Bourns近日推出了全新的 5.0SMDJ系列瞬态电压抑制（TVS）二极管。该系列产品采用紧凑的 DO-214AB封装，在节省宝贵PCB空间的同时，为设备提供了ESD防护韧性。系列共包含13款单向与8款双向型号，为设计师应对各类端口保护需求提供了灵活、可靠的解决方案。该系列具备高效能能量吸收与箝位能力，使设计人员可在 12 V 至 30 V 的广泛工作峰值反向电压范围内选择适用型号。5.0SMDJ 系列的峰值脉冲功率可达 5,000 瓦，击穿电压最高可达 36.8 V，典型箝位响应时间在击穿启动后小于 1 奈秒。此外，该系列亦已通过 JEDEC 标准测试。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
浏览次数：
0
2025/12/4 11:05:15
意法半导体（ST）宣布对其ST87M01系列NB-IoT无线模块进行重要扩充，同步推出了功能更为强大的开发生态系统。此次升级的核心目的在于显著降低基于窄带蜂窝网络的智能物联网设备的开发门槛与周期，助力开发者高效地将创意转化为成熟应用。新模块及其生态将重点服务于智能物流追踪、精细化环境监控、智慧城市照明与停车管理、工业设备预测性维护、畜牧宠物安全管理、智能安防及远程健康监护等多个前沿领域。ST87M01是一款高性能、完全可编程、超紧凑、低功耗的LTE Cat NB2 NB-IoT工业模块系列，提供全面的全球频段覆盖和安全功能。ST87M01系列旨在满足各种应用需求，提供多种可配置选项，包括GNSS、Wi-Fi定位、嵌入式SIM和无线M-Bus（WBUS）。集成的GNSS功能通过GPS星座实现精确的位置跟踪，而Wi-Fi定位功能则使用附近的802.11b网络与第三方地理编码提供商结合提供快速、低功耗的位置服务。无线M-Bus在蜂窝网络覆盖范围有限的环境中充当可靠的备用通信信道。嵌入式SIM选项优化了电路板空间并降低了BOM的复杂性。ST87M01模块支持多种物联网协议，包括PDU SMS服务和互联网协议，如TCP/IP、TLS/DTLS、CoAP、LwM2M、MQTT和HTTP/HTTPS，可实现多种连接和应用场景。超紧凑的LGA封装（10.6 mm x 12.8 mm，51个引脚）使ST87M01系列成为空间受限设计的理想选择，在不影响性能的情况下促进了设备的小型化。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
浏览次数：
0
2025/12/4 10:55:25
大联大控股旗下世平集团，近日正式发布一款高性能汽车12V电池管理系统（BMS）应用方案。该方案深度融合恩智浦（NXP）关键技术，以符合功能安全标准的S32K312微控制器为核心，结合高精度电池监测前端芯片MC33772C，构建了一套从电芯数据精准采集、智能状态估算到多重硬件保护的完整硬件参考设计，旨在助力客户提升低压电池系统的可靠性、效率与使用寿命，加速相关产品开发进程。当前，汽车12V BMS系统面临多重挑战，被动均衡技术因其效率低、速度慢，已成为制约电池组寿命提升的核心瓶颈。同时，在复杂工况与电池老化下，保持高精度的电量状态估算极为困难。此外，系统还需在紧凑空间内解决高压差电池间的均衡散热与电磁干扰问题，并确保数据采集的绝对可靠性，这对硬件设计与系统集成提出了严苛要求。大联大世平基于NXP S32K312 MCU与MC33772C AFE推出的汽车12V BMS应用方案，能实时监控电池电压、电流，精准评估电量状态，助力用户优化能源使用。本方案通过优化充放电过程，提升电池使用效率，减少能量损耗，确保电池组中各单体电池均衡充电，防止个别电池过充或欠充，提升延长整体使用寿命。基于NXP产品的汽车12V BMS应用方案采用的NXP S32K312 MCU是一款32位汽车级微控制器，专为汽车和工业市场设计。它集成了丰富的外设接口和高性能计算能力，非常适合需要高级集成和优化的复杂应用场景。其核心特性包括高集成度、低功耗、高性能以及灵活的内存配置，支持实时操作系统（RTOS）运行，为实时控制应用提供稳定平台。此外，它还提供了丰富的安全功能和加密模块，以保护关键应用和数据安全。为了管理12V电池模块，开发板集成了4路电压与5路温度采集通道（含2路板载、3路外部接口），全面监测电池包状态。其具备硬件充放电过流保护、诊断信息上报、高精度SOC估算及被动均衡等功能，有效保障电池组安全，提升寿...
浏览次数：
0
2025/12/4 10:50:20
AD4081 是一款高速、低噪声、低失真、20 位 Easy Drive 逐次逼近寄存器（SAR）型模数转换器（ADC）。其在超过 1 MHz 的信号频率下仍能保持高于 90 dBFS 的 SINAD，适用于各种精密、宽带宽数据采集系统。通过过采样与片内数字滤波/降采样，可简化输入抗混叠滤波器设计，在允许稍高延迟的应用中进一步降低噪声与输出数据率。Easy Drive 特性减少信号链复杂度与功耗，提高通道密度，并放宽对周边器件的选型要求。其输入结构几乎不产生与输入信号相关的电荷注入，显著减小 ADC 自身引起的建立误差；连续采样架构在整个转换周期内都允许建立，降低了对驱动放大器的带宽要求。片内集成低漂移基准缓冲器、LDO（为模拟核与数字接口供电）、16 K 采样深度的结果 FIFO，可大幅减轻数字主机的负担；关键的去耦电容也被封装在内部，确保最佳性能、简化 PCB 布局并缩小整体方案尺寸。主要性能采样率：20 MSPS，转换延迟 77.5 nsINL：±4 ppm（典型），±8 ppm（最大）动态范围：94.6 dBFS1 kHz：SNR 94 dB，THD –117.3 dB（典型）1 MHz：SNR 93.7 dB，THD –103.7 dB（典型）噪声谱密度：–164.6 dBFS/Hz20 位分辨率，无丢码低功耗20 MSPS、–0.5 dBFS 正弦输入时典型 68.6 mWEasy Drive 全差分输入6 V p-p 差分输入范围连续信号采集，线性化输入电流 5 μA/MSPS片内集成低漂移基准缓冲与去耦、共模电压 Vcm 生成数字功能与接口16 K 采样深度转换结果 FIFO数字平均滤波器，最高 210 倍降采样SPI 配置，支持多种数据接口：– 单通道 DDR 串行 LVDS，400 Mbps/通道– 双通道 DDR 串行 LVDS，2...
浏览次数：
0
2025/12/3 13:21:58
圣邦微电子正式推出SGM6000系列同步降压转换器，该器件凭借1.75V至5.5V的宽输入电压范围、低至300nA的超静态电流以及高达700mA的输出电流，为电池供电的便携式与物联网设备提供了兼具高效能与长续航的电源解决方案。其微型化的设计特别适用于对功耗和体积极为敏感的应用场景。详细概述SGM6000系列是一款低压、高效的微型同步降压转换器，具备300nA的超低静态电流。该器件的关断电流典型值为6nA，静态电流为300nA，能进一步延长电池供电应用的使用寿命。它可支持最高700mA的负载范围，峰值效率达96%；同时扩展了高效工作区间，在1.75V至5.5V的输入电压范围内，仍能保持超低静态电流，非常适合电池供电应用，可有效延长设备使用时长。SGM6000采用绿色WLCSP-1.31×0.89-6B封装。特征1.75V 至 5.5V 输入电压范围可编程输出电压SGM6000A：VSET 引脚可选输出电压为 0.7V 至 3.3VSGM6000B：固定 VOUT 电压范围为 0.6V、0.8V、1.2V 和 1.8V300nA 超低静态电源电流6nA 关断电流700mA 输出电流峰值效率高达 96%，10μA 电流时效率超过 88%全温度范围内输出电压精度为 ±2.6%在多种使用情况下保护系统主动放电功能外部元件数量最少采用绿色 WLCSP-1.31×0.89-6B 封装应用便携式、空间受限的消费产品可穿戴电子产品耳机和耳塞超低功耗物联网、窄带物联网和蓝牙单节锂离子 (Li+) 和纽扣电池产品有线或无线工业产品如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件商城。
浏览次数：
1
2025/12/2 11:13:09
Littelfuse公司是一家多元化的工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。新推出两款下一代隧道磁阻 （TMR） 磁性开关： LF21112TMR全极开关 以及 LF11215TMR双极开关。这两款紧凑型器件具有出色的磁灵敏度、热稳定性和超低功耗，为智能电表、可穿戴设备、消费电子产品、工业自动化和家庭安全系统提供节能传感解决方案。通过将TMR技术与超低功耗CMOS设计相结合，这两款开关相较于传统的霍尔效应传感器和旧式磁性开关技术，均展现出卓越的性能表现。这些产品的推出标志着Littelfuse磁传感器产品组合向电池敏感型和常开应用领域的重大拓展。LF21112TMR：公司首款全极TMR开关，能够同时检测南北磁极，使磁体放置更灵活，并简化了设计。典型电流消耗仅为200nA，是超低功耗应用的理想选择。LF11215TMR：一款双极数字TMR开关，以1.5 μA的超低电流消耗和仅17高斯的高磁灵敏度提供高速、精确检测。在需要定向检测的更复杂传感应用中表现出色。全极开关（如LF21112TMR）在暴露于任一磁极时都会触发响应，非常适合空间受限的设计和难以控制磁体对准的应用。双极开关（如LF11215TMR）由特定磁极（通常为北极）触发，并由相反磁极（南极）复位。这种方向灵敏度对于需要旋转或方向感应的应用非常有利。主要功能与特色两种器件均采用紧凑型SOT23-3封装，并具有以下特点：TMR技术可实现更高的灵敏度和热稳定性；推挽式CMOS输出，提供干净的数字信号；施密特触发器输入可降低噪声并提高可靠性；出色的抗外磁干扰能力；宽工作电压：1.8V至5.0V。这些开关可帮助工程师设计出更小、更智能、更节能的产品，同时降低机械复杂性并延长电池寿命。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如...
浏览次数：
1
2025/12/2 11:03:22
英飞凌科技股份公司近日正式发布MOTIX™ TLE994x与TLE995x系列电机控制系统级芯片（SoC），进一步扩展其32位电机控制产品阵容。这两款产品专为汽车中的有刷直流电机（BDC）和无刷直流电机（BLDC）设计，适用于从电动汽车电池冷却系统到座椅调节、车窗控制等多种场景。随着汽车电动化进程加速，电机数量持续增长，对可靠性、集成度与成本控制提出更高要求。英飞凌凭借在电机控制领域的深厚技术积累，将丰富功能、功能安全与网络安全特性高度集成于单颗芯片中。TLE994x（双相，BDC）与TLE995x（三相，BLDC）均采用高度集成架构，将栅极驱动器、Arm® Cortex®-M23内核微控制器、通信接口与电源管理单元整合于单一芯片，显著缩小系统面积并降低整体成本。芯片搭载最高40MHz的Cortex-M23内核，集成闪存与RAM，支持场定向控制（FOC），确保电机高效精准运行。此外，新产品外设资源更加丰富，支持CCU7生成灵活PWM信号，并具备LIN报文自动处理能力，可有效减轻CPU负载。全系列产品均符合ISO 26262功能安全标准，支持ASIL B等级，满足汽车关键应用对可靠性的严苛要求。芯片集成Arm® TrustZone®技术，为系统提供硬件级安全基础，助力实现更稳固的网络安全防护。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
浏览次数：
1
2025/12/1 10:15:02
Bourns新推出了全新的SMLJ-R系列瞬态电压抑制（TVS）二极管。该系列产品以其高效的能量吸收和精准的钳位能力，为便携式通信、计算和视频设备提供了可靠的浪涌防护解决方案。SMLJ-R瞬态电压抑制器（TVS）二极管 专为在DO-214AB（SMC）紧凑型芯片封装尺寸格式中设计用于浪涌和静电放电（ESD）保护。这些TVS二极管的工作峰值反向电压范围为12V至30V，击穿电压高达36.8V，峰值脉冲功率为3000W。典型快速响应时间为1ps以下（单向器件）以及5ps以下（双向器件），从0V到最小击穿电压。SMLJ-R TVS二极管采用可回收、防静电封装，符合ISO 14001低冲击能源标准。这些TVS二极管符合RoHS标准以及符合JEDEC标准。SMLJ-R TVS二极管非常适合便携式通信和计算设备以及视频设备。SMLJ-R系列TVS二极管采用紧凑的DO-214AB封装，兼具高功率耗散和灵活的配置选项。其工作峰值反向电压范围覆盖12 V至30 V，功率耗散能力高达3000瓦，能够有效吸收瞬时高能量冲击，防止设备因电压波动而损坏。此外，该系列提供13种单向型号和8种双向型号，使设计人员能够根据具体应用需求选择最合适的组件，大大提升了设计灵活性。应用便携式通信计算和视频设备电气特性（@ 25°C）免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
浏览次数：
1
2025/12/1 10:08:43
三星电子于27日宣布，他们成功研发出一种可将电力消耗最多降低96%的新型NAND闪存技术。这项基础性研究首次在全球范围内发现了一种核心机制，利用铁电材料可将现有NAND闪存的功耗降低高达96%，为解决AI时代的电力危机提供了关键技术方案。这项突破性成果由三星综合技术院（SAIT）与半导体研究所共34名研究人员共同完成，相关论文《用于低功耗NAND闪存的铁电晶体管》已发表于国际顶级学术期刊《自然》。研究团队重新审视了长期以来被视为“不适合高性能芯片”的氧化物半导体材料，发现其较高的“阈值电压”特性反而可在高堆叠层数的3D NAND结构中有效抑制漏电流，从而显著提升能效。传统NAND闪存采用“单元串”结构，随着存储密度提升、堆叠层数增加，即使在关闭状态下也会产生不可忽视的漏电流，导致读写功耗持续上升。而三星的新技术通过引入铁电晶体管，精准控制低于阈值电压的电流流动，在维持高存储容量的同时，大幅削减能耗。据测算，相较现有NAND闪存，新技术可实现最高96%的功耗降低。一旦实现商业化，不仅有助于AI数据中心降低运营成本，还将延长智能手机等移动设备的电池续航时间。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
浏览次数：
1
2025/12/1 9:55:55
目前愈演愈烈的存储产品涨价态势正对 PC 硬件产业造成严重影响。CyberPowerPC近日正式宣布，12 月 7 日上调产品定价，这是因为近来全球内存价格上涨了 500%、固态硬盘价格上涨了 100%，自 10 月初以来对组装成本带来了直接压力。该公司向客户承诺，这仅是"暂时性调整"，并表示一旦成本压力缓解，价格将相应回调。然而，业界分析指出，这一涨价趋势很可能持续到2026年，其中存储芯片价格近期已暴涨500%，固态硬盘价格也录得100% 的惊人涨幅。供应管控：亚太地区出台严格措施面对严峻的供应形势，全球各地经销商已采取极端应对策略。日本零售商从11月初开始实施存储模块限售政策，而台湾经销商则推出强制性捆绑销售方案，要求采购者必须同时购买DRAM和主板。这些措施反映出当前存储供应链已陷入严重紧张状态。零售变革：定价机制发生根本转变存储价格上涨的冲击波已传导至零售终端。Micro Center开始移除内存套装上的固定价格标签，部分门店甚至直接从固定定价模式转向现货价格机制，标志着存储产品定价方式正在发生根本性变革。这种实时变动的定价策略显示出市场正面临前所未有的不确定性。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
浏览次数：
1
2025/12/1 9:51:39
金升阳积极响应，推出全新高功率密度——LOFxxx-20BxxR2系列开板机壳电源，该系列涵盖200-600W多种功率选择（200/300/400/600W），以高效节能、安全稳定、超小体积为核心优势，为工业自动化、安控系统、智能家居等领域提供高品质电源解决方案。该系列在上一代产品的基础上进行全面升级，具备输入电压范围宽（80-264VAC/110-370VDC），工作温度范围宽（-40℃to+85℃），效率高（95%），提供3年质保，为客户应用提供稳定安全的电源供应。一、产品优势1.电气性能与可靠性（1）宽输入电压范围：80-264VAC/110-370VDC（2）效率高达95%（600W），空载功耗0.5W（3）150%峰值功率持续3S输出，输出短路、过载、过压、过温保护（4）极低漏电流＜0.1mA，符合2XMOPP，适用于BF类医疗应用（5）超低噪音开关电源：全负载范围≤25dB2.环境适应性与坚固性（1）宽工作温度范围：-40℃to+85℃（2）基板覆涂三防漆，防腐防尘（3）小体积：在R1基础上提升功率密度（如400W同功率，R2系列产品高度下降28%）3.极致的安全性与电气隔离（1）符合IEC/EN/UL/BSEN62368-1、GB4943.1、IEC/EN60335-1、IEC/EN61558-1、IEC/EN/ES60601-1等认证标准（2）EMI符合CISPR32/EN55032ClassB标准（3）抗扰度符合IEC/EN61000-4系列标准4.R2系列产品与R1系列产品对比二、产品应用LOF-R2系列电源广泛适用于工业、商业、物联网设备，如自动烟尘检测仪、钥匙机、医疗X射线设备等。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
浏览次数：
1
2025/11/28 11:27:13
意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）今日发布了一款颠覆性的安全NFC芯片——ST25DA-C。这款芯片是业界首款为满足最新Matter1.5智能家居标准增强特性而设计的商用解决方案，旨在通过革命性的“碰一碰”配网方式，彻底解决智能家居设备安装繁琐、配置复杂的核心痛点，为用户带来前所未有的便捷、安全与可靠体验。“碰一碰”即连对于许多智能家居用户而言，将新设备添加到家庭网络往往是一个令人望而却步的步骤，涉及下载特定App、扫描二维码、等待蓝牙配对或输入复杂密码等一系列操作。意法半导体的ST25DA-C芯片正是为此而生。基于Matter1.5标准中新增的NFC设备配网功能，搭载ST25DA-C芯片的智能家居产品（如灯具、门锁、安防摄像头等）将实现“一步入网”。用户只需将手机靠近设备，即可在瞬间完成身份验证与网络配置，无需额外供电或复杂操作。这种极简的交互方式，不仅比传统的蓝牙或二维码方式更快捷、更可靠，还特别适用于安装位置不便触及（如嵌在天花板或墙壁内）的设备，极大降低了智能家居的安装与拓展门槛。技术内核ST25DA-C的强大之处在于其精妙的技术设计：极致易用性与可靠性：该芯片符合NFCForumType4标准，充分利用智能手机广泛支持的NFC功能。其独特的无源工作模式意味着芯片无需设备自身供电，可直接从手机的射频场中采集能量，从而执行Matter设备入网所需的关键加密运算。这不仅简化了设备设计，还确保了配网过程的高成功率与稳定性。专注安全性：在便捷的同时，安全性丝毫没有妥协。ST25DA-C继承了意法半导体成熟且经过市场检验的嵌入式安全技术。它能够为每台设备提供认证，并安全地存储密钥、证书和网络凭证，从根源上防止未授权设备的接入，为智能家居网络筑起一道坚固的安全防线。该芯片基于已通过CommonCriteria认证的硬件平台打造，并计划获得GlobalP...
浏览次数：
1
2025/11/28 11:20:09
ADF4382是一款专为高性能应用设计的锁相环(PLL)，特别适用于需要生成稳定且精确频率信号的场合，如5G无线基础设施、数据转换器时钟以及测试和测量设备。其集成了一个高性能的电压控制振荡器(VCO)，可产生从11 GHz到22 GHz的基本倍频范围内的频率，并通过输出分频器扩展至687.5 MHz至22 GHz的完整输出频率范围。主要特性与优势超高频率范围：ADF4382能够生成从687.5 MHz到22 GHz的频率，这使其成为高频通信系统（如5G）的理想选择。卓越的噪声性能：该器件具有极低的抖动（在20 GHz时积分RMS时基误差为20 fs或31 fs），非常适合对信号纯净度要求高的应用，比如高性能数据转换器时钟。快速校准能力：VCO自动校准时间小于100 μs，快校准时间甚至可达到多芯片相位对齐：通过SPI接口，ADF4382支持多芯片输出相位对齐，确保了多个设备间同步操作的准确性和一致性，这对于构建复杂的通信系统至关重要。精密延迟调整功能：提供分辨率小于1 ps的可编程输出延迟参考，使得在需要确定性延迟的应用中，可以实现极其精确的定时控制。应用领域高性能数据转换器时钟：ADF4382提供的超低抖动和高稳定性频率信号是数据转换器的理想时钟源，有助于提高ADC/DAC的信噪比(SNR)。无线基础设施：对于MC-GSM、5G乃至未来6G无线网络，ADF4382提供了必要的频率合成解决方案，确保了信号传输的可靠性和效率。测试和测量：在要求高精度和重复性的测试仪器中，ADF4382同样表现出色，例如频谱分析仪、信号发生器等。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
浏览次数：
1
2025/11/28 11:12:54
当地时间25日，美国惠普公司发布财报，并公布了一项全面的人工智能转型计划，希望通过人工智能技术降本增效，该公司当天同时宣布将会在全球范围内裁减大约10%的员工，公司股价在25日盘后一度下跌超过5%。计划在2028财年结束前，在全球范围内裁员4000至6000人，并实现每年节约10亿美元的目标。这些节省的资金将来自把人工智能工具应用于产品开发、客户支持、销售和制造等领域。此举反映了整个科技行业的一个趋势，即企业在大力投资人工智能开发的同时，利用这项技术降低运营成本，行业分析师表示，人工智能自动化对客户支持、内容审核、数据输入和某些计算机编程任务的影响尤其大。当天还公布了其2025财年全年财报，报告显示公司利润为每股3.12美元，同比下降9%。对于2026财年，惠普预计全年利润在每股2.90美元至3.20美元之间，低于分析师每股3.34美元的预期。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
浏览次数：
1
2025/11/27 13:47:55
高通技术公司宣布推出第五代骁龙8移动平台，该平台集卓越性能和前沿技术于一体，为旗舰移动体验树立新标杆。两大旗舰产品组合第五代骁龙8加入骁龙旗舰产品组合，为消费者提供更多选择和灵活性。该平台凭借强悍内核，彰显旗舰本色，能够满足用户对于前沿功能日益增长的需求，涵盖AI、影像创新以及沉浸式游戏体验等。让智能手机化身贴心伙伴借助全新骁龙8系移动平台，用户拿起手机即可立即唤醒AI助手，这得益于高通传感器中枢，它能够智能地整合麦克风和传感器输入，精准感知用户的语音意图。在高通AI引擎的加持下，第五代骁龙8还支持智能体AI助手，提供情景感知交互和个性化建议，为用户带来无缝、端侧驱动的智能移动体验。高通®Hexagon™NPU是上述功能的核心，实现了高达46%的性能提升1。开启旗舰速度第五代骁龙8是一款面向移动设备、速度超快的系统级芯片，搭载定制的QualcommOryon™CPU，最高主频高达3.8GHz。除了显著提升的速度，该移动平台性能提升高达36%、网页浏览响应速度提升76%1。处理能力的跃升可以支持在高需求的应用场景中，实现更流畅的多任务处理、更快的响应速度和更出色的能效。除了性能强大的CPU，高通®Adreno™GPU采用创新的切片架构，支持更高的时钟速度，更将游戏和图形处理性能提升11%1。一加、vivo、iQOO、摩托罗拉、魅族、荣耀和realme等全球OEM厂商和智能手机品牌将在其旗舰产品中采用第五代骁龙8。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
浏览次数：
1
2025/11/27 13:42:30
意法半导体（ST）正式发布了专为消费电子和智能家居领域优化的低功耗无线微控制器STM32WL3R。这款新品基于市场表现优异的STM32WL3sub-GHz无线MCU产品线，集成了低功耗射频收发器，以其卓越的能效表现和灵活多变的功能配置，为智能家居遥控器设计带来了革命性的突破。STM32WL3R是意法半导体与法国楼宇自动化创新企业Somfy集团共同合作的开发成果。Somfy集团主要生产智能控制系统，包括无线遥控电动卷帘门、车库门开启器，以及家用和商用互联解决方案。这款全新MCU是Somfy实验室的工程师与意法半导体联合开发设计，用于Somfy的新一代射频遥控器和传感器，使远程控制器变得体积小巧，成本效益高，兼具灵活的工作模式和更长的电池续航时间，为用户带来出色的使用体验。Somfy射频开发经理SergeRobin表示：“这款为远程控制器优化设计的单芯片无线MCU将助力我们在智能建筑市场上保持优势，打造更智能、更舒适的环保建筑。”STM32WL3R专门设计的额外的省电模式,使得它具有更强的控制能力，既可有效关闭未使用的电路，同时优化系统唤醒时间。在系统进入省电模式后，电池续航时间得以延长，同时RAM内容保留功能则能保存应用上下文，确保系统快速唤醒，提供更好的使用体验。在这些省电状态中，超深停止模式的功耗仅为450nA，同时可在RAM内保留16KB数据；此外，还有一个非常省电的关断模式，功耗仅为14nA，唤醒引脚数量多达六个。STM32WL3R将唤醒引脚数量从一个增加到六个，从而可以用于设计功能丰富的遥控器，同时简化电路布局，有助于在同一系列的多款产品中重复使用PCB设计。采用5mmx5mmQFN32封装。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
浏览次数：
2
2025/11/27 13:38:32
Bourns新推出CVH160808H多层功率片式电感器采用金属合金芯体和单片构造，外观尺寸紧凑，最大厚度为0.8mm。这些电感器采用先进的多层技术，在保持足够大电流能力的同时，实现薄型化设计，适用于电源应用。CVH160808H电感器具有高可靠性、低DC电阻和大电流能力。这些多层功率片式电感器具有高托盘密度，可降低二氧化碳排放，并通过了ISO14001认证，属于低影响能量。CVH160808H电感器符合RoHS标准且不含卤素。这些多层功率芯片电感器具有防腐蚀性能，采用环保物流、可回收和ESD安全封装。CVH160808H电感器非常适合移动设备、可穿戴设备、平板电脑、笔记本电脑和各种通信设备。特征整体式构造，提供高可靠性低DC电阻大电流符合RoHS，无卤素。小尺寸减少材料使用高托盘密度降低CO₂环保物流友好型包装可回收ESD安全封装耐腐蚀，使用寿命长ISO14001，低影响能量免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
浏览次数：
2
2025/11/27 13:32:52
Vishay最新推出的VORA1150固态继电器，专为应对800V电池系统的严苛要求而设计。这款采用4引脚SMD-8封装的1500V汽车级1 Form A固态继电器，凭借1414 Vpeak的重复耐压和低至1µA的漏电流表现，为电动汽车、储能系统和工业应用提供了可靠的高压隔离解决方案。采用创新的4引脚设计，可在其输出引脚上提供5 mm的爬电距离，符合DIN EN-60644-1标准对800 V电池监测系统中绝缘监测应用的要求。此外，VORA1150满足电动汽车（EV）中800 V电池架构的耐压（hipot）测试要求。这些器件通过AEC-Q102认证，能够在电池管理系统（BMS）、预充电继电器和车载充电器；储能系统；工业暖通空调系统（HVAC）；太阳能电池板中实现绝缘和漏电流监测。在这些应用中，继电器的高重复耐压和600相对漏电起痕指数（CTI）的模塑材料提供了更高的可靠性，而分别低至150微秒和250 微秒的最大导通和关断时间确保了快速操作。VORA1150符合RoHS标准，无卤素，满足Vishay绿色标准，提供了0.9 mA的雪崩电流能力、5300 VRMS的绝缘测试电压，以及-40 C至+125 C的工作范围。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
浏览次数：
2
2025/11/27 13:27:51