固定0 dB衰减器宽带响应直流至40 GHz出色的回波损耗15 dB功率处理=20 dBm片上接地过孔3MI无源部件价格低廉小尺寸：0.5 x 0.5 x 0.1毫米（0.02 x 0.02 x 0.004英寸）
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2023/4/3 11:17:27
ZX60-P162LN+（符合RoHS标准）使用Mini Circuits的E-pHEMT技术，在宽频率范围和高IP3。该放大器采用坚固、经济高效的一体式机箱，支持多种需要中等功率输出、低失真和50欧姆匹配输入/输出端口的应用。
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2023/4/3 11:15:38
Qorvo的CMD317是一款宽带GaAs MMIC驱动放大器，非常适合需要小尺寸和高线性度的军事、太空和通信系统。在12GHz时，该设备提供16dB的增益，相应的输出1dB压缩点为+23dBm，输出IP3为34dBm。CMD317是一种50欧姆匹配设计，消除了对RF端口匹配的需求，并包括片上偏置扼流圈。CMD317提供完全钝化，以提高可靠性和防潮性。
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2023/4/3 11:12:51
•低噪声系数0.9标准。•典型值+18 dBm。压缩1 dB时的输出功率•高有源方向性，典型值为17 dB。•良好的IP3，典型值为35 dBm。•反向电压连接受保护•受美国专利6790049保护
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2023/4/3 11:05:21
Qorvo的CMD242K4是一款宽带GaAs MMIC分布式低噪声放大器，安装在无引线表面安装封装中，工作频率从直流到40 GHz。该放大器提供大于10.5 dB的增益，相应的噪声系数为5 dB，在20 GHz时输出17.5 dBm的1 dB压缩点。CMD242K4内部匹配到50欧姆，这消除了对RF端口匹配的需要。
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2023/4/3 10:57:49
Qorvo的QPC1008是一款负电压控制的宽带GaAs MMIC 5位数字步进衰减器，与1 dB电压可变衰减器（VVA）相结合，安装在3.9 x 3.9 mm的无引线表面安装封装中。每个数字位由0V或-5V的单个电压控制，而VVA使用从-5V到0V变化的单个电压来控制。数字位值为1（LSB）、2、4、8和16dB，当与1dB模拟位组合时，总共实现32dB的衰减。QPC1008在10 GHz时具有5.5 dB的低插入损耗，并且是50欧姆匹配的，无需RF端口匹配。特点频率范围：直流 - 20 千兆赫5位数字衰减器衰减范围：31 dB衰减步长（LSB）：1 dB电压可变衰减器（VVA）范围：1 dB总衰减范围：32 dB低插入损耗（参考状态）：5 dB数字控制电压（DCA）：-2.5至-5.5 V模拟控制电压（ACV）：0至-5.0 V
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2023/4/3 10:55:13
ZX60-P162LN+（符合RoHS标准）使用Mini Circuits的E-pHEMT技术，在宽频率范围和高IP3。该放大器采用坚固、经济高效的一体式机箱，支持多种需要中等功率输出、低失真和50欧姆匹配输入/输出端口的应用。
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2023/4/3 10:53:19
QPM2637是一款氮化镓MMIC前端模块（FEM），专为9-10.5 GHz范围内的X波段雷达应用而设计。MMIC结合了T/R开关、低噪声放大器和功率放大器。接收路径具有双输出，提供21dB的增益和2.7dB的噪声系数。发送路径提供4W的饱和功率和23dB的大信号增益。FEM具有高达4W的ANT端口输入功率的鲁棒性，无需限制器。 QPM2637是在Qorvo的QGaN25 0.25um GaN on SiC工艺上制造的。空气腔EHS（嵌入式铜热塞）表面安装封装，加上专有的管芯连接工艺，使QPM2637能够在高温下运行良好。其紧凑的尺寸支持X波段相控阵雷达应用所需的紧凑晶格间距要求。
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2023/4/3 10:50:20
QPM2100是一种GaAs多芯片模块（MCM），专为2.5-4.0 GHz范围内的S波段雷达应用而设计。该设备由T/R开关、低损耗直通传输路径和低噪声放大器、数字衰减器和驱动放大器组成的接收路径组成。接收路径提供30 dB的小信号增益和1.2 dB的噪声系数。它包括一个增益控制范围为31.5 dB的6位数字步进衰减器（DSA）。它可以在P1dB下提供14.5 dBm的功率，输出TOI为34 dBm。所有功能MMIC块都可以通过内部控制电路启用或直流断电。所有控制信号均使用CMOS兼容逻辑。信号控制的响应时间小于15nS。QPM2100芯片是在Qorvo的GaAs 0.25um工艺上制造的。7 x 7 OVM QFN表面安装封装，加上专有的管芯连接工艺，使QPM2100在极端温度环境下表现良好。其紧凑的尺寸支持S波段相控阵雷达应用所需的紧凑晶格间距要求。
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2023/4/3 10:48:29
QPM1002是一款氮化镓MMIC前端模块（FEM），专为8.5-10.5 GHz范围内的X波段雷达应用而设计。MMIC结合了T/R开关、低噪声放大器和功率放大器。接收路径提供25 dB增益，低噪声系数为2.2 dB。发射路径提供33dB的小信号增益，它可以提供3W的饱和功率，PAE为32%，大信号增益为25dB。FEM在ANT端口中具有高达2W的输入功率，无需限制器。 QPM1002是在Qorvo的QGaN25 0.25um GaN on SiC工艺上制造的。它是一个5 x 5 mm QFN表面安装封装，带有模上密封剂，再加上专有的管芯连接工艺，使QPM1002能够在高温环境中表现良好。其紧凑的尺寸支持X波段相控阵雷达应用所需的紧凑晶格间距要求。
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2023/4/3 10:46:57
Qorvo的CMD279C3是一款正控宽带GaAs MMIC 5位数字衰减器，安装在无引线3x3毫米表面安装封装中。衰减器的每个位由0V或+5V的单个电压控制。衰减器位值为0.5（LSB）、1、2、4和8dB，总衰减为15.5 dB。CMD279C3在9GHz下具有3.5的低插入损耗，并且衰减精度通常为0.2dB阶跃误差。CMD279C3采用50欧姆匹配设计，无需射频端口匹配。
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2023/4/3 10:43:53
Qorvo的CMD279是一款正控宽带GaAs MMIC 5位数字衰减器芯片，工作频率为2至30 GHz。衰减器的每个位由0V或+5V的单个电压控制。衰减器位值为0.5（LSB）、1、2、4和8dB，总衰减为15.5 dB。CMD279在10GHz下具有3.5的低插入损耗，并且衰减精度通常为0.2dB的阶跃误差。CMD279是一种50欧姆匹配设计，无需射频端口匹配。CMD279提供完全钝化，以提高可靠性和防潮性。
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2023/4/3 10:42:48
Qorvo的RF1255天线开关模块具有非常低的插入损耗和出色的线性性能。RF1255是多模GSM、EDGE和UMTS手机应用的理想选择。该模块在GSM传输路径上集成了低通滤波，从而避免了对外部谐波衰减的需要。RF1255还提供双天线路径，并与+1.8V控制逻辑兼容。RF1255封装在一个紧凑的2.8mm x 3.6mm、26引脚模块封装中，当没有外部DC施加到设备端口时，该封装允许较小的解决方案尺寸，而不需要外部DC阻断电容器。
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2023/4/3 10:41:26
出色的插入损耗和隔离性能高线性度RFFE 2.1带硬件屏蔽写入的控制接口适用于多个空中接口的宽带性能用于在同一板上进行多重放置的从属ID极低电流消耗典型应用不需要直流阻塞电容器
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2023/4/3 10:40:02
QM11024A是一款低损耗、高线性的双极四掷可寻址开关，其性能针对传输路由应用进行了优化。QM11024A集成了一个与RFFE标准兼容的串行控制系统。选择线（SID）提供USID寻址能力和QM11024A在同一RFFE总线上的最多两个位置。QM11024A由单个VIO电压源供电，并封装在一个16引脚紧凑型2.0 mm x 2.0 mm x 0.5 mm尺寸的设备中。这为手机设计人员提供了一个紧凑、易于使用的开关组件，可快速集成到多模、多频段系统中。
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2023/4/3 10:38:23
QM11024是一款低损耗、高线性的双极四掷可寻址开关，其性能针对传输路由应用进行了优化。QM11024集成了一个与RFFE标准兼容的串行控制系统。选择线（SID）提供USID寻址能力和QM11024在同一RFFE总线上的最多两个位置。QM11024由单个VIO电压源供电，封装在一个16引脚紧凑型2.0mm x 2.0mm x 0.5mm尺寸的设备中。这为手机设计师提供了一个紧凑、易于使用的开关组件，可快速集成到多模多频带系统中。具备的特征•出色的插入损耗和隔离性能•高线性RFFE 2.1控制接口UDR掩码写入功能（R/WM）•适用于多个空中接口的0.1至5GHz性能包括5G应用。•同一板上多个位置的从属ID•电流消耗极低•典型应用中不需要隔直电容器•单一VIO电源16针2.0 x 2.0 x 0.5 mm3模块功能框图
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2023/4/3 10:37:12
RF2051产品介绍定义RF2051 是一款低功耗、高性能、宽带射频（RF）频率转换芯片，集成本地振荡器（LO）生成电路及一对 RF 混频器。其内部射频合成器包含一个集成式分数-N 锁相环（PLL），配合压控振荡器（VCOs）与分频器，可产生低相位噪声的 LO 信号，并具备极高的频率分辨率。缓冲后的 LO 输出驱动内置的 RF 混频器，将输入信号下变频或上变频至所需的目标频段。混频器的偏置电流可根据性能需求和可用电源电流进行编程调节。LO 生成模块设计为连续覆盖 300 MHz 至 2400 MHz 的频率范围。RF 混频器具有极宽的带宽，在输入端和输出端均可支持从 30 MHz 到 2500 MHz 的工作频率，从而实现上行变频与下行变频功能。RF2051 电子元件可搭配外部晶体（频率范围 10 MHz 52 MHz）或外部参考源（频率范围 10 MHz 104 MHz）使用，以适应多种参考频率配置需求。所有片内寄存器均通过一个简单的三线串行接口进行控制。RF2051 设计工作电压范围为 2.7 V 至 3.6 V，兼容便携式电池供电设备。该器件采用塑料 32 引脚 QFN 封装，尺寸为 5 mm × 5 mm。功能框图特性•30MHz至2.5GHz频率范围•分数-N合成器•26MHz参考频率分辨率为1.5Hz，非常精细•低相位噪声VCO•带可编程负载电容器的片上晶体维持电路•两个高线性射频混频器•集成LO缓冲器•混频器输入IP3+18dBm•混合器偏置可调，适用于低功耗操作•全双工模式•2.7V至3.6V电源•3V时低电流消耗55mA至75mA•3线串行接口应用有线电视前端数字电视上/下转换器数字电视中继器多住宅单元蜂窝中继器频带移位器UHF/VHF无线电多样性接收器软件定义无线电卫星通信超外差无线电
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2023/4/3 10:34:40
TQQ1003产品介绍定义TQQ1003 是一款紧凑型高性能双工器模块，专为满足 Band 3 LTE 应用的严苛要求而优化设计。该器件基于 TriQuint 公司高性能体声波（BAW）技术构建，可支持对高功率处理能力、严格线性度指标、低插入损耗有苛刻要求的 LTE 应用，同时满足关键的带外衰减与隔离度规格。TQQ1003 电子元器件采用 TriQuint 独特的晶圆级封装（WLP）技术，实现仅 1.8 mm × 1.4 mm 的紧凑占位面积，最大高度仅为 0.78 mm。特性紧凑外形尺寸：(1.8 × 1.4) mm²优化低插入损耗设计：发射频段（Tx Band），1710 – 1785 MHz：典型值 1.9 dB接收频段（Rx Band），1805 – 1880 MHz：典型值 2.2 dB高 Tx-Rx 隔离度：发射端隔离度（Tx Isolation）：典型值 58 dB接收端隔离度（Rx Isolation）：典型值 60 dB单端（SE）50 Ω 天线、接收、发射端口接收端口需外接一个匹配元件符合 RoHS 标准，无铅模块封装应用LTE手机、数据卡和移动路由器功能款图
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2023/4/3 10:33:20