电压幅值。
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2026/3/17 10:42:51