Littelfuse最新推出的 IXD2012NTR高压侧/低压侧栅极驱动器 ，以 200V自举电压、2.3A灌电流输出 及 3.3V~20V宽压兼容性 ，瞄准高频电源转换与电机控制市场。该器件通过集成交叉传导保护与高速开关逻辑，将功率器件（MOSFET/IGBT）的开关损耗降低30%，适配DC-DC转换器、太阳能逆变器等场景，直面TI、ST等厂商的竞争。产品功能：高频驱动的技术矩阵● 驱动能力：1.9A拉电流/2.3A灌电流输出，支持SiC MOSFET 100ns级开关速度；● 电压兼容性：10V~20V工作电压，自举模式下高压侧支持200V；● 逻辑接口：兼容3.3V TTL/CMOS电平，无缝连接MCU/DSP控制器；● 保护机制：集成死区时间控制（典型值480ns），防止上下管直通；● 封装与环境：SOIC-8封装（5mm×6mm），-40℃~125℃宽温运行。技术突破：三大创新点1. 高压自举架构优化： ● 采用电荷泵升压技术，自举电容容值需求降低至0.1μF（竞品需0.47μF），PCB面积缩减50%； ● 200V耐压支持650V SiC MOSFET驱动，适配光伏逆变器拓扑。2. 动态驱动电流增强： ● 2.3A灌电流能力较上一代提升40%，可驱动TO-247封装的100A IGBT； ● 开关延时一致性±10ns，减少多并联器件的时序偏差。3. 智能保护集成： ● 交叉传导保护响应时间 ● 欠压锁定（UVLO）阈值精...
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2025/5/28 13:43:46
据半导体行业消息，三星电子正加速推进第6代10nm级DRAM（1c DRAM）产能布局，继平泽P4工厂启动每月3万片产能试产线后，计划2025年底前在华城工厂追加投资，将1c DRAM月产能提升至7万片规模。这一扩产计划标志着三星在HBM4高带宽存储器领域发起关键攻坚。业内人士指出，三星此次技术路线选择颇具战略深意。当前主流HBM4厂商多采用1b DRAM（第五代10nm级）作为基础架构，而三星选择直接跨越至1c DRAM，旨在通过更制程工艺实现能效比突破。测试数据显示，1c DRAM在相同功耗下可提供20%以上的带宽提升，这对AI服务器等高负载场景意义重大。产能布局呈现"双核驱动"特征：平泽P4工厂作为主力基地，将承担技术验证与初期量产任务；华城工厂则通过改造现有17号线（原生产1z DRAM），实现快速产能转换。值得注意的是，三星同步推进15/16号生产线升级，将传统DRAM产能向1b DRAM转移，形成"新旧产能梯次配置"的竞争策略。市场分析机构TechInsights认为，三星此举折射出存储行业技术竞赛新态势。随着HBM4标准争夺进入白热化，制程工艺正成为决定话语权的关键变量。SK海力士虽占据HBM3市场七成份额，但其HBM4产品仍基于1b DRAM架构，这为三星提供了弯道超车契机。不过三星也面临产能爬坡挑战。行业专家警告，1c DRAM量产良率较1b DRAM低约15个百分点，若要实现规模化供应，需在2026年前将良率提升至70%以上。与此同时，美光科技已宣布2026年量产1γ DRAM（第七代10nm级）的计划，存储芯片代际更迭速度持续加快。在这场存储技术军备竞赛中，三星正以"制程跃迁+产能碾压"的双轮战略抢占先机。随着华城平泽双基地进入设备导入阶段，2026年HBM4市场格局或将迎来重大变局。免责声明...
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2025/5/26 13:43:37
英飞凌发布SiC沟槽型超结技术（TSJ），通过融合沟槽栅结构与超结设计，将碳化硅功率器件的性能边界推向新高度。该技术首次应用于ID-PAK封装的1200V功率器件，支持最高800kW功率的电动汽车牵引逆变器，较传统方案功率密度提升40%，主逆变器电流承载能力增强25%，为现代汽车等客户提供更高效、紧凑的动力系统解决方案。随着全球电动车市场向800V高压架构加速转型，英飞凌以技术迭代抢占SiC赛道制高点，目标2030年占据30%市场份额。技术突破：结构优化与工艺创新1. 沟槽栅+超结协同设计：通过三维沟槽结构优化载流子路径，开关损耗降低25%，支持高频化运行（100kHz+）；超结技术减少寄生电容，R DS(on)*A指标较平面型SiC MOSFET降低40%。2. 封装热管理升级：采用.XT互连技术，结温较前代下降25℃，支持175℃持续工作；ID-PAK封装兼容水冷/风冷，功率密度达50W/cm³（行业平均30W/cm³）。3. 可靠性强化：通过100%雪崩测试，短路耐受能力提升15%；循环寿命超100万次，适配车规级AEC-Q101认证。行业价值：能效与成本双赢1. 电动汽车领域：支持800V平台电驱系统，续航提升7%（现代汽车实测）；逆变器体积缩小30%，助力车企实现轻量化设计。2. 工业能源：光伏逆变器效率突破99%，LCOE（平准化度电成本）降低0.5美分/kWh；储能系统响应速度提升至微秒级，充放电循环寿命延长20%。3. 经济性突破：● 系统并联需求减少50%，BOM成本降低15%；● 8英寸晶圆量产（2027年）后，器件单价预计下降30%。技术难题与突破路径挑战：高频工况下的热管理与材料缺陷● 传统方案局限：平面型SiC器件开关损耗高，散热依赖复杂液冷系统；● 英飞凌创新：▶ 沟槽栅刻蚀工艺：缺陷密度降低至0.1/cm²（行业平...
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2025/5/23 13:49:41
AOS推出的AOTL66935采用自主研发的100V AlphaSGT™ MOSFET技术，通过沟槽工艺实现1.95mΩ超低导通电阻（RDS(ON)），同时结合宽范围安全工作区（SOA）设计，显著提升器件在48V热插拔场景下的峰值电流承载能力与可靠性。该技术有效抑制浪涌电流冲击，降低系统并联器件需求，简化电源拓扑。产品功能：性能与封装双优化● 电气性能：支持最大连续漏极电流360A（25℃），瞬态电流达1440A，适用于高浪涌场景2。● 封装创新：采用TO-Leadless（TOLL）封装，占板面积较传统D2PAK封装缩小30%，兼容自动化光学检测（AOI），并计划推出更紧凑的LFPAK8x8封装。● 认证与可靠性：生产工厂通过IATF 16949认证，确保车规级品质标准。AI服务器中的 48V 热插拔应用需要 MOSFET 兼具大电流处理能力，同时还要提供卓越的 SOA 稳健性和高可靠性。我们推出的AOTL66935 正是针对这些严苛的应用需求而设计，其低导通电阻不仅能降低功率损耗，还可减少并联器件数量。行业价值：破解高密度电源设计痛点● 能效提升：低导通电阻减少功率损耗，系统能效提升5%-8%，助力AI服务器降低运营成本。● 空间压缩：TOLL封装节省30%PCB面积，适配高密度电源模块设计。● 可靠性增强：宽SOA特性支持严苛工况下长期稳定运行，MTBF提升至10万小时以上。技术难题与解决方案● 浪涌电流冲击：通过优化栅极结构和SOA设计，限制瞬态电流峰值，减少并联器件数量。● 散热瓶颈：TOLL封装采用顶部散热路径设计，降低FR4基板的热阻，温升控制＜25℃。● 制造一致性：沟槽工艺结合AOI检测技术，确保器件良率与批次稳定性。应用场景与市场前景● 核心场景：AI服务器48V热插拔、通信基站电源、工业设备缓启动模块。● 市场预测：2025年服务器电源MOSFET市场...
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2025/5/23 13:46:47
全球半导体市场正迎来结构性分化，在传统DRAM价格波动之际，高端HBM内存价格创下惊人涨幅。据产业链消息，英伟达为Blackwell Ultra AI加速器配备的SK海力士12层HBM3E内存，定价较8层HBM3E版本高出60%以上，单GB价格突破12美元，达到DDR4内存的15倍。地缘政治催生超级订单此次涨价直接诱因源于英伟达与沙特阿拉伯签订的史诗级合约。消息人士透露，该订单涉及数十万片H100/H200级AI加速器，要求今年上半年交付。为确保产能，英伟达不仅将Blackwell Ultra发布时间提前三个月，更接受SK海力士的溢价条款。这种非常规操作在供应链引发连锁反应，美光科技HBM3E产品同步提价45%，形成行业性涨价潮。技术垄断铸就定价权SK海力士在HBM领域的统治地位愈发巩固。据TrendForce集邦咨询预测，2025年其HBM出货量将达137亿Gb，其中英伟达采购量占比超70%。这种供需格局下，SK海力士12层HBM3E良率虽仅62%，仍获得苹果、AMD等巨头超额预订。更值得关注的是，其24层HBM4研发进度超前，样品已送交微软Azure数据中心测试。产业变革进行时HBM涨价潮折射AI产业深层变革。单颗AI加速器HBM容量正以每年40%的速度攀升，从H100的80GB跃升至B200的192GB，直接推动单机柜算力密度突破1PFLOPS。这种技术跃迁在金融领域产生奇妙反应，高盛测算显示，训练GPT-5所需HBM成本已占硬件总投入的38%，较2023年提升23个百分点。中国力量悄然崛起在高端内存战场，中国存储厂商正突破技术封锁。长江存储宣布其12层HBM3E通过客户认证，尽管单价比SK海力士产品低25%，仍获阿里巴巴、字节跳动等互联网厂商测试订单。这种价格优势在东南亚市场尤为明显，腾讯云新加坡节点已批量采用长鑫存储HBM产品，较国际品牌节省18%采购成本。这场由...
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2025/5/22 14:05:56
瑞萨电子（Renesas）RZ/V2N视觉AI微处理器。该芯片集成专用AI加速引擎，支持实时图像处理与边缘推理，在保持1.4TOPS算力的同时优化成本结构，为智能摄像头、服务机器人、后装行车记录仪等场景提供高性价比解决方案。RZ/V2N采用紧凑型封装，适配空间受限的嵌入式系统，显著降低开发门槛，助力中小型企业快速部署AI视觉应用。Renesas RZ/V2N MPU采用专有的AI加速器，可提供10 TOPS/W的能效和高达15 TOPS的AI接口性能。该MPU还具有一个1.8 GHz四核Arm® Cortex®-A55、一个用于低功耗管理的200 MHz Cortex-M33，以及一个可选的图像信号处理器 (ISP)。RZ/V2N MPU无需额外的冷却系统，从而降低了物料清单 (BOM) 成本，可打造体积更小、重量更轻、电池续航能力更强的终端产品。RZ/V2N MPU具有两个4通道MIPI® CSI-2®摄像头接口，可同时处理多个捕获的图像。与单摄像头系统相比，双摄像头系统还提高了空间识别能力，可进行更精确的人体运动分析和跌倒检测。RZ/V2N MPU 采用高速LPDDR4/4X内存接口，具有1个32位ECC，可提供12.8 GB/s的吞吐量和更好的数据完整性。此MPU采用15 mm x 15 mm BGA封装，适用于各种紧凑型嵌入式应用。RZ/V2N MPU的综合性能实现了以前只有高端型号才能实现的AI功能，为高性价比人工智能解决方案开辟了新的机遇。
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2025/5/22 14:00:26
AOS第三代1200V aSiC MOSFET通过三维材料改性技术实现双重突破：在25℃条件下，15mΩ典型导通电阻较传统硅器件降低62%，而在175℃高温工况下仍能保持85%的初始导通性能。更值得关注的是其开关品质因数（FOM=Rds(on)*Qg）优化至155mΩ·nC，较行业平均水平提升30%。这项突破源于对沟槽栅结构的创新优化——采用非对称梯度掺杂技术，使栅极电荷量（Qg）降低至145nC，同时保持100V/ns的优异di/dt耐受能力。核心技术：● 开关品质因数（FOM）提升30%，高频工况损耗降低18%● 导通电阻（Rds(on)）温度系数改善40%，保障高负载稳定性● HV-H3TRB耐受时长延长至2000小时（行业标准3倍）● 栅极氧化层厚度缩减至50nm，开关速度提升至150V/ns产品功能业价值1. 电动汽车领域：支持800V平台主驱逆变器，系统体积缩减25%，续航提升7%2. 数据中心供电：满足48V转12V高密度电源需求，PUE值优化至1.05以下3. 可再生能源系统：光伏逆变器MPPT效率突破99%，LCOE降低0.8美分/kWh技术难题与突破路径挑战：碳化硅材料缺陷导致的可靠性衰减● 传统方案：牺牲开关速度换取可靠性● AOS创新路径：▶ 原子层钝化技术（界面态密度降低60%）▶ 双区外延生长（击穿电压均匀性提升35%）▶ 动态栅极补偿电路（抗串扰能力增强3倍）技术亮点● 通过汽车级 AEC-Q101 认证● 栅极驱动电压兼容范围广（+15V 至 +18V）● 开关品质因数（FOM）提升高达 30%● 符合增强型高湿高压反偏（HV-H3TRB）测试标准● 优化雪崩耐量（UIS）与短路耐受能力AOS第三代1200V αSiC MOSFET通过材料工艺协同创新，在高压、高频、高可靠性维度建立新标杆。该技术将加速800V电气架构在新能源汽车与...
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2025/5/22 13:59:20
Nexperia创新推出CFP2-HP封装技术，通过铜夹片设计与外露式散热器实现2.65×1.3×0.68mm超微型封装，相较传统SMA/B/C封装体积缩减60%，同时热损耗（Ptot）降低35%。该技术突破平面肖特基二极管的物理极限，为多层PCB设计提供高密度布局可能。行业价值1. 汽车电子革新：支持48V轻混系统DC-DC模块空间压缩30%，助力OEM实现紧凑型ECU设计2. 工业4.0适配：满足伺服驱动器高频续流需求，提升能效比至95%+3. 成本优化：通过器件集成减少PCB层数需求，单板制造成本下降15%技术难题与突破路径挑战：微型化与散热效率的物理矛盾● 传统方案：依赖增大封装尺寸提升散热能力● Nexperia方案：▶ 三维铜夹片结构优化电流路径（降低20%导通损耗）▶ 外露式散热器直连PCB铜层（热传导效率提升3倍）▶ 晶圆级薄型化工艺（厚度减少至100μm）应用场景与市场前景未来展望Nexperia计划将CFP封装技术扩展至双极晶体管领域，2024年Q3推出首款CFP封装IGBT产品。通过铜带键合与银烧结工艺结合，目标实现：● 开关损耗降低25%● 功率密度提升至50W/mm³● 车规级产品线覆盖率突破80%结语CFP2-HP封装技术标志着功率半导体进入高密度集成时代。Nexperia通过材料创新与工艺升级，为汽车电子和工业系统提供兼具微型化、高可靠、低成本的解决方案，预计将推动全球功率器件市场在2026年前实现17.3%的年复合增长。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/5/22 13:48:24
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子发布RZ/A系列全新成员——RZ/A3M高性能微处理器，以RTOS实时操作系统为核心，为经济型高阶人机界面（HMI）应用提供突破性解决方案。该器件集成大容量SDRAM与SRAM存储组合，可流畅驱动1280x800分辨率液晶屏，实现视频处理、摄像头输入与复杂图形界面无缝协同，精准适配智能家居电器、工业自动化终端、医疗诊断设备及智能楼宇系统对高清交互显示的需求。与现有RZ/A3UL类似，RZ/A3M搭载64位Arm® Cortex®-A55内核，最高工作频率达1GHz，片上SRAM容量为128KB（千字节）。通过在单个系统级封装（SiP）中集成高速128MB DDR3L-SDRAM，该产品可消除为连接外部存储器设计高速信号接口的复杂任务。利用内置存储器和简化的PCB设计降低系统成本RZ/A3M的设计旨在降低系统成本并加速开发进程。它通过QSPI支持外部NAND和NOR闪存，用于数据和代码存储。大容量NAND闪存与驱动程序搭配使用，为存储器扩展提供经济高效的选择。此外，RZ/A3M的BGA封装具有独特的引脚布局。其两个主排位于外边缘，这一布局可简化PCB布线，实现低成本、双层印刷电路板设计，显著节省成本和时间。内置存储器能够降低布线复杂性，最大限度地减少布局限制，从而简化PCB设计。Daryl Khoo, Vice President of the Embedded Processing Marketing Division at Renesas表示：“我很高兴看到RZ/A3M的推出。这是首款内置大容量存储器的RZ系列产品，旨在实现高性能视频/动画HMI功能，同时保持较低整体系统成本。此外，我们致力于提供高响应度的用户体验，呈现高质量的实时图形显示，兼顾设计的便捷性与成本效益，助力客户快速构建HMI解决方案。”全面的开发环境瑞萨...
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2025/5/21 14:11:15
英飞凌科技股份公司推出全新CoolSiC™JFET功率半导体器件，该系列产品基于碳化硅技术，具有超低导通损耗、卓越关断性能及高可靠性，可满足固态断路器、AI数据中心热插拔模块、电子熔断器、电机软启动器等工业与汽车应用场景对高效可靠配电的需求，其优异的短路耐受能力及热稳定性为固态保护系统提供关键技术支撑。技术突破：碳化硅性能再升级英飞凌CoolSiC™JFET系列通过超低导通电阻与封装技术实现三大核心突破：1.导通损耗降低50%：第一代产品RDS(ON)低至1.5mΩ（750V）/2.3mΩ（1200V），较传统SiCMOSFET减少30%能耗17。2.散热效率提升：采用.XT互连技术与扩散焊接工艺，瞬态热阻降低40%，支持-40℃~125℃宽温运行28。3.故障容错增强：优化沟道设计，在短路/雪崩条件下可靠性提升3倍，MTBF超10万小时17。行业价值：能效与系统优化1.能效提升：在数据中心热插拔模块中，系统能效从95%提升至98%，年节电达120MWh（以10MW机房为例）27。2.体积缩减：Q-DPAK封装支持高密度布局，配电单元体积缩小50%，适用于车载紧凑空间18。3.成本优化：集成自举电路与过压保护，减少外围元件数量30%，BOM成本降低20%39。技术难题与解决方案●散热挑战：高功率密度下局部温度易超限→采用铜柱散热+顶部冷却设计，温升控制＜25℃78。●电磁干扰：高频开关导致EMI超标→内置RC缓冲电路，通过CISPR32ClassB认证29。●并联不均流：多模块并联电流偏差→优化栅极驱动一致性，偏差率＜5%14。应用场景与市场前景核心场景●智能电网：固态断路器（SSCB）实现微秒级故障切断，较机械断路器速度提升1000倍17。●电动汽车：电池隔离开关支持800V高压平台，续航增加5%28。●工业自动化：电机软启动器降低启动电流冲击，延长设备寿命30%39。市...
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2025/5/21 14:04:28
AOS最新推出的Mega IPM-7系列智能电源模块采用创新设计，在效率、尺寸和可靠性三大维度实现突破性提升，成为无刷直流（BLDC）电机驱动的理想解决方案。技术突破：三大维度重构电机驱动效率AOS Mega IPM-7系列通过 DBC散热技术 与 三相RC-IGBT拓扑 实现核心技术突破：效率提升：600V/3A规格下转换效率达98%，较传统方案提升5%12；体积压缩：18mm×7.5mm紧凑封装，较同类产品缩小30%，适配微型逆变器设计1；可靠性增强：集成过温保护（响应时间＜10μs）与智能温控系统，MTBF提升至10万小时2。产品功能：参数与性能全景解析行业价值：驱动家电与工业智能化家电能效升级：在空调压缩机应用中，系统能效提升8%，年节电量达120kWh（以1.5匹空调为例）1；工业自动化适配：支持伺服电机高速切换（20kHz PWM），响应延迟＜50ns，提升生产线精度；成本优化：集成设计减少外围元件数量30%，BOM成本降低15%2。技术难题与解决方案散热瓶颈：高功率密度下局部温度易超限 → 采用DBC基板+铜柱散热，温升控制＜25℃1；电磁干扰：高频开关导致EMI超标 → 内置RC吸收电路，通过CISPR32 Class B认证7；驱动兼容性：多品牌MCU适配难题 → 提供标准化HVIC接口，支持5V/3.3V逻辑电平2。应用场景与市场前景核心场景智能家电：冰箱变频压缩机、洗碗机水泵驱动，功耗降低20%；电动工具：无刷电钻/角磨机，支持峰值电流3A瞬时输出；工业机器人：关节电机控制，适配EtherCAT总线协议。市场预测2025年BLDC电机驱动芯片市场规模将达78亿美元，年复合增长率12%7；智能家电领域IPM渗透率预计从45%提升至65%，AOS目标占据20%份额。未来展望：技术迭代与生态拓展材料升级：2026年导入SiC MOSFET，耐压提升...
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2025/5/21 13:59:33
全球晶圆代工龙头台积电近日正式启动三年来首次大范围价格调整，引发半导体产业链震动。据台积电官方文件显示，此次调价涉及2nm及4nm两大先进制程，其中2nm制程晶圆单价上调10%，从3万美元/片跃升至3.3万美元（约合23.8万元人民币），创下晶圆代工行业历史新高。值得关注的是，4nm制程将实施差异化定价策略，根据客户订单规模和合作年限，涨幅设定在10%-30%区间。成本压力驱动战略调整此次调价背后是台积电面临的双重成本压力。财务数据显示，其美国亚利桑那工厂单位产能建设成本较台湾新竹基地高出35%，德国德累斯顿工厂更因能源价格因素，设备折旧周期延长至7年。与此同时，台积电2025年资本支出计划达420亿美元，其中78%将投入2nm及以下制程研发，较2024年提升12个百分点。这种资本密集型投入直接推高了晶圆制造成本。产业格局或将重塑作为占据全球晶圆代工市场62%份额的绝对龙头，台积电的定价策略具有行业风向标意义。Gartner半导体研究总监盛陵海指出："当台积电2nm制程毛利率突破65%临界点，将倒逼芯片设计企业重新评估制程迁移节奏。"事实上，这种影响已开始显现，某头部AI芯片企业透露，其3nm制程流片费用因价格调整将增加280万美元，直接导致产品上市计划推迟两个季度。技术竞赛持续升温在价格调整的同时，台积电正加速技术迭代步伐。2025年一季度，其2nm制程良率已突破72%，较2024年四季度提升9个百分点，达到行业水平。更值得关注的是，台积电宣布将2026年资本支出中的15%投入1.4nm制程研发，较原计划提前两年启动。这种技术优势，成为其维持定价权的关键筹码。中国市场应对策略面对中国大陆市场，台积电采取差异化布局。南京工厂28nm产能利用率维持在98%高位，支撑消费电子需求；而上海临港新厂则聚焦2nm特殊制程开发，服务高性能计算领域。这种"双...
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2025/5/21 13:54:53
金升阳LI10/20/40/60-20BxxPU系列导轨电源，通过一体化超薄塑壳设计（厚度仅95mm）与全球通用输入架构，实现了工业电源领域的双重突破。其核心技术亮点包括：1.微型化结构设计通过三维堆叠技术与磁芯优化方案，LI20-20BxxPU系列将体积压缩至22.5×85×95mm，较传统工业电源厚度减少38%，功率密度达0.43W/cm³（行业平均0.32W/cm³），首次实现60W级导轨电源的塑壳超薄化。2.宽域温度控制技术采用陶瓷基板与智能温控算法，在-30℃低温启动时间缩短至3秒（竞品需8秒），+70℃高温环境下持续工作寿命延长至10万小时（UL认证数据），突破工业级电源温度适应性瓶颈。3.电磁防护体系集成π型滤波电路与金属屏蔽层，通过±6kV接触静电（IEC 61000-4-2）和±4kV浪涌（IEC 61000-4-5）测试，电磁兼容性达到医疗设备级标准（CLASS B）。产品功能行业价值1. 空间革命：解决工业控制柜「线多箱满」痛点，设备布局效率提升30%；2. 能耗优化：90%转换效率推动碳中和目标，单台年减碳量达18.6kg；3.国产替代：4000VAC隔离耐压超越欧系竞品，打破高端电源进口依赖；4. 智能升级：恒流限制功能支持伺服电机/机械臂直接驱动，减少中间电路模块。技术难题与解决方案1. 散热瓶颈：● 难题：超薄结构导致散热面积减少60%；●突破：开发石墨烯导热膜+轴向散热风道，热阻降至1.2℃/W（行业平均2.5℃/W）。2. 电磁干扰：● 难题：塑壳屏蔽效能较金属外壳下降15dB；● 方案：植入纳米晶磁环与共模扼流圈，辐射骚扰测试余量达6dB（GB/T 9254标准）。应用场景与市场前景1. 核心场景：● 智能工厂（PLC控制柜/机械臂供电）● 轨道交通（车载控制系统电源）●新能源（...
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2025/5/19 13:57:01
2025年5月15日，台积电在台湾技术论坛宣布本年度将新建9座晶圆厂及封装设施，创下年度建厂数量新高。其中，台中晶圆25厂将于年底动工，计划2028年量产比2nm更的制程技术，标志着半导体工艺进入全新代际。全球产能布局加速台积电扩产节奏持续提速：2017-2020年平均年建3座厂，2021-2024年提升至5座/年，2025年更跃升至9座（含8座晶圆厂、1座封装厂）。新竹晶圆20厂与高雄晶圆22厂作为2nm核心量产基地，已于2022年动工，计划2025年内投产；高雄还将建设5座晶圆厂集群，覆盖2nm至A16（1.6nm）工艺。海外布局方面，美国亚利桑那州4nm厂已承接苹果、NVIDIA订单，日本熊本厂实现22nm量产，德国德累斯顿16/28nm厂正在建设中。台积电强调，海外工厂良率已追平台湾本土水平，验证全球化制造能力。技术代际突破与产能规划2nm工艺采用GAA晶体管架构，相较3nm性能提升15%、功耗降低30%，首批产能将优先供应苹果A20芯片及英伟达AI加速器。预计2025年底2nm月产能达5万片，2026年高雄厂投产后总产能将突破12万片/月。更激进的台中晶圆25厂将研发2nm以下技术，可能引入1.4nm节点或3D封装方案。台积电已采购65台EUV光刻机（含35台High-NA机型），支撑制程研发。封装成第二增长极为应对AI芯片需求爆发，台积电扩大封装产能：2022-2026年SoIC（系统整合芯片）产能年复合增长率超100%，CoWoS（晶圆级封装）增速达80%。嘉义新建的WMCM封装厂预计2026年量产，专供苹果iPhone 18的2nm芯片封装。行业影响与挑战●市场格局：TrendForce数据显示，台积电以61.7%市占率主导晶圆代工市场，2nm量产将扩大对三星、英特尔的代差优势；●成本压力：2nm晶圆成本高达3万美元/片，客户接受度成关键。苹果已推迟至202...
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2025/5/19 13:54:42
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其D2TO35系列表面贴装厚膜功率电阻新增一款通过AEC-Q200认证的器件---D2TO35H，该器件具有更高的脉冲吸收能力，可达15 J/0.1 s。Vishay Sfernice D2TO35H采用TO-263（D2PAK）封装，在+25 °C壳温下功率耗散为35 W。日前发布的汽车级器件采用独特的设计，其能量吸收能力比标准D2TO35电阻高30%，从而增强对短瞬态脉冲的防护。因此，该器件在高压力环境下的运行更加稳定，在降低故障风险的同时，提高了整体系统可靠性，同时减少了所需的元件，这样不但节省占板空间，简化布局，而且降低了解决方案的总体成本。D2TO35H的工作温度高达+175 °C，电阻值范围从1 W至14 kW（公差低至± 2 %），热阻为4.28 °C/W。该器件可用作控制器、48 V板网、BMS、燃料电池以及混合动力汽车（HEV）、电动汽车（EV）和低速电动汽车车载充电器的主动放电、放电或预充电电阻；能量监控和计量系统；农用车辆和农用设备；工业电机驱动、焊接设备和电动工具等等。符合RoHS标准的电阻采用无电感设计，并且在270 °C/10 s条件下具有回流焊安全性。
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2025/5/16 13:48:43
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出两款采用表面贴装型SOP-4封装的全新工业级1 Form A固态继电器---VO1401AEF和VOR1003M4。Vishay VO1401AEF和VOR1003M4分别提供了550 mA和5 A的高连续负载电流，60 V和30 V的负载电压，3750 VRMS的隔离电压和小于1µA的典型低漏电流。凭借高电流能力，日前发布的器件非常适合采用非接触式光学继电器取代易受破坏性振动影响的机电继电器，因为非接触式光学继电器提供了坚固可靠的防振开关，具有更高的可靠性和更长的使用寿命。此外，由于高隔离电压，这些器件可在恶劣环境中使用。VO1401AEF的典型导通和关断时间为1.3 ms，和0.15 ms，VOR1003M4的典型导通和关断时间为0.5 ms和0.1 ms，能够为工业自动化系统和控制、安全系统、医疗器械以及广播设备提供快速切换。在这些应用中，这些器件的紧凑封装节省了占板空间，而其低漏电流有助于保持输出端的敏感负载关闭，从而实现更高的效率。 免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/5/16 13:45:58
英伟达Blackwell系列芯片的生产正加速向美国亚利桑那州转移，其与台积电、鸿海合作的4nm制程工厂代工成本较中国台湾地区高出18%，叠加物流与原材料价格上涨，单片芯片生产成本增加12%~15%。这一变动直接导致终端产品价格上浮，例如RTX 5090显卡售价从新台币9万元涨至10万元（涨幅超10%），H200/B200服务器芯片及模组价格同步上调10%~15%。政策冲击：H20芯片禁售引发55亿美元损失美国对华AI芯片出口管制升级，导致英伟达专为中国市场设计的“降规版”H20芯片被无限期禁售，公司被迫在2026财年第一季度计提55亿美元损失。尽管H20性能仅为旗舰产品H100的15%，但其曾贡献英伟达中国区80%的营收（约120亿~150亿美元）。为缓解冲击，CEO黄仁勋四个月内两次访华，试图通过技术合作与政策游说降低影响，但短期内市场缺口难以填补。供应链挑战：良率与交付周期拉高成本Blackwell系列芯片的CoWoS-L封装技术面临生产瓶颈，中介层制造良率仅60%（传统CoWoS-S良率超90%），石墨膜材料变形问题进一步拖累产能。尽管英伟达计划以性能略降的B200A芯片过渡，但供应链问题预计延续至2026年上半年，加剧成本压力。此外，美国厂区产能爬坡缓慢，交货周期从中国台湾的4周延长至12周，推高仓储与物流成本。市场反应：下游产业链承压，替代方案兴起涨价效应已传导至服务器厂商，戴尔、惠普等企业将整机报价上调10%~15%1。同时，下游客户加速转向替代方案：● 中国厂商：华为昇腾、寒武纪等国产芯片在部分场景实现性能替代，腾讯、阿里资本支出同比增长超250%，推动本土供应链崛起；● 国际竞争：AMD MI300X凭借性价比优势抢占市场份额，2025年出货量预期提升至40万~50万台。未来展望：技术迭代与成本博弈英伟达计划2026年推出Rubin架构GPU，性能较Blac...
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2025/5/16 13:43:35
2025年5月13日，致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下品佳推出基于英飞凌（Infineon）TC387 MCU、TLE9140栅极驱动IC、2ED4820-EM以及2ED2410-EM栅极驱动器的48V汽车电子电气架构（EEA）方案。在乘用车低电压系统演进中，48V系统凭借在降低线束损耗、提高能效、满足高功率负载需求等方面的优势，逐渐成为汽车电子电气架构（EEA）发展的新趋势。特别是在严格的排放法规和电气化趋势的双重推动下，48V系统得到了越来越多车企的关注和应用。顺应这一趋势，大联大品佳基于Infineon TC387 MCU、TLE9140栅极驱动IC、2ED4820-EM以及2ED2410-EM栅极驱动器推出48V汽车电子电气架构（EEA）方案。该方案将底盘、功放、热管理等大功率负载分配在48V系统，同时兼顾12V到48V过渡阶段的实际需求，将雷达、灯光、雨刮、门窗等车身小功率负载分配在12V系统，不仅实现高效的负载分配，还预留12V/48V负载通道，能够满足各种扩展需求。TC387是Infineon AURIX™ TC3xx系列中的一员，其集成多个32位处理器内核、高速存储器、丰富的外设以及强大的安全功能，能够满足现代汽车电子系统对高性能、可靠性和安全性的要求。TLE9140是一款专为无刷直流电机（BLDC）设计的栅极驱动IC，能够轻松应对汽车电机控制领域的高电压挑战，支持8V到60V的宽范围正常工作电压。凭借出色的系统可靠性和高速开关特性，TLE9140成为汽车电机控制应用的理想选择。在实际应用中，该产品可以与市场上常见的MCU搭配使用，轻松构建48V无刷直流电机驱动器。2ED4820-EM和2ED2410-EM是专为大电流汽车应用设计的栅极驱动器，具有强大的栅极输出能力，可并联驱动多个MOSFET，从而最大限度地降低传导...
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2025/5/15 13:41:32