TL0302H是一款高增益、超低噪声放大器（LNA），可提供高增益和线性度。在上述频带内，该器件表现出1.4 dB的出色噪声系数和出色的增益平坦度。LNA在3.3V和15mA的典型偏置条件下运行。TL0302H在输入和输出端口内部匹配为50Ω。TL0302H采用紧凑、低成本的DFN 1.5 x 1.5 x 0.8 mm 6针塑料封装。特性●6.6 GHz时的小信号增益：13.6 dB●6.6 GHz时的噪声系数：1.4 dB●6.6 GHz时的IP1dB:0.5 dBm●3.3 V典型工作电压●工作频率：5.925至7.125 GHz应用●IEEE 802.11 b/g/a/n/ac Wi-Fi、WLAN●小型蜂窝和蜂窝中继器●4G基础设施无线电●相控阵雷达
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2025/4/24 13:51:46
TL0301H是一款高增益、超低噪声放大器（LNA），可提供高增益和线性度。在上述频带内，该器件表现出1.0 dB（SMA-SMA）的出色噪声系数，具有出色的增益平坦度。LNA在3.3V和15mA的典型偏置条件下运行。TL0301H在输入和输出端口内部匹配为50Ω。TL0301H采用紧凑、低成本的DFN 1.5x1.5x0.8mm 6针塑料封装。特性●5.5 GHz时的小信号增益：17.8 dB●5.5 GHz时的EVB NF:1 dB●5.5 GHz时的IP1dB:-4.5 dBm●3.3 V典型工作电压●工作频率：4.9至6.0 GHz应用●IEEE 802.11 b/g/a/n/ac Wi-Fi、WLAN●小型蜂窝和蜂窝中继器●4G基础设施无线电●相控阵雷达
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2025/4/24 13:46:50
TL0375J是TL0374J的高频版本，它是一种宽带、超低噪声放大器（LNA）。通过简单的输入和输出匹配，该LNA可以针对LTE（小型蜂窝和基础设施）、雷达和任何其他需要低噪声、高增益和线性的应用进行不同频带的调谐。TL0375J采用紧凑、低成本的双扁平无引线（DFN）2x2x0.75mm、8针塑料封装。特性●3600MHz时的小信号增益：17.5dB●3600MHz时的噪声系数：0.4dB●3600MHz时的P1dB:19.5dBm●5V典型工作电压●工作频率：2.0至5.0GHz应用●4G/5G基础设施无线电●小型蜂窝和蜂窝中继器●相控阵雷达●SDARS
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2025/4/24 13:38:44
TL0374J是一款宽带超低噪声放大器（LNA），可提供高增益和线性度。通过简单的输入和输出匹配，该LNA可以针对针对LTE（小型蜂窝和基础设施）的不同频带以及需要低噪声、高增益和线性的任何其他应用进行调谐。对于3GHz的频带，可以考虑TL0375J。TL0374J采用紧凑、低成本的双扁平无引线（DFN）2x2x0.75mm、8针塑料封装。特性●1800MHz时的小信号增益：21.5dB●1800MHz时的噪声系数：0.35dB●1800兆赫时的P1dB:18.5dBm●5V典型工作电压●工作频率：0.4至3.0GHz应用●4G/5G基础设施无线电●小型蜂窝和蜂窝中继器●相控阵雷达●SDARS
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2025/4/24 13:31:57
TS74230L是一款对称反射式单刀双掷（SPDT）开关，专为宽带、高峰值功率开关应用而设计。其从1MHz到3GHz的宽带性能使TS74230L成为所有在小封装TS74230L尺寸内需要低插入损耗、高隔离和高线性的应用的优秀开关。此部件禁用了内部电荷泵，以消除电荷泵杂散。VCP引脚上需要-17至-18V的电源。TS74230L采用紧凑型四扁平无引脚（QFN）4x4mm 32引脚塑料封装。特性●低插入损耗：0.40dB@800MHz●高隔离度：800MHz时为43dB●高线性功率处理能力●多功能2.6-5.5V Vdd电源●-18V的Vcp电源●43dBm热切换能力应用●私人移动无线电手机●公共安全手机●蜂窝基础设施●低功率的无线接入节点●LTE中继和微蜂窝
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2025/4/23 10:54:46
TS72250K是一款对称反射式单刀双掷（SPDT）开关，专为宽带、高峰值功率开关应用而设计。TS72250K在10MHz至6GHz频率范围内的宽带性能使其成为所有需要低插入损耗、高隔离度和高线性度的小型封装应用的优秀开关。此部件禁用了内部电荷泵，以消除电荷泵杂散。VCP引脚上需要-17V电源。TS72250K采用紧凑的四方扁平无引脚（QFN）3x3mm 16引脚塑料封装。特性●低插入损耗：0.35dB@800MHz●高隔离度：800MHz时45dB●高峰值功率处理能力●射频线路上没有外部隔直电容器●40dBm CW热切换能力●所有射频端口关闭状态●多功能2.6-5.5V电源●工作频率：10MHz至6GHz应用●私人移动无线电手机●公共安全手机●蜂窝基础设施●低功率的无线接入节点●LTE中继和微蜂窝●卫星终端
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2025/4/23 10:51:40
TS80430N是第二代对称反射单极四掷（SP4T）开关，专为宽带、高功率开关应用而设计。通过简单的宽带匹配，TS80430N可以覆盖30M至1.0GHz的带宽，并在小封装尺寸内提供低插入损耗、高隔离和高线性。TS80430N是一款出色的开关，适用于在小封装尺寸内需要低插入损耗、高隔离和高线性的所有应用。此部件禁用了内部电荷泵，以消除电荷泵杂散。VCP引脚上需要-18V电源。TS80430N采用紧凑型四扁平无引脚（QFN）5x5mm 32引脚塑料封装。特性•低插入损耗：0.37dB@1GHz•高隔离度：400MHz时为45dB，1GHz时为36dB•100W CW，200W峰值功率•射频线路上没有外部隔直电容器•多功能2.6-5.25V电源•工作频率：30MHz至1.0GHz，匹配30MHz至2.5GHz应用•私人移动和军用无线电•公共安全手机•蜂窝基础设施•低功率的无线接入节点•LTE中继和微蜂窝•卫星终端
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2025/4/23 10:46:59
TS85410L是一款对称反射式单极四掷（SP4T）开关，专为宽带、高功率开关应用而设计。TS85410L在30MHz至3.0GHz频率范围内的宽带性能使其成为所有需要低插入损耗、高隔离度和高线性度的小型封装应用的优秀开关。部分也可以在30MHz以下使用，同时降低功率处理。此部件禁用了内部电荷泵，以消除电荷泵杂散。VCP引脚上需要-18V电源。TS85410L采用紧凑型四扁平无引脚（QFN）4x4mm 32引脚塑料封装。特性●低插入损耗：800MHz时为0.25dB●高隔离度：800MHz时45dB●高线性功率处理能力●射频线路上没有外部隔直电容器●多功能2.6-5.5V电源●低噪音应用禁用内部电荷泵应用●私人移动无线电手机●公共安全手机●蜂窝基础设施●低功率的无线接入节点
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2025/4/23 10:42:32
TS80220L是第二代对称反射单极双掷（SPDT）开关，专为宽带、高功率开关应用而设计。通过简单的宽带匹配，TS80220L可以覆盖30M至6GHz的带宽，并在小封装尺寸内提供低插入损耗、高隔离和高线性。TS80220L是一款出色的开关，适用于在小封装尺寸内需要低插入损耗、高隔离和高线性的所有应用。此部件禁用了内部电荷泵，以消除电荷泵杂散。VCP引脚上需要-18V电源。TS80220L采用紧凑型四扁平无引脚（QFN）4x4mm 32引脚塑料封装。特性•低插入损耗：0.5dB@4GHz•高隔离度：0.8GHz时为42dB，4GHz时为20dB•50W CW，125W峰值功率•射频线路上没有外部隔直电容器•所有射频端口均处于关闭状态•多功能2.6-5.25V电源•工作频率：30MHz至6GHz•低噪音应用禁用内部电荷泵应用•私人移动和军用无线电•公共安全手机•蜂窝基础设施•小细胞•LTE中继和微型蜂窝•卫星终端
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2025/4/23 10:38:11
TS80210N是第二代对称反射单极双掷（SPDT）开关，专为宽带、高功率开关应用而设计。通过简单的宽带匹配，TS80210N可以覆盖30M至4GHz的带宽，并在小封装尺寸内提供低插入损耗、高隔离和高线性。TS80210N是一款出色的开关，适用于所有需要在小封装尺寸内实现低插入损耗、高隔离和高线性的应用。此部件禁用了内部电荷泵，以消除电荷泵杂散。VCP引脚上需要-18V电源TS80210N采用紧凑型四扁平无引脚（QFN）5x5mm 32引脚塑料封装。特性•低插入损耗：0.5dB@4GHz•高隔离度：0.8GHz时为42dB，4GHz时为20dB•50W CW，125W峰值功率•射频线路上没有外部隔直电容器•所有射频端口均处于关闭状态•多功能2.6-5.25V电源•工作频率：30MHz至4GHz应用•私人移动和军用无线电•公共安全手机•蜂窝基础设施•小细胞•LTE中继和微蜂窝•卫星终端
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2025/4/23 10:34:44
TS84410L是一款对称反射式单极四掷（SP4T）开关，专为宽带、高功率开关应用而设计。TS84410L在30MHz至4.0GHz频率范围内的宽带性能使其成为所有需要低插入损耗、高隔离和小封装尺寸内高线性的应用的优秀开关。此部件禁用了内部电荷泵，以消除电荷泵杂散。VCP引脚上需要-17V电源TS84410L采用紧凑型四扁平无引脚（QFN）4x4mm 32引脚塑料封装。特性•低插入损耗：800MHz时为0.2dB•高隔离度：800MHz时38dB•30W CW功率处理能力•射频线路上没有外部隔直电容器•工作频率：30MHz至4.0GHz•多功能2.6-5.25V电源应用•私人移动无线电手机•公共安全手机•蜂窝基础设施•小细胞•LTE中继和微蜂窝•卫星终端•低噪音仪器
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2025/4/23 10:31:04
TS84230K是一款对称反射式单刀双掷（SPDT）开关，专为宽带、高峰值功率开关应用而设计。TS84230K在30MHz至5.0GHz频率范围内的宽带性能使其成为所有需要低插入损耗、高隔离和小封装尺寸内高线性的应用的优秀开关。此部件禁用了内部电荷泵，以消除电荷泵杂散。VCP引脚上需要-18V电源。TS84230K采用紧凑的四方扁平无引脚（QFN）3x3mm 16引脚塑料封装。特性低插入损耗：800MHz时为0.2dB高隔离度：800MHz时为45dB高CW功率处理能力20 W射频线路上没有外部隔直电容器所有射频端口均处于关闭状态多功能2.6-5.25V电源工作频率：30MHz至5.0GHz低噪音应用禁用内部电荷泵应用私人移动无线电手机公共安全手机蜂窝基础设施小电池（3×3mm QFN封装）LTE中继和微蜂窝卫星终端
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2025/4/23 10:02:04
TS82250K是一款对称反射式单刀双掷（SPDT）开关，专为宽带、高峰值功率开关应用而设计。TS82250K在30MHz至5.0GHz频率范围内的宽带性能使其成为所有需要低插入损耗、高隔离度和高线性度的小型封装应用的优秀开关。此部件禁用了内部电荷泵，以消除电荷泵杂散。VCP引脚上需要-17V电源。TS82250K采用紧凑的四方扁平无引脚（QFN）3x3mm 16引脚塑料封装。特性●低插入损耗：0.2dB@800MHz●高隔离度：800MHz时45dB●高CW功率处理能力20 W●射频线路上没有外部隔直电容器●所有射频端口关闭状态●多功能2.6-5.25V电源●工作频率：30MHz至5.0GHz应用●私人移动无线电手机●公共安全手机●蜂窝基础设施●小电池（3×3mm QFN封装）●LTE中继和微蜂窝●卫星终端
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2025/4/23 9:55:47
TS82420K是一款对称反射式单极四掷（SP4T）开关，专为宽带、高功率开关应用而设计。TS82420K在30 MHz至5.0 GHz频率范围内的宽带性能使其成为所有需要低插入损耗、高隔离和小封装尺寸内高线性的应用的优秀开关。此部件禁用了内部电荷泵，以消除电荷泵杂散。VCP引脚上需要-17V电源。TS82420K采用紧凑的四方扁平无引脚（QFN）3x3mm 16引脚塑料封装。特性●低插入损耗：0.2@800MHz●低插入损耗：0.3@2700MHz●高隔离度：40@800MHz●高隔离度：25@2700MHz●P0.1dB:40dBm CW，45dBm峰值功率●射频线路上没有外部隔直电容器●多功能2.6-5.25V电源●工作频率：30 MHz至5.0 GHz应用●私人移动无线电手机●公共安全手机●蜂窝基础设施●低功率的无线接入节点●LTE中继和微蜂窝●卫星终端
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2025/4/22 14:14:22
TS7021N是一款对称反射式单刀双掷（SPDT）开关，专为宽带、高功率开关应用而设计。通过简单的宽带匹配，TS7021N可以覆盖500M至2.7GHz的带宽，并在小封装尺寸内提供低插入损耗、高隔离和高线性。TS7021N是一款出色的开关，适用于在小封装尺寸内需要低插入损耗、高隔离和高线性的所有应用。TS7021N采用紧凑型四扁平无引脚（QFN）5x5mm 32引脚塑料封装。特性●低插入损耗：0.65dB@1.9GHz●高隔离度：1.9GHz时为37dB●高线性功率处理能力●射频线路上没有外部隔直电容器●所有射频端口关闭状态●多功能2.6-5.5V电源●工作频率：500MHz至2.7GHz应用●私人移动和军用无线电●公共安全手机●蜂窝基础设施●低功率的无线接入节点●LTE中继和微蜂窝●卫星终端
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2025/4/22 14:08:35
TS7523N是一款对称反射式单刀双掷（SPDT）开关，专为宽带、高功率开关应用而设计。它针对30MHz至4GHz带宽进行了优化，在小封装尺寸内提供低插入损耗、高隔离和高线性。TS7523N是一款出色的开关，适用于在小封装尺寸内需要低插入损耗、高隔离和高线性的所有应用。TS7523N采用紧凑型四扁平无引脚（QFN）5x5mm 32引脚塑料封装。特性●低插入损耗：500MHz时为0.30dB●高隔离度：47dB@500MHz●高线性功率处理能力●射频线路上没有外部隔直电容器●所有射频端口关闭状态●多功能2.6-5.5V电源●工作频率：30MHz至4.0GHz应用●私人移动和军用无线电●公共安全手机●蜂窝基础设施●低功率的无线接入节点●LTE中继和微蜂窝●卫星终端
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2025/4/22 14:05:40
TS7523N是一款对称反射式单刀双掷（SPDT）开关，专为宽带、高功率开关应用而设计。它针对30MHz至4GHz带宽进行了优化，在小封装尺寸内提供低插入损耗、高隔离和高线性。TS7523N是一款出色的开关，适用于在小封装尺寸内需要低插入损耗、高隔离和高线性的所有应用。TS7523N采用紧凑型四扁平无引脚（QFN）5x5mm 32引脚塑料封装。特性●低插入损耗：500MHz时为0.30dB●高隔离度：47dB@500MHz●高线性功率处理能力●射频线路上没有外部隔直电容器●所有射频端口关闭状态●多功能2.6-5.5V电源●工作频率：30MHz至4.0GHz应用●私人移动和军用无线电●公共安全手机●蜂窝基础设施●低功率的无线接入节点●LTE中继和微蜂窝●卫星终端
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2025/4/22 14:00:52
TS7521N是一款对称反射式单刀双掷（SPDT）开关，专为宽带、高功率开关应用而设计。通过简单的宽带匹配，TS7521N可以覆盖500M至3.8GHz的带宽，并在小封装尺寸内提供低插入损耗、高隔离和高线性。TS7521N是一款出色的开关，适用于在小封装尺寸内需要低插入损耗、高隔离和高线性的所有应用。TS7521N采用紧凑型四扁平无引脚（QFN）5x5mm 32引脚塑料封装。特性●低插入损耗：0.55dB@1.9GHz●高隔离度：33dB@1.9GHz●高线性功率处理能力●射频线路上没有外部隔直电容器●所有射频端口关闭状态●多功能2.6-5.5V电源●工作频率：500MHz至3.8GHz应用●私人移动和军用无线电●公共安全手机●蜂窝基础设施●低功率的无线接入节点●LTE中继和微蜂窝●卫星终端
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2025/4/22 13:53:52