作为SWIFT成员™ TPS54872低输入电压高输出电流同步降压PWM转换器集成了所有所需的有源元件。具有所列特征的基板上包括一个真正的高性能电压误差放大器，它能够在瞬态条件下实现最大性能，并在选择输出滤波器L和C组件时具有灵活性；欠压锁定电路，用于防止启动直到输入电压达到3.8V；内部设置的慢启动电路，用于限制浪涌电流；以及指示有效操作条件的状态输出。TPS54872可用于热增强型28引脚TSSOP（PWP）PowerPAD™ 它消除了笨重的散热片。TI提供评估模块和SWIFT设计器软件工具，帮助快速实现高性能电源设计，以满足苛刻的设备开发周期。
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2022/12/29 14:58:32
LP2997线性稳压器的设计符合JEDEC SSTL-18 DDR-II内存终端规范。该设备包含一个高速运算放大器，以提供对负载瞬变的出色响应。输出级防止击穿，同时根据DDR-II SDRAM终端的要求，在应用中提供500mA的连续电流和高达900mA的瞬态峰值。LP2997还包含一个VSENSE引脚，以提供卓越的负载调节和VREF输出，作为芯片组和DIMM的参考。LP2997上的另一个功能是提供挂起至RAM（STR）功能的主动低关机（SD）引脚。当SD被拉低时，VTT输出将为三态，提供高阻抗输出，但VREF将保持激活。在这种模式下，通过较低的静态电流可以获得节能优势。
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2022/12/29 14:57:45
LP2998线性稳压器的设计符合JEDEC SSTL-2和JEDEC SSL-18的DDR-SDRAM和DDR2内存终端规范。该设备还支持DDR3和DDR3L VTT总线终端，VDDQ最小值为1.35V。输出级防止击穿，同时根据DDR-SDRAM终端的要求，在应用中提供1.5 A的连续电流和高达3 A的瞬态峰值。LP2998还包含一个VSENSE引脚，以提供卓越的负载调节和VREF输出，作为芯片组和DIMM的参考。LP2998上的另一个功能是提供挂起至RAM（STR）功能的主动低关机（SD）引脚。当SD被拉低时，VTT输出将为三态，提供高阻抗输出，但VREF将保持激活。在这种模式下，通过较低的静态电流可以获得节能优势。
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2022/12/29 14:56:36
TPS51200-Q1 器件是一款灌电流和拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器，专门针对低输入电压、低成本、低噪声的空间受限型系统而设计。TPS51200-Q1 器件可保持快速的瞬态响应，最低仅需 20µF 输出电容。TPS51200-Q1 器件支持遥感功能，并且可满足 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 总线终端的所有电源要求。此外，TPS51200-Q1 器件还提供一个开漏 PGOOD 信号来监测输出稳压，并提供一个 EN 信号在 S3（挂起至 RAM）期间针对 DDR 应用使 VTT 放电。TPS51200-Q1 器件采用高效散热型 VSON-10 封装，具有绿色环保和无铅的特性。该器件的额定温度范围为 –40°C 至 125°C。
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2022/12/29 14:53:42
TPS51206 器件是具有 VTTREF 缓冲基准输出的灌电流/拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器。该器件专门针对低输入电压、低成本、低外部组件数的空间受限型系统而设计。该器件可保持快速的瞬态响应，并且仅需 1 个 10µF 的陶瓷输出电容。该器件支持遥感功能，并且可满足 DDR2、DDR3 和低功耗 DDR3 (DDR3L) 及 DDR4 VTT 总线的所有电源要求。VTT 具有 ±2A 峰值电流能力。该器件支持所有 DDR 电源状态，在 S3 状态下将 VTT 置于高阻态（挂起到 RAM）；在 S4/S5 状态下使 VTT 和 VTTREF 放电（挂起到磁盘）。TPS51206 器件采用 10 引脚 2mm × 2mm SON (DSQ) PowerPAD™封装，额定工作温度范围为 –40°C 至 105°C。
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2022/12/29 14:52:05
TPS53317A 器件是一款设计为主要用于 DDR 终端的集成场效应晶体管 (FET) 同步降压稳压器。 它能够提供一个值为 ½ VDDQ的经稳压输出，此输出具有吸收电流和源电流功能。 TPS53317A 器件采用 D-CAP+ 运行模式，简单易用，所需外部组件数较少并可提供快速瞬态响应。 该器件还可用于其他电流要求高达 6A 的负载点 (POL) 稳压应用。此外，该器件支持具有严格电压调节功能的 6A 完整灌电流输出。该器件具有两种开关频率设定值（600kHz 和 1MHz），可提供集成压降支持、外部跟踪功能、预偏置启动、输出软放电、集成自举开关、电源正常功能、V5IN 引脚欠压锁定 (UVLO) 保护功能，支持采用陶瓷和 SP/POSCAP 电容。 该器件支持的输入电压最高可达 6V，而输出电压在 0.45V 至 2.0V 范围内可调。TPS53317A 器件采用 3.5mm × 4mm 20 引脚超薄四方扁平无引线 (VQFN) 封装（绿色环保，符合 RoHS 标准并且无铅），其中应用了 TI 专有的集成 MOSFET 和封装技术，其额定运行温度范围为 –40°C 至 85°C。
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2022/12/29 14:51:15
TPS51200A-Q1 器件是一款灌电流和拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器，专门针对低输入电压、低成本、低噪声的空间受限型系统而设计。此器件可保持快速的瞬态响应，最低仅需 20µF 输出电容。此器件支持遥感功能，并且可满足 DDR、DDR2、DDR3、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 总线终端的所有电源要求。此外，该器件还提供一个开漏 PGOOD 信号来监测输出稳压，并提供一个 EN 信号在 S3（挂起至 RAM）期间针对 DDR 应用进行 VTT 放电。此器件采用高效散热型 VSON-10 封装，具有绿色环保和无铅的特性。该器件的额定温度范围为 –40°C 至 125°C。
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2022/12/29 14:49:30
TPS51200 器件是一款灌电流和拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器，专门针对低输入电压、低成本、低噪声的空间受限型系统而设计。TPS51200 可保持快速的瞬态响应，仅需 20µF 超低输出电容。TPS51200 支持遥感功能，并满足 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 总线终端的所有电源要求。此外，TPS51200 还提供一个开漏 PGOOD 信号来监测输出稳压，并提供一个 EN 信号在 S3（挂起至 RAM）期间针对 DDR 应用对 VTT 进行放电。TPS51200 采用带散热焊盘的高效散热型 10 引脚 VSON 封装，具有绿色环保和无铅的特性。其额定温度范围为 -40°C 至 +85°C。
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2022/12/29 14:47:25
TPS51116 提供一个用于 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18、DDR3/SSTL-15、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 内存系统的完整电源。它集成了一个具有 3A 拉电流/灌电流跟踪线性稳压器和经缓冲的低噪声基准的同步降压控制器。该器件在空间受限的系统中提供最低的总解决方案成本。同步控制器运行具有自适应接通时间控制的定频 400kHz、伪恒定频率脉宽调制 (PWM)，此控制可在 D-CAP 中配置™易于使用和最快瞬态响应或者电流模式以支持陶瓷输出电容器。3A 拉电流/灌电流 LDO 只需 20µF (2 × 10µF) 陶瓷输出电容器即可保持快速瞬态响应。此外，LDO 电源输入是外部可用的，这样可大大减少总体功耗。该器件支持所有睡眠状态控制，此类控制在 S3（挂起到 RAM）中将 VTT 置于 high-Z 状态并且在 S4/S5（挂起到硬盘）中将 VDDQ、VTT 和 VTTREF（软关闭）放电。该器件还具有全部保护 特性， 包括热关断保护，并且提供 20 引脚 HTSSOP PowerPAD™封装和 24 引脚 4 × 4 QFN 封装。
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2022/12/29 14:46:08
作为SWIFT成员™ TPS54972低输入电压高输出电流同步降压PWM转换器集成了所有所需的有源元件。具有所列特征的基板上包括一个真正的高性能电压误差放大器，它能够在瞬态条件下实现最大性能，并在选择输出滤波器L和C组件时具有灵活性；欠压锁定电路，用于防止启动直到输入电压达到3.0V；内部设置的慢启动电路，用于限制浪涌电流；以及指示有效操作条件的状态输出。TPS54972可用于热增强型28引脚TSSOP（PWP）PowerPAD™ 它消除了笨重的散热片。TI提供评估模块和SWIFT设计器软件工具，帮助快速实现高性能电源设计，以满足苛刻的设备开发周期。
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2022/12/29 14:43:40
LP2996A 线性稳压器的设计符合 DDR-SDRAM 端接的 JEDEC SSTL-2 规范。 此器件还支持 DDR2、DDR3 和 DDR3L VTT 总线端接，VDDQ 最小值为 1.35V。 此器件包含高速运算放大器，可提供出色的负载瞬变响应。 输出级可防止在 DDR-SDRAM 端接所需的应用中提供 1.5A 连续电流和最大 3A 的瞬态峰值电流时发生直通。 LP2996A 还包含一个 VSENSE 引脚（用于提供出色的负载调节），以及一个 VREF 输出（作为芯片组和 DIMM 的参考）。LP2996A 的一个附加特性是具有一个低电平有效关断 (SD) 引脚，该引脚提供“挂起到 RAM”(STR) 功能。 当 SD 下拉时，VTT 输出将变为三态，并提供高阻抗输出，但 VREF 将保持有效。 在此模式下，可通过较低的静态电流获得节能优势。要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。
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2022/12/29 14:35:26
LP2998线性稳压器的设计符合JEDEC SSTL-2和JEDEC SSL-18的DDR-SDRAM和DDR2内存终端规范。该设备还支持DDR3和DDR3L VTT总线终端，VDDQ最小值为1.35V。输出级防止击穿，同时根据DDR-SDRAM终端的要求，在应用中提供1.5 A的连续电流和高达3 A的瞬态峰值。LP2998还包含一个VSENSE引脚，以提供卓越的负载调节和VREF输出，作为芯片组和DIMM的参考。LP2998上的另一个功能是提供挂起至RAM（STR）功能的主动低关机（SD）引脚。当SD被拉低时，VTT输出将为三态，提供高阻抗输出，但VREF将保持激活。在这种模式下，通过较低的静态电流可以获得节能优势。
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2022/12/29 14:14:28
TPS65295 器件能够以最低的总成本和最小的空间为 DDR4 存储器系统提供完整的电源解决方案。它符合 JEDEC 标准中的 DDR4 加电和断电顺序要求。TPS65295 将两个同步降压转换器（VPP 和 VDDQ）与 1A 灌电流和拉电流跟踪 LDO (VTT) 以及缓冲低噪声基准 (VTTREF) 集成在一起。TPS65295 采用耦合了 600kHz 开关频率的 D-CAP3™模式，此模式可在无需外部补偿电路的情况下实现易于使用的快速瞬变并支持陶瓷输出电容器。VTTREF 跟踪 ½ VDDQ 的精度优于 0.8%。VTT 可同时提供 1A 持续灌电流和拉电流功能，而仅需 10µF 的陶瓷输出电容。TPS65295 可提供丰富的功能和卓越的电源性能。它支持灵活功耗状态控制，将 VTT 置于高阻抗状态（处于 S3）并在 S4/S5 状态下对 VDDQ、VTT 和 VTTREF 进行放电。另外还提供 OVP、UVP、OCP、UVLO 和热关断保护。此器件采用热增强型 18 引脚 HotRod™VQFN 封装，额定结温范围为 –40°C 至 125°C。
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2022/12/29 14:09:45
TPS53832 是适用于 DDR5 on-DIMM 电源的 D-CAP+™ 模式集成式降压转换器。该转换器具有可配置的电流范围，可为 DIMM 模块上的 DRAM 芯片提供 VDD、VDDQ 和 VPP 电压。高电流轨可以配置为两相或 2 个输出，从而提供高达 7A（或 3.5A + 3.5A）的电流，并采用 D-CAP+™ 模式控制。该转换器还采用内部补偿以方便使用并减少外部元件。该转换器提供全套遥测功能，包括输入电压、输出电压和输出电流。此外，还提供过压、欠压、过流限制和过热保护。TPS53832 采用耐热增强型 35 引脚 QFN 封装，工作温度范围为 -40°C 至 +125°C。
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2022/12/29 14:08:23
TPS51206 器件是具有 VTTREF 缓冲基准输出的灌电流/拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器。该器件专门针对低输入电压、低成本、低外部组件数的空间受限型系统而设计。该器件可保持快速的瞬态响应，并且仅需 1 个 10µF 的陶瓷输出电容。该器件支持遥感功能，并且可满足 DDR2、DDR3 和低功耗 DDR3 (DDR3L) 及 DDR4 VTT 总线的所有电源要求。VTT 具有 ±2A 峰值电流能力。该器件支持所有 DDR 电源状态，在 S3 状态下将 VTT 置于高阻态（挂起到 RAM）；在 S4/S5 状态下使 VTT 和 VTTREF 放电（挂起到磁盘）。TPS51206 器件采用 10 引脚 2mm × 2mm SON (DSQ) PowerPAD™封装，额定工作温度范围为 –40°C 至 105°C。
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2022/12/29 14:07:01
本文解释三种主要类型的多谐振荡器电路以及如何构建每种电路。多谐振荡器电路一般由两个反相放大级组成。两个放大器串联或级联，反馈路径从第二放大器的输出接回到第一放大器的输入。由于每一级都将信号反相，因此环路整体的反馈是正的。 多谐振荡器主要分为三种类型：非稳态、单稳态和双稳态。非稳态多谐振荡器使用电容耦合两个放大器级并提供反馈路径。电容会阻隔任何从一级传送到下一级的直流信号，因此非稳态多谐振荡器没有稳定的直流工作点，是一个自由运行的振荡器。在单稳态多谐振荡器中，从一级到另一级的耦合使用一个电容，而第二个连接是通过直流路径。因此，单稳态多谐振荡器有一个稳定的直流级。除了施加触发脉冲时之外，电路均保持这种单一的稳定状态。然后，状态改变，持续时间为信号路径的交流耦合部分的RC时间常数所设置的预定时长。在双稳态多谐振荡器中，两条耦合路径都是直流耦合，因此电路具有两种不同的稳定状态，并且不使用电容。双稳态多谐振荡器也被称为触发器，在任一时间处于两种直流稳定状态中的一种状态。 非稳态多谐振荡器 目标 第一个实验的目的是构建一个非稳态多谐振荡器。两个相同的电阻电容网络决定振荡发生的频率。放大器件（晶体管）以共发射极配置连接，如图1所示。 图1. 非稳态多谐振荡器 材料 ● ADALM2000 主动学习模块 ● 无焊试验板 ● 跳线 ● 两个470 Ω电阻 ● 两个20 kΩ电阻 &...
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2022/12/29 13:54:54
LT®1764A 是一款低压差稳压器，专为实现快速瞬态响应而优化的。该器件能提供 3A 的输出电流和一个 340mV 的压差电压。工作静态电流为 1mA，并在停机模式中减小至 输出电压范围为 1.21V 至 20V。LT1764A 稳压器可在采用低至 10μF 的输出电容器时保持稳定。内部保护电路包括反向电池保护、电流限制、热限制和反向电流保护。该器件可提供 1.5V、1.8V、2.5V、3.3V 的固定输出电压，并可用作一款具 1.21V 基准电压的可调型器件。LT1764A 稳压器采用 5引脚 TO-220 和 DD 封装以及 16 引脚 FE 封装。应用3.3V 至 2.5V 逻辑电源用于开关电源的后置稳压器
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2022/12/28 15:23:31
LT®3080 是一款 1.1A 低压差线性稳压器，可直接并联以增加输出电流或在表面贴装型电路板上散播热量。该新型稳压器被设计为一款精准电流源和电压跟随器，因而可在许多需要高电流、可调至零且无散热器的应用中使用。而且，该器件还引出了传输晶体管的集电极，以在与多个输入电源一起使用时实现低压差操作 (低至 350mV)。LT3080 的一个重要的特点是能够提供一个宽输出电压范围。利用流经单个电阻器的基准电流，可以把输出电压设置为 0V 至 36V 之间的任何电平。当在输出端上使用 2.2μF 电容时，LT3080 可实现稳定，而且该 IC 采用了无需额外 ESR 的小陶瓷电容器，而其他稳压器则常常做不到这一点。内部保护电路包括电流限制和热限制。LT3080 稳压器采用 8 引脚 MSOP (具有一个裸露衬垫以改善热特性)、3mm x 3mm DFN、5 引脚 DD-Pak、TO-220 和使用简单的 3 引脚 SOT-223 封装版本。应用高电流全表面贴封装电源高效率线性稳压器用于开关电源的后置稳压器低元件数目可变电压电源低输出电压电源
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2022/12/28 13:55:29