德州仪器 (TI) 的 bq27320 单节电池电量监测计只需进行极少的配置和系统微控制器固件开发工作，有助于实现快速系统调通。bq27320 采用补偿放电终点电压 (CEDV) 电量监测算法进行电量检测，可提供诸如剩余电量 (mAh)、充电状态 (%)、续航时间（分钟）、电池电压 (mV)、温度 (°C) 和健康状况 (%) 等信息。TI 客户可使用 TI 基于网络的工具 GAUGEPARCAL 调整化学参数。可配置中断有助于节省系统功耗，释放主机使其停止继续轮询。外部热敏电阻为精确温度感测提供支持。通过 bq27320 进行电池电量监测时，只需将 PACK+ (P+)、PACK- (P-) 以及选装的热敏电阻 (T) 连接至一个可拆卸电池组或嵌入式电池电路即可。此器件使用一个 15 焊球 NanoFree（芯片尺寸球栅阵列 (DSBGA)）封装, 是空间受限类应用的 理想选择。
浏览次数：
12
2022/9/28 14:44:59
德州仪器 (TI) BQ27426 电池电量监测计是一款单节电池电量监测计，只需进行少量的用户配置和系统微控制器固件开发工作即可快速启动系统。通过预编程三种化学配置文件，最大限度减少用户配置，并帮助客户管理项目中不同电池化学成分的库存。BQ27426 电池电量监测计在休眠模式下具有超低功耗，有助于延长电池运行时间。可配置中断有助于节省系统功耗，释放主机使其停止继续轮询。外部热敏电阻为精确温度感测提供支持。BQ27426 电池电量监测计使用已获专利的 Impedance Track™ 算法来进行电量监测，并提供诸如剩余电量 (mAh)、充电状态 (%) 和电池电压 (mV) 等信息。使用 BQ27426 电量监测计进行电池电量监测时，只需连接至可拆卸电池组或嵌入式电池电路的 PACK+ (P+) 和 PACK- (P-)。该器件采用微型 9 球、1.62mm × 1.58mm、0.5mm 间距的 NanoFree™芯片级封装 (DSBGA)，是空间受限类应用的 理想选择。
浏览次数：
6
2022/9/28 14:42:58
BQ40Z50-R2 器件采用已获专利的 Impedance Track™ 技术，是一个全集成、单芯片、基于电池组的解决方案，可为 1 节、2 节、3 节和 4 节串联锂离子和锂聚合物电池组提供电量监测、保护和认证等各种特性。BQ40Z50-R2 器件利用其集成的高性能模拟外设，测量锂离子或锂聚合物电池的可用容量、电压、电流、温度和其他关键参数，保留准确的数据记录，并通过 SMBus v1.1 兼容接口将这些信息报告给系统主机控制器。
浏览次数：
6
2022/9/28 14:41:08
德州仪器 (TI) BQ27Z561 Impedance Track™电量监测计解决方案是一个高度集成的高精度单节电池电量监测计，具有闪存可编程的定制精简指令集 CPU (RISC) 和锂离子和锂聚合物电池组 SHA-256 认证。单节功能包括可提高容量的并联电池。BQ27Z561 电量监测计通过兼容 I2C 的接口和 HDQ 单线制接口进行通信，且包括几个有助于实现准确电量监测 应用的 关键 特性。通过集成的温度检测功能（内部和外部选项），可实现系统和电池温度测量。集成的 SHA-256 功能有助于在系统和电池组之间实现安全识别。通过中断功能，BQ27Z561 器件可在发生充电状态 (SOC)、电压或温度故障时通知系统。通过低电压运行，即使在深度放电情况下，系统也能够持续监控电池的状态。在低活跃度情况下，该器件可设置为低功耗库伦计数 (CC) 模式，从而在显著降低运行电流的情况下继续进行库伦计数。
浏览次数：
5
2022/9/28 14:40:07
本文延续之前的一系列短文，面向非射频工程师讲解射频技术；我们将探讨IC衰减器，并针对其类型、配置和规格提出一些见解。本文旨在帮助工程师更快了解各种IC产品，并为终端应用选择合适的产品。该系列的相关文章包括：'为应用选择合适的RF放大器指南'、'如何轻松选择合适的频率产生器件'和'RF解密–了解波反射'。 问题: 什么是射频衰减器？如何为我的应用选择合适的RF衰减器？ 答案: 衰减器是一种控制元件，主要功能是降低通过衰减器的信号强度。这种元件一般用于平衡信号链中的信号电平、扩展系统的动态范围、提供阻抗匹配，以及在终端应用设计中实施多种校准技术。 简介 本文延续之前的一系列短文，面向非射频工程师讲解射频技术；我们将探讨IC衰减器，并针对其类型、配置和规格提出一些见解。本文旨在帮助工程师更快了解各种IC产品，并为终端应用选择合适的产品。该系列的相关文章包括：'为应用选择合适的RF放大器指南'、'如何轻松选择合适的频率产生器件'和'RF解密–了解波反射'。 衰减器的类型 从关键功能这个角度，衰减器可以分为固定衰减器和可变衰减器，前者的衰减电平保持不变，后者的衰减电平可调。根据可变衰减器支持的衰减控制方式，还可以进一步细分为电压可变衰减器(VVA)和数字步进衰减器(DSA)，前者采用模拟控制技术，后者采用数字控制技术。 VVA可以持续调节衰减电平，电平可以设置为给定范围内的任何值。对于自动增益控制电路、校准校正以及其他需要平稳、精确地控制信号的处理功能，通常采...
浏览次数：
13
2022/9/28 14:32:21
BQ40Z50-R2 器件采用已获专利的 Impedance Track™ 技术，是一个全集成、单芯片、基于电池组的解决方案，可为 1 节、2 节、3 节和 4 节串联锂离子和锂聚合物电池组提供电量监测、保护和认证等各种特性。BQ40Z50-R2 器件利用其集成的高性能模拟外设，测量锂离子或锂聚合物电池的可用容量、电压、电流、温度和其他关键参数，保留准确的数据记录，并通过 SMBus v1.1 兼容接口将这些信息报告给系统主机控制器。
浏览次数：
6
2022/9/28 13:39:47
TPS53317 器件是一款设计为主要用于 DDR 终端的集成场效应晶体管 (FET) 同步降压稳压器。 它能够提供一个值为 ½ VDDQ的经稳压输出，此输出具有吸收电流和源电流功能。 TPS53317 器件采用 D-CAP+ 运行模式，简单易用，所需外部组件数较少并可提供快速瞬态响应。 该器件还可用于其他电流要求高达 6A 的负载点 (POL) 稳压应用。此外，该器件支持具有严格电压调节功能的 6A 完整灌电流输出。该器件具有两种开关频率设定值（600kHz 和 1MHz），可提供集成压降支持、外部跟踪功能、预偏置启动、输出软放电、集成自举开关、电源正常功能、V5IN 引脚欠压锁定 (UVLO) 保护功能，支持采用陶瓷和 SP/POSCAP 电容。 该器件支持的输入电压最高可达 6V，而输出电压在 0.6V 至 2.0V 范围内可调。TPS53317 器件采用 3.5mm × 4mm 20 引脚超薄四方扁平无引线 (VQFN) 封装（绿色环保，符合 RoHS 标准并且无铅），其中应用了 TI 专有的集成 MOSFET 和封装技术，其额定运行温度范围为 –40°C 至 85°C。
浏览次数：
7
2022/9/28 13:35:54
TPS51200A-Q1 器件是一款灌电流和拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器，专门针对低输入电压、低成本、低噪声的空间受限型系统而设计。此器件可保持快速的瞬态响应，最低仅需 20µF 输出电容。此器件支持遥感功能，并且可满足 DDR、DDR2、DDR3、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 总线终端的所有电源要求。此外，该器件还提供一个开漏 PGOOD 信号来监测输出稳压，并提供一个 EN 信号在 S3（挂起至 RAM）期间针对 DDR 应用进行 VTT 放电。此器件采用高效散热型 VSON-10 封装，具有绿色环保和无铅的特性。该器件的额定温度范围为 –40°C 至 125°C。
浏览次数：
6
2022/9/28 13:34:22
LP2996-N和LP2996A线性稳压器的设计符合DDR-SDRAM终端的JEDEC SSTL-2规范。该设备还支持DDR2，而LP2996A支持DDR3和DDR3L VTT总线终端，VDDQ最小为1.35 V。该设备包含一个高速运算放大器，可对负载瞬态提供出色的响应。输出级可防止贯通，同时根据DDR-SDRAM终端的要求，在应用中提供1.5安的连续电流和高达3安的瞬态峰值。LP2996-N和LP2996A还包含一个VSENSE引脚，以提供卓越的负载调节和VREF输出，作为芯片组和DIMM的参考。 LP2996-N和LP2996A上的另一个功能是一个主动低关机（SD）引脚，它提供了暂挂到RAM（STR）功能。当SD被拉低时，VTT输出将处于三态，提供高阻抗输出，但VREF保持激活状态。在这种模式下，通过较低的静态电流可以实现节能优势。 TI建议将LP2998和LP2998-Q1设备用于要求在零度以下工作的汽车应用和DDR应用。
浏览次数：
6
2022/9/28 13:32:45
TPS51100是一个3-a的接收器/源跟踪终端调节器。该设备专为低成本和低外部组件计数系统而设计，其中空间是一个溢价。TPS51100保持快速瞬态响应，只需要20µF（2×10µF）的陶瓷输出电容。TPS51100支持根据JEDEC规范为DDR和DDR2 VTT总线终端供电所需的遥感功能和所有功能。该部件还支持DDR3 VTT终端，VDDQ为1.5 V（典型值）。此外，TPS51100还包括集成睡眠状态控制，将VTT置于S3中的Hi-Z（暂停至RAM），并将VTT和VTTREF置于S5中的软关闭（暂停至磁盘）。TPS51100可用于热效率高的10针MSOP PowerPAD™ 包装，规定为-40°C至85°C。
浏览次数：
10
2022/9/28 13:31:02
LP2998线性调节器的设计符合JEDEC SSTL-2和JEDEC SSTL-18规格，用于DDR-SDRAM和DDR2内存的端接。该设备还支持DDR3和DDR3L VTT总线终端，VDDQ最小值为1.35 V。该设备包含一个高速运算放大器，可对负载瞬变提供出色的响应。输出级可防止贯通，同时根据DDR-SDRAM终端的要求，在应用中提供1.5 A的连续电流和高达3 A的瞬态峰值。LP2998还集成了一个VSENSE引脚，以提供卓越的负载调节和VREF输出，作为芯片组和DIMM的参考。LP2998上的另一个特性是一个主动低关机（SD）引脚，它提供了暂挂到RAM（STR）功能。当SD被拉低时，VTT输出将处于三态，提供高阻抗输出，但VREF将保持激活状态。在这种模式下，通过较低的静态电流可以实现节能优势。
浏览次数：
10
2022/9/28 13:29:07
TPS51200-Q1 器件是一款灌电流和拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器，专门针对低输入电压、低成本、低噪声的空间受限型系统而设计。TPS51200-Q1 器件可保持快速的瞬态响应，最低仅需 20µF 输出电容。TPS51200-Q1 器件支持遥感功能，并且可满足 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 总线终端的所有电源要求。此外，TPS51200-Q1 器件还提供一个开漏 PGOOD 信号来监测输出稳压，并提供一个 EN 信号在 S3（挂起至 RAM）期间针对 DDR 应用使 VTT 放电。TPS51200-Q1 器件采用高效散热型 VSON-10 封装，具有绿色环保和无铅的特性。该器件的额定温度范围为 –40°C 至 125°C。
浏览次数：
9
2022/9/28 13:27:06
TPS51216以最低的总成本和最小的空间为DDR2、DDR3和DDR3L内存系统提供完整的电源。它集成了同步降压调节器控制器（VDDQ）、2-a接收器/源跟踪LDO（VTT）和缓冲低噪声基准（VTTREF）。TPS51216采用D-CAP™ 模式与300kHz/400kHz频率耦合，便于使用和快速瞬态响应。VTTREF跟踪VDDQ/2的精度达到0.8%。VTT提供2-A的漏极/源极峰值电流能力，只需要10-μF的陶瓷电容。此外，还提供了专用LDO电源输入。TPS51216提供了丰富的实用功能以及优异的电源性能。它支持灵活的电源状态控制，将VTT置于S3的高Z，并在S4/S5状态下放电VDDQ、VTT和VTTREF（软关闭）。还提供可编程OCL，带有低侧MOSFET RDS（打开）感测、OVP/UVP/UVLO和热关机保护。TPS51216采用20针、3 mm×3 mm QFN封装，适用于-40°C至85°C的环境温度。
浏览次数：
19
2022/9/28 13:25:48
TPS51116 为 DDR/SSTL-2，DDR2/SSTL-18，DDR3/SSTL-15 和 LPDDR3 内存系统提供一个完整的电源。 它集成了一个具有 1A 灌电流/拉电流跟踪线性稳压器和经缓冲低噪声基准的同步降压控制器。 TPS51116 在空间非常宝贵的系统中提供最低的总体解决方案成本。 TPS51116 同步控制器运行具有自适应接通时间控制的定频 400kHz，伪恒定频率脉宽调制 (PWM)，此控制可在 D-CAP 模式中进行配置，此模式可简化使用并实现最快瞬态响应或者在电流模式中支持陶瓷输出电容器。 1A 灌电流/拉电流 LDO 只需 20μF (2 × 10μF) 陶瓷输出电容器即可保持快速瞬态响应。 此外，LDO 电源输入是外部可用的，这样可大大减少总体功耗。 TPS51116 支持所有睡眠状态控制，此类控制在 S3（挂起到 RAM）中将 VTT 置于 high-Z 状态并且在 S4/S5（挂起到硬盘）中将 VDDQ，VTT 和 VTTREF（软关闭）放电。 TPS51116 具有所有保护特性，其中包括热关断并采用 20 引脚散热薄型小外形尺寸 (HTSSOP) PowerPAD 封装。
浏览次数：
5
2022/9/28 13:23:37
LP2996A 线性稳压器的设计符合 DDR-SDRAM 端接的 JEDEC SSTL-2 规范。 此器件还支持 DDR2、DDR3 和 DDR3L VTT 总线端接，VDDQ 最小值为 1.35V。 此器件包含高速运算放大器，可提供出色的负载瞬变响应。 输出级可防止在 DDR-SDRAM 端接所需的应用中提供 1.5A 连续电流和最大 3A 的瞬态峰值电流时发生直通。 LP2996A 还包含一个 VSENSE 引脚（用于提供出色的负载调节），以及一个 VREF 输出（作为芯片组和 DIMM 的参考）。 LP2996A 的一个附加特性是具有一个低电平有效关断 (SD) 引脚，该引脚提供“挂起到 RAM”(STR) 功能。 当 SD 下拉时，VTT 输出将变为三态，并提供高阻抗输出，但 VREF 将保持有效。 在此模式下，可通过较低的静态电流获得节能优势。
浏览次数：
5
2022/9/28 13:21:55
TPS53317A 器件是一款设计为主要用于 DDR 终端的集成场效应晶体管 (FET) 同步降压稳压器。 它能够提供一个值为 ½ VDDQ的经稳压输出，此输出具有吸收电流和源电流功能。 TPS53317A 器件采用 D-CAP+ 运行模式，简单易用，所需外部组件数较少并可提供快速瞬态响应。 该器件还可用于其他电流要求高达 6A 的负载点 (POL) 稳压应用。此外，该器件支持具有严格电压调节功能的 6A 完整灌电流输出。该器件具有两种开关频率设定值（600kHz 和 1MHz），可提供集成压降支持、外部跟踪功能、预偏置启动、输出软放电、集成自举开关、电源正常功能、V5IN 引脚欠压锁定 (UVLO) 保护功能，支持采用陶瓷和 SP/POSCAP 电容。 该器件支持的输入电压最高可达 6V，而输出电压在 0.45V 至 2.0V 范围内可调。TPS53317A 器件采用 3.5mm × 4mm 20 引脚超薄四方扁平无引线 (VQFN) 封装（绿色环保，符合 RoHS 标准并且无铅），其中应用了 TI 专有的集成 MOSFET 和封装技术，其额定运行温度范围为 –40°C 至 85°C。
浏览次数：
4
2022/9/28 13:19:40
TPS51216-EP 以最少总成本和最小空间为 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存储器系统提供完整的电源。它将同步降压稳压器控制器 (VDDQ) 与 2A 灌电流/拉电流跟踪 LDO (VTT) 和缓冲低噪声基准 (VTTREF) 相集成。TPS51216-EP 采用 D-CAP? 模式与 300kHz/400kHz 频率相结合，以实现易用性和快速瞬态响应。VTTREF 跟踪 VDDQ/2 的精度优于 0.8%。能够提供 2A 灌电流/拉电流峰值电流功能的 VTT 只需 10?F 的陶瓷电容器。此外，还提供专用的 LDO 电源输入。 TPS51216-EP 提供丰富、实用的功能以及出色的电源性能。它支持灵活功率级控制，将 VTT 置于高阻抗状态（处于 S3）并在 S4/S5 状态下对 VDDQ、VTT 和 VTTREF 进行放电（软关闭）。
浏览次数：
3
2022/9/28 13:18:08
TPS51200-EP 器件是一款灌电流和拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器，专用于空间问题是重要考量因素的低输入电压、低成本、低噪声系统。TPS51200-EP 能够保持快速瞬态响应，最低仅需 20μF 输出电容。TPS51200-EP 支持远程感测功能并且可满足 DDR、DDR2、DDR3、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 总线的所有电源要求。此外，TPS51200-EP 还提供一个开漏 PGOOD 信号监测输出稳压，提供一个 EN 信号在 S3（挂起至 RA4M）期间针对 DDR 进行 VTT 放电。TPS51200-EP 采用带散热焊盘的高效散热型 10 引脚超薄小外形尺寸无引线 (VSON) 封装，无铅且绿色环保。其额定工作温度范围为 -55°C 至 +125°C。
浏览次数：
7
2022/9/28 13:13:31