AD8041是一款低功耗、高速电压反馈型高速放大器，采用+3 V、+5 V或±5 V电源供电。它具有单电源供电能力，输入电压范围从负供电轨以下200 mV至正供电轨1 V范围以内。输出电压摆幅可以扩展至各供电轨50 mV以内，以提供最大的输出动态范围。此外，其0.1 dB增益平坦度带宽为30 MHz，采用5 V单电源时的差分增益和相位误差分别为0.03%和0.03°。因此AD8041特别适合专业视频电子设备应用，如相机、视频切换器或任何高速便携式设备。低失真和快速建立特性则使它成为高速模数转换器的理想缓冲器件。AD8041具有高速禁用特性，可用于多路复用或降低功耗。禁用逻辑接口与CMOS或开路集电极逻辑兼容。AD8041提供低电源电流，可以采用3 V单电源供电。这些特性均非常适合对尺寸和功耗有严格要求的便携式和电池供电应用。采用5 V单电源时，AD8041具有160 MHz的宽带宽和160 V/µs的压摆率，因此它也能用于需要最高±6V双电源或3 V至12 V单电源的许多通用高速应用。应用功率敏感型高速系统视频切换器分配放大器A/D驱动器专业相机CCD成像系统超声设备（多通道）单电源多路复用器
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2025/9/3 14:50:10
AD844是一款高速单片运算放大器，采用ADI公司的结隔离互补双极（CB）工艺制造。它结合了高带宽和非常快的大信号响应以及出色的直流性能。虽然针对电流到电压应用和作为反相模式放大器进行了优化，但它也适用于许多非反相应用。AD844可以用来代替传统的运算放大器，但其电流反馈架构可以带来更好的交流性能、高线性度和异常干净的脉冲响应。这种运算放大器提供的闭环带宽主要由反馈电阻器决定，几乎与闭环增益无关。AD844不受传统运算放大器和其他电流反馈运算放大器固有的转换速率限制。对于一个完整的20V输出步长，峰值输出变化率可以超过2000V/µs。稳定时间通常为100ns至0.1%，基本上与增益无关。AD844可以以低失真将50欧姆负载驱动到±2.5 V，并具有80 mA的短路保护。特征•宽带：增益为-1时为60 MHz•宽带：增益为-10时为33 MHz•非常高的输出转换率•典型20 MHz全功率带宽，20 V p-p，RL=500Ω•快速沉降•差分增益误差：4.4 MHz时为0.03%•差分相位误差：4.4 MHz时为0.158•低静态电流：典型值为6.5 mA
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2025/9/3 14:48:15
OP37可提供与OP27一样的高性能，但前者的设计针对增益大于5的电路进行了优化。这一设计变更将压摆率提高到17V/µs，并将增益带宽积提高到63 MHz。OP37不仅具有OP07的低失调电压和漂移特性，而且速度更高、噪声更低。失调电压低至25 µV，最大漂移为0.6 µV/°C，因而该器件是精密仪器仪表应用的理想之选。极低噪声、低1/f噪声转折频率以及高增益(180万)，能够使低电平信号得到精确的高增益放大。利用偏置电流消除电路，OP37可实现±10nA的低输入偏置电流和7nA的失调电流。输出级具有良好的负载驱动能力。±10 V保证摆幅（600 Ω负载）和低输出失真使OP37成为音频应用的优质选择。特征• 低噪声• 低温漂：0.2 µV/°C（典型值）• 高速：17 V/µs压摆率，63 MHz增益带宽• 低输入失调电压：10 µV（典型值）• 出色的共模抑制比：126 dB（共模电压为11 V时）• 高开环增益：1,800,000
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2025/9/3 14:43:53
ACA2431是一款高度线性、高输出功率的集成射频放大器，专为有线电视前端和HFC分配系统而设计。该IC由两个并联放大器组成，在热增强表面贴装封装中针对极低失真、高输出功率和高崩溃点进行了优化。采用GaN输出级可最大限度地减少工作（偏置）电流，从而使其成为环保“绿色”倡议的绝佳选择。ACA2431在50至1218 MHz CATV下行频带上提供高增益，并在两个传输线平衡-不平衡转换器之间级联。特征50 至1218 MHz频率范围输出功率：+59 dBmV增益：1218 MHz时为28.5 dB单+24V电源工作电流：460 mA（电流调节保持线性至GaN放大器技术无卤素/符合RoHS标准低功耗应用的外部控制应用大功率高频HFC传输系统有线电视分配中深光纤节点的输出功率倍增器有线电视数字边缘QAM输出驱动器
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2025/9/2 15:33:32
AAT4674-1是Analogic Tech专用电源管理SmartSwitch™系列的成员。该设备是一个双输入单输出电源选择开关，设计用于由电池或输入电压高达6V的任何其他电源供电。AAT4674-1通过极低RDS（on）功率MOSFET将IN1上的电源电压连接到OUT，或将IN2连接到OUT。启用（EN）和选择（SEL）引脚电压控制内部功率MOSFET开关的操作状态。一旦启用，SEL引脚将在IN1和IN2输入之间切换。如果两个输入电压都低于UVLO，则AAT467-1输出浮动。如果其中一个输入电压高于UVLO阈值，则将该输入电压传递到输出端。这两个电源开关是限流的，限流阈值可以分别通过IIN1和IIN2引脚上的电阻器进行编程。AAT4674-1采用热增强、节省空间的无铅12针TSOPJW封装。4674-1规定在-40°C至+85°C的温度范围内运行。特征•输入电压供应范围：2.5V至6V•高度整合：▪ 反向阻断二极管▪ 电流感应▪ 可编程电流限制▪ 单控制引脚切换•切换前先断开▪ 转换期间的最小输出电压降•关断电流•热保护•TSOPJW-12包装应用•Bluetooth™耳机•手机•数码相机•MP3播放器•个人数据助理（PDA）•机顶盒
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2025/9/2 15:31:25
AA226-87是一款4位单正控GaAs IC FET数字衰减器。它需要隔直电容器、正电源电压（VS）和四个单独的正位控制电压（V1-V4）。AA226-87特别适用于需要高衰减精度、低插入损耗和低互调产物的场合。典型应用包括基站、无线数据和无线本地环路增益控制电路。特征● 衰减1 dB，高精度达到15 dB● 每个位有一个正控制（3-5V）● 低直流功耗● 小型低成本TSSOP-16塑料包装● 根据JEDEC J-STD-020，在260°C下提供无铅（Pb）和符合RoHS标准的MSL-1引脚配置图
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2025/9/2 15:29:47
MACOM的MASWSS0167是一款GaAs pHEMT MMIC单极双掷（SPDT）开关，采用无铅1.2 x 1.5 mm 6引脚PQFN封装。MASWSS0167非常适合需要低控制电压、低插入损耗、适度隔离、小尺寸和低成本的应用。典型的应用是用于将单独的接收功能连接到公共天线的无线LAN系统中的滤波器和天线切换，以及其他手机和通用切换应用。MASWSS0167是使用0.5微米栅极长度的GaAs pHEMT工艺制造的。该工艺具有完全钝化的性能和可靠性。特征低压操作：2.5V低插入损耗：0.3 dB@1 GHz隔离度：2.4 GHz时为34 dB0.5 微米GaAs pHEMT工艺无铅1.2 x 1.5毫米6导联PQFN封装无卤素“绿色”模塑料符合RoHS标准*和260°C回流兼容
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2025/9/1 14:34:29
MASW-011102是一款多功能、宽带、非反射、高隔离SPDT开关，采用无铅3mm 14引脚PQFN表面贴装塑料封装。该开关的工作范围为直流至30 GHz，并提供40 dB的隔离。宽带性能、快速切换和出色的稳定时间的结合使该设备成为许多应用的理想选择，包括测试和测量、电子战和宽带通信系统。MASW-011102采用MACOM的稳健工艺，具有全表面钝化功能，可实现高性能和高可靠性。特征•宽带性能•低插入损耗：30 GHz时为1.8 dB•高隔离度：40 dB@30 GHz•切换速度快•非反射配置•超低直流功耗•无铅3mm 14导联PQFN封装•符合RoHS标准应用•测试和测量
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2025/9/1 14:32:36
MASW-011060是公共阳极配置的高功率PIN二极管SP2T开关，工作频率为0.5至6.0 GHz。它具有低插入损耗和出色的线性度。该设备能够在85ºC的基板温度下处理100瓦CW的入射功率。这种高功率开关非常适合用于宽带、MIL-COM、IED和需要更高CW和脉冲功率操作的蜂窝应用。MASW-011060采用MACOM的混合制造工艺制造，其特点是高压PIN二极管和无源器件集成在4mm HQFN 20引线塑料封装中。特征•适用于大信号宽带应用•功率处理：100 W@85°C•插入损耗：4 GHz时为0.5 dB•隔离度：4 GHz时为35 dB•无铅4mm HQFN-20LD封装•符合RoHS标准应用• ISM / MM
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2025/9/1 14:30:34
MASW-010647是一款单片端接硅PIN二极管SPDT开关，专为X波段高功率、高性能应用而设计。该开关在8.0-10.5 GHz频带上处理大于20W的CW功率。该器件是一种创新的解决方案，具有0.8 dB的低插入损耗和37 dB的高隔离性能。MASW-010647集成了偏置网络，以简化偏置应用和开关控制。该器件还使用MACOM的专利HMIC™工艺制造，该工艺允许将硅基座集成在低损耗、低色散玻璃中，硅基座嵌入串联和分流二极管。这种非常小的芯片规模解决方案通过更小的尺寸、更少的组件数量以及更高的产量和可重复性使客户受益。该器件集成了偏置网络，并提供了+/-5V操作的简化偏置。特征•低插入损耗•高隔离度•低寄生电容和电感•全单片芯片，集成偏置网络•玻璃封装结构•+85°C时大于20 W的CW功率处理•氮化硅钝化•聚合物防刮保护•符合RoHS标准应用•航空航天与国防
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2025/9/1 14:27:45
MACOM的MASW-009444是一款GaAs pHEMT MMIC单极双掷（SP2T）开关，采用微型1x1mm 6引脚PDFN封装。MASW-009444非常适合需要低控制电压、低插入损耗、适度隔离和小尺寸的应用。典型的应用是将单独的接收功能连接到公共天线的手机系统中的滤波器和天线切换，以及其他相关的手机和通用应用。该部件可用于所有工作频率高达6 GHz、需要低控制电压高功率的系统。MASW-009444是使用0.5微米栅极长度的GaAs PHEMT工艺制造的。该工艺具有完全钝化的性能和可靠性。特征电压低至1.6V插入损耗：0.20dB@1GHz无铅1毫米6导联PDFN封装符合RoHS*标准，兼容260°C回流
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2025/9/1 14:25:46
MACOM的MASW-007921是一款宽带GaAs pHEMT MMIC SPDT开关，采用无铅2毫米8引脚PDFN封装。MASW-007921非常适合需要非常小尺寸和高线性度的应用。典型应用包括WiMAX、WLAN、Mesh网络、固定无线接入和其他更高功率系统。该开关具有非常高的初始压缩点，非常适合OFDM等具有较大峰值平均功率电平的复杂调制。MASW-007921是使用0.5微米栅极长度的GaAs pHEMT工艺制造的。该工艺具有完全钝化的性能和可靠性。特征非常适合高功率SPDT交换机应用，包括WiMAX、WLAN、Mesh网络和固定无线接入宽带性能：DC-7.0 GHz低插入损耗：0.65 dB@3.5 GHz，RFC到TX0.70 dB@3.5 GHz，RCF至RX高P0.1dB压缩：40 dBm@3V，3.5 GHz，RFC到TX快速沉降以满足低闸门滞后要求无铅2毫米8导联PDFN封装100% 铜表面镀锡无卤素“绿色”模塑料符合RoHS*标准，兼容260°C回流不对称设计，优化性能
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2025/9/1 14:21:40
MACOM的MASW-007813是一款GaAs pHEMT MMIC单极四掷（SP4T）高功率开关，采用低成本、低剖面、无铅3 mm PQFN 16引线封装。MASW-007813非常适合需要高功率、低控制电压、低插入损耗、高隔离、小尺寸和低成本的应用。典型应用是将单独的发射和接收功能连接到公共天线的GSM和DCS手机系统，以及CDMA手机和其他相关应用。MASW-007813可用于所有工作频率高达3 GHz、需要低控制电压高功率的系统。MASW-007813是使用0.5微米栅极长度的GaAs pHEMT工艺制造的。该工艺具有完全钝化的性能和可靠性。特征低压操作：2.5V低谐波：+34 dBm和1 GHz时低插入损耗：1 GHz时为0.7 dB高隔离度：2 GHz时为25 dB0.5 微米GaAs pHEMT工艺薄型无铅3mm PQFN封装无卤素“绿色”模塑料符合RoHS*标准，260°C回流兼容
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2025/9/1 14:18:06
MASW-000936是一款SPDT高功率、宽带、高线性、PIN二极管T/R开关，适用于0.05-6.0 GHz应用，包括WiMAX和WiFi。该设备采用行业标准的无铅4mm PQFN塑料封装。该器件采用MACOM的低损耗、高隔离开关二极管工艺制造的PIN二极管管芯。特征•卓越的宽带性能•低插入损耗：TX=0.20 dB@2.7 GHz•高隔离度：RX=50 dB@2.7 GHz•高TX射频输入功率=120 W CW@2.0 GHz，+85°C•高TX RF输入峰值功率：1000 W•仅需要正直流偏压•表面安装4mm PQFN封装•符合RoHS*标准，兼容260°C回流焊应用适用于大功率LTE、TD-SCDMA、WiMAX和军用无线电应用
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2025/9/1 14:14:40
MASW-000834-13560T是一款SPDT宽带、高线性、共阳极、PIN二极管T/R开关，适用于0.05-6.0 GHz应用，包括WiMAX和WiFi。该设备采用工业标准4mm PQFN塑料包装。该器件采用MACOM的专利硅玻璃HMIC™工艺制造的PIN二极管管芯。该芯片具有两个嵌入低损耗、低色散玻璃中的硅基座。二极管形成在每个基座的顶部。顶侧完全被氮化硅封装，并具有额外的聚合物钝化层。这些聚合物保护涂层可防止搬运和组装过程中的损坏和污染。这款紧凑的4mm PQFN封装SPDT开关具有0.05-6.0 GHz的宽带性能，在TX和RX状态下都具有出色的隔离损耗比。PIN二极管在2010 MHz下提供50 W的典型C.W.功率处理和65 dBm的IIP3，以获得最大的开关性能。特征·卓越的宽带性能，0.05-6.0 GHz·适用于超高功率TD-SCDMA和WiMAX应用·高Tx RF输入峰值功率1000 W·高TX射频输入功率=50 W C.W.@2010MHz·高隔离度：Rx=36dB@3.5 GHz，20mA/5V·高隔离度：Rx=44dB@2010 MHz，20mA/5V·低损耗：TX=0.38 dB@3.5 GHz，5V/20mA·低损耗：TX=0.33 dB@2010 MHz，5V/20mA·表面贴装4mm PQFN封装，符合RoHS*标准
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2025/9/1 14:12:42
MASW-011120是一款SPDT高功率、宽带、高线性、PIN二极管T/R开关，适用于0.03-6.0 GHz的高功率应用。该设备采用行业标准无铅5mm HQFN塑料封装。该器件采用低损耗、高隔离开关二极管工艺制造的PIN二极管管芯。MASW-011120可用于任何需要低损耗、高隔离和高功率处理SPDT的应用。特征·宽带性能·无铅5毫米20导联HQFN封装·符合RoHS标准·专为高功率TDD-LTE应用而设计·2.7 GHz时的功率处理：200 W CW@+85ºC·2.7 GHz时的高隔离度：RX=44 dB·2.7 GHz时的低损耗：TX=0.25 dB RX=0.35 dB
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2025/9/1 14:08:34
MAAL-011141是一款易于使用的宽带低噪声分布式放大器芯片。它的工作范围为直流至28 GHz，在8 GHz时提供17.5 dB的线性增益、16 dBm的P1dB和1.4 dB的噪声系数。输入和输出完全匹配50Ω 典型的回波损耗15dB。该放大器采用有源端接电路，在频率范围的下端实现比使用传统电阻端接技术更低的噪声系数。该产品采用GaAs pHEMT工艺制造，该工艺具有完全钝化的特点，可提高可靠性。MAAL-011141可用作低噪声放大器级或更高功率应用中的驱动器级。该设备非常适合测试和测量、电子战、ECM和雷达应用。特征•超宽带性能•噪声系数：8 GHz时为1.4 dB•高增益：8 GHz时为17.5 dB•输出IP3:27.5 dBm@8 GHz•偏置电压：VDD=5-6V•偏置电流：IDSQ=60-100mA• 50 Ω 匹配的输入/输出•仅限正电压•无铅5毫米32导联AQFN封装•符合RoHS标准应用程序•测试与测量、电子战、电子对抗和雷达
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2025/8/29 14:34:59
MAAL-011129是一款易于使用的三级低噪声放大器，具有高增益和宽带50Ω匹配。它的设计工作频率为18至31.5 GHz，采用无铅2x2 mm 8引脚PDFN塑料封装。MAAL-011129具有集成有源偏置电路和偏置三通，允许直接连接到VDD，而无需外部扼流圈或直流块。偏置电流由简单的外部电阻器RB设置，因此用户可以定制功耗。当VBIAS=0 V时，设备可以置于断电模式。MAAL-011129提供了一种表面安装、易于使用、低噪声的放大器解决方案，非常适合VSAT、点对点和24 GHz ISM等各种接收器应用。特征噪声系数：2.5 dB@24 GHz高增益：24 GHz时为23 dB50 Ω 输入和输出匹配单电压偏置：3 V至5 V范围集成有源偏置电路电流可在1mA-80mA范围内调节无铅2毫米8导联PDFN封装无卤素“绿色”模塑料符合RoHS标准
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2025/8/29 14:32:07