为满足风电轨交、精密制造等可靠性要求严苛、性能优异的应用环境，金升阳推出了高端M系列导轨——LIMF120/240/480-23Bxx系列，该系列设计参考防爆认证，60℃可满载工作，提供5年质保，且兼具防盐雾、5G抗震、三防漆保护等优势，可适应各类应用工况，为客户系统提供稳定可靠的能量支持。一、产品优势如下 1）宽输入输出电压 ① 全球通用输入电压范围：85 - 277VAC/120 - 390VDC，支持305VAC/2H输入，可交直流两用； ② 输出可调范围宽，可有效解决长距离供电的线损问题。2）性能强大 ① 产品效率高达93%，高效环保，减少发热的同时提升了电源可靠性和使用寿命； ② 工作温度范围：-40℃ to +85℃，60℃可满载工作，适用于机房高温环境； ③ 满足1.5倍（3s）瞬态峰值功率，可与直流电机或其他大容性负载搭配使用； ④ 带PFC功能，DC OK，输出短路、过流、过压、过温保护。3）稳定可靠 ① 真空电镀外壳，基板双面三防漆、通过48h防盐雾测试，符合ANSI/ISA71.04-2013 G3等级防腐测试，可用于高污染环境； ② 通过双85验证测试，恶劣应用环境下可正常使用； ③ 符合5G振动测试标准，可有效避免振动环境导致的结构/焊接失效问题； ...
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2025/3/21 13:20:18
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子今日宣布推出针对电动自行车、吸尘器、机器人和无人机等多种采用锂电池供电的消费产品推出锂电池组一站式管理解决方案——R-BMS F。得益于所提供的预验证固件，R-BMS F（具备固定固件的即用型电池管理系统）将显著缩短开发者的学习周期，助力其快速设计出安全、高效的电池管理系统。R-BMS F解决方案专为2-4节和3-10节串联（S）的锂离子电芯设计，包括瑞萨业界卓越的电量计IC（FGIC）、集成微控制器（MCU）和模拟电池前端、预编程固件、软件、开发工具及完整文档——所有这些都以完整的评估套件形式提供，现已准备发货。瑞萨于3月16日至20日，在美国佐治亚州亚特兰大举行的国际电力电子应用展览会（APEC）期间，在其展台（展位号#2021）上现场展示该全新电池管理系统（BMS）解决方案。预编程固件简化开发过程固件在电池管理系统中的作用至关重要，其负责监控电池的充电状态（SoC）、健康状态（SoH）、电流和温度，并主动平衡每个电芯的电压以及检测故障。然而在某些情况下，消费电子产品开发商可能因缺乏所需的高度专业化的知识，而难以开发出能够确保电池在安全温度范围内工作，并在多次充放电循环中保持足够使用寿命的控制算法。瑞萨的R-BMS F解决方案包括内置的预测试固件，可与FGIC的集成MCU配合使用。固件包含关键的预编程功能，可最大限度地延长电池寿命并确保安全运行：这些功能囊括电芯平衡、电流控制，以及电压和温度监控等。为进一步提升灵活性，电池管理系统允许开发者通过图形用户界面（GUI）设置众多参数，以满足特定要求，并针对不同的电芯化学成分调整解决方案，而无需全套的集成开发环境（IDE）。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/3/21 13:16:49
美光科技在迎来台积电前董事长刘德音加入董事会后，近期与存储封测领域的领军企业力成达成了深度合作，大幅扩大了DRAM的委外封测订单。据悉，此次订单量激增了五成，直接推动了力成产能利用率的显著提升。力成对未来的市场前景持乐观态度，并预计存储市场在第二季度将迎来复苏。力成董事长蔡笃恭表示，公司将持续增加在AI相关技术和HBM封测领域的投入，以扩大订单量。美光科技在台湾的投资已满30周年，据统计，截至2024年，美光在台湾的投资额已累计超过1.1万亿元新台币，成为台湾最大的外商投资企业。美光与供应链伙伴建立了紧密的合作关系，并积极发展HBM技术，与SK海力士、三星等巨头共同抢占市场商机。有消息称，为了满足庞大的市场需求，美光计划在台中厂区进一步扩大HBM产能，并将部分封测产能转用于HBM封测，这使得DRAM封测产能受到挤压并出现缺口，从而促使美光扩大了委外封测的合作范围。力成预计采用堆叠式封装（PoP）技术，并有望从第二季度开始进入量产阶段。据初步估算，PoP制程的产量将实现季度增长五成，产能利用率也将大幅提升。业界分析指出，美光与力成已携手合作近十年，双方建立了深厚的默契与信任。从力成西安工厂至今，力成一直是美光DRAM和NAND Flash委外封测的重要合作伙伴。此次深度合作不仅将进一步巩固双方的合作关系，还将共同开拓AI和HBM领域的新蓝海。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/3/20 13:18:43
目前，许多工业应用正朝着更高功率水平、且功率损耗最小化的方向发展，实现这一目标的方法之一是提高直流母线电压。针对这一市场趋势，全球功率系统和物联网领域的英飞凌科技股份公司于 2024年9月推出CoolSiC™肖特基二极管2000 V G5产品系列，这是首款击穿电压达到2000 V的碳化硅二极管分立器件。该产品系列目前扩展到TO-247-2封装，其引脚可与现有的大多数TO-247-2封装兼容。该产品系列非常适合最高直流母线电压为1500 VDC的应用，是太阳能和电动汽车充电桩的理想之选。这款TO-247-2 封装的2000 V CoolSiC™肖特基二极管G5的额定电流范围为10 A至80 A。相比1200 V 解决方案，这款产品能使开发人员在应用中实现更高功率等级，同时将器件数量减半，从而简化整体设计，并有助于从多电平拓扑结构无缝过渡到两电平拓扑结构。此外，TO-247-2 封装的肖特基二极管还采用.XT互联技术，大大降低了热阻抗，提高了热管理能力。它还通过HV-H3TRB可靠性测试，验证了在潮湿环境中的稳定性。这款二极管没有反向恢复和正向恢复，且具有正向电压低的特点，从而确保了系统性能的提升。2000 V二极管系列可与英飞凌2024年春季推出的TO-247Plus-4 HCC 封装CoolSiC™ MOSFET 2000 V完美匹配。除TO-247-2 封装外，CoolSiC™肖特基二极管 2000 V还提供 TO-247PLUS-4 HCC封装。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/3/19 11:24:52
安森美(onsemi)推出其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的SPM 31智能功率模块（IPM）系列。与使用第7代场截止（FS7） IGBT技术相比，安森美EliteSiC SPM 31 IPM在超紧凑的封装尺寸中提供超高的能效和功率密度，从而实现比市场上其他解决方案更低的整体系统成本。这些IPM改进了热性能、降低了功耗，支持快速开关速度，非常适用于三相变频驱动应用，如AI数据中心、热泵、商用暖通空调（HVAC）系统、伺服电机、机器人、变频驱动器（VFD）以及工业泵和风机等应用中的电子换向（EC）风机。EliteSiC SPM 31 IPM 与安森美 IGBT SPM 31 IPM 产品组合（涵盖 15A 至 35A 的低电流）形成互补，提供从 40A 到 70A 的多种额定电流。安森美目前以紧凑的封装提供业界的广泛可扩展、灵活的集成功率模块解决方案。随着电气化和人工智能应用的增长，尤其是更多AI数据中心的建设增加了能源需求，降低该领域应用的能耗变得愈发重要。在这个向低碳排放世界转型的过程中，能够高效转换电能的功率半导体发挥着关键作用。随着数据中心的数量和规模不断增长，预计对 EC 风机的需求也将随之增加。这些冷却风机可为数据中心的所有设备维持理想的运行环境，对于准确、无误的数据传送至关重要。 SiC IPM 可确保 EC 风机以更高能效可靠运行。与压缩机驱动和泵等许多其他工业应用一样，EC 风机需要比现有较大的 IGBT 解决方案具有更高的功率密度和能效。通过改用 EliteSiC SPM 31 IPM，客户将受益于更小的尺寸、更高的性能以及因高度集成而简化的设计，从而缩短开发时间，降低整体系统成本，并减少温室气体排放。例如，与使用当前 IGBT 功率集成模块 (PIM) 的系统解决方案相比，在 70% 负载时的功率损耗为 ...
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2025/3/19 11:14:58
美国柏恩 Bourns 全球知名电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商，全新推出 SRF0703HA 系列双绕组屏蔽功率电感器。Bourns® 全新符合 AEC-Q200 标准的车规级功率电感器，可用于并联、串联、双电感器或变压器配置，为设计师提供额定电流与电感设计灵活性。此外，此款单一封装的双绕组电感器相比于使用两个独立电感器，提供了节省空间和降低成本的解决方案。全新符合 AEC-Q200 标准的车规级电感器提供额定电流和电感设计灵活性，可用于并联、串联、双电感器或变压器配置Bourns® SRF0703HA 系列专为单端初级电感转换器 (SEPIC) 拓扑结构、汽车系统和电源供应器提供了解决方案。该系列拥有 -55°C 至 +150°C 的广泛操作温度范围，并具备磁屏蔽功能，能有效降低辐射，非常适用于需满足低噪音要求的应用场景。全新 Bourns® SRF0703HA 双绕组屏蔽功率电感器系列现已上市，全系列均符合 RoHS* 标准且为无卤产品**。*RoHS 指令 2015/863 之 2015 年 3 月 31 日和附件。**Bourns 产品符合“无卤”要求前提 (a) 溴含量少于等于 900 ppm (b) 氯含量少于等于 900 ppm，并且 (c) 溴与氯的 含量总和少于等于 1500 ppm。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/3/18 13:26:55
全球连接和电源解决方案供应商 Qorvo®今日宣布，推出旗下首款全集成低功耗超宽带（UWB）片上系统（SoC）QM35825，进一步拓展其 UWB 产品组合。这款高性能、超低功耗 SoC 凭借基于雷达的传感技术实现精准定位追踪，适用于存在检测自动化、家用安全门禁、非接触式生命体征监测，以及个性化内容体验等场景。得益于 Qorvo 在 UWB 领域深耕超过十年的专业积累，QM35825 实现令人瞩目的 104dBm 链路预算，并拥有片上人工智能（AI）及机器学习（ML）处理能力，显著提升测距精度与稳定性。该全新解决方案立足于以开发者为中心的架构，提供易于访问的 API，确保与现有生态系统的顺畅集成，加速 UWB 创新应用的部署。“Qorvo 持续推动 UWB 技术创新。我们的解决方案帮助客户迅速将产品推向市场，从而加快了 UWB 的普及。”Qorvo 副总裁兼连接解决方案事业部总经理 Marc Pégulu 表示，“QM35825 凭借卓越的射频（RF）性能，结合雷达功能和精细测距精度，为消费、工业与企业市场的下一代应用铺平了道路。”QM35825 目前已开始向关键客户和网络基础设施提供商提供样品，体现 Qorvo 致力于以行业性能推进 UWB 技术发展的承诺。为支持新兴应用场景，Qorvo 已构建由 30 多家企业组成的强大合作伙伴生态系统，并设立活跃的技术论坛以促进协作。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/3/18 13:23:00
为满足各行各业对高性能、数学密集型应用日益增长的需求，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）正式发布PIC32A系列MCU。该产品进一步扩充了公司强大的32位MCU产品线，专为汽车、工业、消费、人工智能/机器学习（AI/ML）及医疗市场提供高性价比、高性能的通用型解决方案。32位PIC32A MCU采用200 MHz CPU，集成高速模拟外设，旨在大幅减少对外部元件的需求。其特性包括高达40 Msps的12位ADC、5纳秒高速比较器和100 MHz增益带宽积（GBWP）运算放大器，适用于智能边缘传感。这些特性结合高性能CPU，可在单一MCU上实现多任务处理，优化系统成本和物料清单（BOM）。此外，集成的硬件安全功能包括闪存和RAM的纠错码（ECC）、内存内置自测试（MBIST）、I/O完整性监控、时钟监控、不可变安全启动及闪存访问控制，旨在为嵌入式控制系统应用中的软件代码提供安全的执行环境。PIC32A MCU内置64位浮点单元（FPU），可高效处理数据密集型数学运算，支持模型化设计快速部署。这些MCU可助力开发者在传感器接口和数据处理等计算密集型应用中实现加速执行。Microchip 负责MCU业务部的副总裁Rod Drake 表示：“PIC32A系列面向智能传感与控制应用，通过平衡成本效益、性能与模拟外设，扩充了我们现有32位产品组合。高速外设与其他集成功能减少了对特定外部组件的需求，在降低系统复杂度的同时提供高性能解决方案。” 开发工具 PIC32A MCU由MPLAB® XC32编译器、MPLAB Harmony嵌入式软件开发框架以及dsPIC33A Curiosity 平台开发板（EV74H48A）和PIC32AK1216GC41064通用DIM（EV25Z08A）提供支持。为支持功能扩展，Cu...
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2025/3/18 13:17:01
半导体器件供应商兆易创新GigaDevice宣布推出专为1.2V SoC应用打造的双电压供电SPI NOR Flash产品——GD25NE系列。该系列产品无需借助外部升压电路即可与下一代1.2V SoC实现无缝兼容，此产品的面世将进一步强化兆易创新在双电压供电闪存解决方案领域的战略布局。凭借更高的性能和更低的功耗，GD25NE系列可充分满足市场对于嵌入式存储解决方案日益增长的需求，成为智能可穿戴设备、医疗健康、物联网、数据中心及边缘人工智能应用的理想选择。 GD25NE系列SPI NOR Flash的核心供电电压为1.8V，IO接口电压为1.2V，支持单通道、双通道、四通道、双沿四通道模式，最高时钟频率为STR 133MHz，DTR 104MHz。GD25NE系列的写入时间典型值为0.15ms，扇区擦除时间为30ms，其与常规1.2V单电压供电的Flash解决方案相比，数据读取性能提升了20%，写入速度提升60%，擦除时间缩短30%。凭借这些技术优势，GD25NE系列成为新兴嵌入式应用的卓越之选。为进一步满足能耗敏感型应用的需求，GD25NE系列采用超低功耗设计。其深度睡眠功耗电流低至0.2µA，在双沿四通道104MHz频率下的读取电流低至9mA，擦写电流低至8mA。与传统的1.8V Flash解决方案相比，GD25NE系列的1.2V IO接口设计可将功耗降低50%。这一优化的电源架构不仅显著提升了能效，还保持了Flash器件的高性能表现，同时简化了SoC的系统设计。“GD25NE系列作为双电源SPI NOR Flash品类的代表，实现了高性能与超低功耗的完美平衡，”兆易创新副总裁、存储事业部总经理苏如伟表示，“凭借显著降低的功耗、更快的读取速度以及更高的擦写效率，GD25NE系列能够满足新一代1.2V SoC持续演进的需求。未来，兆易创新还将不断拓展双...
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2025/3/17 13:28:28
服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体 (STMicroelectronics，简称ST） 宣布，ST87M01 NB-IoT地理定位模块新增更多功能，现已完成德国电信 (DT) 入网全部测试审批手续。ST87M01模块在一个小封装内整合网络连接和地理定位功能，通过了物联网连接标准 NB-IoT 15版认证，符合 3GPP和欧盟无线电设备指令 (RED) 等区域标准，内置符合GSMA标准的嵌入式 SIM卡及安全单元和GNSS卫星接收器，其中，嵌入式 SIM卡是可选配置。在产品最近更新后，ST87M01现在增加了Wi-Fi定位功能，在GNSS卫星信号不好的环境内，例如，室内和高密度城区，Wi-Fi 定位功能可提高地理定位的可靠性和准确度。在整合了意法半导体的ST4SIM-300嵌入式SIM卡后，ST87M01模块还适合远程SIM卡开通应用场景。远程 SIM卡开通支持GSMA SGP.32标准，让移动网络用户无需更换实体SIM卡就能换网。成功通过德国电信认证测试是意法半导体与多家移动网络运营商进行一系列芯片功能演示活中的最新捷报，证明ST87M01符合技术标准对网络性能和效率的严格要求。意法半导体专用产品部总经理Domenico Arrigo表示：“获得德国电信入网许可证是我们的 NB-IoT地理定位模块区别于其他竞品的一个重要特性，这个许可证准许我们为整个欧洲地区的客户提供服务，同时证明该模块的网络性能和行为达到了很高水平，并实现了很高的网络连接效率。”德国电信物联网设备与服务主管Uday Patil表示：“我们严格按照专有标准和行业标准测试意法半导体ST87M01模块，这些标准的制定是为了确保网络具有很高的安全性、可靠性和高效率。测试结果证明，这款 NB-IoT模块适用于在德国电信网络上大规模部署的物联网项目，并且已获得全部入网许可。”ST87M01模块还...
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2025/3/17 13:24:10
随着智能手机和个人电脑等IT设备需求的复苏，内存半导体市场正在经历重大转变。这种复苏推动了DRAM和NAND闪存等关键部件的价格上涨，与去年的供应过剩和价格下跌形成鲜明对比。这种转变主要归因于全球人工智能（AI）热潮和经济状况的改善，这些因素重新点燃了消费者对高性能半导体的兴趣。去年，半导体行业面临两难境地。尽管用于AI服务器的高性能半导体（例如高带宽存储器 HBM）需求旺盛，但由于经济衰退和消费者支出放缓，个人电脑和智能手机中使用的通用存储器供应过剩。这导致10月和11月NAND闪存价格下跌近30%。然而，今年年初市场开始出现复苏迹象，128Gb多层单元（MLC）NAND闪存的固定交易价格在1月份上涨至2.18美元，2月份上涨至2.29美元。据DRAMeXchange 3月13日的数据，通用型DRAM DDR4 8Gb产品现货均价为1466美元，自3月7日以来已连续5天上涨。同样，16Gb DDR5产品现货均价在3月12日较上月上涨逾6%，至5068美元。预计这一上涨趋势将持续，SanDisk（闪迪）计划在4月1日将产品价格上调逾10%，因市场预期需求将很快超过供应。美国市场研究公司Gartner的预测也进一步支持了这一预期，该公司预测今年人工智能电脑的市场规模将从去年的4302万台激增165.5%，达到1.1422亿台。这一增长预计将提振对内存半导体的需求，如果价格继续上涨，三星电子和 SK海力士等主要企业将考虑扩大通用产品的生产。三星证券研究员李钟郁对此进行分析，“第二季度继DDR5之后，低功耗DRAM（LPDDR5）也存在上涨的可能性”，“预计第二季度通用产品的悲观情绪将朝着更加乐观的方向发展”。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/3/17 13:20:23
继存储芯片厂商闪迪（SanDisk）宣布自4月1日起全渠道产品涨价超10%后，国内领先存储厂商长江存储旗下品牌致态亦计划于同期上调渠道提货价格，涨幅或超10%。此外，美光等厂商已明确表示将同步调高经销商拿货价。这一系列动作标志着存储行业正从供给过剩转向价格修复阶段。2024年以来，为缓解库存压力，三星、SK海力士等头部存储芯片厂商陆续宣布15%-25%的产能收缩计划，行业供给端持续收紧。减产策略与提价动作形成合力，反映出原厂对稳定市场价格、改善盈利能力的迫切诉求。历史经验表明，头部厂商的调价往往带动产业链上下游跟进，推动合约价与现货价同步上行。市场数据已印证这一趋势：今年2月，小容量eMMC及部分渠道SSD价格率先反弹，部分低价资源快速出清。截至当前，DDR5（16GB）现货价较年初上涨6.8%，部分SSD型号亦出现小幅回升。机构分析指出，现货市场的提前反应表明下游对涨价预期已形成共识。随着库存去化接近尾声，2024年存储芯片销售情况显著改善。中商产业研究院预测，2025年中国半导体存储器市场规模将突破4580亿元。值得注意的是，AI技术正成为驱动存储需求的新变量。AI服务器、AI手机及AIPC的“三重需求组合”有望在2025年形成共振，其中AI服务器对NAND Flash的需求量或将激增。据测算，2025年全球企业级SSD的存储容量需求（bit需求量）至少增长30%。面对行业上行周期，国内存储模组厂商正积极调整策略。凭借低价库存优势与快速市场响应能力，国产厂商有望在价格传导过程中率先兑现利润弹性。机构预计，NAND Flash价格或于2025年二季度启动上涨，DRAM价格则将在下半年企稳回升。这一轮周期中，国内企业的成本管控与产能灵活性将成为关键竞争力。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请...
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2025/3/17 13:16:17
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出一系列通过AEC-Q200认证的全新Power Metal Strip®分流电阻器---WSBE，这些器件的TCR低至± 10 ppm/°C，在同类产品中保持较低水平。 Vishay Dale WSBE系列器件具有低至15 mW的电阻值和高达50 W的额定功率，适用于汽车、能源、工业和空间等应用。这些器件具有超低的TCR性能，这得益于器件采用固态金属电阻元件和拥有专利的TCR优化技术。这种独特的设计可降低TCR，同时无需温度补偿，并将所需要的校准简化为两点校准流程。这种设计还简化了所需的补偿软件，并减少了应对温度偏移所需的元件数量，从而节省了空间，简化了设计和产品开发，降低了成本，提高了精度。WSBE系列器件的外壳尺寸分为8518和8536两种，而且由于采用专有加工技术，使产生的电阻值极低。结合高额定功率和1%的使用寿命稳定性，WSBE系列作为一种高电流电阻器，可以承受高达1825 A的电流，而不会出现明显的电阻偏移。 WSBE系列是为电池管理系统（BMS）的电流测量而设计的，有助于消除生产过程中对温度传感和软件校准的需求。这些器件是电动（EV）和混动（HEV）车辆（如高尔夫球车和摩托车）充电基础设施的理想选择。其他应用领域还包括能源监控和计量系统、大型电池系统、UPS备用电池、工业电机驱动和工具用逆变器，以及卫星。这些电阻器采用全焊接结构，电感值低至 器件规格表：免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/3/14 14:01:30
TDK株式会社新近推出爱普科斯 (EPCOS) EP9系列变压器。相比于专为IGBT及FET栅极驱动电路而设计现有E10EM系列表面贴装变压器，新系列元件尺寸更为紧凑，且优异性能可满足500 V系统电压的严苛汽车及工业应用要求，同时具备绝缘性能好、耦合电容超低和耐热性强的特点。该新系列产品迎合了TDK积极推动绿色转型，迈向更加电气化和可持续未来的理念。EP9系列采用锰锌MnZn铁氧体磁芯及SMD L型引脚设计，高度仅为11 mm，占板面积为13 x 11 mm，具有−40 °C至+150 °C的宽工作温度范围，即使在严苛工况下也能确保高可靠性。其耦合电容仅为2 pF，符合AEC-Q200 Rev. E标准，且爬电距离与空间距离≥5 mm，广泛适用于汽车电子及其它要求较高的应用场合。新系列变压器支持半桥及推挽式变换器等拓扑结构，典型工作频率为100至400 kHz，且匝比专门针对具体应用进行了优化。产品采用卷带包装，方便大批量生产环境中的自动化装配。用户可通过订货号B82804X1获得样品套件，其中包含每种型号的6个变压器。特性和应用主要应用变频系统用的IGBT/MOSFET栅极驱动变压器DC-DC转换器用的辅助变压器主要特点和优势尺寸紧凑：13 x 11 x 11 mm（长x宽x高）宽工作温度范围：−40 °C至+150 °C超低耦合电容：2 pF绝缘性好：爬电距离与空间距离≥5 mm [累积，磁芯悬浮]获得AEC-Q200 Rev. E认证关键数据免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/3/14 13:57:57
半导体公司意法半导体 (STMicroelectronics，简称ST) 推出了STM32U3新系列微控制器 (MCU)，设计采用节能创新技术，降低智能互联技术的部署难度，尤其是在偏远地区的部署。新系列MCU目标应用锁定物联网设备。通常情况下，物联网设备必须保持长时间运行，免维护，依靠纽扣电池、环境太阳能电池或热电源的有限电能维持运行。典型应用是工作功耗极低的产品设备，包括电水燃气表、血糖仪、胰岛素泵等医疗设备、动物健康护理监测器、森林火灾探测器，以及恒温器、烟火探测器等工业传感器。STM32U3 MCU还用于智能手表、穿戴设备、耳机等消费产品。意法半导体通用 MCU产品部总经理 Patrick Aidoune表示：“STM32U3 系列继承了ST目前广为人知的超低功耗通用微控制器系列的传统，为智能技术在不同环境中的应用普及打开了大门。通过引入最新的近阈值设计等创新技术，新产品的动态功耗已经降至极限，与上一代产品相比，能效提高了两倍，有助于客户实现可持续发展目标。”除了极高的能效外，STM32U3 系列还利用最新的硬件安全技术提供强大的网络保护，满足物联网设备对信息安全的需求。新MCU将密钥永久固化在安全内存中，从而消除了易受攻击的 CPU取指操作。此外，在产品出厂前，意法半导体为每个产品安装了证书，从而增强了信息安全性，并简化了证书管理。所有这些安全机制，加上可以通过 SESIP3和 PSA Level 3认证的安全资产，例如，加密算法加速器、TrustZone®隔离、随机数生成器和产品生命周期管理，将有助于客户满足即将出台的RED和CRA法规的要求。技术说明过去，意法半导体的STM32超低功耗 (ULP) MCU 引领市场趋势，现在，新的STM32U3系列将超低功耗性能提升到一个新高度。新系列MCU利用先进的节能芯片设计，通过有AI功能的工具优调设计，以及运行...
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2025/3/14 13:53:56
2025年3 月 12日--安森美(onsemi)推出其首款实时、间接飞行时间 (iToF) 传感器Hyperlux™ ID 系列，可对快速移动物体进行高精度长距离测量和三维成像。Hyperlux ID 系列采用安森美全新专有全局快门像素架构且自带存储，可以捕捉完整场景，同时实时进行深度测量。这种创新方法突破标准 iToF 传感器的局限性，实现最远 30 米的深度感知，是标准 iToF 传感器的四倍，而且外形尺寸更小。 此外，该传感器系列还能同时生成黑白图像和深度信息。 通过结合这两种输出，该传感器系列可以提供全面的环境视图，而无需为视觉和深度数据分别配置传感器。因此，Hyperlux ID 系列实现了简化设计和业内领先的超深度感知能力，能在动态场景条件下工作以及捕捉快速移动物体，这在以前都是无法实现的。随着自动化和机器人技术在工业领域的广泛应用，快速且高效地获取高精度深度信息对于提升在复杂环境中的生产效率和安全性变得至关重要。然而，到目前为止，iToF传感器由于测距范围有限、在恶劣光照条件下性能不佳且无法对移动物体计算深度，其应用受到了限制。由于能够对移动物体和高分辨率图像进行精确测量，Hyperlux ID 系列将有助于减少错误和停机时间，优化制造系统的流程，从而降低运营成本。 此外，Hyperlux ID 系列还适用于面部识别、手势检测和 3D 视讯会议等消费应用场景。Hyperlux ID 系列非常适合用于广泛的工业环境，例如：· 自动化与机器人：通过检测物体以实现更好的导航和避障，从而提高工厂车间的安全性。· 制造与质量控制：通过测量物体的体积和形状、检测缺陷，确保产品符合质量标准。· 物流与物料处理：通过测量托盘和货物的位置、尺寸及货物比例，以优化仓储管理和运输流程。· 农业与种植：通过测量植物高度、检测疾病以及优化灌溉和...
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2025/3/13 13:55:50
2025 年 3 月 11 日，中国北京讯 - 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子今日宣布推出一款面向大规模视觉AI市场的新产品——RZ/V2N，进一步扩展RZ/V系列微处理器（MPU）的产品阵容。与其高端产品RZ/V2H类似，新产品配备瑞萨专有AI加速器DRP（动态可重配置处理器）-AI3。得益于剪枝（注1）技术，可实现10TOPS/W（每瓦每秒万亿次运算）的能效和高达15TOPS的AI推理性能。随着RZ/V2N的最新加入，RZ/V系列现已覆盖从低端RZ/V2L（0.5TOPS）到高端RZ/V2H（高达80TOPS）的全系列市场。全新RZ/V2N MPU的体积较RZ/V2H显著缩小，封装面积仅为15mm2；安装面积减少38%。RZ/V2N继承RZ/V系列的特性，将高性能AI与低功耗相结合。这些优化特性可减少热量产生，无需额外冷却风扇，从而缩减嵌入式系统的尺寸和成本。开发人员可以轻松地在广泛应用中实现视觉AI，从商业设施中用于交通和拥堵分析的AI摄像头、生产线上的视觉检测工业摄像头，到用于行为分析的驾驶员监控系统等。双摄像头双角度图像处理与RZ/V2H类似，新型RZ/V2N配备四个同类最佳的Arm® Cortex®-A55 CPU内核和一个Cortex-M33内核，并结合高质量的图像信号处理器（ISP）Arm Mali-C55。RZ/V2N还拥有两个通道的MIPI摄像头接口，可连接两个摄像头捕捉双角度图像。与单摄像头系统相比，双摄像头系统可大大提高空间识别性能，并能进行更精确的人体运动轨迹分析和跌倒检测。此外，双摄像头系统还能捕捉不同位置的图像，从而使用单芯片即可高效统计停车场内的车辆并识别车牌。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/3/13 13:37:34
研究公司 Rho Motion表示，尽管欧盟对中国产电动汽车征收关税，导致一些品牌的销量下降，但中国2月份的电动汽车购买量再次领先，与去年同期相比，全球电动汽车购买量有所增加。3月12日，研究公司 Rho Motion表示，尽管欧盟对中国产电动汽车征收关税，导致一些品牌的销量下降，但中国2月份的电动汽车购买量再次领先，与去年同期相比，全球电动汽车购买量有所增加。2月份，包括纯电动汽车和插电式混合动力汽车在内的汽车总体销量同比增长49%，达到120万辆，但研究人员表示，这一数据受到中国农历新年时间的影响，与1月份相比，这一数字下降了3%。欧盟在反补贴调查后于10月底对中国产汽车征收关税。Rho Motion数据经理Charles Lester表示，隶属于中国上汽集团的MG受到关税的冲击，销量大幅下滑，2024年11月至2025年1月期间，上汽集团在欧洲和欧洲经济区的中国汽车销量增幅与2024年1月至10月相比平均下降了19%。本田、奔驰、吉利、特斯拉、雷诺、及较小的中国品牌蔚来和小鹏的销售也受到了关税的影响。Lester说，欧洲汽车销量与去年同期相比增长了19%，这是自欧盟二氧化碳排放目标生效以来连续第二个月实现两位数增。德国在2025年前两个月增长了40%。2月北美电动汽车销量同比增长17%，但美国总统特朗普对电气化的立场将导致美国的年度销量预测下调。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/3/13 13:34:37