随着国内机器人以及电池充电行业的发展，市场对非隔离大电流产品需求愈发旺盛。为满足客户多样化的需求，金升阳在升降压10A的基础上，推出了40A电流的KUB48xxHB-40A系列。有效解决市场上客户选择性少，交期长，成本太高的痛点问题。性价比高，售后服务优。二．产品优势• 物料100%国产化，产品交期有保障• 高功率，高效率，宽输入输出电压范围输出功率最高可达1920W，效率高达96%。该产品具有14.5-60V宽电压输入范围，15-55V的可调输出电压范围，输出电流0-40A可调。可兼容多种输入电压，满足不同应用的多样化需求，降低客户管理成本，提高效率。• 多模块并联升功率最高可四模块并联至160A。• 恒流模式满足充电应用。• 极低空载功耗空载输入电流低至10mA。• 引脚功能全面Ishare引脚可实时监控输出电流，保障产品在监控下正常运行。±sense引脚可补偿输出线损，适用于长线缆设备，例如管道机器人。Trim引脚调节输出电压。Ctrl引脚进行远程控制。• 保护功能全面，可靠性高。输入欠压保护，输入过压保护，输出过压、过流、短路、过温保护。允许工作温度范围：-40℃ to +100℃（壳温）。三．产品特性• 输入电压范围：14.5-60V• 输出电压范围：15 - 55V• 支持宽范围的可调稳压输出• 效率高达96%• 并联均流功能• 恒流功能• 输入欠压保护，输入过压保护，输出过压、过流、短路、过温保护• 工作温度范围:-40℃ to +100℃（壳温）• 国产化率：100%• 体积：1/2砖四．产品应用广泛应用于机器人，电池管理，通信，DC-DC分布式供电场合。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/3/15 11:08:13
英飞凌科技股份公司推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术，开启功率系统和能量转换的新篇章。与上一代产品相比， 英飞凌全新的CoolSiC™ MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技术在确保质量和可靠性的前提下，将MOSFET的主要性能指标（如能量和电荷储量）提高了20%，不仅提升了整体能效，更进一步推动了低碳化进程。CoolSiC™ MOSFET Generation 2 (G2) 技术继续发挥碳化硅的性能优势，通过降低能量损耗来提高功率转换过程中的效率。这为光伏、储能、直流电动汽车充电、电机驱动和工业电源等功率半导体应用领域的客户带来了巨大优势。与前几代产品相比，采用CoolSiC™ G2 的电动汽车直流快速充电站最高可减少10%的功率损耗，并且在不影响外形尺寸的情况下实现更高的充电功率。基于CoolSiC™ G2器件的牵引逆变器可进一步增加电动汽车的续航里程。在可再生能源领域，采用 CoolSiC™ G2的太阳能逆变器可以在保持高功率输出的同时实现更小的尺寸，从而降低每瓦成本。英飞凌科技零碳工业功率事业部总裁 Peter Wawer 博士表示：“目前的大趋势是采用高效的新方式来产生、传输和消耗能量。英飞凌凭借 CoolSiC™ MOSFET G2 将碳化硅的性能提升到了新的水平。新一代碳化硅技术使厂商能够更快地设计出成本更低、结构更紧凑、性能更可靠，且效率更高的系统，在实现节能的同时减少现场的每瓦二氧化碳排放。这充分体现了英飞凌坚持不懈持续推动工业、消费、汽车领域的低碳化和数字化的创新。”英飞凌开创性的CoolSiC™ MOSFET沟槽栅技术推动了高性能CoolSiC™ G2解决方案的发展，实现了更加优化的设计选择，与目前的SiC MOSFET技术相比，具有更高的效率和可靠性。结合屡获殊荣的.XT封装技术，英飞凌以更高的导热性、更优的...
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2024/3/15 11:04:54
2024年3月14日，中国-- 服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM) 发布了一款新的集MPU和MCU两者之长的高性能产品。微处理器(MPU)系统通常更加复杂，处理性能、系统扩展性和数据安全性更高，而微控制器(MCU)系统的优势是简单和集成度高。取两者之长，意法半导体新产品越级进化。在采用这些新的STM32H7 MCU后，设备厂商可以更快、更经济地开发智能家电、智能楼宇控制器、工业自动化和个人医疗设备，满足终端市场用户日益增长的需求。具体用例包括增加更丰富多彩的图形用户界面，同时执行多个不同的功能。这些设计往往需要用微处理器(MPU)才能实现。意法半导体通用MCU部门总经理Patrick Aidoune表示：“很荣幸我们的STM32是世界上很受欢迎的Arm Cortex-M微控制器，而最新的STM32H7系列能够让设计师依托这个强大的生态系统处理更多的用例，它的MPU级特性具有卓越的核心性能，兼备MCU的外设集成度和便利性，而且价格实惠。”STM32H7R/S MCU的潜在客户Riverdi公司的首席执行官Kamil Kozlowski表示： “这两款MCU集成专用图形处理器和快速存储接口，与我们突破嵌入式显示器极限的使命完美契合。Riverdi选用这款芯片设计下一代显示模组。新MCU有望提高未来屏显的视觉性能和响应速度，为用户带来更具吸引力的用户体验，这代表我们在向客户提供尖端屏显解决方案的研发过程中迈出重要一步。”STM32H7R和STM32H7S两款新微控制器具有强大的安全功能，能够满足物联网(IoT)应用对网络安全的要求。两款产品的共同安全功能包括防止物理攻击、存储器保护、在运行时保护应用程序的代码隔离保护功能，以及平台验证。此外，STM32H7S产品还增加了更多的强化的...
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2024/3/15 10:58:32
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出适于IrDA®应用的升级版TFBS4xx和TFDU4xx系列红外（IR）收发器模块，链路距离延长20 %，抗ESD能力提高到2 kV。器件支持115.2 kbit/s 数据速率（SIR），链路距离为1米，适用于能量表和监控器、工业自动化控制、手机和医疗设备无线通信和数据传输。为提高便携式设备电池使用寿命，模块降低了功耗，闲置供电电流 器件符合IrDA®标准，采用内部开发的新型IC和表面发射器芯片技术，可以即插即用的方式替换现有解决方案Vishay Semiconductors TFBS4xxx和TFDU4xxx系列器件在单体封装中包括PIN光电二极管、红外发射器（IRED）和低功率控制IC。升级版红外收发器采用Vishay内部开发的新型IC和表面发射器芯片技术，旨在确保IRDC产品向客户长期供货。作为现有器件即插即用的替代品，这些模块不需要重新设计PCB，有助于节省成本。符合最新IrDA物理层标准的TFBS4xxx和TFDU4xxx系列器件向后兼容，具有顶视和侧视表面贴装封装。增强型解决方案可以即插即用的方式替换现有系列器件。器件符合RoHS和Vishay绿色标准，无卤素，具有多种封装尺寸，工作电压2.4 V至5.5 V，工作温度-25 °C至+85 °C。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/3/14 17:09:37
开关电源的防倒灌能力是指外部电压对开关电源的影响力，避免产品的输出端存在倒灌电压时损坏开关电源。对于在不同输出电压间切换的系统、后端负载为电机类的感性负载的系统中，都有可能产生反灌电压，功率越大的感性负载情况也会越明显，实际产生倒灌电压的大小、持续时间的长短，由系统应用的多样性及复杂性决定。一、产品介绍开关电源的防倒灌能力是指外部电压对开关电源的影响力，避免产品的输出端存在倒灌电压时损坏开关电源。对于在不同输出电压间切换的系统、后端负载为电机类的感性负载的系统中，都有可能产生反灌电压，功率越大的感性负载情况也会越明显，实际产生倒灌电压的大小、持续时间的长短，由系统应用的多样性及复杂性决定。金升阳推出可搭配我司750W以下电源产品使用的防止后端电压倒灌的模块产品FS-A(B)xxW系列，防倒灌电压分别为24V、48V和75V。二、产品优势1、支持N+1冗余产品可实现开关电源并联冗余设计，N+1并联冗余设计提高系统的可靠性2、支持2倍防倒灌电压产品具有开关电源输出端防倒灌电压功能，输出电压倒灌时，可保护电源不损坏，提高开关电源可靠性3、热插拔功能支持热插拔功能4、安装方式可选可兼容导轨安装，方便客户端使用安装三、产品特点• 输入电压范围：12V：10-15VDC24V：20-28VDC48V：42-54VDC• 工作温度范围：-40℃ to +85℃• 效率高达99.5%• 兼容各种安装方式• 支持输出2倍电压倒灌• 支持N+1并联冗余• 符合EN62368认证标准四、产品应用1、应用场合防倒灌模块产品FS-A(B)xxW搭配金升阳750W以下电源产品使用。防倒灌模块产品主要适用的情况：①系统在不同的输出电压之间切换时会存在高压电压倒灌到低压电源中，此问题在直流充电桩设备中比较常见；②开关电源的负载是感性负载，负载工作时会产生感应电动势，感应电动势生成的电压倒灌到开关电源的输出...
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2024/3/13 10:47:27
意法半导体新推出的八路高边开关兼备智能功能和设计灵活性，每条通道导通电阻RDS(on)(典型值)仅为110mΩ，保护系统能效，体积紧凑，节省 PCB 空间。目标应用包括可编程逻辑控制器、工业 PC外设和数控机床2024 年 3 月 11日，中国——意法半导体新推出的八路高边开关兼备智能功能和设计灵活性，每条通道导通电阻RDS(on)(典型值)仅为110mΩ，保护系统能效，体积紧凑，节省 PCB 空间。0.7A IPS8200HQ和 1.0A IPS8200HQ-1 可以控制容性负载、阻性负载或感性负载，一边接地，工作电压10.5V-36V，兼容3.3V/5V逻辑输入，用于可编程逻辑控制器 (PLC)、分布式 I/O、工业 PC 外设和计算机数控 (CNC)机床。此外，每个开关可以通过串行接口(SPI)或并行接口连接主控制器，带来更高的系统设计灵活性。两款开关都集成了设备保护功能，并通过专用诊断引脚指示电压状态，辅助智能系统管理运行。安全保护功能包括每条通道输出过载(OVL)保护、结点过热(OVT)保护、短路保护、欠压锁定 (UVLO)，以及接地断开自动关闭功能。诊断输出可以指示电源电压正常、外壳过热、SPI 故障和结过热现象。此外，这两款器件都集成了 LED 驱动器，以指示每个输出通道的工作状态。100mA嵌入式DC/DC 稳压器为 LED 驱动器、SPI 逻辑和输入电路供电，也可用于光耦合器或数字隔离器等外部组件的电源。两款开关符合 IEC 61000-4技术标准中关于ESD静电放电、突发和浪涌抗扰度的规定，适用于必须符合IEC 61131-2 标准对工业控制的功能性和 EMC 要求的设备。IPS8200HQ 和IPS8200HQ-1现已投产，采用 8mm x 6mm DFN48 封装。
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2024/3/13 10:44:24
英飞凌日前推出了新的固态继电器 (iSSI) 系列，该系列利用无芯变压器技术来提高器件性能和效率。英飞凌推出新型固态继电器英飞凌设计了新的固态继电器系列，从而促进更快、更可靠的电路切换。 据该公司称，这些器件提供了一套超越传统光耦固态继电器 (SSR) 的保护功能。例如，新推出的固态继电器支持比前代产品高 20 倍的能量传输。 此外，这些继电器的 RDS(on) 比现有光耦解决方案低 50 倍，使其能够部署在需要更高电压和功率的应用中。英飞凌报告称，iSSI 通过消除额外部件，提供优于电磁继电器的性能和可靠性，从而使启动功率降低 40%。英飞凌表示，新的 iSSI 系列与英飞凌开关产品组合中的其他产品兼容，包括 CoolMOS S7、OptiMOS 和线性 FET 产品组合。 例如，当与英飞凌的 CoolMOS S7 开关配合使用时，继电器驱动器可简化开关设计，其电阻显着低于光耦解决方案。 这意味着系统具有更长的使用寿命和更低的拥有成本。 在驱动英飞凌 MOS 控制功率晶体管栅极的应用中，与使用可控硅整流器 (SCR) 和 Triac 开关的固态继电器相比，功耗最多可降低 70%。英飞凌的固态继电器支持定制固态继电器配置，可控制超过 1,000 V 和 100 A 的负载。这种功能与设备的无芯变压器技术一起，使继电器特别适合用于电池管理系统、储能解决方案 、可再生能源系统以及工业和楼宇自动化应用。固态继电器的关键固态继电器可防止各种系统中出现不需要的电流反馈。 此功能在从信号处理到电源设计的各种应用中至关重要，在这些应用中，保持电信号的完整性和隔离至关重要。固态继电器的核心是通过半导体材料实现电隔离的原理。 与可能使用开关元件或光电二极管作为实现隔离手段的机械继电器或光耦继电器不同，固态继电器显着提高了可靠性并减少了响应时间。 例如，通过在半导体衬底内采用电容或磁耦合等方法...
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2024/3/13 10:40:55
在竞争激烈的全球半导体市场，制造商一直在努力缩短产品上市时间。同时，他们对流畅、高分辨率图形显示器的需求也在日益增长。为了满足这些市场需求，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）宣布与科尤特（Qt Group）展开战略合作。科尤特是一家全球软件公司，为整个软件开发生命周期提供跨平台解决方案。此次合作将科尤特的轻量级、高性能图形框架加入到英飞凌拥有图形功能的TRAVEO™ T2G cluster微控制器系列，标志着图形用户界面（GUI）开发模式的转变。如今的微控制器具有丰富的图形功能，能够实现紧凑设计、高成本效益和更低的功耗。凭借即时启动、占用空间小和实时处理效率高等特点，它们被广泛应用于汽车仪表盘、两轮车、建筑机械、工业等各个领域。英飞凌的TRAVEO T2G MCU专为满足这些应用需求而设计，尤其是TRAVEO T2G cluster系列。该系列器件可为图形用户界面提供出色的刷新率和达到全高清水平的分辨率。英飞凌通过将Qt图形解决方案直接集成到这些MCU中，进一步优化了这些器件并实现了智能渲染技术，其优点包括：内存利用效率较市场平均水平提高多达5倍。启动时间较市场平均水平加快多达2倍。产品从设计到生产的上市时间缩短多达50%。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/3/12 16:42:48
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.布，推出新系列浪涌限流正温度系数（PTC）热敏电阻---PTCEL。Vishay BCcomponents PTCEL系列器件25 °C（R25）条件下阻值范围宽，具有高电压处理和高能量吸收能力，可提高汽车和工业应用有源充放电电路的性能。日前发布的器件R25阻值为60 W至1 kW，500 W 最大额定直流电压高达1000 VDC，1 kW 达1200 VDC，最大能量吸收能力达240 J，比竞品器件高四倍。多个热敏电阻并联，能量吸收能力高于1000 J。PTCEL系列电阻工作温度达+105 °C、所有阻值的热容为2.3 J/K。新型热敏电阻符合AEC-Q200标准，具有自我保护功能，无过热危险，主要用于各种过载保护，包括AC/DC和DC/DC转换器、抛负载、DC-Link、电池管理、紧急放电电路、车载充电器、家庭储能系统、电机驱动以及焊接设备。元件可承受至少10万次浪涌循环，以及在25 kW功率条件下（不触发跳变）具备高度迅速的恢复能力。PTCEL系列有两种尺寸可供选择：小电阻PTCEL13R和大电阻PTCEL17，分别用于低能量和高能量应用。所有器件采用卷盘式包装，引线节距为5 mm。此外，PTCEL17R还有7.5 mm和10 mm引线节距，适用于更高电压，还可采用自动贴片加工，降低加工成本。钛酸钡热敏电阻由瓷片组成，两端焊接镀锡CCS引线，涂有符合UL 94 V-0标准的耐高温硅树脂涂料。器件符合RoHS标准，经过C-UL-US认证，文件编号E148885，适于 AC和DC使用，提高并控制安全水平。PTCEL13R和PTCEL17R具有SPICE和3D两种型号。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，...
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2024/3/11 15:54:25
电子产品智能化、小型化发展日新月异，行业对电源模块等元器件的高集成度、小型化、超薄化要求也不断提高。对此，金升阳依托强大的产研实力，不断进行技术突破与创新，重磅推出兼备超小型和高效能的芯片级电源模块KAP05_T-1A，完美适配便携设备、手持设备等对体积要求非常高的行业应用需求。一、产品优势• 微型体积，尊享体验金升阳非隔离PSiP产品——KAP05_T-1A系列，采用DFN封装工艺技术，体积极小，仅2.5*2*1.2mm（小于1颗1206电容）；同时用极少器件即可搭建外围电路（仅需滤波电容）；有效减小占板面积，提高空间利用率，简化设计。• 高效能、高可靠性传统线性稳压器方案效率较低、发热严重，存在较多可靠性隐患。而金升阳KAP05_T-1A系列非隔离电源产品满载效率最高可达91%，在70℃条件下仍可带满载工作，有效保障后端使用；同时空载输入电流低至0.3mA，匹配低功耗待机应用需求。• 国产化率100%微型电源市场长期以海外品牌居多，金升阳本次重磅推出的KAP05_T-1A系列基于国产物料平台，满足国产化率100%，即元器件国产化、技术国产化、制造国产化，可最大程度上保障稳定可靠的交付周期及售后服务。二、产品应用超小体积的KAP05_T-1A模块可广泛应用于可穿戴设备、智能手机、掌上电脑、手持游戏机、便携式导航仪等，特别是需要高效率且对安装元器件的面积要求严格的小型便携式仪器。三、产品特点• 输入电压范围：2.5-5.5VDC• 输出电压固定：1.2、1.8、3.3VDC• 满载效率高达91%• 空载输入电流低至0.3mA• 宽工作温度范围：-40℃ to +85℃• 超小体积、超薄DFN封装(2.5*2*1.2mm)免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/3/11 15:51:50
意法半导体SRK1004同步整流控制器降低采用硅基或GaN晶体管的功率转换器的设计难度，提高转换能效，目标应用包括工业电源、便携式设备充电器和AC/DC适配器。有助于简化工业电源、便携式设备充电器和交流/直流适配器操作，节省电能。2024 年3 月7 日，中国——意法半导体SRK1004同步整流控制器降低采用硅基或GaN 晶体管的功率转换器的设计难度，提高转换能效，目标应用包括工业电源、便携式设备充电器和AC/DC适配器。SRK1004的检测输入能够承受高达190V 的电压，可以连接高低边功率开关管。共有四款产品供用户选择，仅器件选型就可以让用户优化应用设计，通过选择5.5V或9V的栅极驱动电压，可以在设计选用理想的逻辑电平MOSFET、标准MOSFET 或GaN 晶体管，避免复杂的计算过程。这款控制器能够让功率转换器缩减尺寸，同时提高额定输出功率。500kHz的最高开关频率允许使用小尺寸的电磁元件，当使用GaN 晶体管时，还能最大限度地发挥宽带隙技术的优势。这款控制器采用意法半导体的绝缘体上硅(SOI)制造工艺，在保证优异的鲁棒性的同时，还可以采用2mm x 2mm 的DFN-6L微型封装。SRK1004的电源电压是4V至36V，可以使用各种标准工业总线电源。宽压输入还可以灵活地调整降压比，以获得最佳的能效。此外，该控制器还内置快速短路检测功能，有助于开发稳健可靠的设备。在新推出的四款产品中，SRK1004A和SRK1004B的栅极驱动电压为5.5V，可与逻辑电平MOSFET 或GaN 晶体管配合使用。栅极驱动电压9V的SRK1004C和SRK1004D适用采用标准栅极驱动信号的MOSFET。SRK1004x 同步整流控制器全系产品现已量产。四款产品的评估板EVLSRK1004A、EVLSRK1004B、EVLSRK1004C和EVLSRK1004D现已上市，这些板子可以...
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2024/3/11 15:48:06
近期功率半导体和MCU芯片开启新一轮涨价潮，但市场需求回暖信号并不明确，价格上涨存在多方面因素。尽管看起来目前行业已经复苏，但一些从业者表示，价格上涨只是成本的反映。自2022年以来，从二极管到不同MOSFET等功率元件，以及各类应用MCU芯片，都经历了供需关系逆转和大幅度降价。与此同时，整体经济的低迷导致消费电子市场需求下降，因此企业在一年时间内集中精力调整库存。进入2024年，库存逐渐恢复至正常水平，此前激烈的降价竞争似乎已经结束。业界消息称，2023年末，中国台湾功率半导体制造商率先开始提价10%~20%，涨价原因是原材料和劳动力成本增加，导致运营成本上升。各公司正积极采取价格调整策略，以帮助实现收支平衡。此外，中国大陆公司也在提高中低端产品的价格。业界表示，短期内中低端产品线的提价对中国台湾企业影响不大；许多MCU厂商表示，库存预计将在一季度恢复正常。尽管消费电子需求仍未明显提升，但近期许多中国台湾MCU厂商已开始涨价。业界人士称，涨价的产品为通用产品，价格上涨的因素主要是市场价格触底，以及成本增加。关于2024年市场情况，MCU企业仍持谨慎态度，并将注意力投向海外市场，预计今年市场将好于2023年，但仍存在不确定性。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/3/11 15:45:02
半导体市场调研机构TECHCET近日发布报告，预计今年晶圆总面积出货量将增长5%，2025年将再增长7%。在2023-2028年预测期内，随着12英寸的增长继续超过其他直径，晶圆总出货量预计将以大于4%的复合年增长率增长，到2028年总出货量将接近160亿平方英寸。报告指出，2023年，半导体行业整体状况放缓，加上现有的高库存水平，导致硅晶圆出货量下降约13%。此次收缩是自2019年以来首次出现年度出货量下降。不过，由于长期协议 (LTA) 下的定价规定仍然存在，晶圆市场（不包括 SOI）2023年的收入下降其实并不那么明显。由于供应链仍在努力应对2023年以来库存水平上升的问题，预计今年晶圆出货量将逐渐增加。TECHCET预计下半年情况将有所改善，因为晶圆出货量复苏可能会落后半导体器件的复苏，时间差大约为一到两个季度。然而，随着晶圆库存水平的调整和产能上升，供应商的出货量将再次增加。此外，预计2024年内存的强劲增长也将有助于纠正晶圆库存状况。当前的行业状况已经减缓了全球晶圆产能的增长。然而，随着长期协议的到位和新协议的谈判，晶圆供应商预计将提高产能，以满足未来不断增长的客户需求。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/3/11 15:38:45
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子宣布推出一款面向高性能机器人应用的新产品——RZ/V2H，进一步扩展其广受欢迎的RZ产品家族微处理器（MPU）。RZ/V2H打造了产品家族中最高水平性能，可实现视觉AI与实时控制功能。RZ/V2H配备瑞萨新一代专有AI加速器DRP-AI3（动态可配置处理器-AI3），可带来10TOPS/W的能效，相比早期型号提高可达10倍之多。此外，DRP-AI3加速器采用的剪枝技术显著增强了AI计算效率，将AI推理性能提升至80TOPS。这种性能提升使工程师能够直接在边缘AI设备上处理视觉AI应用，而无需依赖云计算平台。最近，全新DRP-AI3加速技术的细节在美国旧金山举行的国际固态电路会议（ISSCC 2024）上公布。RZ/V2H集成了四个最大工作频率为1.8GHz的Arm® Cortex®-A55 CPU内核（用于Linux应用程序处理）、两个工作频率为800MHz的Cortex-R8内核（用于高性能实时处理），和一个Cortex-M33子内核。通过将这些内核集成至单个芯片中，该产品可有效管理视觉AI与实时控制任务，成为未来要求苛刻的机器人应用的理想之选。得益于RZ/V2H的较低功耗，因而无需使用冷却风扇和其它散热元件，让工程师可以设计出体积更小、成本更低、可靠性更高的系统。Daryl Khoo, Vice President of the Embedded Processing 1st Division at Renesas表示：“作为卓越的电机控制微处理器供应商，瑞萨已为迎接下一个挑战做好准备，以利用AI技术推动机器人市场的发展。RZ/V2H将促进具有视觉AI功能，且具备独立思考和实时动作控制能力的下一代自主机器人的研发。”OpenCV是用于计算机视觉处理的开源行业标准库。对此，瑞萨应用其专有的DRP技术开发了OpenCV加速...
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2024/3/6 15:31:27
服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码:STM) 宣布推出一款全能型、直接式飞行时间(dToF)3D LiDAR(光探测与测距)模块，具有优秀的2.3k分辨率，同时还宣布超小型的50万像素间接飞行时间(iToF)传感器获得首张订单。今天发布的VL53L9是一款新推出的直接ToF 3D激光雷达芯片，分辨率高达2300个检测区。这款LiDAR雷达集成的双扫描泛光照明在市场上独一无二，可以检测小物体和边缘，并捕获2D红外(IR)图像和3D深度图信息。这是一款直接可用的低功耗模块，具有片上dToF处理功能，无需额外的外部组件或校准过程。此外，这款芯片测距范围在5厘米到10米之间。VL53L9的功能特性可提升相机辅助对焦性能，支持微距到远摄拍照，让静态图像和每秒60帧视频拍摄具有激光自动对焦、散焦和电影图效功能。虚拟现实(VR)系统利用准确的深度图和2D图可以提高3D重构的准确度，提高沉浸式游戏的身临其境感和虚拟现实体验，例如，虚拟访问或3D化身。此外，近距和远距检测小物体边缘的能力，让这款传感器适用于虚拟现实或SLAM（同时定位绘图）等应用。意法半导体还公布了VD55H1 ToF传感器的消息，该产品已经开始量产，并与中国的移动机器人深度视觉系统专业开发公司蓝芯科技签订了首份供货合同。蓝芯科技的子公司迈尔微视(MRDVS)选用VD55H1提高3D摄像头的深度感知准确度。这款高性能、小尺寸摄像头内置意法半导体传感器，整合3D视觉能力和边缘人工智能，为移动机器人提供智能避障和高精度对接功能。除机器视觉外，VD55H1还非常适用于3D网络摄像头、PC机和VR头戴眼镜3D重建，以及智能家居和建筑中的人员计数和活动检测。这款传感器在一个微型芯片上集成了672 x 804个感知像素，可以通过测量传感器到50多万...
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2024/3/6 15:28:49
全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo®（纳斯达克代码：QRVO）近日宣布推出四款采用紧凑型 E1B 封装的 1200V 碳化硅（SiC）模块，其中两款为半桥配置，两款为全桥配置，导通电阻 RDS(on) 最低为 9.4mΩ。全新的高效率 SiC 模块非常适合电动汽车充电站、储能、工业电源和太阳能等应用。Qorvo SiC 电源产品线市场总监 Ramanan Natarajan 表示：“该全新系列中的模块可以取代多达四个分立式 SiC FET，从而简化热机械设计和装配。我们的共源共栅技术还支持以更高的开关频率运行，通过使用更小的外部元件进一步缩小解决方案的尺寸。这些模块的高效率特性可以简化电源设计流程，让我们的客户能够专注做好单一模块的设计、布局、组装、特性分析和认证，无需应对多个分立式元件。”以 9.4mΩ 导通电阻的 UHB100SC12E1BC3N 为代表的这四款 SiC 模块均采用 Qorvo 独特的共源共栅配置，最大限度地降低了导通电阻和开关损耗，从而能够极大地提升效率，这一优势在软开关应用中尤为显著。另外，银烧结芯片贴装将热阻降至 0.23°C/W；与带“SC”的产品型号中的叠层芯片结构相结合，其功率循环性能比市场同类 SiC 电源模块高出 2 倍。得益于以上特性，这些高度集成的 SiC 电源模块不仅易于使用，而且具有卓越的热性能、高功率密度和高可靠性。下表概述了 Qorvo 全新的 1200V SiC 模块系列：Qorvo 功能强大的设计工具套件（例如 FET-Jet Calculator 和 QSPICE™ 软件）有助于产品选择和性能仿真。Qorvo SiC 模块系列已在美国加利福尼亚州长滩会议中心举行的国际电力电子应用展览会（APEC）上进行了首次亮相。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本...
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2024/3/5 15:49:29
三菱电机集团近日（2024年2月27日）宣布，将于2月28日开始提供其新型6.5W硅射频（RF）高功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）样品，用于商用手持式双向无线电（对讲机）的射频高功率放大器。该型号采用3.6V单节锂离子电池，可实现业界先端的6.5W输出功率，有望扩大商用无线电设备的通信范围并降低功耗。随着3.6V锂离子电池在智能手机中的日益普及，商业无线电行业也期望以比传统7.2V电池更低的成本开发出更高功率的产品。但到目前为止，3.6V电池的使用导致商用无线电放大器的输出功率降低，因此在与智能手机相比需要更高输出的商用无线电放大器市场中，一直在等待能够提高3.6V电池输出功率的MOSFET。为此，三菱电机现已开发出一种高功率硅MOSFET（RD06LUS2），可为工作电压为3.6V的商用无线电提供无与伦比的功率输出和高漏极效率*1。此外，内置两个MOSFET芯片的封装可以节省商用无线电印刷电路板上的空间，有助于降低组装成本。产品特点行业先端的6.5W输出功率，有助于扩展无线电通信范围. 通过针对3.6V工作电压优化的结构降低导通电阻，提高了功率密度。. 内置两个MOSFET芯片的封装为3.6V无线电实现了无与伦比的6.5W输出功率。. 与现有型号*2相比，输出功率的增加将通信范围扩大了27%。行业先端的65%漏极效率，实现低功耗. 针对3.6V工作电压的优化，实现65%漏极效率。. 漏极效率的提高可降低无线电功耗，从而延长运行时间。双MOSFET封装，可节省空间并降低组装成本. 与两个单芯片产品相比，带有两个MOSFET芯片的新型封装可减少33%的空间。. 兼容表面贴装技术（SMT），可降低封装组装成本。环保意识本产品符合RoHS*3指令2011/65/EU和（EU）2015/863。*1：从电池电源到射频功率输出的转换效率*2：三菱电机现有的4W 射频高...
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2024/3/5 15:27:10
据台媒Digitimes报道，存储价格涨势近期明显走扬，农历春节假期导致市场观望气氛浓厚，DRAM及NAN Wafer现货市场价格涨势较为趋缓，涨幅呈现收敛。存储业界认为，3月市场价格仍将延续上涨行情，DDR4/LPDDR4价格可望逐月调涨。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/3/5 15:09:57