据DIGITIMES Research统计，2023年第二季度，全球智能手机市场继续保持下滑态势，出货量同比、环比均减少。进入2023年，全球大多数国家尤其是新兴市场，都遭受通货膨胀的压力，消费者的需求因此减弱。机构统计数据表明，2023年一季度全球智能手机出货量2.64亿部，同比下滑13.2%；二季度出货量2.57亿部，同比减少6.4%，环比减少2.7%。由于二季度市场表现持续低迷，因此DIGITIMES Research将2023年全年智能手机出货预测下调了2300万部，至11亿部。对全球5G智能手机出货量的预测，从最初预计的6.79亿部大幅下调至5.77亿部，同比下降1.9%。该机构表示2023年一季度中国智能手机出货量高于此前预测，达到6200万部，同比下降7.2%。同期非中国市场的出货量，同比下滑14.9%。作者：集微网，来源：雪球免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2023/7/4 14:15:52
2023 年 6 月 30 日，英飞凌科技股份公司和Autotalks于日前宣布，双方将展开合作，共同为新一代V2X（车联网）应用提供解决方案。英飞凌将在此次合作中提供车规级HYPERRAM™ 3.0存储芯片，以支持Autotalks的TEKTON3和SECTON3 V2X参考设计。TEKTON3是一款完全集成的V2X SoC芯片，专门用于支持基于车联网的驾驶操作。V2X使得车辆与车辆之间以及车辆与周边环境之间能够进行相互通信，最终提高道路交通的安全性。并发的双频段无线电技术和完整的V2X软件技术实施通常需要外部存储器来管理调制解调器和应用需求。HYPERRAM可满足外部存储器对成本、功率密度和性能的要求，是首屈一指的存储芯片。英飞凌提供的HYPERRAM 3.0器件，具有16位 HYPERBUS接口，可实现800 MBps的传输速率，进一步提升了英飞凌HYPERRAM系列产品的吞吐量。HYPERRAM 3.0器件符合车规级标准，能够满足TEKTON3的数据处理需求，是理想的扩展存储解决方案。Autotalks研发副总裁Amos Freund表示：“英飞凌的HYPERRAM存储芯片和NOR闪存是我们最新一代V2X SoC产品的理想搭档。我们十分高兴能与存储芯片和车用芯片市场的领导者英飞凌携手合作，共同打造先进的V2X产品，从而帮助OEM厂商创建有针对性的V2X解决方案。”英飞凌科技生态系统市场营销高级总监Patrick Le Bihan表示：“未来五年，全球V2X市场的年复合增长率预计将超过30%，所以此次与Autotalks的合作可谓恰逢其时。我们的HYPERRAM存储芯片和NOR闪存与Autotalks的SoC产品无缝协作，能够为客户带来高能效、低成本、高性能的解决方案。我们十分高兴能与领先的V2X设备提供商Autotalks合作，并且期待着双方在未来能够持续合作。”免...
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2023/7/4 13:56:25
6月27日消息，据韩媒KoreaTimes报道，业内人士称三星将在2023年下半年大规模量产HBM3内存芯片，以满足日渐增长的人工智能（AI）市场需求，同时追赶目前HBM市场的领导者SK海力士。随着以ChatGPT为代表的生成式AI的持续火爆，带动了高性能AI芯片（包括CPU、GPU）出货量的持续增长，这也使得配套的HBM（高带宽内存）的需求大涨。因为AI运算对数据吞度量有很高的需求，只有HBM内存才可以满足，通常HBM会和GPU、CPU封装在一起。不过，HBM的价格比较昂贵，是传统DRAM的2~3倍。根据研究机构集邦咨询的数据，2022年HBM产品市场中，SK海力士占据50%的市场份额，三星占比40%，美光占比10%。不过在整个DRAM市场中，HBM的份额仅为1%。该机构预计，从今年起至2025年，HBM将保持每年45%的高速增长。今年4月，SK海力士宣布，再次超越了现有最高性能DRAM（内存）——HBM3的技术界限，全球首次实现垂直堆叠12个单品DRAM芯片，成功开发出最高容量24GB（Gigabyte，千兆字节）的HBM3 DRAM新产品，并正在接受客户公司的性能验证。三星目前也在积极的开发大容量的HBM3内存。据韩国媒体报道，三星将大规模生产16GB、24GB容量的HBM3内存芯片，这类产品的速率可达6.4Gbps，有助于提高机器学习的运算速度。今年4月，三星也曾表示，将在下半年推出HBM3P产品，具有更高的性能和更大容量。除此之外，三星还将推出HBM-PIM芯片、CXL DRAM芯片等。来自韩国的分析师表示，三星预计从第四季度起开始向北美GPU制造商（可能是英伟达）供应HBM3芯片，因此未来这类芯片占三星DRAM总销售额的比重将从6%扩大至2024年的18%。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作...
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2023/7/3 14:48:38
据外媒VideoCardz消息，美光在近日的财报电话会议中透露，将于2024年正式推出GDDR7显存，会采用1β工艺节点制造。不过，美光没有透露关于下一代显存芯片的详细信息。美光的1β技术是此前1α工艺的升级款，能效提升15%，密度提升35%，美光已于2022年量产采用1β节点的DRAM芯片。美光CEO Sanjay Mehrotra表示，在图形显卡领域，行业分析师预计未来客户端和数据中心显卡的复合年增长率将超过更广泛的市场，预计第三季度客户的库存水位将恢复正常。目前，GDDR6显存仍是主流，被市面上大多数显卡采用，速度可达20Gbps。而目前最先进的GDDR6X显存的速度提升至22.4Gbps，英伟达RTX 4070及以上的显卡均搭载这类显存。根据此前消息，GDDR7显存的速度有望达到36Gbps，尽管三星曾宣布将在未来推出这款产品，但是与美光不同的是，三星没有明确GDDR7的上市时间。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2023/7/3 14:47:28
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出两款新型固定增益红外（IR）传感器模块---TSSP93038DF1PZA和引线式TSSP93038SS1ZA，降低成本并提高室外传感器应用稳定性。表面贴装式TSSP93038DF1PZA和引线式TSSP93038SS1ZA采用小型Minimold封装，典型光照强度为1.3 mW/m²，可在阳光直射下稳定工作，同时感光度足以支持光栅应用。日前发布的Vishay Semiconductors器件感光度可控，可在阳光直晒下工作，不会产生不必要的脉冲。此外，对于短距离反射和接近应用，传感器感光度下降不需要极低的发射器正向电流，这种电流会造成强度输出不稳。TSSP93038DF1PZA和TSSP93038SS1ZA快速响应时间为260 μs，接近探测距离长（100 mA 下采用TSAL6100为1米）。相同设置下，光幕应用探测距离可达11 米。采用VSLY5940等光照更集中的发射器，或提高发射器正向电流以延长探测距离。器件适合探测物体距离，可用于玩具、遥控飞机、机器人、接近开关；交通信号和停车场在位检测、门禁和水位传感器；以及体育比赛和割草机机器人光栅。还可用作反射式传感器，用于干手器、纸巾或皂液盒、自动水龙头、卫生间、自动售货机落物探测以及安全门和宠物出入门。TSSP93038DF1PZA和 TSSP93038SS1ZA工作电压2.0 V至3.6 V，供电电流仅为0.35 mA，对38 kHz载波频率敏感。器件可接收峰值波长为940 nm的发射器的红外脉冲，对电源电压纹波噪声不敏感，可屏蔽EMI，红外滤光片可抑制可见光。该传感器模块符合RoHS和Vishay绿色标准，无卤素。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、...
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2023/6/30 11:51:53
近日，知名半导体分析机构Semiconductor Intelligence对2023年全球半导体总资本投资做了分析。该机构的总预测是2023年资本支出将下降14%。削减幅度最大的是存储公司，降幅为19%。美光科技的资本支出将下降42%。三星在2022年仅将资本支出增加了5%，到2023年将保持大致相同的水平。代工厂将在2023年将资本支出减少11%，其中以台积电为首，削减了12%。在主要集成设备制造商（IDM）中，英特尔计划削减19%。德州仪器、意法半导体和英飞凌科技将逆势而上，在2023年增加资本支出大幅削减资本支出的公司通常与PC和智能手机市场相关，而这两个市场在2023年将陷入低迷。IDC 6月份的预测是，2023年个人电脑出货量将下降14%，智能手机出货量将下降3.2%。个人电脑的衰退很大程度上影响了英特尔和内存公司。智能手机的疲软主要影响台积电（苹果和高通是其最大的两个客户）以及内存公司。2023年增加资本支出的IDM（TI、ST和Infineon）与汽车和工业市场的联系更加紧密，而这些市场仍然健康。2023年，三大支出方（三星、台积电和英特尔）将占半导体资本支出总额的60%左右。半导体资本支出的高增长年份往往是半导体市场每个周期的峰值增长年份。下图显示了半导体资本支出的年度变化（左侧刻度上的绿色条）和半导体市场的年度变化（右侧刻度上的蓝色线）。自1984年以来，半导体市场增长的每个显着峰值（20%或更高）都与资本支出增长的显着峰值相匹配。几乎在所有情况下，半导体市场在峰值后一年内的显着放缓或下降都会导致峰值后一两年内资本支出下降。1988年的峰值是个例外，第二年资本支出并没有下降，而是在峰值后两年持平。这种模式加剧了半导体市场的波动。在繁荣的年份，公司会大力增加资本支出以增加产量。当繁荣崩溃时，公司会削减资本支出。这种模式常常导致繁荣时期之后的产能过剩。这种产...
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2023/6/30 11:42:14
据韩媒KoreaTimes报道，业内人士称三星将在2023年下半年大规模量产HBM内存芯片，以满足日渐增长的AI市场需求，同时追赶SK海力士，后者目前为HBM产品的领导者。HBM是一种高附加值DRAM产品，可实现高带宽，适用于超级计算机、人工智能加速器等性能要求高的计算系统。为实现AI服务，能够高速传输数据的HBM内存芯片成为人工智能的必要配置，市场需求激增。HBM3是继第一代（HBM）、第二代（HBM2）、第三代（HBM2E）之后推出的第四代产品。随着人工智能服务市场的持续增长，业界偏爱高性能的HBM芯片，将其与GPU、CPU封装在一起。然而，HBM的价格比较昂贵，是传统DRAM的2~3倍。业内分析人士指出，未来HBM的应用将越来越广，因为人工智能运算对数据吞度量有很高的需求，只有HBM内存才可以满足。根据机构数据，2022年HBM产品市场中，SK海力士占据50%的市场份额，三星占比40%，美光占比10%。不过在整个DRAM市场中，HBM的份额仅为1%。预计，从今年起至2025年，HBM将保持每年45%的高速增长。三星将大规模生产16GB、24GB容量的HBM3内存芯片，这类产品的速率可达6.4Gbps，有助于提高机器学习的运算速度。三星预计从第四季度起开始向北美GPU制造商（推测为英伟达）供应HBM3芯片，因此未来这类芯片占三星DRAM总销售额的比重将从6%扩大至2024年的18%。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2023/6/29 14:12:17
二季度以来，存储市场在原厂超高营利&库存压力以及惨淡的终端需求的博弈下，进入艰难磨底阶段。如今来到Q2、Q3交接的关键节点，存储市场供需双方又有哪些最新动向，即将到来的Q3是否会有新气象出现？Q3部分新一代存储产品有望率先迎来上涨！众所周知，存储产品更新换代快速，除了NAND Flash和DRAM晶圆制造工艺不断演变之外，产品规格、接口规范也在不断发展。而每一代新技术在应用初期由于产能、成本考量，溢价空间都相对较大。如今也不例外，具体来讲：Mobile领域：目前mobile存储的RAM和ROM最新产品规范已经发展到了LPDDR5/5x和UFS4.0，无疑将成为各大手机厂商高端旗舰应用首选，但是这两种类型产品目前供应来源和产能还相对有限，因此会成为本轮行情上扬的排头兵。CFM消息显示，由于各厂商之前价格基准不同，预计Q3 LPDDR5/5x普遍涨幅将在10%-20%，涨至0.2-0.22美元/Gb以上的意愿较强，部分厂商在供应和报价方面仍存在不确定性；UFS 4.0方面，由于上半年部分搭载UFS4.0产品机型销量反馈较好，下半年搭载UFS4.0机型预计比之前预期更多，因此行情报价也将呈上扬态势。服务器领域：自去年ChatGPT大火之后，很多人看好AI训练大模型给服务器市场带来的增量空间。CFM消息显示，目前国内的腾讯、阿里、百度、抖音等互联网企业释出的存储需求大部分都是用来做AI服务器，使得DDR5和HBM等产品需求火热。其中，DDR5产品预计Q3小幅报涨5%；HBM资源供应来源同样极其有限，但由于目前价位已经较高，预计Q3小幅报涨，但具体落地幅度仍需双方博弈。DDR4、SSD等技术成熟产品预计Q3仍处博弈阶段！不可否认，目前原厂库存水位仍然高企，整个存储市场仍然供过于求，尤其是技术成熟、产能占比较大的DDR4、LPDDR4/4x、SSD、UFS3.1等产品，因此这部...
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2023/6/29 14:04:49
英飞凌科技股份公司提供能提升建筑绿色性能的XENSIV™ PAS CO2传感器，并于近日宣布，XENSIV PAS CO2传感器已达到国际公认的绿色建筑认证标准WELL和LEED对性能的要求。具体而言，该传感器有助于实现5项WELL认证判断标准（包括通风设计、空气质量监测和感知等）与6项LEED认证组合部分标准（包括优化能源性能、强化室内空气质量策略等），从而帮助建筑在LEED认证中最高获得28分，WELL认证中最高获得6分。GREENMAP首席项目官Laura Pighi表示： “我们的目标是帮助企业将可持续发展作为推进创新发展战略的一部分。GREENMAP帮助企业与机构挖掘产品价值，从而创造更加绿色的未来。此次与英飞凌合作使得我们有机会了解他们的研究、应用，以及长期坚持可持续发展、低碳化和数字化的战略。”英飞凌科技射频和传感器业务负责人Jan-Hendrik Sewing表示：“环境传感是我们日益增长的软件驱动传感器解决方案的支柱。我们的XENSIV PAS CO2传感器解决方案为居住者提供更健康环境，提高通风系统的运行效率，确保环境舒适性，同时大幅减少能源需求和二氧化碳排放。”到目前为止，NDIR公认是二氧化碳传感器技术。而XENSIV PAS CO2现已证明光声光谱学（PAS）原理符合WELL认证的传感器技术要求。另外英飞凌的二氧化碳传感器性能比肩高端NDIR解决方案，但尺寸却是NDIR的四分之一。为保障居住者的健康、提高效率、节约能源成本并实现环境、社会和治理（ESG）目标，企业与机构将绿色建筑的建造作为战略重点。英飞凌XENSIV PAS CO2传感器助力建筑达到WELL和LEED认证标准，XENSIV PAS CO2根据楼宇使用和空气质量情况实时调整新风的供应，实时精准的数据帮助系统检测二氧化碳浓度，并进行按需求通风，以此改善空气质量，减少系统能耗（减少最多3...
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2023/6/28 14:21:03
全球芯片业苦于库存过剩，今年第一季，韩国科技巨头三星电子的芯片部门陷入亏损，SK海力士也处于亏损状态。分析师研判，由于半导体景气依旧低迷，三星和SK 海力士恐难逃亏损，亏损压力将延续到第二季。据韩联社报道，根据韩联社旗下财经新闻机构Infomax调查，韩国券商分析师平均预期，2023年第二季，三星整体营业利益估为1004亿韩元，较去年同期的14.09万亿韩元暴减99.3%。其中，三星负责芯片业务的装置解决方案事业部，第二季仍将面临营运压力，营业亏损恐达3万亿至4万亿韩元，但相比第一季营业亏损4.58万亿韩元略有改善。另一家韩国存储大厂SK海力士2023年第一季度营业亏损则从2022年第四季的1.89万亿韩元扩大至3.4万亿韩元，创2012年SK集团收购海力士以来最严重亏损。分析师平均预期，SK海力士第二季营业亏损为2.86万亿韩元，连续三季呈现亏损。不过，分析师表示，随着减产效应逐步显现、需求回升，全球芯片市场可望在下半年出现回温。KB Securities分析师Kim Dong-won称，该行研判，第一季已经是三星的获利谷底，第二季DRAM产量将优于预期，且库存水位开始下降。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2023/6/28 14:16:58
6月26日消息，据《彭博社》引述韩国《联合通讯社》报导指出，为了反映今年半导体产业表现疲软的影响，韩国政府将下修 2023 年度经济成长率预测值。南韩企划财政部官员表示，由于半导体产业表现不如预期，将把经济成长率预测数值从原先的 1.6% 下修到 1.4%～1.5% 之间。这是继韩国银行于 5 月期间将 2023 年经济成长率预测值从 2 月份的 1.6% 下修到 1.4% 之后，第二个官方机构作出的预测值下修，韩国银行总裁李昌镛表示，该国半导体产业衰退将在第四季触底。韩国企划财政部的预测数值下修后，与 OECD 和韩国开发研究院预测的 1.5% 相同。不过韩国企划财政部仍未决定何时将公布该国下半年经济政策相关细节，预期将在下周之内决定。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2023/6/27 14:55:56
6月21日消息，据市场研调机构IDC最新公布的统计数据显示，2022年全球晶圆代工营收同比增长27.9%，但是预计2023年恐将同比下降6.5%。IDC表示，受益于客户长约助力、代工价调涨及扩产效应，2022年全球晶圆代工营收成长达27.9%。 其中，台积电随着先进制程持续扩张，市占率自2021年的53.1%，攀升至2022年的55.5%，稳居龙头地位。IDC资深研究经理曾冠玮说，受市况变化影响，近三季晶圆代工厂面临订单修正冲击，产能利用率大幅下滑。 不过在供应链经历一年以上的库存去化后，后续投片可能从先前的消极转为稳健保守，预期产能利用率将缓步回升。展望今年，IDC预估，2023年全球晶圆代工营收恐将下降6.5%。 台积电在3nm、4nm及5nm投片量增加下，今年市占率有望持续攀升。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2023/6/26 11:34:39
据韩国证券交易所和美国证券市场的统计，以5月19日为基准，英伟达的市价总额为7732亿美元，在全球半导体企业中排名第一。该公司在2018年的市值为814亿美元，当时在全球半导体股中排名第六，但这次却占据了首位。据韩媒Business Korea报道，英伟达与排名第二的台积电（4810亿美元）的差距扩大了60%以上。另外，2018年排名第一的三星在今年5月中旬的市值仅为3413亿美元，仅次于英伟达和台积电，排名第三；2018年排名第三的英特尔今年5月中旬以1248亿美元跌至第8位，该公司市场下降了41%。从半导体细分领域来看，随着DRAM和NAND闪存的单价下降，加上受经济放缓的影响，消费者不断调整库存，传统上属于周期性行业的内存企业的股票增长速度比非内存企业停滞不前。其中，2028年市价总额排名第9位的SK海力士最近以557亿美元的市价总额跌至第17位。美光（746亿美元）也从第10位下滑至第13位。相反，代工、无晶圆厂等非内存企业的市价总额却大幅增加。其中，博通（2844亿美元）、AMD（1704亿美元）、德州仪器（1248亿美元）、高通（1179亿美元）非存储半导体企业占据了大部分席位。作者：集微网，来源：雪球免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2023/6/25 10:57:03
据日经亚洲报道，ASML执行副总裁兼首席商务官Christophe Fouquet表示，全球半导体供应链脱钩即使可能，也将极其困难且昂贵，任何一个国家都很难建立自己完全自力更生的芯片产业。Fouquet称，“我们ASML不相信脱钩是有可能的，这将非常困难且非常昂贵。人们会意识到在半导体领域取得成功的唯一途径是合作，这只是时间问题。”当前，美国、日本、欧盟、印度和中国等主要经济体为实现芯片自主生产，纷纷推动本土半导体生产。Fouquet表示，ASML成功的秘诀在于与蔡司（Zeiss）、西盟（Cymer）等全球重要供应商的长期合作，以及其顶级芯片制造客户台积电和英特尔的支持。尽管它对跨境合作持开放态度，但ASML认为，对于一些最复杂的组件，最好只有一家供应商。Fouquet说，“为获得EUV光学器件而对蔡司进行的投资是巨大的。如果你在两到三个地方进行生产，成本就不再划算了。当谈到高端的技术时，我们会与供应商建立合作伙伴关系。当涉及到不太先进的技术时，我们会考虑多家供应商。”目前，ASML的大部分生产都在总部完成，Fouquet表示，至少到2026年，它可能会将大部分（大约80%到90%）的生产保留在那里。但ASML为就近服务客户，在韩国与美国等地区已经设有维修中心。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2023/6/25 10:51:39
据悉，在相关厂商实施控制产能等措施后，目前手机图像传感器的库存水位已迅速下降，预计将在今年年底回到正常水平。 6月14日，TrendForce发布的数据显示，2023年第一季度，全球智能手机产量创下9年来新低，因此，在智能手机市场需求低迷的背景下，手机零部件出货量的减少也在市场的预料之中。据了解，手机供应链的整体出货情况从2023年初至今一直比较惨淡，终端对上游芯片的需求持续冷清。由于芯片是手机产业链中的先行部分，所以目前芯片产业的冷清就意味着下一阶段手机出货量的低迷，产业链对其他零部件的需求将维持在保守阶段。Counterpoint发布的数据显示，目前中国用户更换智能手机的周期已超过40个月。不过，供应链依然要保持希望。台湾电子时报援引熟悉IC封测供应链从业者的消息称，目前业内新产品验证案仍在继续推进，只是放量的时间节点可能要延后一些，预计2024年高端手机应用处理器（AP）的需求将迎来回温。据群智咨询预测，下半年市场对中低端手机的需求有望迎来增长，对图像传感器的需求也将因此增加。想来，下半年各手机厂商相继推出旗舰机型，也会在一定程度上促进手机图像传感器的出货，不过，如果要迎来真正的回暖，还需要一段时间。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2023/6/21 9:52:21
为满足客户多样的设计需求，金升阳通过技术方案革新及平台升级，紧跟市场步伐，加快完成了CAN/485总线隔离收发模块R4系列升级，推出国产化更高性价比的R4S系列CAN/485总线隔离收发模块，该系列采用侧壁沉铜封装，比R4系列更薄。产品优势①超小，超薄，芯片级DFN封装R4S系列CAN/485总线隔离收发模块在R4系列基础上厚度减少0.4mm，进一步满足客户对应用空间的要求，同时可pin-to-pin兼容R4系列产品。②产品保护功能全面，可靠性高可靠性提升，满足AEC-Q100要求，产品集成ESD防护、浪涌防护、脉冲群防护以及总线失效防护多种保护功能，通过冲击试验、高温高湿、潮敏MSL3试验等一系列可靠性试验。③优良EMI：CLASSBEMI抑制效果较优，符合EMI ClassB标准产品特点超小，超薄，芯片级DFN封装电压输入范围4.5-5.5V隔离耐压5000VDC通讯速率高达10Mbps宽工作温度范围：-40℃ to +105℃CMTI25kV/usIC国产化总线失效保护、总线驱动短路保护优良EMI：加外围过CLASSB免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2023/6/21 9:46:06
近日，三星、SK海力士等DRAM厂商争相爆出有关第五代1bDRAM的最新研发进展，新一代产品在数据处理速度、功耗、耗电量等方面都有了显著提升，在移动设备、智能车辆、数据中心以及人工智能等领域的应用将更加广泛。英特尔、英伟达、AMD等厂商开始了新一轮的订购，存储厂商也将1bDRAM视为改善业绩的关键产品。同时，存储厂商开始了对下一代工艺节点1c的研发。有消息说，三星将跳过1bDRAM，直接研发1cDRAM。面向当前的1b竞争与未来的1c竞争，存储厂商已经开始暗中较劲。 1bDRAM研发如火如荼 一直以来，各大内存厂商将上一代DRAM芯片按照1X、1Y、1Z进行工艺区分，1Xnm工艺相当于16-19nm制程工艺、1Ynm相当于14-16nm制程工艺，1Znm工艺相当于12-14nm制程工艺。而新一代的1a、1b和1c则分别代表14-12nm、12-10nm以及10nm及以下制程工艺。 SK海力士重点发力存储产品的运行速度。据悉，SK海力士已开始与英特尔一起验证其最新的Gen 5(1b)10nm服务器DDR5 DRAM，后续可与英特尔至强可扩展平台服务器处理器搭配使用。 SK海力士表示其最新的DDR5 DRAM速度可达6.4Gbps，与DDR5初期样品4.8Gbps相比，提高了33%。并声称该产品是市场上最快的DDR5芯片，在芯片上应用了高k金属栅极，采用EUV光刻技术，10nm工艺制程，与Gen 4(1a)相比，功耗降低了20%、处理速度提高14%。 SK海力士副社长、DRAM研发负责人金锺焕表示，预期存储器市况将自2023年下半获得改善，SK海力士将以量产1b等业界最高水准的DRAM竞争力为基础，加速改善2023年下半业绩，并于2024年上半将最先进1b制程扩大到LPDDR5T、高带宽存储器HBM3E等领域。 三星则一如既往强调研发和技术领先性，宣布其采用12纳米...
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2023/6/20 9:33:03
近年来，随着汽车的电气化、自动驾驶化，车载以太网和高功能IC作为车载网络的使用量增加，需要总频率精度在±50ppm以下的高精度时钟元件。 因此，村田通过进一步优化晶体谐振器设计和制造工艺，实现了“XRCGE_FXA”系列的总振荡频率精度控制在±50ppm以下。另外，通过使用特有的封装技术，实现了2016尺寸下的高可靠性和低故障率（无微粒）。 今后，村田将致力于扩充高性能及高可靠性的晶体谐振器应用范围，为实现车载客户的安心、安全做出贡献。 产品特征1. 高精度2. 高可靠性、低故障率（无微粒）免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2023/6/20 9:29:54