二季度以来，存储市场在原厂超高营利&库存压力以及惨淡的终端需求的博弈下，进入艰难磨底阶段。如今来到Q2、Q3交接的关键节点，存储市场供需双方又有哪些最新动向，即将到来的Q3是否会有新气象出现？Q3部分新一代存储产品有望率先迎来上涨！众所周知，存储产品更新换代快速，除了NAND Flash和DRAM晶圆制造工艺不断演变之外，产品规格、接口规范也在不断发展。而每一代新技术在应用初期由于产能、成本考量，溢价空间都相对较大。如今也不例外，具体来讲：Mobile领域：目前mobile存储的RAM和ROM最新产品规范已经发展到了LPDDR5/5x和UFS4.0，无疑将成为各大手机厂商高端旗舰应用首选，但是这两种类型产品目前供应来源和产能还相对有限，因此会成为本轮行情上扬的排头兵。CFM消息显示，由于各厂商之前价格基准不同，预计Q3 LPDDR5/5x普遍涨幅将在10%-20%，涨至0.2-0.22美元/Gb以上的意愿较强，部分厂商在供应和报价方面仍存在不确定性；UFS 4.0方面，由于上半年部分搭载UFS4.0产品机型销量反馈较好，下半年搭载UFS4.0机型预计比之前预期更多，因此行情报价也将呈上扬态势。服务器领域：自去年ChatGPT大火之后，很多人看好AI训练大模型给服务器市场带来的增量空间。CFM消息显示，目前国内的腾讯、阿里、百度、抖音等互联网企业释出的存储需求大部分都是用来做AI服务器，使得DDR5和HBM等产品需求火热。其中，DDR5产品预计Q3小幅报涨5%；HBM资源供应来源同样极其有限，但由于目前价位已经较高，预计Q3小幅报涨，但具体落地幅度仍需双方博弈。DDR4、SSD等技术成熟产品预计Q3仍处博弈阶段！不可否认，目前原厂库存水位仍然高企，整个存储市场仍然供过于求，尤其是技术成熟、产能占比较大的DDR4、LPDDR4/4x、SSD、UFS3.1等产品，因此这部...
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2023/6/29 14:04:49
英飞凌科技股份公司提供能提升建筑绿色性能的XENSIV™ PAS CO2传感器，并于近日宣布，XENSIV PAS CO2传感器已达到国际公认的绿色建筑认证标准WELL和LEED对性能的要求。具体而言，该传感器有助于实现5项WELL认证判断标准（包括通风设计、空气质量监测和感知等）与6项LEED认证组合部分标准（包括优化能源性能、强化室内空气质量策略等），从而帮助建筑在LEED认证中最高获得28分，WELL认证中最高获得6分。GREENMAP首席项目官Laura Pighi表示： “我们的目标是帮助企业将可持续发展作为推进创新发展战略的一部分。GREENMAP帮助企业与机构挖掘产品价值，从而创造更加绿色的未来。此次与英飞凌合作使得我们有机会了解他们的研究、应用，以及长期坚持可持续发展、低碳化和数字化的战略。”英飞凌科技射频和传感器业务负责人Jan-Hendrik Sewing表示：“环境传感是我们日益增长的软件驱动传感器解决方案的支柱。我们的XENSIV PAS CO2传感器解决方案为居住者提供更健康环境，提高通风系统的运行效率，确保环境舒适性，同时大幅减少能源需求和二氧化碳排放。”到目前为止，NDIR公认是二氧化碳传感器技术。而XENSIV PAS CO2现已证明光声光谱学（PAS）原理符合WELL认证的传感器技术要求。另外英飞凌的二氧化碳传感器性能比肩高端NDIR解决方案，但尺寸却是NDIR的四分之一。为保障居住者的健康、提高效率、节约能源成本并实现环境、社会和治理（ESG）目标，企业与机构将绿色建筑的建造作为战略重点。英飞凌XENSIV PAS CO2传感器助力建筑达到WELL和LEED认证标准，XENSIV PAS CO2根据楼宇使用和空气质量情况实时调整新风的供应，实时精准的数据帮助系统检测二氧化碳浓度，并进行按需求通风，以此改善空气质量，减少系统能耗（减少最多3...
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2023/6/28 14:21:03
全球芯片业苦于库存过剩，今年第一季，韩国科技巨头三星电子的芯片部门陷入亏损，SK海力士也处于亏损状态。分析师研判，由于半导体景气依旧低迷，三星和SK 海力士恐难逃亏损，亏损压力将延续到第二季。据韩联社报道，根据韩联社旗下财经新闻机构Infomax调查，韩国券商分析师平均预期，2023年第二季，三星整体营业利益估为1004亿韩元，较去年同期的14.09万亿韩元暴减99.3%。其中，三星负责芯片业务的装置解决方案事业部，第二季仍将面临营运压力，营业亏损恐达3万亿至4万亿韩元，但相比第一季营业亏损4.58万亿韩元略有改善。另一家韩国存储大厂SK海力士2023年第一季度营业亏损则从2022年第四季的1.89万亿韩元扩大至3.4万亿韩元，创2012年SK集团收购海力士以来最严重亏损。分析师平均预期，SK海力士第二季营业亏损为2.86万亿韩元，连续三季呈现亏损。不过，分析师表示，随着减产效应逐步显现、需求回升，全球芯片市场可望在下半年出现回温。KB Securities分析师Kim Dong-won称，该行研判，第一季已经是三星的获利谷底，第二季DRAM产量将优于预期，且库存水位开始下降。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2023/6/28 14:16:58
6月26日消息，据《彭博社》引述韩国《联合通讯社》报导指出，为了反映今年半导体产业表现疲软的影响，韩国政府将下修 2023 年度经济成长率预测值。南韩企划财政部官员表示，由于半导体产业表现不如预期，将把经济成长率预测数值从原先的 1.6% 下修到 1.4%～1.5% 之间。这是继韩国银行于 5 月期间将 2023 年经济成长率预测值从 2 月份的 1.6% 下修到 1.4% 之后，第二个官方机构作出的预测值下修，韩国银行总裁李昌镛表示，该国半导体产业衰退将在第四季触底。韩国企划财政部的预测数值下修后，与 OECD 和韩国开发研究院预测的 1.5% 相同。不过韩国企划财政部仍未决定何时将公布该国下半年经济政策相关细节，预期将在下周之内决定。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2023/6/27 14:55:56
6月21日消息，据市场研调机构IDC最新公布的统计数据显示，2022年全球晶圆代工营收同比增长27.9%，但是预计2023年恐将同比下降6.5%。IDC表示，受益于客户长约助力、代工价调涨及扩产效应，2022年全球晶圆代工营收成长达27.9%。 其中，台积电随着先进制程持续扩张，市占率自2021年的53.1%，攀升至2022年的55.5%，稳居龙头地位。IDC资深研究经理曾冠玮说，受市况变化影响，近三季晶圆代工厂面临订单修正冲击，产能利用率大幅下滑。 不过在供应链经历一年以上的库存去化后，后续投片可能从先前的消极转为稳健保守，预期产能利用率将缓步回升。展望今年，IDC预估，2023年全球晶圆代工营收恐将下降6.5%。 台积电在3nm、4nm及5nm投片量增加下，今年市占率有望持续攀升。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2023/6/26 11:34:39
据韩国证券交易所和美国证券市场的统计，以5月19日为基准，英伟达的市价总额为7732亿美元，在全球半导体企业中排名第一。该公司在2018年的市值为814亿美元，当时在全球半导体股中排名第六，但这次却占据了首位。据韩媒Business Korea报道，英伟达与排名第二的台积电（4810亿美元）的差距扩大了60%以上。另外，2018年排名第一的三星在今年5月中旬的市值仅为3413亿美元，仅次于英伟达和台积电，排名第三；2018年排名第三的英特尔今年5月中旬以1248亿美元跌至第8位，该公司市场下降了41%。从半导体细分领域来看，随着DRAM和NAND闪存的单价下降，加上受经济放缓的影响，消费者不断调整库存，传统上属于周期性行业的内存企业的股票增长速度比非内存企业停滞不前。其中，2028年市价总额排名第9位的SK海力士最近以557亿美元的市价总额跌至第17位。美光（746亿美元）也从第10位下滑至第13位。相反，代工、无晶圆厂等非内存企业的市价总额却大幅增加。其中，博通（2844亿美元）、AMD（1704亿美元）、德州仪器（1248亿美元）、高通（1179亿美元）非存储半导体企业占据了大部分席位。作者：集微网，来源：雪球免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2023/6/25 10:57:03
据日经亚洲报道，ASML执行副总裁兼首席商务官Christophe Fouquet表示，全球半导体供应链脱钩即使可能，也将极其困难且昂贵，任何一个国家都很难建立自己完全自力更生的芯片产业。Fouquet称，“我们ASML不相信脱钩是有可能的，这将非常困难且非常昂贵。人们会意识到在半导体领域取得成功的唯一途径是合作，这只是时间问题。”当前，美国、日本、欧盟、印度和中国等主要经济体为实现芯片自主生产，纷纷推动本土半导体生产。Fouquet表示，ASML成功的秘诀在于与蔡司（Zeiss）、西盟（Cymer）等全球重要供应商的长期合作，以及其顶级芯片制造客户台积电和英特尔的支持。尽管它对跨境合作持开放态度，但ASML认为，对于一些最复杂的组件，最好只有一家供应商。Fouquet说，“为获得EUV光学器件而对蔡司进行的投资是巨大的。如果你在两到三个地方进行生产，成本就不再划算了。当谈到高端的技术时，我们会与供应商建立合作伙伴关系。当涉及到不太先进的技术时，我们会考虑多家供应商。”目前，ASML的大部分生产都在总部完成，Fouquet表示，至少到2026年，它可能会将大部分（大约80%到90%）的生产保留在那里。但ASML为就近服务客户，在韩国与美国等地区已经设有维修中心。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2023/6/25 10:51:39
据悉，在相关厂商实施控制产能等措施后，目前手机图像传感器的库存水位已迅速下降，预计将在今年年底回到正常水平。 6月14日，TrendForce发布的数据显示，2023年第一季度，全球智能手机产量创下9年来新低，因此，在智能手机市场需求低迷的背景下，手机零部件出货量的减少也在市场的预料之中。据了解，手机供应链的整体出货情况从2023年初至今一直比较惨淡，终端对上游芯片的需求持续冷清。由于芯片是手机产业链中的先行部分，所以目前芯片产业的冷清就意味着下一阶段手机出货量的低迷，产业链对其他零部件的需求将维持在保守阶段。Counterpoint发布的数据显示，目前中国用户更换智能手机的周期已超过40个月。不过，供应链依然要保持希望。台湾电子时报援引熟悉IC封测供应链从业者的消息称，目前业内新产品验证案仍在继续推进，只是放量的时间节点可能要延后一些，预计2024年高端手机应用处理器（AP）的需求将迎来回温。据群智咨询预测，下半年市场对中低端手机的需求有望迎来增长，对图像传感器的需求也将因此增加。想来，下半年各手机厂商相继推出旗舰机型，也会在一定程度上促进手机图像传感器的出货，不过，如果要迎来真正的回暖，还需要一段时间。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2023/6/21 9:52:21
为满足客户多样的设计需求，金升阳通过技术方案革新及平台升级，紧跟市场步伐，加快完成了CAN/485总线隔离收发模块R4系列升级，推出国产化更高性价比的R4S系列CAN/485总线隔离收发模块，该系列采用侧壁沉铜封装，比R4系列更薄。产品优势①超小，超薄，芯片级DFN封装R4S系列CAN/485总线隔离收发模块在R4系列基础上厚度减少0.4mm，进一步满足客户对应用空间的要求，同时可pin-to-pin兼容R4系列产品。②产品保护功能全面，可靠性高可靠性提升，满足AEC-Q100要求，产品集成ESD防护、浪涌防护、脉冲群防护以及总线失效防护多种保护功能，通过冲击试验、高温高湿、潮敏MSL3试验等一系列可靠性试验。③优良EMI：CLASSBEMI抑制效果较优，符合EMI ClassB标准产品特点超小，超薄，芯片级DFN封装电压输入范围4.5-5.5V隔离耐压5000VDC通讯速率高达10Mbps宽工作温度范围：-40℃ to +105℃CMTI25kV/usIC国产化总线失效保护、总线驱动短路保护优良EMI：加外围过CLASSB免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2023/6/21 9:46:06
近日，三星、SK海力士等DRAM厂商争相爆出有关第五代1bDRAM的最新研发进展，新一代产品在数据处理速度、功耗、耗电量等方面都有了显著提升，在移动设备、智能车辆、数据中心以及人工智能等领域的应用将更加广泛。英特尔、英伟达、AMD等厂商开始了新一轮的订购，存储厂商也将1bDRAM视为改善业绩的关键产品。同时，存储厂商开始了对下一代工艺节点1c的研发。有消息说，三星将跳过1bDRAM，直接研发1cDRAM。面向当前的1b竞争与未来的1c竞争，存储厂商已经开始暗中较劲。 1bDRAM研发如火如荼 一直以来，各大内存厂商将上一代DRAM芯片按照1X、1Y、1Z进行工艺区分，1Xnm工艺相当于16-19nm制程工艺、1Ynm相当于14-16nm制程工艺，1Znm工艺相当于12-14nm制程工艺。而新一代的1a、1b和1c则分别代表14-12nm、12-10nm以及10nm及以下制程工艺。 SK海力士重点发力存储产品的运行速度。据悉，SK海力士已开始与英特尔一起验证其最新的Gen 5(1b)10nm服务器DDR5 DRAM，后续可与英特尔至强可扩展平台服务器处理器搭配使用。 SK海力士表示其最新的DDR5 DRAM速度可达6.4Gbps，与DDR5初期样品4.8Gbps相比，提高了33%。并声称该产品是市场上最快的DDR5芯片，在芯片上应用了高k金属栅极，采用EUV光刻技术，10nm工艺制程，与Gen 4(1a)相比，功耗降低了20%、处理速度提高14%。 SK海力士副社长、DRAM研发负责人金锺焕表示，预期存储器市况将自2023年下半获得改善，SK海力士将以量产1b等业界最高水准的DRAM竞争力为基础，加速改善2023年下半业绩，并于2024年上半将最先进1b制程扩大到LPDDR5T、高带宽存储器HBM3E等领域。 三星则一如既往强调研发和技术领先性，宣布其采用12纳米...
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2023/6/20 9:33:03
近年来，随着汽车的电气化、自动驾驶化，车载以太网和高功能IC作为车载网络的使用量增加，需要总频率精度在±50ppm以下的高精度时钟元件。 因此，村田通过进一步优化晶体谐振器设计和制造工艺，实现了“XRCGE_FXA”系列的总振荡频率精度控制在±50ppm以下。另外，通过使用特有的封装技术，实现了2016尺寸下的高可靠性和低故障率（无微粒）。 今后，村田将致力于扩充高性能及高可靠性的晶体谐振器应用范围，为实现车载客户的安心、安全做出贡献。 产品特征1. 高精度2. 高可靠性、低故障率（无微粒）免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2023/6/20 9:29:54
功率半导体包含功率集成电路和功率分离式组件。功率集成电路安装在驱动电路板上，以发送信号控制功率组件/模块进行开关。功率组件是一种只用于电力转换和控制的电子组件，分为二极管（整流和保护电路）、晶体管（负责开关）与闸流体（电路驱动）。其中晶体管是电能转换损耗的主要来源，因此是功率组件中最关键产品，而俗称功率芯片便是乘载晶体管之处。从低压至高压需要用电的负载设备，几乎都需要功率组件。Si是最常用的功率组件材料，通常搭配IGBT，可适用于中压以上的应用，属于成熟工艺，技术上很难再有突破。由于新能源车800V平台的带动，SiC成为近年新兴的功率组件材料，通常搭配MOSFET可获得比Si-IGBT更快的电流开关速度以降低能量损耗，更耐高温、高压，且可大幅缩小应用零件体积和重量。SiC-MOSFET在新能源车中的高压电控应用主要有车载充电器（OBC）、直流-直流转换器（DC／DC Converter）和逆变器（Inverter）。其中，车载充电器主要功能为接收公共或家用充电来源的交流电后·将之转换为直流电给电池包充电；DC/DC Converter将电池包的直流电转换为不同电压的直流电，以供低电压的电子装置使用；Inverter将电池包的直流电转换为可供马达运转的交流电。作者：拓墣产业研究院免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2023/6/19 11:19:36
为了继续推动通用闪存(1)（UFS）技术的发展，全球存储器解决方案的领导者铠侠株式会社近日宣布，具有更高性能的第二代UFS 4.0嵌入式闪存设备已开始送样(2)。以小封装尺寸提供快速的嵌入式存储传输速度，适用于各种下一代移动应用。铠侠 UFS 产品性能的改进使这些应用程序能够利用 5G 的连接优势，从而加快下载速度、减少延迟时间并改善用户体验。铠侠UFS 4.0产品将BiCS FLASH™ 3D 闪存和控制器集成在 JEDEC 标准封装中，并结合了 MIPI M-PHY 5.0 和 UniPro 2.0，支持每通道高达 23.2Gbps或每设备 46.4 Gbps 的理论接口速度，并向下兼容 UFS 3.1。主要特性包括： 与上一代相比的性能改进(3)：顺序写入速度提搞升18%、随机写入提高30%，以及随机读取性能提升13%。支持高速链路启动序列 (HS-LSS) 特性: 在传统 UFS中，设备和主机之间的链路启动（M-PHY 和 UniPro 初始化序列）以低速 PWM-G1（3~9Mbps (4)）执行，但是使用 HS-LSS，可以以更快的 HS-G1 Rate A（1248Mbps）执行。与传统方法相比，预计这将使链路启动时间缩短约 70%。增强安全性：通过利用高级 RPMB（重放保护内存块）可以更快地读写访问安全数据，例如 RPMB 区域上的用户凭证。 RPMB 清除（RPMB Purge）以确保可以安全快速地清理丢弃的不需要的RPMB数据。支持Ext-IID：旨在与 UFS 4.0 主机端的多循环队列 (MCQ) 一起使用，以提高随机性能。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2023/6/19 11:17:34
6月15日，英特尔发布包含12个硅自旋量子比特（silicon spin qubit）的全新量子芯片Tunnel Falls，继续探索量子实用性，以解决重大难题。Tunnel Falls是英特尔迄今为止研发的硅自旋量子比特芯片，利用了英特尔数十年来积累的晶体管设计和制造能力。在英特尔的晶圆厂里，Tunnel Falls是在300毫米的硅晶圆上生产的，利用了英特尔的晶体管工业化制造能力，如极紫外光刻技术（EUV），以及栅极和接触层加工技术。在硅自旋量子比特中，信息（0/1）被编码在单个电子的自旋（上/下）中。硅自旋量子比特本质上是一个单电子晶体管，因此英特尔能够采用与标准CMOS（互补金属氧化物半导体）逻辑生产线类似的流程制造它。英特尔认为，硅自旋量子比特比其他量子比特技术更有优势，因其可以利用先进晶体管类似的生产技术。硅自旋量子比特的大小与一个晶体管相似，约为50 x 50纳米，比其它类型的量子比特小100万倍，并有望更快实现量产。《自然•电子学》期刊上的一篇论文表示，“硅可能是最有机会实现大规模量子计算的平台”。接下来，英特尔将继续致力于提高Tunnel Falls的性能，并将其和英特尔量子软件开发工具包（SDK）整合在一起，集成到英特尔的量子计算堆栈中。此外，基于制造Tunnel Falls的经验，英特尔已经开始研发下一代量子芯片，预计将于2024年推出。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2023/6/16 14:23:36
半导体产业步入下行周期之际，2023年ChatGPT的“走红”为产业带来新的发展方向：AI人工智能。ChatGPT正掀起一场声势浩大的AI浪潮，AI时代下，为满足海量数据存储以及日益增长的繁重计算要求，半导体存储器领域也迎来新的变革，HBM技术从幕后走向台前，未来前景可期。突破“内存墙”瓶颈，HBM应运而生，即高带宽存储器，按照JEDEC的分类，HBM属于图形DDR内存的一种，其通过使用先进的封装方法（如TSV硅通孔技术）垂直堆叠多个DRAM，并与GPU封装在一起。存储器带宽是指单位时间内可以传输的数据量，要想增加带宽，最简单的方法是增加数据传输线路的数量。据悉，典型的DRAM芯片中，每个芯片有八个DQ数据输入/输出引脚，组成DIMM模组单元之后，共有64个DQ引脚。而HBM通过系统级封装（SIP）和硅通孔（TSV）技术，拥有多达1024个数据引脚，可显著提升数据传输速度。HBM技术之下，DRAM芯片从2D转变为3D，可以在很小的物理空间里实现高容量、高带宽、低延时与低功耗，因而HBM被业界视为新一代内存解决方案。HBM是新一代内存解决方案，其市场被三大DRAM原厂牢牢占据。集邦咨询调查显示，2022年三大原厂HBM市占率分别为SK海力士50%、三星约40%、美光约10%。不过总体而言，在ChatGPT、人工智能训练和推理以及高性能计算等助力下，市场需要更多极速内存，HBM未来很长的时间内都将大有用武之地。来源：全球半导体观察作者：奉颖娴免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2023/6/16 14:20:26
今年的需求减弱拖累的不仅仅是国内的相关企业，包括韩国今年1月份公布芯片库存暴增28%，创下了27年来最惊人的增速，显然元器件库存的高企已经成为全球企业都需要面对的问题。消费电子的疲软也影响到了上游半导体产业，包括美光、英特尔、AMD都开始相继裁员，一方面因为需求减少，产品利润下降；另一方面则由于库存升高，导致企业获利承压。美光首席执行官Sanjay Mehrotra便曾公开表示，该行业正在经历十三年来最严重的供需失衡，当前库存或达到了峰值，2023年整年存储芯片行业将很难盈利。或许从全球范围来看，今年将是半导体产业的调整年，并且正值半导体行业下行周期，市场也需要调整才能重新迎来上升。那么实际情况如何呢？据电子发烧友与相关从业者的沟通中发现，伴随着芯片不断减价，目前芯片的投片价格和释放到终端产品价格已经调整并释放到终端了，其中一部分价格的调整幅度甚至远远大于10%。与此同时，部分元器件经销商已经不敢囤库存，目前的主要精力放在找寻客户上。有了需求再找货源，现在不敢囤货。但矛盾点在于，热门货现在仍然拿不到，如部分车规级芯片，而普通元器件无法判断回本周期，很容易砸在手中甚至变成呆料。根据元器件电商平台的业内人士透露，目前需求量有了小幅度回升，但基本都集中在急单与小批量，常规采购的订单量与2019年相差甚远。可见目前相关从业者已经基本意识到相关风险，对于元器件的采购异常谨慎。那这种情况何时才会结束呢？从历史来看，库存调整周期通常在2-3个季度，而从去年下半年开始，如砷化镓等产品便已经开始进行库存的调整，因此许多业内人士认为，今年下半年市场情况将有望改善。从细分品类来看，目前看到智慧显示、光电显示、存储产品等仍然处于调整期。以存储器为例，除了现货市场的频繁交易外，如终端的PC、消费电子企业，为了与原厂维持良好关系，在不景气时期也会配合拿货，但在市场价格下跌的情况下，这些企业可能将手中的...
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2023/6/15 14:16:13
自2020年开始，技术创新带来的新产品应用爆发导致产品供不应求，全球半导体产业迎来高速发展期。2021年，供需失衡加上需求高涨，让上游市场面临缺货的难题。到2022年，整个电子行业库存开始有了明显上升，甚至由于2021年产能紧张，出现过度备货的情况。半导体属于周期性行业，周期模式是需求上升→价格上涨→产能上升→库存上升→价格下降→产能下降的循环规律，从波谷到波峰的上行周期是1-3年，而从波峰至波谷的下行周期1-2年，整个周期下来，耗时4-5年不等，预计2023年是库存周期末端。在终端市场需求持续低迷的情况下，今年全球经济增速下滑已经成为行业的共识，去库存成为今年许多厂商的主旋律。而降库存的进度，可以看出今年半导体市场的行情走势，尤其是连接上下游产业链的分销商情况，更是能够体现出如今市场的真实情况。并且近期受全球及主要经济体进出口贸易数据波动较大，多家半导体厂商相继发布业绩预告，有些企业甚至已经发布了2022年的财报，整体业绩下滑明显。以上市分销商为例，目前已经有数家公司公布了自己的财报。如火炬电子2022年度财报显示，2022年营收达35.59亿元，同比下降24.82%，归母净利润为8.02亿元，同比下降16.11%。从各分销商业绩表现情况来看，受到2021年需求大增的影响，导致2022年增加了大量库存，这些库存在一定程度上拖累了各家公司的业绩情况。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2023/6/15 14:02:34
三菱电机2023年6月13日宣布，将于6月14日开始提供工业设备用NX封装全SiC功率半导体模块的样品。该模块降低了内部电感，并集成了第二代SiC芯片，有望帮助实现更高效、更小型、更轻量的工业设备。三菱电机于2010年开始推出搭载SiC芯片的功率半导体模块。此次，新模块采用低损耗SiC芯片和优化的内部结构，与现有的Si IGBT模块相比，内部杂散电感减少约47%*1，并显著降低了功率损耗。并且该产品的开发得到了日本新能源·产业技术综合开发机构(NEDO)的部分支持。SiC功率半导体模块产品特点：优化的内部结构并采用SiC芯片，有助于实现设备的高效率、小型化、轻量化内部连接采用优化的叠层结构，实现了9nH的内部杂散电感，比现有IGBT模块降低约47%；通过降低内部杂散电感，抑制设备的浪涌电压，实现高速开关的同时降低开关损耗；采用 JFET掺杂技术*2的第二代SiC芯片具有低损耗特性，与现有Si IGBT模块相比，功率损耗降低约72%*1，有助于提高设备效率；低的功率损耗有助于减少热量的产生，从而允许使用更小、重量更轻的散热器。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2023/6/15 13:59:22