HMC253A是一款非反射SP8T开关，采用符合RoHS标准的无引脚4 mm x 4 mm SMT陶瓷封装和24引脚QSOP封装，宽带工作频率范围为DC至3.5 GHz。 该开关提供单正偏置和真TTL/CMOS兼容性，使其可采用0/3 V控制电源和5 V电源工作。 该开关上集成了3:8解码器，仅需三个控制线和一个正偏置即可选择每个路径。 HMC253A SP8T可取代SP4T和SPDT MMIC开关的多种配置。应用基站和中继器WiMAX/WiBro和固定无线蜂窝/3G基础设施CATV/DBS军事和高可靠性
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2023/2/9 11:59:55
HMC451LC3是一款高效GaAs PHEMT MMIC中等功率放大器，采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装。 该放大器具有5至20 GHz的工作范围，提供19 dB增益、+21 dBm饱和功率和21% PAE（+5.0V单电源）。 50 Ω匹配放大器无需任何外部元件，且RF I/O经过隔直，非常适合用作线性增益模块或HMC SMT混频器驱动器。 HMC451LC3可以使用表贴制造技术。应用微波无线电和VSAT军事和太空测试设备和传感器光纤产品HMC混频器LO驱动器
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2023/2/9 11:59:03
HMC253AQS24和HMC253AQS24E均为低成本非反射SP8T开关，采用24引脚QSOP封装，宽带工作频率范围为DC至2.5 GHz。该开关提供单正偏置和真TTL/CMOS兼容性。该开关上集成了3:8解码器，仅需三个控制线和一个正偏置即可选择每个路径。HMC253AQS24和HMC253AQS24E SP8T将替代SP4T和SPDT MMIC开关的多种配置。应用CATV/DBSCDMA蜂窝/PCS
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2023/2/9 11:49:56
HMC519LC4是一款高动态范围GaAs PHEMT MMIC低噪声放大器(LNA)，采用无引脚4x4 mm陶瓷表贴封装。 该放大器的工作频率范围为18至31 GHz，提供14 dB的小信号增益、3.5 dB的噪声系数、+23 dBm的输出IP3，采用+3V单电源时功耗仅为75 mA。 +11 dBm的P1dB输出功率使LNA可用作许多平衡、I/Q或镜像抑制混频器的LO驱动器。 HMC519LC4还具有隔直的I/O，内部匹配50 Ohms，因而非常适合微波无线电和VSAT应用。应用点对点无线电点对多点无线电和VSAT测试设备和传感器军事和太空
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2023/2/9 11:47:57
HMC733LC4B是一款宽带MMIC压控振荡器，集成谐振器、负电阻器件和变容二极管。 由于该振荡器采用单芯片结构，因此在温度范围内具有出色的输出功率和相位噪声性能。 Vtune端口支持0至+22V的模拟调谐电压。 HMC733LC4B VCO采用+5V单电源供电，功耗仅为70 mA，提供符合RoHS标准的SMT封装。 这款宽带VCO独一无二地集超小尺寸、低相位噪声、低功耗和宽调谐范围等特性于一体。应用工业/医疗设备测试和测量设备军用雷达、EW和ECM
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2023/2/9 11:46:06
HMC292ALC3B是一款通用型双平衡单芯片微波集成电路(MMIC)混频器电子元器件，采用符合RoHS标准的无引脚无铅LCC封装，在14 GHz至30 GHz频率范围内可用作上变频器或下变频器。HMC292ALC3B非常适合需要小尺寸，无需直流偏置和稳定IC性能的应用。该混频器可在9 dBm至15 dBm的宽本振(LO)驱动电平范围内工作。用作双相调制器或解调器时性能同样出色。HMC292ALC3B无需线焊，可以使用表贴制造技术。应用微波和甚小孔径终端(VSAT)无线电测试设备点对点无线电军事电子战(EW)、电子对抗(ECM)、以及指挥、控制、通信和情报(C3I)
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2023/2/9 11:44:43
HMC1167是一款集成谐振器、负电阻器件和变容二极管的单芯片微波集成电路(MMIC)压控振荡器(VCO)，具有半频输出。由于振荡器采用单芯片结构，因而在温度范围内具有出色的输出功率和相位噪声性能。采用5 V电源电压时，输出功率为10.5 dBm（典型值）。 VCO采用符合RoHS标准的LFCSP封装，无需外部匹配元件。应用点到点和点到多点无线电测试设备和工业控制甚小孔径终端(VSAT)
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2023/2/9 11:43:44
HMC542BLP4E是一款宽带6位GaAs IC数字衰减器，带有CMOS兼容的串行至并行转换驱动，采用低成本无引脚表贴封装。 该串行控制数字衰减器采用片外AC接地电容器，进行近直流操作，这一特性使其非常适合各种RF和IF应用。 该衰减器在DC至4 GHz的频率下工作，插入损耗为1.7 dB，衰减器位值为0.5 (LSB)、1、2、4、8和16 dB，总衰减为31.5 dB。 衰减精度非常高，典型步长误差为±0.25 dB，IIP3为+50 dBm。 六位串行控制字用于选择各衰减状态。 需要+5V的单个Vcc偏置。应用蜂窝/PCS/3G基础设施 ISM、MMDS、WLAN、WiMAX和WiBro 微波无线电和VSAT 测试设备和传感器
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2023/2/9 11:42:27
HMC443LP4(E)是一款有源微型x4倍频器，使用InGaP GaAs HBT技术，采用4x4 mm无引脚表面贴装封装。 功率输出为+4 dBm（典型值），电源电压为5V，在不同的输入功率、温度和电源电压下变化很小。 在输出信号电平方面，对无用基波和次谐波的抑制25 dBc（典型值）。 100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-142 dBc/Hz，有助于用户保持良好的系统噪声性能。 HMC443LP4(E)非常适合在LO倍频链中使用，与传统方法相比，可以减少器件数量。典型应用光纤产品点对点无线电军用雷达
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2023/2/9 11:41:21
HMC439QS16G(E)是一款数字鉴相鉴频器，适合低噪声相位锁相环应用，输入频率10至1300 MHz。 它将高工作频率和超低相位噪底结合在一起，能够提供具有很宽环路带宽的合成器和低分频数，从而实现快速开关和极低相位噪声。 与差分环路放大器结合使用时，HMC439QS16G(E)可以生成输出电压，用于锁相VCO为参考振荡器。 该器件采用低成本表面贴装16引脚QSOP封装，具有裸露基极，以便改进RF性能和散热性能。应用点对点无线电卫星通信系统军事应用Sonet时钟生成
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2023/2/9 11:40:06
THMC732LC4B是一款宽带GaAs InGaP HBT MMIC压控振荡器，集成谐振器、负电阻器件和变容二极管。 由于该振荡器采用单芯片结构，因此在温度范围内具有出色的输出功率和相位噪声性能。 Vtune端口支持0至+23V的模拟调谐电压。 HMC732LC4B VCO采用+5V单电源供电，功耗仅为57 mA，提供符合RoHS标准的SMT封装。 这款宽带VCO独一无二地集超小尺寸、低相位噪声、低功耗和宽调谐范围等特性于一体。应用工业/医疗设备测试和测量设备军用雷达、EW和ECM
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2023/2/9 11:36:28
HMC553ALC3B是一款通用型双平衡、砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)混频器，采用符合RoHS标准的无引脚无铅LCC封装。HMC553ALC3B可用作频率范围为6 GHz至14 GHz的上变频器或下变频器。此混频器无需外部元件或匹配电路。HMC553ALC3B采用经过优化的巴伦结构，提供本振(LO)至射频(RF)及LO至中频(IF)抑制性能。混频器采用的LO驱动电平范围为9 dBm至15 dBm。HMC553ALC3B无需线焊，可以使用表贴制造技术。
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2023/2/9 11:35:08
HMC907APM5E是一款GaAs MMIC pHEMT分布式功率放大器，工作频率范围为0.2 GHz至22 GHz。该自偏置功率放大器提供14 dB增益、+40 dBm输出IP3和+28 dBm输出功率（1 dB增益压缩），功耗仅350 mA（采用+10 V电源）。HMC907APM5E在0.2 GHz至22 GHz范围内提供±0.7 dB的出色增益平坦度，因而非常适合EW、ECM、雷达和测试设备应用。HMC907APM5E放大器I/O内部匹配至50 Ω，方便集成到多芯片模块(MCM)中，采用无引脚QFN 5x5 mm表贴封装，无需外部匹配元件。应用测试仪器仪表军事和太空
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2023/2/9 11:34:00
HMC547ALP3E是一款通用的宽带高隔离度非反射GaAs pHEMT SPDT开关，采用低成本无引脚QFN塑封表贴封装。该开关频率范围为DC至20 GHz，具有高隔离和低插入损耗。该开关在最高5 GHz频率下提供大于50 dB的隔离，在最高15 GHz频率下提供大于40 dB的隔离。该开关采用-5/0V的互补负控制电压逻辑线路工作，无需偏置电源。HMC547ALP3E采用无引脚QFN 3x3 mm表贴封装。应用基站基础设施光纤和宽带电信微波无线电和VSAT军用无线电、雷达和ECM测试仪器仪表
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2023/2/9 11:32:48
HMC470A是一款5位数字衰减器，以1 dB步长提供31 dB的衰减控制范围。HMC470A在100 MHz至3 GHz的指定频率范围内提供出色的衰减精度和高输入线性度。不过，该数字衰减器具有用于外部交流接地电容的ACG引脚，可将工作频率扩展至低于100 MHz。HMC470A采用3 V至5 V单正电源供电，通过集成片内驱动器提供CMOS/TTL兼容并行控制接口。该器件采用符合RoHS标准的紧凑型3 mm × 3 mm LFCSP封装。常见应用蜂窝基础设施微波无线电和甚小孔径终端(VSAT)测试设备和传感器IF和RF设计引脚配置图
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2023/2/9 11:30:33
HMC1114PM5E 是一款氮化镓 (GaN) 宽带功率放大器，可在 18 dBm 的输入功率 (PIN) 下，在 2.7 GHz 至 3.8 GHz 瞬时带宽范围上实现大于 10 W (高达 42 dBm) 的输出（典型值），功率附加效率 (PAE) 高达 55%。在小信号电平下，增益平坦度典型值小于 1 dB。HMC1114PM5E 适合脉冲波或连续波 (CW) 应用，例如无线基础设施、雷达、公共移动射频和通用放大技术。应用适合公共移动射频的长时间电池供电运行无线基础设施的功率放大器级测试与测量设备商用和军用雷达通用变送器应用
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2023/2/9 11:28:37
HMC311SC70(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)增益模块MMIC SMT放大器，工作频率范围为DC至8 GHz。 此款放大器采用业界标准SC70封装，可用作级联50 Ohm增益级或用于驱动输出功率高达+15 dBm的HMC混频器LO端口。 HMC311SC70(E)提供15 dB的增益，+30 dBm的输出IP3，同时仅需+5V电源提供54 mA电流。 达林顿拓扑结构可降低对正常工艺变化的敏感度，提供出色的温度增益稳定性，只需极少的外部偏置元件。应用蜂窝/PCS/3GWiBro / WiMAX / 4G固定无线和WLAN有线电视、电缆调制解调器和数字广播卫星微波无线电和测试设备
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2023/2/9 11:27:39
HMC219B是一款超小型通用双平衡混频器，采用8引脚超小型塑料表贴封装，带裸露焊盘(MINI_SO_EP)。该无源单芯片微波集成电路(MMIC)混频器采用砷化镓(GaAs)金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺制造，无需外部元件或匹配电路。该器件可用作频率范围为2.5 GHz至7.0 GHz的上变频器、下变频器、双相调制器或相位比较器。HMC219B采用经过优化的巴伦结构，提供出色的本振(LO)至射频(RF)隔离及LO至中频(IF)隔离性能。符合RoHS标准的HMC219B无需线焊，与高容量表贴制造技术兼容。MMIC性能稳定可提高系统工作效率并确保符合HiperLAN、U-NII和ISM法规要求。应用微波无线电高性能无线电局域网(HiperLAN)和免执照国家信息基础设施(U-NII)工业、科研和医疗(ISM)
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2023/2/9 11:25:59