WP4L+是Mini-Circuits的一款合路器芯片，其工作频率最小2700MHz，最大3800MHz，插入损耗最大2.1dB，0.118 X 0.118英寸，0.035英寸高，符合ROHS标准，表面安装，外壳DQ1225，12针。规格参数频率:2.7 GHz to 3.8 GHz带宽:1100 MHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C介入损耗:0.7 dB点击购买：WP4L+特性•出色的隔离性能，典型值为24 dB。•相位不平衡良好，典型值为3度。•振幅不平衡良好，典型值为0.2 dB。•尺寸小，.118“x.118”x.035“•高ESD水平•可水洗应用•无线局域网•WIMAX•WCDMA•雷达外观尺寸图
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2024/11/13 13:34:45
CMA-82+（符合RoHS标准）是一款提供高动态范围的宽带放大器。它使用专利的瞬态保护达林顿配置，并使用InGaP HBT技术制造。MMIC放大器粘合到多层集成LTCC基板上，然后在受控的氮气气氛下用镀金盖和共晶Au-Sn焊料密封。端子表面处理为Ni-Pd-Au。由于严格控制半导体和组装工艺，它具有可重复的批量性能。这些放大器能够满足MIL要求，并经过密封性测试。特性•陶瓷，密封，高可靠性•低调外壳，0.045英寸高•坚固耐用的设计•增益，典型值为15dB。100 MHz•高磅，P1dB 20 dBm典型值。•高IP3，典型值为42 dBm。100 MHz点击购买：CMA-82+应用•高可靠性系统•国防和航空航天•基站基础设施•LTE•点对点无线引脚配置
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2024/11/13 13:26:31
OP281是双通道、超低功耗、单电源放大器，具有轨到轨输出特性。各器件均可采用低至2.0 V的电源供电，额定电源电压为+3 V、+5 V（单电源）和±5 V（双电源）。采用ADI的CBCMOS工艺制造，具有精密双极性输入，输出摆幅达到电源电压的数毫伏范围内，并且只要输出电压不大于电源电压，就可以持续提供吸电流或源电流。具体应用包括安全监控、便携式设备、电池和电源控制，以及极低功耗系统中的传感器信号调理和接口。OP281具有轨到轨输出摆幅，将输出驱动至电源电压时无需提高电源电流，因此可以用作极低功耗系统中的比较器。快速饱和恢复时间也可进一步增强其功能。传播延迟为250 μs。OP281的额定温度范围为−40°C至+85°C扩展工业温度范围。双通道放大器OP281提供8引脚SOIC表贴和TSSOP两种封装。规格参数通道数量:4 ChannelGBP-增益带宽产品:105 kHzSR - 转换速率 :28 mV/usVos - 输入偏置电压 :100 uVIb - 输入偏流:10 nA电源电压-最大:12 V, +/- 6 V电源电压-最小:2.7 V, +/- 1.35 V工作电源电流:16 uA每个通道的输出电流:12 mACMRR - 共模抑制比:65 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C电压增益 dB:83.52 dB宽度:4 mm (Max)单位重量:338 mg点击购买：OP481GSZ特性• 低电源电流：每个放大器4 μA（最大值）• 单电源供电：2.7 V至12 V• 宽输入电压范围• 轨到轨输出摆幅• 低失调电压：1.5 mV• 无反相应用比较器电池供电仪器安全监测远程传感器低压应变计放大器引脚配置
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2024/11/13 11:53:15
HMC-ALH509是一款三级GaAs HEMT T MMIC低噪声放大器(LNA)，工作频率范围为71至86 GHz。 HMC-ALH509具有14 dB小信号增益、5 dB噪声系数和+7 dBm输出功率（1 dB压缩），采用+2V电源电压。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化。 这款多功能LNA兼容传统的芯片贴装方式以及热压缩和热超声线焊工艺，非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ω环境下使用RF探头接触测得。规格参数工作频率:71 GHz to 86 GHz工作电源电压:2 V工作电源电流:50 mA增益:14 dBNF—噪声系数:5 dBP1dB - 压缩点:7 dBm最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C频率范围:DC to 6 GHz输入返回损失:13 dB通道数量:1 ChannelPd-功率耗散:339 mW单位重量:57.100 mg点击购买：HMC-ALH509特性• 噪声系数： 5 dB• P1dB： +7 dBm• 增益： 14 dB• 电源电压： +2V• 50 Ω匹配输入/输出• 裸片尺寸： 3.20 x 1.60 x 0.1 mm应用HMC-ALH509非常适合：•短程/大容量链路•汽车雷达•E波段通信系统•测试和测量功能图
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2024/11/13 11:47:55
ADuM4221 是 4 A 隔离式半桥式栅极驱动器，采用 ADI公司的 iCoupler® 技术独立且隔离的高端和低端输出。ADuM4221 增加爬电距离d的宽体 16 引脚 SOIC_IC 封装可提供 5700 kV rms 的隔离。这些隔离元件集高速 CMOS 和单片变压器技术于一身，性能比其他选择更优，的如兼备脉冲变压器和栅极驱动器特点。隔离器采用 2.5 V 到 6.5 V 的逻辑输入电压范围，兼容较低的电压系统。与采用高压电平转换方法的栅极驱动器相比， ADuM4221 能在输入和输出之间提供真正的电气隔离。ADuM4221 内置重叠保护，并允许调整死区时间。死区时间引脚 (DT) 和 GND1 引脚之间的单电阻设置了高侧和低侧输出的次级侧死区时间。如果 ADuM4221 的内部温度超过热关断温度 (TSD)，则内部热关断会将输出设置为低电平。因此，ADuM4121 能够在正或负开关电压下的开关电压范围内，可靠控制绝缘栅极双极晶体管 (IGBT) /金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 配置，从而实现简单的压摆率控制。规格参数最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 C上升时间:25 ns下降时间:25 ns激励器数量:2 Driver输出端数量:2 Output输出电流:4 A电源电压-最大:6.5 V电源电压-最小:2.5 V特性• 4 A 峰值电流 (• 2.5 V 至 6.5 V 逻辑输入电压• 4.5 V 至 35 V 输出电源电压• UVLO VDD1 时，正向阈值2.5 V （最大值）• VDDA 和 VDDB 正向阀值上存在多个正向阈值 UVLO 选项• A 级：4.5 V （最大值）• B 级：7.5 V （最大值）• C 级：11.6 V （最大值）• 精准时序特性• 44 ns 最大传播延迟应用• 开关式电源•...
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2024/11/13 11:37:33
OP184分别是单通道、单电源、4 MHz带宽放大器，具有轨到轨输入与输出特性。保证工作电压范围为+3 V至+36 V（或±1.5 V至±18 V），可以采用低至+1.5 V的单电源工作。非常适合要求交流性能与精密直流性能的单电源应用。带宽、低噪声与精度特性组合，则使之适合滤波器和仪器仪表等各种应用。其它应用包括便携式电信设备、电源控制与保护，以及用作具有宽输出范围传感器的放大器或缓冲器。要求采用轨到轨输入放大器的传感器包括霍尔效应传感器、压电传感器和阻性传感器。利用轨到轨输入和输出摆幅，设计人员可以在单电源系统中构建多级滤波器，并保持高信噪比。OP184的额定温度范围为-40°C至+125°C HOT扩展工业温度范围。单通道提供8引脚塑封DIP和SO表贴两种封装。规格参数GBP-增益带宽产品:4.25 MHzSR - 转换速率 :2.4 V/usVos - 输入偏置电压 :65 uVIb - 输入偏流:450 nA电源电压-最大:36 V, +/- 18 V电源电压-最小:3 V, +/- 1.5 V工作电源电流:1.45 mA每个通道的输出电流:10 mACMRR - 共模抑制比:90 dB双重电源电压:+/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V, +/- 15 V高度:1.5 mm长度:5 mm最大双重电源电压:+/- 18 V最小双重电源电压:+/- 1.5 V工作电源电压:5 V, 9 V, 12 V, 15 V, 18 V, 24 V, 28 V电压增益 dB:107.6 dB宽度:4 mm单位重量:540 mg特性• 单电源供电• 宽带宽：4 MHz• 低失调电压：65 µV• 单位增益稳定• 高压摆率：4.0 V/μs• 低噪声：3.9 nV/√Hz应用电池供电仪器电源控制和保护电...
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2024/11/13 11:28:35
AD7533是一款低成本、10位、四象限乘法DAC数模转换器，采用先进的单芯片CMOS薄膜晶圆工艺制造。AD7533与业界标准产品AD7520的引脚和功能相当，推荐用作AD7520或新型10位DAC设计的成本替代器件。AD7533能够与TTL或CMOS接口，采用5 V至15 V电源供电，并且能为正极性或负极性基准电压输入提供适当的二进制记数法，因此应用非常灵活。规格参数分辨率:10 bit采样比:1.7 MS/s通道数量:1 Channel稳定时间:600 ns输出类型:Current接口类型:Parallel模拟电源电压:5 V to 15 V数字电源电压:5 V to 15 V最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C电源电压-最大:16.5 V电源电压-最小:5 V单位重量:1.628 g特性• 低成本10位DAC• AD7520的低成本替代器件• 线性度：½ LSB、1 LSB或2 LSB• 低功耗应用数字控制衰减器可编程增益放大器函数生成线性自动增益控制引脚配置
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2024/11/13 11:20:43
HMC199AMS8E为低成本通用型双通道SPDT GaAs“旁路”开关，采用8引脚MSOP封装，频率范围为DC至2.5 GHz。 这四个RF端口部件将两个SPDT开关和一条直通线集成到单个IC上。 这些设计提供小于0.5 dB的低插入损耗，同时在信号路径内外切换无源或有源外部电路元件。 端口间隔离通常为25至30 dB。 片内电路在极低直流电流时采用正电压控制工作，且控制输入兼容CMOS和大多数TTL逻辑系列。 此类应用包括LNA或滤波器旁路开关和单位衰减器开关。 HMC199AMS8E产品符合RoHS标准。规格参数最小频率:0 Hz最大频率:2.5 GHz介入损耗:0.6 dB关闭隔离—典型值:22 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C安装风格:SMD/SMT高控制电压:5 V开关数量:Dual空闲时间—最大值:40 ns运行时间—最大值:40 nsPd-功率耗散:380 mW电源电压-最大:5 V单位重量:140 mg点击购买：HMC199AMS8E特性• 产品符合RoHS标准• 集成双通道SPDT• 低插入损耗： 应用• 蜂窝 • ISM基站 • PCS引脚配置
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2024/11/12 14:12:03
Mini-Circuits的MSP2TA系列是超可靠、坚固耐用的负载吸收式故障安全SP2T开关，采用先断后合的配置设计，提供超长的开关寿命。该设备由+12VDC供电，典型的开关速度为20毫秒，插入损耗为0.25 dB，隔离度高达80 dB。MSP2TA系列适用于广泛的应用，包括自动测试设备的切换和冗余切换。规格参数最小频率:0 Hz最大频率:18 GHz介入损耗:0.25 dB最小工作温度:- 15 C最大工作温度:+ 45 C特性•低压操作，12V•低插入损耗，典型值为0.25 dB。•高隔离，典型值80 dB。•高功率处理，20W•超可靠•配置前先中断•吸收式故障保护开关应用•自动测试设备（ATE）•微波无线电的冗余切换外观尺寸图
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2024/11/12 14:06:31
Qorvo的TGS2355-SM是一种单极双掷（SPDT）反射开关，采用Qorvo QGaN25 0.25um GaN-on-SiC生产工艺制造。TGS2355-SM的工作频率为0.5至6GHz，通常在0/-40 V的控制电压下支持高达100W的输入功率（脉冲）处理。该开关保持1.1 dB或更低的低插入损耗和大于40 dB的隔离，使其成为国防和商业平台上高功率开关应用的理想选择。TGS2355-SM采用5 x 5 mm气腔QFN封装，由氮化铝基座和LCP环氧树脂密封盖组成。这一点，再加上最小的直流功耗，使得系统集成变得容易。规格参数最小频率:500 MHz最大频率:6 GHz介入损耗:1.1 dB关闭隔离—典型值:40 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C安装风格:SMD/SMT工作电源电流:1 mAPd-功率耗散:35 W单位重量:5.058 g点击购买：TGS2355-SM特性•频率范围：0.5-6 GHz•插入损耗：15 dB•隔离度：典型值为40 dB•控制电压：MMIC两侧的0 V/-40 V•切换速度：•反光开关•尺寸：5.0 x 5.0 x 1.42毫米应用•商用雷达•电子战•大功率开关•军用雷达引脚配置图
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2024/11/12 14:01:20
ADRF5142是一种采用硅工艺制造的反射式单极双掷（SPDT）开关。ADRF5142的工作频率为8 GHz至11 GHz，典型插入损耗为1.2 dB，典型隔离度为40 dB。该设备具有41 dBm平均功率和46 dBm插入损耗路径峰值功率的射频（RF）输入功率处理能力。ADRF5142在+3.3 V的正电源上消耗130μa的低电流，在-3.3 V的负电源上消耗500μa的电流。该器件采用互补金属氧化物半导体（CMOS）/低压晶体管对晶体管逻辑（LVTTL）兼容的控制。ADRF5142不需要额外的驱动器电路，这使其成为GaN和PIN二极管开关的理想替代品。ADRF5142采用20引脚、3.0 mm×3.0 mm、符合RoHS标准的焊盘栅格阵列（LGA）封装，工作温度范围为-40°C至+85°C。规格参数开关配置:SPDT最小频率:8 GHz最大频率:11 GHz介入损耗:1.2 dB关闭隔离—典型值:40 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C高控制电压:1.2 V to 3.3 V空闲时间—最大值:60 ns运行时间—最大值:60 ns工作频率:8 GHz to 11 GHz工作电源电流:130 uA, 500 uA电源电压-最大:3.45 V电源电压-最小:3.15 V特性频率范围：8 GHz至11 GHz低插入损耗：1.2 dB（典型值）高隔离度：40 dB（典型）高输入线性度0.1 dB功率压缩（P0.1dB）：46 dBm三阶截距（IP3）：70 dBmTCASE=85°C时的高功率处理：插入损耗路径平均值：41 dBm脉冲（脉冲宽度100ns，占空比15%）：44dBm峰值（峰值持续时间≤100ns，占空比5%）：46 dBmRFC（引脚3）处的热切换：41 dBm快速切换时间：60 ns0.1 dB射频...
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2024/11/12 13:56:27
HMC321ALP4E是一款宽带非反射GaAs SP8T开关，采用低成本无引脚表贴封装。该开关频率范围为DC至8 GHz，具有高隔离和低插入损耗。该开关还集成了板载二进制解码电路，将所需逻辑控制线减至三条。该开关采用0/+5 V正控制电压工作，所需固定偏置为+5 V。该开关适用于50 Ω或75 Ω系统。规格参数最小频率:0 Hz最大频率:8 GHz介入损耗:2.7 dB关闭隔离—典型值:28 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C安装风格:SMD/SMT空闲时间—最大值:150 ns运行时间—最大值:150 ns工作电源电流:5 mA电源电压-最大:5.5 V电源电压-最小:4.5 V单位重量:41.800 mg点击购买：HMC321ALP4ETR特性• 宽带性能：DC - 8 GHz• 高隔离度：30 dB (6 GHz)• 低插入损耗：2.5 dB (6 GHz)• 集成式正电源3:8 TTL解码器• 24引脚4×4mm QFN封装：9 mm2应用此开关适用于DC-8.0 GHz 50欧姆或75欧姆系统：•宽带•光纤•切换滤波器组•8 GHz以下无线引脚图
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2024/11/12 13:35:29
YAT-A衰减器（符合ROHS标准）是使用高度重复的MMIC工艺制造的固定值吸收衰减器，包括GaAs基板上的薄膜电阻器。YAT-A衰减器包含晶片金属化通孔，以实现低热阻和宽带操作。YAT-As的标称衰减值为0至10 dB（以1 dB为步长），以及12、15、20和30 dB。包装在2毫米x 2毫米的微型MCLPTM包装中，适合狭小的空间。规格参数衰减:10.6 dB最大频率:18 GHz阻抗:50 Ohms最大工作温度:+ 85 C最小频率:0 Hz最小工作温度:- 40 C安装风格:SMD/SMT单位重量:71.525 mg功率额定值:1.7 W点击购买：YAT-10A+特性卓越的功率处理宽带，直流-18 GHz小尺寸，2毫米x 2毫米出色的衰减精度和平整度应用蜂窝PCS通讯雷达防御外观尺寸图
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2024/11/12 13:26:55
TCBT-14+是宽带偏置三通，尺寸为3.8 mm x 3.8 mm，采用独特的设计，覆盖10 MHz至10 GHz的频率范围，没有在如此宽的频带上通常观察到的共振。它设计用于处理1W的射频功率和200mA的电流，适用于自动拾取和放置操作。规格参数频率: 10 MHz to 10 GHz 阻抗: 50 Ohms 端接类型: SMD/SMT 封装 / 箱体: 3.81 mm x 3.81 mm x 3.56 mm 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 85 C介入损耗: 0.8 dB单位重量: 289 mg点击购买：TCBT-14+特性•宽带，10至10000 MHz•低插入损耗，典型值为0.5 dB。•出色的驻波比，典型值1.25:1。•微型表面安装0.15“x0.15”•可水洗应用•偏置放大器•激光二极管偏置•有源天线的偏置外观尺寸图
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2024/11/12 13:21:25
LFCN-630+是Mini-Circuits的一款陶瓷LPF，最小7段，最大7段，中心或截止频率（fo/fc）为830MHz，符合ROHS标准，陶瓷，外壳FV1206，4针。规格参数频率:DC to 630 MHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 100 C介入损耗:1.2 dB安装:SMD/SMT单位重量:265.625 mg点击购买：LFCN-630+特性出色的功率处理能力，8.5W尺寸小7节温度稳定LTCC结构应用谐波抑制VHF/UHF发射机/接收机外观尺寸图
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2024/11/12 13:18:42
Mini-Circuits PSA-5451+是一款基于E-PHEMT*的超低噪声MMIC放大器，工作频率为50 MHz至4 GHz，具有低噪声和高IP3的独特组合，使该放大器成为敏感接收器应用的理想选择。该设计仅在30mA的单个3V电源上运行，内部匹配为50欧姆。规格参数工作频率:50 MHz to 4 GHz工作电源电压:3 V工作电源电流:30 mA增益:9.6 dBNF—噪声系数:1.5 dBP1dB - 压缩点:16.7 dBmOIP3 - 三阶截点:29.8 dBm最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C输入返回损失:6.5 dBPd-功率耗散:390 mW点击购买：PSA-5451+特性单正电源电压，+3V，Id=30mA超低噪声系数，典型值为0.7 dB。0.5GHz高IP3，典型值29dBm。1GHz增益，典型值18.8dB。1GHz输出功率，典型值高达+16.7 dBm。微型SOT-363封装可水洗应用蜂窝ISMGSMWCDMALTEWiMAX无线局域网UNII和HIPERLANLTE引脚配置
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2024/11/12 11:53:05
GVA-63+（符合RoHS标准）是一种使用InGap HBT技术制造的宽带放大器，在宽频范围内提供高增益和高IP3。此外，GVA-63+在较宽的频率范围内具有良好的输入和输出回波损耗，无需外部匹配组件，并且具有出色的可靠性。它具有可重复的性能，并且封装在SOT-89封装中，具有非常好的热性能。规格参数工作频率:10 MHz to 6 GHz工作电源电压:5 V工作电源电流:69 mA增益:15.9 dBNF—噪声系数:4.6 dB安装风格:SMD/SMTP1dB - 压缩点:11.8 dBmOIP3 - 三阶截点:25 dBm最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C输入返回损失:12 dB隔离分贝:23.7 dB单位重量:202.340 mg点击购买：GVA-63+特性增益，典型值为21dB。0.8 GHz平坦增益，±1.7，从50到4000 MHz高磅，典型值P1dB+19.0 dBm。0.8 GHz高IP3，典型值+35 dBm。频率为0.8 GHz优异的ESD保护，HBM为1C级宽带高动态范围，无需外部匹配组件应用基站基础设施便携式无线有线电视和DBSMMDS和无线局域网LTE引脚配置
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2024/11/12 11:43:35
Mini-Circuits的HFCG-650+是一种微型低温共烧陶瓷（LTCC）高通滤波器，通带为730至6500 MHz，支持各种应用。由于其坚固的单片结构，该型号在宽带上提供了0.7 dB的典型插入损耗。采用微小的0805陶瓷外形，非常适合密集的信号链PCB布局，可以补充MMIC的尺寸和性能。LTCC制造工艺确保了最小的射频性能变化，同时提供了一种非常适合高湿度和高温极端环境的产品。规格参数频率: 6.5 GHz 频率范围: 730 MHz to 6.5 GHz 阻抗: 50 Ohms 端接类型: SMD/SMT 封装 / 箱体: 1.25 mm x 2 mm x 0.95 mm 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 125 C介入损耗: 0.8 dB 安装: SMD/SMT特性插入损耗，0.7 dB典型值。阻带抑制，典型值47dB。通带回波损耗，典型值11dB。0805表面安装占地面积功率处理：2 W应用测试和测量设备雷达、电子战和电子对抗防御系统5G MIMO和回程无线电5G 6 GHz以下和WiFi 6E外观尺寸图
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2024/11/11 14:06:39