恩智浦半导体全球首发BMx7318/7518系列18通道锂电池电芯控制器，专为高压电动车电池系统、工业储能及48V混动平台打造。该芯片采用革命性全通道独立ADC架构，实现汽车ASIL-C与工业SIL-2双认证，通过集成网关功能与模拟前端，削减50%外围元件，为新能源系统提供高性价比安全中枢。核心作用三重维度重构BMS标准：●安全升级：专用硬件告警引脚实现μs级过流响应，比软件方案快100倍●寿命延伸：-40℃~125℃宽温域运行，匹配10年电池生命周期●系统集成：单芯片整合电芯监控+电池接线盒+通信网关，PCB面积缩小60%产品关键竞争力●BMx7318：支持SPI2TPL桥接协议，适用分布式储能架构●BMx7518：集成I-sense电流检测，优化车规级系统●共有优势：▶ 18通道灵活拓扑，支持非对称电池组▶ 300mA峰值均衡电流（单通道）▶ 跨型号引脚兼容，设计迁移零成本实际应用场景●800V超充电池包：18通道独立监控1000V系统，精度±2mV●电网级储能系统：支持8192节电芯级联，减少通信延迟90%●深海能源设备：5μA休眠模式保障12个月海底储能●混动汽车48V系统：单芯片实现启停电池智能管理BMx7318/7518系列标志着恩智浦在电气化领域的战略突破——以中国研发速度响应全球新能源需求。其全通道隔离架构不仅解决多电芯采样世纪难题，更通过50%系统降本加速储能商业化进程。随着该芯片导入头部车企800V平台，将推动电动车安全标准进入μs级响应新时代。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2025/7/21 13:46:52
面对2025年人工智能（AI）芯片需求持续攀升及全球宏观经济波动，台积电近日宣布加速全球扩张战略，重点推进美国亚利桑那州工厂建设，同时通过多元化对冲策略应对汇率风险。公司表示，尽管面临新台币升值等挑战，仍将谨慎规划资本支出，以满足Meta、谷歌等科技巨头对数据中心芯片的旺盛需求。AI需求驱动：亚利桑那州工厂提速，2纳米产能30%落地美国作为全球最大芯片代工厂，台积电正以亚利桑那州为关键支点，布局未来AI芯片产能。根据规划，其位于该州的第二家工厂将于2027年提前数季度启动量产，主要生产2纳米及更制程芯片；第三家工厂的建设也可能因客户需求加速推进。最终，亚利桑那州将承担台积电约30%的2纳米及更高端工艺产能，成为其全球最制程的重要基地。台积电同步上调2025年全年销售额增长预期至30%，进一步印证市场对AI基础设施投资的乐观预期。Meta、谷歌等科技巨头持续扩大数据中心建设，直接拉动对高性能AI芯片的需求，为台积电的扩张提供支撑。美国政策助推：供应链回流挑战与机遇并存美国政府推动芯片制造业回流的政策，是台积电加速在美布局的另一背景。2025年，美国商务部长霍华德·卢特尼克在国会听证会上重申，目标是将整条芯片供应链从亚洲迁回美国。台积电亚利桑那州项目（总投资1650亿美元）被视为这一战略的核心举措。不过，台积电高管指出，复制台湾成熟的芯片生态系统难度极大。台湾经过数十年积累，形成了数百家原材料和服务供应商的网络，而美国因文化差异、成本差距及人才缺口，短期内难以构建同等规模的配套体系。台积电已向美方提出，需在许可证、人才引进等方面为小型供应商提供激励，以加速生态形成。汇率波动应对：多策略对冲新台币升值压力除地缘政策外，汇率波动是台积电2025年面临的另一挑战。2025年以来，新台币兑美元汇率累计升值超11%，直接压缩以美元计价的利润空间。为此，台积电采取多元化对冲策略：...
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2025/7/21 13:41:45
面对低地球轨道（LEO）卫星部署的爆发式增长，意法半导体近日推出LEOPOL1点负载降压转换器，以抗辐射加固设计与汽车级制程控制，为新兴航天市场提供高可靠、低成本的电源解决方案。该产品兼容意法半导体LEO系列器件，助力卫星开发者应对严苛的太空环境。私营企业主导的新太空产业链正在赋能新型服务，例如，通过研制发射成本效益好的低地球轨道卫星提供数据通信和地球观测服务。LEOPOL1 是意法半导体 LEO功率、模拟和逻辑 IC系列的最新产品，主打降低客户的拥有成本，提供产品质量保证，优化抗辐射性能，是低地球轨道卫星的首选解决方案，同时借鉴包括统计过程控制方法在内的汽车行业最佳实践。LEOPOL1 采用辐射固化设计方法和意法半导体久经太空市场检验的BCD6-SOI(绝缘体上硅)技术，能够耐受低地球轨道 (LEO) 环境中的辐射危害。关键抗辐射参数：总电离剂量(TID) 50 krad(Si)，总非电离剂量 (TNID) 3.1011质子/平方厘米，单粒子效应 (SEE) 性能高达 62 MeV.cm²/mg。LEOPOL1 提供丰富、灵活的功能，包括异相均流，通过并联多个LEOPOL1 转换器，将输出至负载的电流提高几倍。此外，同步功能可以给有多条电压轨的设备轻松设置上电顺序。该转换器的最高输出电流为7A，输入对地电压为12V，在 62 MeV.cm²/mg辐射强度和6V电压下，输出电流为5A。现在，随着 LEOPOL1 的推出，意法半导体的 LEO 系列能够满足各种电路设计需求。该产品组合还包括深受市场欢迎的逻辑门和缓冲器、LVDS收发器、8 通道12位ADC和低压差稳压器 (LDO)。所有器件均符合意法半导体专为 LEO 应用开发的专有技术规范，包括性能参数，以及制程控制、产品认证，并附带合格证书 (CoC)。意法半导体LEOPOL1的推出，标志着低轨卫星电源...
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2025/7/18 14:13:51
Bourns最新推出的SRF1209U4系列片式共模电感器，专为解决高速信号传输中的电磁干扰（EMI）问题而设计。该系列采用超薄封装结构（厚度仅1.2mm），在有限空间内实现高频噪声高效过滤，显著提升USB4、Thunderbolt等高速接口的信号完整性。核心作用在USB4（40Gbps）、HDMI2.1（48Gbps）等高速传输场景中：●抑制共模噪声达20dB以上●降低误码率约35%●保持信号上升沿完整性●阻断电源线高频干扰关键竞争力●空间效率：行业最薄方案（较竞品薄0.3mm）●频响特性：100MHz频点阻抗提升40%●兼容能力：支持Thunderbolt4/USB4最新协议●可靠性：通过1500次温度循环测试典型应用场景●8K影音传输：HDMI2.1接口EMI滤波●移动工作站：Thunderbolt4接口噪声抑制车载娱乐系统：USB-C高速数据传输●工业相机：Camera Link接口保护在高速数字接口全面普及的背景下，Bourns SRF1209U4系列通过突破性的薄型化设计和高频阻抗特性，为消费电子、工业设备及车载系统提供了更优的EMI解决方案。其兼容未来协议的扩展能力，将持续赋能下一代高速传输技术发展。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2025/7/18 14:10:46
2025年7月17日，台积电发布第二季度财报，数据显示，当季净利润达3983亿新台币（约合893亿元人民币），同比大幅增长60.7%，创下历史新高，这也是其连续五个季度保持两位数增长，业绩表现超出市场预期。业绩亮点：营收、净利润双增长，毛利率维持高位财报显示，台积电Q2合并营收为9337.9亿新台币（约合2280亿元人民币），同比增长38.6%；稀释每股收益同步增长60.7%。盈利能力方面，毛利率达58.6%，营业利润率49.6%，净利润率42.7%，核心盈利指标均保持行业水平。与第一季度相比，营收环比增长11.3%，净利润增长10.2%，延续了自2024年以来的增长态势。核心驱动：AI与高性能计算需求爆发，制程占比超7成台积电本季业绩的核心支撑来自人工智能（AI）和高性能计算（HPC）芯片需求的持续走强。相关业务占Q2整体营收的60%，较去年同期的52%进一步提升，覆盖了AI算力基础设施、5G应用等高增长领域。从制程结构看，工艺（7nm及以下）贡献了74%的晶圆收入，其中：●3nm制程出货量占晶圆总营收的24%；●5nm制程占比36%，为第一大收入来源；●7nm制程占比14%。目前，台积电正为英伟达、苹果等全球头部企业提供AI芯片代工服务，受益于全球AI算力基础设施的扩张浪潮。未来展望：Q3预期乐观，尖端工艺需求持续支撑业务台积电对第三季度业绩保持乐观，预计：●营收在318亿至330亿美元之间（基于1美元兑29.0新台币汇率）；●毛利率55.5%至57.5%；●营业利润率45.5%至47.5%。台积电资深副总经理兼首席财务官黄文德表示：“第二季度业务得益于AI和高性能计算的强劲需求，展望第三季度，尖端工艺技术的需求将持续支撑业务增长。”2025年Q2，台积电凭借AI与高性能计算领域的深度布局，再次交出亮眼成绩单，制程已成为其核心收入来源。在全球半导体行业向AI时代转型的背...
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2025/7/18 14:02:39
英伟达消费级PC CPU的发布计划再生变数。据行业媒体SemiAccurate最新报道，原定于2025年推出的N1/N1X处理器因“关键硬件缺陷”需重新设计芯片，发布时间被推迟至2026年。这一消息与此前英伟达在重要展会上的沉默形成呼应，也揭示了其进军消费级CPU市场面临的技术挑战。发布计划多次调整：从2025到2026的波折2023年，英伟达曾传出计划在2025年推出基于Windows的消费级PC CPU的消息，引发市场关注。然而，进入2025年后，其动作却与预期存在偏差——3月的GTC 2025大会上，英伟达仅发布了与联发科合作的GB10芯片（主打紧凑型AI工作站），未提及任何消费级CPU进展；5月的台北国际电脑展（Computex 2025）上，N1/N1X处理器同样未现身，市场猜测其发布节奏已放缓。硬件缺陷成主因：从“可修复”到“需重设计”此次推迟的核心矛盾在于硬件问题。早期消息称，英伟达曾通过固件或微码更新解决了部分缺陷，将发布时间从2026年晚些时候提前至2026年初。但SemiAccurate最新指出，就在几天前，未发布的N1/N1X芯片又暴露出“关键硬件缺陷”，必须进行芯片级的重新设计（即修订芯片版本）。重新设计周期：4nm制程的调整难度业内分析，4nm工艺下的芯片重新设计通常需3-6个月，具体时间取决于缺陷位置和修改幅度：若仅涉及上层金属层的细微调整，可能数周至数月完成；但若涉及底层逻辑电路或布局的重大修改，周期可能延长至半年甚至更久。这意味着，即使“快速”调整，N1/N1X的发布时间也可能从原计划的2026年初推迟至2026年中后期。市场影响：消费级CPU进程滞后，AI工作站先行值得注意的是，英伟达在CPU领域的布局并未完全停滞——其与联发科合作的GB10芯片已进入工作站市场，主打紧凑型AI设备。但消费级PC CPU作为更大众化的产品，需兼顾性能、功耗与...
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2025/7/18 13:58:26
在5G基站扩容与工业4.0升级的浪潮中，传统电源的功率密度与智能化短板日益凸显。金升阳全新推出的LMR3000-4850整流模块，以3000W超高功率、仅1U高度的紧凑设计（269×105×40.8mm），突破通信/工控领域供电瓶颈。其融合数字化控制与军工级防护标准，为数据中心、机器人及智能工厂提供“心脏级”动力支撑。核心作用：三重系统守护者●可靠性中枢 - 4000VAC隔离耐压+毫秒级过载保护，杜绝工业场景中的级联故障●能效转化引擎 - 96.5%转换效率+0.99功率因数，较传统模块年省电费超万元●智能控制终端 - 支持远程调压/限流/故障诊断，构建可编程电源网络五大关键竞争力●空间革命 - 42.67W/inch³功率密度，较竞品节省40%机柜空间●安规天花板 - 同时满足EN62368/EN61558/GB4943三体系认证●场景自适应 - 金手指/端子台双接口，10分钟完成通信柜与工控机切换●极端环境生存 - -40℃~+85℃宽温域运行，4KV脉冲群抗扰认证●智慧能源管理 - 电流纹波＜1%，为精密仪器提供实验室级纯净电源实际应用场景●5G基站：-40℃北极圈基站中持续供电3年0故障●工业机器人：焊接设备强电磁干扰下稳定运行●数据中心：模块化电源柜实现“热插拔式”扩容●光伏储能：智能调压应对光伏阵列电压波动LMR3000-4850的诞生不仅解决了高功率与小型化的矛盾，更通过“智能电源网络”理念重塑工业供电架构。其以超越行业标准的防护等级与数字化基因，正成为智能制造升级的核心基础设施，为未来工业场景提供无限可能。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2025/7/17 14:05:34
TDK推出TFM201612BLEA系列薄膜电感器，在2.0×1.6×1.2mm微型封装内实现5.6A额定电流（较前代提升16%），DCR最低至17mΩ（降幅31%）。支持150℃极端环境温度运行，为xEV电驱系统、ADAS控制器提供高功率密度电源解决方案，2025年7月正式量产。产品核心优势●功率密度革命：5.6A@0.47μH（同尺寸全球最高）●能效飞跃：DCR 17mΩ（100kHz工况效率＞98%）●环境强韧：-55℃~150℃全温域电感漂移＜10%●车规可靠：AEC-Q200 Grade 0认证（零失效批次）典型应用场景●域控制器电源：12V转5V/20A多相Buck电路（电感温升＜40K）●激光雷达供电：脉冲负载瞬态响应（di/dt 2A/μs）●OBC模块：CCM PFC电路（150℃环境无降额）●BMS从控：CAN FD收发器隔离供电（EMC Class 3达标）●车载摄像头：3W微型电源模块（2mm厚度适配镜头模组）●V2X通信箱：5G射频功放供电（100MHz低噪声特性）TFM201612BLEA系列的发布重新定义了车规电感器的性能边界——其5.6A同尺寸最大电流突破功率密度极限，150℃耐温等级更直面引擎舱严酷环境。随着800V平台电流需求激增，这款融合“高频低损-超薄封装-车规可靠”三重优势的薄膜电感，将成为下一代域集中式架构的核心供能元件。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2025/7/17 14:00:28
Vishay推出车规级VLMRGB6122三色LED，在3.5×2.8×1.4mm超薄封装内实现2800mcd超高亮度与独立阳极控制。通过AllnGaP/InGaN技术革新，色域覆盖较前代提升70%，支持-40℃~110℃宽温域运行，为智能座舱氛围灯、透光饰板等场景提供1680万色精准调控方案。行业桎梏混色失真：传统RGB LED共用阴极导致色彩串扰，红光饱和度衰减40%高温失活：发动机舱环境要求105℃耐温，竞品普遍仅85℃空间困局：车载面板背光厚度需＜1.5mm，主流封装高度＞1.8mm核心作用●色彩革命：CIE1931色域覆盖率＞125% NTSC●空间释放：1.4mm厚度（较SMD3535薄22%）●可靠升级：AEC-Q102认证+2000小时高温光衰＜5%●精准调控：红/绿/蓝独立驱动（20mA恒流精度±3%）关键竞争力●亮度王者：绿光2200mcd@20mA（行业均值1500mcd）●温域极限：-40℃~110℃（竞品上限85℃）●混色自由：唯一支持三通道独立调光的PLCC封装LED●车规认证：通过ISO-10605/7637-2脉冲测试实际应用场景●智能座舱：256区透光木纹饰板（1680万色渐变）●交互灯带：门板动态迎宾指示（响应速度＜10ms）●透明HUD：挡风玻璃状态投影（110℃耐前挡高温）●医疗设备：手术台无菌区警示（B1级耐消毒液腐蚀）●零售终端：情绪化商品照明（ΔE●工业HMI：故障分级报警（红/绿/蓝三态指示）VLMRGB6122的发布标志着车规RGB LED进入高温高亮时代。其110℃耐温能力突破传统器件极限，独立阳极架构更实现真百万级混色控制，配合2800mcd超高亮度，为智能表面照明提供核“芯”支撑。随着汽车座舱向生活空间演进，这款兼具“色彩精度-环境耐受-车规可靠”三重优势的器件，将成为定义车载光效的新基准...
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2025/7/17 13:56:02
2025年7月15日，韩国股市延续上涨态势，KOSPI指数连续两日走高，收盘报3215.28点，涨幅0.41%，创下2021年8月11日以来新高。市场乐观情绪主要源于半导体板块的强势表现，其中三星电子股价受英伟达H20芯片恢复对华销售利好刺激，成为推动指数上行核心动力。三星电子股价逆势反弹，H20芯片成关键推手。当日三星电子股价开盘报62300韩元，较前一交易日微跌0.32%，但随后买家大量涌入，股价迅速攀升至63800韩元，最终收于63700韩元，涨幅达1.84%。此次反弹直接受益于英伟达H20芯片恢复对中国市场销售的消息——该芯片搭载三星电子提供的HBM3内存，此前因政策限制暂停对华供货，此次恢复销售有望显著提升三星高端内存产品的需求。市场分析指出，H20芯片作为英伟达针对中国市场定制的AI算力解决方案，其销售恢复不仅缓解了三星电子的库存压力，更巩固了三星在HBM（高带宽内存）领域的市场地位。随着全球AI算力需求持续增长，HBM内存已成为半导体行业最炙手可热的细分赛道，三星的技术优势有望进一步转化为盈利增长。SK海力士逆势下跌，美光供应过剩隐忧浮现与三星电子的强势表现形成对比，另一韩国半导体巨头SK海力士当日股价出现下跌。业内消息称，市场担忧美光科技可能因HBM产能过剩而采取降价策略，进而挤压SK海力士的利润空间。尽管SK海力士尚未对此置评，但投资者已开始重新评估HBM内存领域的竞争格局。值得注意的是，HBM内存目前主要由三星、SK海力士和美光三家企业主导，其中三星与SK海力士合计占据全球约70%的市场份额。美光若因供应过剩调整策略，可能引发行业价格波动，这也是SK海力士股价承压的直接原因。半导体板块分化，AI需求成关键变量7月15日的韩国股市充分展现了半导体行业的分化特征：受益于AI芯片需求的三星电子强势上涨，而担忧竞争加剧的SK海力士则逆势下跌。这种分化背后，是全球...
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2025/7/17 13:52:09
Nexperia推出全球首款专为48V汽车通信网络设计的ESD保护二极管，涵盖54V/60V/72V三档电压型号，3.4pF超低寄生电容突破行业极限。通过AEC-Q101认证，单芯片替代传统并联方案，解决CAN-FD/LIN总线在48V系统中的信号完整性与成本难题。核心作用●空间释放：SOT23封装（2.9mm²）替代多芯片并联●成本优化：单片方案降低BOM成本35%●速率保障：10Mbps传输下信号抖动＜0.5ns●安全升级：±30kV接触放电防护（ISO10605标准）关键竞争力●电容王者：3.4pF（行业最低，保障10Mbps信号完整性）●电压覆盖：72V最高防护等级（兼容商用车24V系统浪涌）●车规认证：AEC-Q101 Grade 1（-40℃~125℃）●封装通用：兼容标准SOT23贴装工艺实际应用场景●800V平台BMS：48V通信子网隔离保护（支持72V浪涌）●域控制器互联：CAN-FD主干线（10Mbps全速防护）●线控底盘：FlexRay总线（抗引擎舱电磁干扰）●智能座舱：千兆以太网PHY接口（容抗匹配＜5%）●商用电动车：24V/48V混压系统（单芯片覆盖双压）●充电桩通信：PLC模块防雷击（±30kV防护）Nexperia此系列ESD二极管的推出终结了48V汽车网络“无芯可保”的困境。其3.4pF电容与72V防护能力的组合，不仅解决CAN-FD高速通信痛点，更以单片方案替代冗余设计，推动整车EE架构向48V平滑演进。随着域集中式架构普及，这款兼具“超低容-高耐压-车规可靠”三重特性的保护器件，有助于下一代智能汽车的通信安全发展。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2025/7/16 13:57:53
英飞凌推出第二代CoolSiC™ MOSFET 750V G2，以4mΩ全球最低导通电阻与Q-DPAK顶部散热封装革新功率设计。支持-11V瞬态栅极耐压及175℃结温运行，在车载充电器、光伏逆变器等场景实现98.5%峰值效率。核心作用●能效跃升：硬开关拓扑效率＞98.5%（较IGBT方案+3.2%）●功率密度：体积比D²PAK缩小50%，电流密度提升3倍●安全增强：抗寄生导通能力提升5倍（VGS(th) 4.5V）●兼容拓展：驱动电压兼容-7V~+22V，无缝替换硅基方案关键竞争力●电阻王者：4mΩ导通电阻（当前全球SiC MOSFET最低值）●开关标杆：Qfr降低35%（软开关场景损耗减半）●散热革命：顶部散热热阻较底部散热降低70%●车规认证：AEC-Q101 Grade0（175℃结温）实际应用场景●800V超充桩：25kW模块并联（4mΩ器件降低损耗30%）●车载OBC：22kW拓扑效率＞98%（支持3C快充）●光伏逆变器：1500V系统MPPT（175℃高温无降额）●数据中心电源：钛金认证CRPS模块（功率密度100W/in³）●储能PCS：100kHz开关频率（体积缩小40%）●固态断路器：μs级关断（4mΩ实现2000A分断能力）CoolSiC™ MOSFET 750V G2的发布标志着碳化硅功率器件进入4mΩ时代。其顶部散热Q-DPAK封装破解高功率密度散热难题，-11V栅极耐压为工业恶劣环境提供安全冗余。随着800V电动车平台普及，这款兼具“极致能效-顶级功率密度-车规可靠”三重优势的器件，将重新定义新能源电力电子系统的性能边界。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2025/7/16 13:48:08
根据KeyBanc Capital Markets最新报告，台积电、英特尔、三星电子在2nm制程节点良率表现分化显著：台积电N2工艺良率达65%，英特尔18A提升至55%，而三星SF2仍徘徊在40%水平。分析师John Vinh指出，良率差异将直接影响2025年制程市场竞争格局。技术节点良率解析1. 台积电N2工艺：采用GAAFET架构，通过创新材料与光刻技术，实现65%良率，较3nm节点提升12个百分点，支撑苹果、英伟达等客户2025年旗舰芯片量产。2. 英特尔18A工艺：RibbonFET晶体管技术助力良率从Q1的50%提升至55%，预计2026年18A-P量产时良率可达75%，直接挑战台积电N2P节点。3. 三星SF2工艺：MBCFET结构仍面临良率瓶颈，40%水平较台积电落后25个百分点，需通过2025年技术升级缩小差距。未来节点展望●英特尔18A-P：2026年量产计划不变，若良率达标将抢占数据中心CPU市场，预计2027年贡献代工收入超40亿美元。●台积电N2P：2026年推出增强版，支持背面供电技术，良率目标80%，巩固高端移动SoC市场地位。●三星SF2+：2025年Q4将引入EUV双曝技术，目标良率提升至50%，重点突破车载芯片市场。结语2nm制程良率已成为半导体代工竞争的核心指标。台积电凭借技术积累保持领先，英特尔通过18A-P实现追赶，而三星仍需突破SF2工艺瓶颈。2025-2026年，良率提升速度将直接决定各厂商在AI芯片、高性能计算等高增长市场的份额分配。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2025/7/16 13:44:33
据央视报道，7月15日，美国英伟达公司创始人兼首席执行官黄仁勋宣布两个重要进展：美国已批准H20芯片销往中国；英伟达将推出RTXpro GPU。黄仁勋表示：“美国政府已经批准了我们的出口许可，我们可以开始发货了，所以我们将开始向中国市场销售H20。我非常期待能很快发货H20，对此我感到非常高兴，这真是个非常、非常好的消息。第二个消息是，我们还将发布一款名为RTX Pro的新显卡。这款显卡非常重要，因为它是专为计算机图形、数字孪生和人工智能设计的。”免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2025/7/15 14:12:54
意法半导体(ST)推出VIPer11B系列离线高压转换器，在4.9×3.9mm超紧凑封装内集成800V MOSFET与高压启动电路，为8W以下智能照明/家电提供10mW待机功耗解决方案。通过独创senseFET电流检测技术省去外部电阻，配合频率抖动EMC优化设计，实现外围元件减少40%的革命性突破。意法半导体的 VIPer11B电源转换器集成丰富的功能，有助于简化电路设计，节省外部元器件数量，从而降低物料清单成本。800V耐压 MOSFET 只需要小缓冲元器件，内部senseFET电流检测功能几乎没有任何损耗，无需外接电阻器。片上集成高压启动电路，只需一个外部电容为 Vcc 供电，而频率抖动振荡器则最大限度地减少了满足电磁兼容性 (EMC) 法规所需的外部滤波元器件。此外，这些转换器采用紧凑的 SSOP10 封装，可在空间狭小的环境中供电，这个优点在外形尺寸要求严格的应用中尤其有用，例如，LED 照明驱动器和智能灯泡。这些转换器还有助于满足生态设计法规的严格要求，低待机电流可将空载功耗降至 10mW 以下，脉冲跳跃操作模式可以提高轻载能效。设计灵活性是其另一大优势，宽压Vcc允许通过变压器辅助绕组或非隔离拓扑结构中的输出为转换器供电。VIPer11B 可用于非隔离反激式降压和降压/升压式拓扑结构，以及原边或副边有稳压器的隔离反激式拓扑结构。VIPer11B 转换器具有输出过载和过压保护功能，并带有自动重启、Vcc 钳位、过温保护和软启动功能，可帮助设计人员构建强大、可靠的电源。VIPer11B 转换器有两款产品在售：漏极最大电流370mA 的 VIPer113B 或漏极最大电流480mA 的VIPer114B。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2025/7/15 14:06:27
TDK株式会社于2025年6月正式量产C1608X7R2A105K080AC商用积层陶瓷贴片电容器（MLCC），在1.6×0.8×0.8mm的1608封装尺寸内实现100V/1μF容量，创下该规格下全球最高电容记录。此突破性产品瞄准48V人工智能服务器、储能系统等高效电源场景，通过10倍于传统电容的密度，显著减少元件数量与PCB占用面积。核心作用●空间压缩：单颗替代10颗传统电容，PCB面积缩减70%●能效提升：高瞬态响应保障48V系统转换效率＞95%●成本优化：BOM器件数量减少，贴装成本降低30%●可靠性强化：工业级温度适应性支持-55℃~125℃严苛环境关键竞争力●密度王者：1608封装1μF/100V（0.78μF/mm³）●性能稳增：较前代产品容量提升10倍9●即插即用：兼容标准SMT工艺，无需设计变更●绿色认证：符合RoHS 2.0与无卤素标准实际应用场景●AI服务器：GPU供电模块输入滤波（单板用量200+颗）●储能变流器：48V DC/AC转换母线电容●5G基站：射频功放电源去耦●工业无人机：电调系统浪涌抑制●医疗设备：便携超声发生器能量缓冲TDK C1608X7R2A105K的推出标志着高密度MLCC技术迈入新纪元。其1μF/100V在毫米级空间的突破性集成，直击48V系统小型化与高效化痛点，为AI基础设施和绿色能源设备提供核心支持。随着三季度产能爬坡，这款“以小博大”的电容解决方案将加速替代传统多颗并联方案，重塑电子电源设计范式。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2025/7/15 14:02:09
威世科技（Vishay）宣布其AC03-CS系列轴向绕线安全电阻新增WSZ引线版本，通过弯线设计实现表面贴装（SMT）兼容，显著降低汽车电子、工业电源等领域的高压电路装配成本。该器件在-40℃至+200℃极端环境下仍可安全熔断过载电流，符合AEC-Q200车规标准。技术难点与突破方案难点一：安全电阻的装配效率瓶颈传统轴向电阻需手工焊接，单板贴装时间＞5分钟，且虚焊率高达8%。✅ Vishay创新方案：WSZ精密弯脚结构（±0.1mm精度）兼容SMT贴片机，贴装速度达24,000cph，虚焊率降至0.1%。难点二：高压场景的二次火灾风险竞品电阻熔断时产生＞500℃电弧，引燃PCB基材。✅ Vishay创新方案：UL 94 V-0级硅酮水泥涂层，熔断瞬间包覆电弧，温升＜150℃，通过IEC 61000-4-5认证。核心作用：高压系统的“安全卫士”▶ 主动熔断防护：120/240VAC主电压误接时2ms内安全断开▶ 浪涌能量吸收：4kV雷击浪涌保护（1.2/50μs波形）▶ 三重安全屏障：突入电流限制+预充电缓冲+紧急熔断典型应用场景1. 新能源汽车OBC模块在800V高压平台中吸收20A突入电流，误接交流电时0.5ms熔断，保护价值$2,000的SiC模块。2. 智能电表防雷击4kV浪涌防护通过GB/T 17626.5测试，野外故障率降至0.01次/年。3. 工业变频器预充电200℃耐温保障电解电容预充电安全，延长驱动器寿命3倍。AC03-CS系列以200℃熔断防护与WSZ弯脚SMD化技术，改写安全电阻行业规则。车规级AEC-Q200认证+4kV浪涌能力，为800V新能源系统提供每颗$0.38的高性价比守护。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2025/7/15 13:58:07
半导体行业工艺竞赛迎来关键转折点。根据KeyBanc Capital Markets最新研究报告，英特尔18A（1.8nm）工艺良品率已提升至55%，超越三星SF2（2nm）的40%水平，虽仍落后于台积电N2（2nm）的65%，但标志着英特尔在制程领域取得重要突破，为其2025年底大规模量产计划注入强心剂。良率突破：从50%到55%的跃升路径报告显示，英特尔18A工艺良率较上一季度提升5个百分点，这一进展得益于其RibbonFET全环绕栅极（GAA）架构和PowerVia背部供电技术的持续优化。相比之下，三星2nm工艺虽略有提升但仍徘徊在40%区间，而台积电N2工艺凭借成熟的GAA实现65%的行业领先良率。Panther Lake量产倒计时：2025年Q4目标70%英特尔正按计划推进18A工艺量产进程，其首款搭载该工艺的移动CPU——Panther Lake系列已进入流片验证阶段。KeyBanc预测，到2025年第四季度，18A工艺良率有望达到70%，虽然难以超越台积电，但足以支撑英特尔在高端笔记本市场推出具有竞争力的产品。技术路线图：从18A到14A的战略布局英特尔采取"内部验证+外部拓展"双阶段策略：先通过18A工艺在Panther Lake等自研产品上验证技术可靠性，再于2026年推出14A（1.4nm）工艺向外部客户开放代工服务。这一路径与台积电A14（1.4nm）形成直接竞争，预计2027年前后将掀起新一轮制程大战。行业影响：重塑半导体代工格局此次良率突破对英特尔意义重大。若18A工艺能按计划在2025年底实现大规模量产，将有效缓解其IDM 2.0战略下的产能压力，并为争夺AMD、高通等潜在客户奠定基础。不过，要真正挑战台积电的霸主地位，英特尔仍需在2026年后的14A节点实现良率与性能的双重突破。结语在制程竞赛中，英特尔正通过"小步...
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2025/7/15 13:53:54