HMC1131是一款砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)驱动放大器，工作频率范围为24 GHz至35 GHz。 HMC1131在24 GHz至27 GHz范围下提供22 dB增益、35 dBm输出IP3和24 dBm输出功率（1 dB增益压缩），功耗为225 mA（采用5 V电源）。 HMC1131可提供25 dBm的饱和输出功率，采用紧凑型4 mm × 4 mm无引脚陶瓷芯片载体封装（24-引脚LCC）。 HMC1131是一款适合各种应用（范围为24 GHz至35 GHz）的驱动放大器，包括点到点无线电。应用点对点无线电点对多点无线电VSAT和SATCOM
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2022/10/24 14:34:38
HMC629ALP4E是一款宽带4位GaAs IC数字衰减器，采用低成本无引脚SMT封装。这款多功能数字衰减器采用针对接近直流操作的片外交流接地电容，适合各种RF和IF应用。双模控制接口兼容CMOS/TTL，可接受三线式串行输入或4位并行字。HMC629ALP4E采用符合RoHS标准的4x4 mm QFN无铅封装，无需外部匹配元件。应用蜂窝/3G基础设施WiBro / WiMAX / 4G微波无线电和VSAT测试设备和传感器IF和RF应用
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2022/10/24 14:23:46
HMC349AMS8G是一款砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(PHEMT)、单刀双掷(SPDT)开关，额定频率范围为100 MHz至 4 GHz。HMC349AMS8G非常适合蜂窝基础设施应用，可实现57 dB高隔离、0.9 dB低插入损耗、52 dBm高输入IP3和34 dBm高输入P1dB。HMC349AMS8G采用3 V至5 V单正电源供电，提供CMOS/TTL兼容控制接口。HMC349AMS8G采用带exposed pad的8引脚超小型封装。应用蜂窝/4G基础设施无线基础设施移动无线电测试设备
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2022/10/24 14:20:55
HMC987LP5E 1:9扇出缓冲器设计用于低噪声时钟分配。 该器件旨在生成上升/下降时间小于100 ps的相对方波输出。 HMC987LP5E具有低偏斜和抖动输出以及快速上升/下降时间，从而可以控制混频器、ADC/DAC或SERDES器件等下游电路的低噪声开关功能。 这些应用中，当时钟网络带宽足够宽并允许方波切换时，噪底尤为重要。 HMC987LP5E的输出以2 GHz驱动，其噪底为-166 dBc/Hz，相当于0.6 asec/rtHz抖动密度，或8 GHz带宽内的50 fs。输入级可单端或差分驱动，可采用多种信号格式（CML、LVDS、LVPECL或CMOS），以及交流或直流耦合。 输入级同样具有可调输入阻抗。 该器件集成带有可调摆幅/功率电平的8路LVPECL输出和1路CML输出，步进为3 dB。各输出级可以通过硬件控制引脚或串行端口接口的控制使能或禁用，以便在不需要时节省电能。应用SONET、光纤通道、GigE时钟分配ADC/DAC时钟分配低偏斜和抖动时钟或数据扇出无线/有线通信电平转换高性能仪器仪表医疗成像单端至差分转换
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2022/10/24 14:18:13
AD7682/AD7689 是 4 通道/8 通道 16 位电荷再分配逐次逼近寄存器 (SAR) 模数转换器 (ADC)，可使用单一电源 VDD 运行。AD7682/AD7689 包含在多通道低功耗数据采集系统中使用时所需的组件，包括无失码的真正 16 位 SAR ADC；4 通道 (AD7682) 或 8 通道 (AD7689) 低串扰多路复用器，适用于将输入配置为单端（有或没有接地检测）、差分或双极；内部低漂移基准电压源（可选 2.5 V 或 4.096 V）和缓冲器；温度传感器；可选单极滤波器；以及按顺序持续扫描各个通道时使用的的时序控制器。AD7682/AD7689 使用简单串行端口接口 (SPI) 向配置寄存器中写入数据并接收转换结果。SPI 接口使用单独的电源 VIO，设置为主机逻辑电平。功耗随吞吐量缩放。AD7682/AD7689 密封在微型 20 引脚引线框芯片尺寸级封装 (LFCSP) 和 20 引脚晶圆级芯片规模封装 (WLCSP) 内，可在 −40°C 至 +85°C 的温度范围内工作。AD7689 包括一种扩展温度范围型号，可保证在 +125°C 的最高温度 (TMAX) 下运行。
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2022/10/24 14:11:51
用户对更高数据速率应用的需求正在飞速增长，因此业界需要开发能够在更高频率和更高阶调制方案下实现大信号带宽的现代化技术（如高通量卫星和 5G 新空口）。然而，带宽越大，带给系统的噪声就越多；调制方案越高阶，则越容易受到噪声的影响。 适当的信噪比（SNR）是维持通信链路质量的关键。您需要提高信号电平并降低系统噪声，从而保持链路的高质量。大功率放大器是构建射频（RF）和微波通信系统的重要基石。它们在输出大功率的同时也会给系统带来非线性失真。因此，要想打造可靠的设计和出色的产品，关键是要表征宽带大功率放大器的非线性特性。 本文重点介绍了如何测量宽带大功率放大器的失真。探索如何为宽带应用执行激励－响应测试，并介绍了一种表征射频功率放大器的创新方法。 失真测量 激励－响应测量是一种评测失真的简单方法。它们要求输入一个激励测试信号，然后采集输出的响应并进行分析。激励－响应测试可帮助您了解射频元器件在不同条件下的性能，从而确定最适合的设计折中方案。激励－响应测试包括互补累积分布函数（CCDF）、谐波、三阶互调（TOI）、邻道功率（ACP）和误差矢量幅度（EVM）等测试。 请按照以下三个步骤来表征您的设计并进行问题诊断： ? 表征数字调制信号。您需要了解仿真波形的功率特征，以便将正确的幅度电平应用到信号发生器上。您可以测量并比较输入信号和输出信号的CCDF曲线，查看被测器件（DUT）的输出是否被压缩。 ? 进行失真测量。通过谐波失真、TOI失真和ACPR等测量来查看失真对频谱的影响。 ? 对调制信号进行解调和问题诊断。您可以对设计进行解调分析和问题诊断。 接下来...
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2022/10/21 17:08:44
HMC698LP5(E)是一款频率合成器，集成宽带极性可反转数字PFD和锁定检测输出。 该分频器的无条件工作范围为80 - 7000 MHz，连续整数分频比为12至259。由于高工作频率以及超低相位噪底性能，HMC698LP5(E)这款频率合成器具有宽环路带宽和低N特性，从而实现快速建立时间和极低相位噪声。 与差分环路滤波器结合使用时，HMC698LP5(E)可用来将VCO相位锁定至参考振荡器。
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2022/10/20 14:28:17
本文介绍有关实现优化电路板布局的基础知识，在设计开关模式电源时，优化电路板布局是一个重要方面。合理布局可以确保开关稳压器保持稳定工作，并尽可能降低辐射干扰和传导干扰(EMI)。这一点电子开发人员都很清楚。但是，大家并不知道，开关模式电源的优化电路板布局应该是什么样子的。 图1所示为 LT8640S 评估板电路。这是一个降压开关稳压器，支持高达42 V的输入电压，可提供高达6 A的输出电流。所有元件都紧密排列在一起。一般建议将元件尽可能紧密地排列在电路板上。这种说法并无错处，但是，如果目标是获得优化电路板布局，可能就未必合适。在图1中，开关稳压器IC周围有数个（11个）无源元件。在部署这些无源元件时，哪些元件应该优先部署？为什么呢？ 图1. LT8640S开关稳压器的电路板，元件布局紧密，所以电路板布局非常紧凑。 在开关稳压器PCB设计中，最重要的原则是：传输高开关电流的走线越短越好。如果能够成功实践这一原则，开关稳压器电路板的很大部分都能合理布局。 如何在电路板布局中轻松实现这条黄金法则呢？第一步，找出开关稳压器拓扑中的关键路径。在这些关键路径中，电流会随开关切换而变化。图2显示降压型转换器（降压拓扑）的典型电路。关键路径以红色显示。这些连接线路可能传输满电流，也可能不传输电流，具体取决于电源开关的状态。这些路径越短越好。在降压型转换器中，输入电容应尽可能靠近开关稳压器IC的VIN引脚和GND引脚。 图2. 降压型开关稳压器的原理图，其中电流快速变化的路径以红色显示。 图3显示升压拓扑电路的基本原理图。该电路将低压转换为更高电压。同样，电流会随电源开关切换而变化的电流路径以红色显示...
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2022/10/19 8:58:33
氮化镓 (GaN) 是电力电子行业的热门话题，因为它可以使得 80Plus 钛电源、3.8kW/L 电动汽车 (EV) 车载充电器和 EV 充电站等设计得以实现。在许多应用中， GaN 能够提高功率密度和效率，因此它取代了传统的硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。但由于 GaN 的电气特性和它所能实现的性能，使用 GaN 进行设计面临与硅不同的一系列挑战。 不同类型的 GaN FET 具有不同的器件结构。GaN FET 包括耗尽型 (d-mode)、增强型 (e-mode)、共源共栅型 (cascode) 等三种类型，每种类型都具有各自的栅极驱动器和系统要求。本文将介绍使用不同类型的 GaN FET 进行设计来提高系统设计的功率密度所需考虑的重要因素。同时还将分析集成栅极驱动器和电压供应调节等功能可以如何显著简化整体设计。 GaN FET 剖析 每种 GaN 电源开关都需要配备合适的栅极驱动器，否则在工作台测试时可能发生事故。GaN 器件具有超级敏感的栅极，因为它们不是传统意义上的 MOSFET，而是高电子迁移率晶体管 (HEMT)。HEMT 的截面如图 1 所示，类似于 MOSFET，但电流不会流过整个衬底或缓冲层，而是流过一个二维的电子气层。 图 1：GaN FET 横向结构截面图 不当的栅极控制可能会导致 GaN FET 的绝缘层、势垒或其他结构性部分被击穿。这不仅会造成 GaN FET 在对应系统条件下无法工作，还可能会对器件本身造成性损坏。这种敏感度取决于不同类型的 GaN 器件及其广泛需求。HEMT 也不具有传统掺杂的 FET 结构。该结构会形成 PN 结，进而产生体二极管。这意味着内部二极管不会在运行过程中被击穿或产生...
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2022/10/17 14:10:30
一、 开关电源的电路组成 开关电源的主要电路是由输入电磁干扰滤波器（EMI）、整流滤波电路、功率变换电路、PWM控制器电路、输出整流滤波电路组成。辅助电路有输入过欠压保护电路、输出过欠压保护电路、输出过流保护电路、输出短路保护电路等。 开关电源的电路组成方框图如下： 二、 输入电路的原理及常见电路 1、AC 输入整流滤波电路原理： ① 防雷电路：当有雷击，产生高压经电网导入电源时，由MOV1、MOV2、MOV3：F1、F2、F3、FDG1 组成的电路进行保护。当加在压敏电阻两端的电压超过其工作电压时，其阻值降低，使高压能量消耗在压敏电阻上，若电流过大，F1、F2、F3 会烧毁保护后级电路。 ② 输入滤波电路：C1、L1、C2、C3组成的双π型滤波网络主要是对输入电源的电磁噪声及杂波信号进行抑制，防止对电源干扰，同时也防止电源本身产生的高频杂波对电网干扰。当电源开启瞬间，要对 C5充电，由于瞬间电流大，加RT1（热敏电阻）就能有效的防止浪涌电流。因瞬时能量全消耗在RT1电阻上，一定时间后温度升高后RT1阻值减小（RT1是负温系数元件），这时它消耗的能量非常小，后级电路可正常工作。 ③ 整流滤波电路：交流电压经BRG1整流后，经C5滤波后得到较为纯净的直流电压。若C5容量变小，输出的交流纹波将增大。 2、 DC 输入滤波电路原理： ① 输入滤波电路：C1、L1、C2组成的双π型滤波网络主要是对输入电源的电磁噪声及杂波信号进行抑制，防止对电源干扰，同时也防止电源本身产生的高频杂波对电网干扰。C3、C4 为安规电容，L2、L3为差模电感。 ...
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2022/10/17 14:01:40
在这种配置中，外设被配置为产生大多数电流模式的固定频率电源。COG是一个互补的输出发生器。其功能是通过由上升沿和下降沿输入组成的可编程死区产生互补输出。CCP配置为产生可编程频率上升沿。当电流超过斜率补偿器的输出时，比较器C1产生一个下降沿。CCP可以与C1结合产生占空比。一些拓扑，如升压、反激或SEPIC，需要占空比。运算放大器OPA用于提供反馈和补偿。在图中，DAC为运算放大器提供基准电压，但如果不需要可编程电压，固定基准电压源(FVR)也可以用来为运算放大器提供基准电压。斜率补偿器可以通过比较器或COG复位。其工作原理是利用可编程吸电流来衰减已预充电至其输入端(本例中为OPA)设置的电平的电容。这个电源配置非常好用。以下是LED串中升压电源的调节电流示例。 升压LED电源示例 在构建了硬件并对其进行测试之后，您只需要实现一些基本功能来增加您的智能，如下所示： LED驱动器流程图 点状态机 电池充电器状态机 结论 增加电源的最终效果比单独使用器件强很多。集成可以采取以下形式：仅将MCU连接到现有的SMPS设计，通过高性能dsPIC建立全数字SMPS，或者使用混合信号MCU将模拟SMPS功能和MCU集成到单个芯片上。
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2022/10/17 13:17:41
量子计算是一种不断发展的新技术，有望增强一系列业务操作。基于关注自然界最小维度的量子力学（例如分子、原子和亚原子粒子），量子计算机旨在为复杂的业务问题提供更快的解决方案。 量子计算的基础是一个被称为“量子比特”的信息单位。与只有“0”或“1”数值的经典比特不同的是，量子比特可以有介于“0”和“1”之间的任何形式，实现“叠加”。如果结合起来，多个量子比特就可以在同一时间产生许多结果。每增加一个量子比特，其搜索空间将会呈指数级增长。 许多企业都在研究量子如何促进业务发展，并提供新的用例。比如Reply公司正在探索如何利用量子计算为物流、投资组合管理和故障检测等领域提供更优化的解决方案。 量子计算可能带来的业务价值 Reply公司数据科学家、量子计算实践负责人Johannes Oberreuter对于量子计算如何帮助企业实现目标进行了阐述和分析。 首先，该公司发现第一件能带来价值的事情是优化问题。其中一个例子是‘旅行推销员问题’，它在物流领域有很多应用，也需要考虑到复杂性和限制因素，比如在新冠疫情蔓延期间。 在通常情况下，那些被发现过于复杂而无法在传统硬件上优化的问题，会通过一些启发式方法来解决。通常，在该领域有经验的团队或个人可以帮助解决这个问题，但他们还不知道现在是否有更好的解决方案。量子计算允许以一种类似于愿望清单的结构化方式来呈现问题，包含所有的业务复杂性。它们都被编码到一个目标函数中，然后可以用结构化的方式求解。 一些企业已经使用了各种算法和方法试图解决优化问题。寻找具有目标函数的最优解仍然是一个难以解决的问题，但在这里，量子计算机可以解决这个问题。” 不断攀升的量...
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2022/10/14 16:54:16
实现更高功率密度的障碍是什么？实际上，热性能是电源管理集成电路 (IC) 在电气方面的附加特性，既无法忽略也不能使用系统级过滤元件“优化”。要缓解系统过热问题，需要在开发过程的每个步骤中进行关键的微调，以便设计能够满足给定尺寸约束下的系统要求。以下是 TI 专注于优化热性能和突破芯片级功率密度障碍的三个关键领域。 几乎每个应用中的半导体数量都在成倍增加，电子工程师面临的诸多设计挑战都归结于需要更高的功率密度。例如下面这几类应用： ● 超大规模数据中心：机架式服务器工作使用的功率让人难以置信，这让公用事业公司和电力工程师难以跟上不断增长的电力需求。 ● 电动汽车：从内燃机到 800V 电池包的过渡会导致动力总成的半导体组件数量呈指数增加。 ● 商业和家庭安防应用：随着可视门铃和互联网协议摄像头变得越来越普遍，它们的尺寸越来越小，这对必要的散热解决方案增加了约束。 实现更高功率密度的障碍是什么？实际上，热性能是电源管理集成电路 (IC) 在电气方面的附加特性，既无法忽略也不能使用系统级过滤元件“优化”。要缓解系统过热问题，需要在开发过程的每个步骤中进行关键的微调，以便设计能够满足给定尺寸约束下的系统要求。以下是 TI 专注于优化热性能和突破芯片级功率密度障碍的三个关键领域。 工艺技术创新 许多全球半导体制造商都在竞相提供电源管理产品，这些产品利用工艺技术节点在业界通用封装中实现更高的性能。例如，TI 持续投资 45nm 和 65nm 工艺技术，利用内部技术开发以及 300mm 制造效能来提供针对成本、性能、功率、精度和电压电平进...
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2022/10/14 15:33:46
如同其他的电子元件，智能手机中的天线调谐器也必须能够承受各个阶段的静电释放 (ESD)，包括器件制造、智能手机组装和消费使用。然而，人们对各个阶段所需的 ESD 防护等级存在诸多疑问。不断发展的标准和现代化制造系统降低了调谐器的 ESD 要求，但人们仍然根据传统的假设来选择元件。调谐器需要满足极高的 ESD 防护等级则为过时的错误观念，本白皮书旨在围绕以下模型，对其进行纠正，其中包括：人体模型 (HBM) 2 kV，带电设备模型(CDM) 1 kV。实际上，根据 ANSI/ESD S20.20 标准中的相关定义，对于当今的自动化制造技术，调节器需要相对适度的 HBM 和 CDM。此外，对于安装在 PCB 上的电感、变容二极管、其他 ESD 保护元件以及系统电路中的其他元件，可提供符合 IEC 61000-4-2 要求的系统级 ESD 保护，以满足消费使用的需求。 本白皮书将阐明： HBM、CDM 和 IEC 的 ESD 标准及相对重要性。 针对器件制造和填充 PCB 的 ESD 保护要求。 智能手机组装的板级 ESD 保护以及针对消费使用的系统级 ESD 保护。 器件制造和 PCB 组装器件的 ESD 控制 制造智能手机的过程中，必须保护其元件免受潜在的 ESD 危害，因此器件制造商会在生产设施中制定 ESD 控制计划，以实现产量的最大化，满足客户需求。这些 ESD 控制计划以 ANSI/ESD S20.20 或对应的 IEC 61340-5-1 标准为依据。这些标准旨在帮助工厂构建安全的 ESD 环境，以便于处理这些对 ESD 敏感的器件。为实现标准中的目的，工厂应该能够处理 HBM 和 CDM 耐受电压分别至少为 1...
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2022/10/14 15:22:48
随着各类新能源设备不断增加，低碳环保成为能源行业的主流，如何有效治理配网电能质量是提高配网可靠、安全运行以及推动主动配电网技术应用发展的关键，对电网质量的管控也要求越来越多的电力设备能增加电能质量检测模块。一方面，电力电子设备的大量接入，使得输配电网的电能质量呈现新特征、新问题，亟待解决；另一方面，用电侧负荷的多样性、非线性、冲击性等日益加剧，电能高效利用迫在眉睫，这些新问题给电能质量控制技术带来了机遇与挑战。 揭秘ADI芯片化电能质量解决方案 良好的电能质量意味着能要保持稳定的供电电压，包括稳定的频率与稳定的幅值，否则可能会导致变压器效率降低、破坏电网、电源损坏、信息系统的崩溃等一系列事故的发生。因此，监测电能质量不仅能确保能源的稳定供应，也能进一步提高电网的可靠性，同时提前诊断设备失效的可能性，提升经济效益。 此外，碳中和碳达峰目标所驱，构建以新能源为主体的新型电力系统已经成为电力行业转型发展的方向，未来新能源高比例并网，电力系统调节手段不足的问题将愈加突出，数字化、智能化有望成为未来新型电力系统发展的重要抓手，将在电力系统的电源、电网、负荷、储能各环节全面发挥作用。新型电力系统对电能质量监测的需求来自于分布式发电、边缘计算及电能计量、电能质量生态系统等多个方面，例如增加的可再生能源和分布式发电带来电网波动、逆变器可能会导致电能质量问题，允许边缘计算监控配电网络的电能质量等。 新型电力系统对电能质量监测的需求 为应对新型电力系统市场的电能质量监测需求变化，ADI采用高精度多通道多功能计量模拟前端ADE9430做为模拟采样芯片，可以实现三相电能计量、高达40次的谐波检测及各种电能质量要求的信号调理及检测输出，并以代码...
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2022/10/14 15:18:54
过去十年来，蜂窝网络和手机的普及导致对支持移动通信基础设施的电子产品需求呈指数级增长。同时对更高带宽的需求也在推动网络提供商不断扩大覆盖范围，同时增加蜂窝密度；反过来，这也促进了对基础设施硬件的需求。 15年前，制造商开始对蜂窝无线电设备的互操作性进行标准化，允许在装配带有天线装置、放大器等器件的蜂窝基站时有更多变化。该通信标准由天线接口标准组织(AISG)于2003年和2004年首次制定。目前AISG标准随着市场的扩大而不断发展。下面ADI将列举可满足当今和未来互操作通信需求的若干项功能特点。 AISG v2.0和物理层调制器 集成调制器-解调器（调制解调器）于2009年推出，旨在为无处不在的RS-485接口和2.176MHz OOK信号之间的转换提供一个完整的综合解决方案，该信号由与蜂窝射频频段支持相同电缆的通信标准定义。IC解决方案实现了更紧凑的系统设计，节省了空间、电源和硬件。此外，集成调制解调器能够以小尺寸封装提供简单、成熟、经过工厂测试的设备可靠性。 新AISG v3.0标准 AISG在2019年提出对这项成功标准进行升级。这一步建立在前几代的成功基础上，目的是增加新功能，同时保持主设备和受其管理的天线线路设备之间的核心互操作性。 新的AISG v3.0功能包括设备发现、连接映射和多主控制。虽然系统设计人员会发现，新标准对许多更高级别功能来说是个有益升级，但物理层(PHY)从v2.0到v3.0却保持不变。因此，早期以v2.0标准推出的所有调制解调器仍然完全兼容新的AISG v3.0标准。 需要一个以上的AISG通道 尽管从AISG v2.0升级到v3.0对系...
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2022/10/14 15:15:19
为什么卫星离地面这么远，却很少采用低频通信？为什么大多数卫星的通信频率高达5GHz~40GHz却可以传输3.6万公里的超远距离？要解开这个疑问，我们需要了解以下5个方面的知识。 学生时代，物理老师讲过这几个知识点： 1、FM调频广播的频率是88~108MHz，覆盖范围从几百公里到几千公里； 2、无线蜂窝网络的频率是400MHz~3GHz，覆盖范围从几公里到几十公里； 3、Wi-Fi网络的通信频率是2.4~2.5GHz和5.2~5.8GHz，覆盖范围从几米到几百米； 4、卫星的通信频率通常是5GHz~40GHz[1]，通信距离为3.6万公里。 从前三条知识点可知，电磁波频率越低，在空气中自由传播的距离就越远。 那为什么卫星离地面这么远，却很少采用低频通信？为什么大多数卫星的通信频率高达5GHz~40GHz却可以传输3.6万公里的超远距离？ 要解开这个疑问，我们需要了解以下5个方面的知识。 01电离层 电离层是地球大气的一个电离区域，其中存在很多自由电子和离子，能使无线电波改变传播速度，发生折射、反射和散射，产生极化面的旋转并受到不同程度的吸收。 如上图所示，长波、中波被电离层直接吸收，只能通过地面波传播；短波被电离层反射，只能在电离层以下的大气内部传播；微波则不受电离层影响，可以直接穿透电离层。 因此，卫星通信必须采用微波频段以上频率的信号，才能实现星地通信。 02电磁波的自由空间衰减 电磁波在穿透任何介质...
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2022/10/14 14:58:44
KRYTAR公司的3 dB 90度混合耦合器具有多种功能，包括在广泛的商业和军事应用中使用的放大器、开关电路和天线波束形成网络中分离和组合信号。这些90度混合电路用于需要将功率平衡分配到两条相隔90度的传输线的电路中。这些混合耦合器在这些频带内的许多应用中提供了简单的解决方案，包括电子战（EW）、商用无线、卫星通信、雷达、信号监测和测量、天线波束形成以及EMC测试环境。对于许多空间受限的情况，这些KRYTAR耦合器的紧凑尺寸是理想的。这些耦合器也可以按照军用规格制造。 KRYTAR新型90度混合耦合器，型号3060200，具有卓越的超宽带多功能性，频率范围从6.0到20.0 GHz，相位和振幅匹配良好。典型规格包括3 dB联轴器；振幅不平衡：±0.4 dB；相位不平衡度为±5度；隔离度14 dB；最大VSWR:1.45；插入损耗 此外，3060200型的输入额定功率平均为20 W，峰值为3 kW。混合耦合器配有行业标准SMA内螺纹连接器。这款小巧的包装尺寸仅为1.25英寸（长）x 0.86英寸（宽）x 0.40英寸（高），重量仅为1.0盎司。工作温度为-54°至+85°C。该耦合器通常有库存至30天，ARO。
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2022/10/12 14:05:03