Microchip Technology宣布其BZPACK mSiC®功率模块，旨在满足严格的高湿度高压高温反向偏置（HV-H3TRB）标准。BZPACK模块能够提供卓越的可靠性，简化制造流程，并为最严苛的电力转换环境提供多样化的系统集成选项。提供多种拓扑配置，包括半桥、全桥、三相和PIM/CIB配置，为设计者提供优化性能、成本和系统架构的灵活性。经过测试，BZPACK mSiC功率模块符合超过1000小时标准的HV-H3TRB标准，为工业和可再生能源应用的部署提供了信心。采用比较跟踪指数（CTI）600伏外壳，稳定的Rds（on）在温度范围内，以及铝氧化物（Al₂O₃）或氮化铝（AlN）等基材选项，这些模块提供了卓越的绝缘、热管理和长期耐用性。Microchip高功率解决方案业务部门副总裁Clayton Pillion表示：“我们BZPACK mSiC功率模块的发布，强化了Microchip为最严苛的电力转换环境提供坚固高性能解决方案的承诺。”“通过利用mSiC技术，我们为客户提供了更简便的路径，打造高效且持久的系统，涵盖工业和可持续发展市场。”为了简化生产并降低系统复杂度，BZPACK模块采用紧凑、无底板设计，配备按压式、无焊接端子和可选预加热接口材料（TIM）。这些多功能选项使组装更快、制造一致性提高，并通过行业标准的布局实现更便捷的多采购。此外，模块设计上兼容引脚，便于使用。Microchip的MB和MC系列mSiC MOSFET为工业和汽车应用提供了强大的解决方案，并提供AEC-Q101认证选项。这些器件支持共同的门极源电压（VGS≥15V），并以行业标准封装提供，便于集成。经过验证的高压-H3TRB能力通过帮助降低因湿气引起的泄漏或击穿导致现场失效的风险，支持长期可靠性。MC系列集成了栅极电阻，提升开关控制，保持低开关能量，并在多芯片模块配置中提升稳定...
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2026/3/20 10:19:56
半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）宣布，针对智能戒指、智能手环等小型可穿戴设备以及智能笔等小型外围设备应用，推出支持近场通信技术（NFC，近距离非接触式无线通信技术）的无线供电IC芯片组“ML7670（接收端）”和“ML7671（发射端）”。近年来，以医疗保健和健身用途为核心的智能戒指市场发展迅速。但挑战在于对佩戴在手指上的环形超小设备而言，很难进行有线供电；而且常用的Qi标准*1无线充电技术也因线圈尺寸等因素的限制而难以运用。因此，业内将目光投向能在小型设备上实现可靠充电的近场供电方式。在这种背景下，采用可实现天线小型化的13.56MHz高频段的NFC供电技术备受瞩目，其在下一代可穿戴设备中的应用正在加速普及。ROHM已推出支持1W供电的ML7660/ML7661芯片组，此次又开发出针对小型设备优化的新芯片组ML7670/ML7671，助力可穿戴设备的升级和使用便利性提升。新芯片组是基于广受好评、最高可提供1W供电的“ML7660（接收端）”和“ML7661（发射端）”系列开发出来的衍生型号。新产品将供电量限制在最大250mW，同时内置了向充电IC供电所需的开关MOSFET等外部器件。因此，在安装面积和供电效率两方面均针对小型可穿戴设备（尤其是智能戒指）所需的功率等级进行了优化。接收端IC“ML7670”不仅保持2.28mm×2.56mm×0.48mm这一业界超小尺寸，在供电量250mW的低输出功率范围内工作时还实现高达45%的供电效率。新芯片组的一大优势是通过优化线圈匹配、整流电路以及降低开关器件损耗等要素，实现了超越同等产品效率水准的性能。而且，IC内部已经集成无线供电所需的固件，无需再外置主控MCU，这可大大节省所开发设备的空间并大幅减少开发工时。另外，由于符合NFC Forum*2标准（WLC 2.0），因此可在保持与现有设备兼容性的同...
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2026/3/20 10:17:09
ADI(亚德诺)公司在泰国新落成的先进制造工厂已经正式启用。此举将进一步提升ADI的先进制造与测试能力，同时推动公司在亚太地区形成更具韧性和可持续性的半导体生产布局。此次扩建基于ADI的混合制造战略，依托由内部工厂、外部代工厂与外包半导体组装和测试(OSAT)合作伙伴构成的全球网络，打造兼具韧性与高性能的解决方案。泰国在ADI全球制造网络中发挥着至关重要的作用。通过扩大ADI在泰布局，提升制造韧性、灵活性与产能规模，为多元市场客户提供支持，从而有力支撑公司的长期发展。新工厂的定位是智能可持续工厂，融合先进自动化、数字化制造技术与完善运营体系，兼顾高效生产与绿色环保，能够更快响应市场需求，并在瞬息万变的全球环境中，持续提供客户所期望的品质、可靠性与性能。ADI首席执行官兼董事会主席Vincent Roche表示：“泰国是ADI全球制造布局中的战略枢纽之一。此次扩建彰显了我们长期致力于将泰国及该地区打造为能够可靠且可持续地提供世界级技术的关键环节的决心。随着客户需求的不断演变，此次扩建投资将确保我们能够持续大规模交付独具优势的创新成果。”ADI全球运营与技术执行副总裁Vivek Jain指出：“新工厂极大提升了我们高效且负责任地开展测试业务的能力。凭借当地雄厚的工程人才储备、供应链优势以及支撑长期发展的产业环境，泰国已成为我们构建更加敏捷、更具韧性且面向未来的制造网络的重要一环。”提升全球供应链韧性通过更广泛的区域布局、更高的运营敏捷性以及增强的制造网络灵活性，ADI在泰国的扩产增能举措强化了公司的全球韧性战略。新工厂坐落于泰国东部经济走廊(EEC)，得益于当地完善的基础设施、优质的工程人才储备和稳定中立的运营环境，将进一步强化ADI服务全球客户的能力。推动半导体制造可持续发展新工厂依照LEED标准规划建造，彰显了ADI践行绿色制造的坚定承诺，也是ADI制造网络中首个以获得LE...
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2026/3/20 10:13:39
24MR-35M+同轴适配器定义Mini-Circuits 的 24MR-35M+ 是一款同轴适配器，一端为 2.4 mm 直角公头（Right-Angle Male），另一端为 3.5 mm 公头（Male），支持从直流（DC）至 33 GHz 的广泛应用。该型号在整个频率范围内提供优异的电压驻波比（VSWR）和低插入损耗。24MR-35M+ 采用钝化不锈钢结构制造，整体长度仅为 0.71 英寸（约 18.03 mm），紧凑耐用，适用于空间受限的高频系统。特性超宽带，直流至33GHz低插入损耗，典型值0.11 dB。出色的VSWR，1.11:1典型值。直角车身电气规格（在 +25°C 条件下）参数 频率 (GHz)最小值典型值最大值单位频率范围-DC-33GHz插入损耗0.01–33-0.11 0.44dB电压驻波比 (VSWR)0.01–33-1.111.35:1备注：规格测试最低频率为 0.01 GHz。案例风格图
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2026/3/19 14:22:58
BAT-1+吸收式固定衰减器定义BAT-1+ 是一款宽带、双向、吸收式固定衰减器，采用高可靠性且可重复性优异的砷化镓（GaAs）半导体工艺制造。其工作频率范围从直流（DC）至 60 GHz，在整个频段内实现了出色的衰减精度与平坦度，同时保持卓越的回波损耗性能。该型号可承受高达 2 W 的输入功率，使其成为多种应用的理想选择，包括：测试与测量、卫星通信、雷达系统、电子战（EW）、电子对抗防御系统（ECM Defense Systems）、电信基础设施以及 5G 通信。特性宽频带：DC 至 60 GHz覆盖从基带到毫米波全频段，适用于各类射频系统设计。高功率处理能力：2 W支持中高功率应用场景，如发射链路调节或负载匹配。优异回波损耗：典型值 14 dB表明端口匹配良好，反射小，有助于提升系统稳定性与信号完整性。封装尺寸：1.5 × 1.5 mm，6 引脚 QFN 式封装小型化表面贴装封装，便于集成到高密度 PCB 布局中，适合自动化生产。应用测试与测量设备卫星通信系统雷达、电子战（EW）及电子对抗防御系统（ECM）电信基础设施5G sub-6 GHz 及毫米波（mmW）应用功能图（俯视图）
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2026/3/19 14:20:12
BAT-4+吸收式固定衰减器定义BAT-4+ 是一款宽带、双向、吸收式固定衰减器，采用高可靠性且可重复性优异的砷化镓（GaAs）半导体工艺制造。其工作频率范围从直流（DC）至 60 GHz，在整个频段内实现了出色的衰减精度与平坦度，同时保持卓越的回波损耗性能。该型号可承受高达 2 W 的输入功率，使其成为多种应用的理想选择，包括：测试与测量、卫星通信、雷达系统、电子战（EW）、电子对抗防御系统（ECM Defense Systems）、电信基础设施以及 5G 通信。特性宽频带：DC 至 60 GHz覆盖从基带到毫米波全频段，适用于各类射频系统设计。高功率处理能力：2 W支持中高功率应用场景，如发射链路调节或负载匹配。优异回波损耗：典型值 15 dB表明端口匹配良好，反射小，有助于提升系统稳定性与信号完整性。封装尺寸：1.5 × 1.5 mm，6 引脚 QFN 式封装小型化表面贴装封装，便于集成到高密度 PCB 布局中，适合自动化生产。应用测试与测量设备卫星通信系统雷达、电子战（EW）及电子对抗防御系统（ECM）电信基础设施5G sub-6 GHz 及毫米波（mmW）应用功能图（俯视图）
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2026/3/19 14:16:23
BAT-20+固定衰减器定义BAT-20+ 是一款宽带、双向、吸收式固定衰减器，采用高可靠性且可重复性优异的砷化镓（GaAs）半导体工艺制造。其工作频率范围从直流（DC）至 60 GHz，在整个频段内实现了出色的衰减精度与平坦度，同时保持卓越的回波损耗性能。该型号可承受高达 1.6 W 的输入功率，使其成为多种应用的理想选择，包括：测试与测量、卫星通信、雷达系统、电子战（EW）、电子对抗防御系统（ECM Defense Systems）、电信基础设施以及 5G 通信。特性宽带，直流至60 GHz高功率处理，1.6 W出色的回波损耗，典型。18分贝1.5x1.5 mm，6引线QFN型封装应用测试和测量设备卫星通信雷达、电子战和电子对抗防御系统电信基础设施5G低于6 GHz和毫米波功能图（俯视图）
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2026/3/19 14:09:57
BFHKI-2162+陶瓷带通滤波器定义BFHKI-2162+ 是一款微型低温共烧陶瓷（LTCC）超高中频抑制带通滤波器，其通带范围为 19.4 GHz 至 23.8 GHz，可支持多种应用。该型号在 10.3 GHz 以下实现高达 72 dB 的阻带抑制，在 40 GHz 以下实现 49 dB 的阻带抑制。该滤波器采用小巧的 4.95 mm × 3.65 mm 陶瓷封装形式，非常适合高密度信号链 PCB 布局，能够与 MMIC 尺寸和性能完美匹配。BFHKI 系列内置集成式中介层焊盘，便于通过自动化制造设备安装到 PCB 上。得益于其坚固的单片结构，该模型在整个宽频带内提供典型的 2.8 dB 插入损耗。LTCC 制造工艺确保了射频性能的极小波动，同时交付的产品能胜任高湿度与极端温度等严苛环境条件。该型号可承受最高 1 W 的射频输入功率，并拥有宽广的工作温度范围：-55°C 至 +125°C。特性带集成插入板的LTCC带通滤波器超高阻带抑制，典型。49分贝小尺寸，4.95x3.65毫米坚固的陶瓷结构应用测试和测量设备卫星通信航空航天和国防信号调节功能图+25°C时的典型频率响应
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2026/3/19 14:04:49
BFHK-1202+带通滤波器定义Mini-Circuits的BFHK-1202+带通滤波器采用紧凑、坚固的陶瓷封装，通过Ku波段的下边缘为上X波段提供精确滤波。利用专有材料科学和分布式设计拓扑，确保关键任务设计的高度可重复性能。该滤波器在9.5至13.5 GHz范围内提供0.85 dB的典型通带损耗，在0.1至4.5 GHz范围内具有46 dB和74 dB至30 GHz的出色阻带抑制，大大抑制了干扰和谐波。BFHK-1202+的额定射频输入功率高达1W，可在-55°C至+125°C的宽温度范围内运行，结合了可靠性和高性能，适用于要求苛刻的卫星通信、雷达、电子战和测试环境。特性超高阻带抑制，典型值62 dB。可表面安装的拾放式标准机箱标准小1812（4.5x3.2毫米）表壳样式高质量分布式滤波器拓扑宽阻带屏蔽结构防止滤波器失谐通过采用LGA（陆地栅格阵列）减少占地面积应用测试和测量设备卫星通信航空航天和国防信号调节功能图典型频率响应图
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2026/3/19 14:01:58
PMA1-14LV+低噪声 MMIC 放大器定义PMA1-14LV+ 是一款基于 pHEMT 的低噪声 MMIC 放大器，具有高 IP3 和平坦增益。其工作频率范围为 0.05 GHz 至 10 GHz，具备高动态范围特性，典型参数包括：噪声系数 1.0 dB、增益 21.9 dB、P1dB +20.4 dBm、OIP3 +28.4 dBm。这种性能组合使其非常适用于对灵敏度和动态范围要求高的接收机应用。PMA1-14LV+ 采用单一 +5 V 电源供电，与 50 Ω 阻抗良好匹配，并采用小型薄型 1.5 x 1.5 mm QFN 式封装，便于集成到高密度电路板布局中。特性高增益，典型。21.9分贝典型低噪声系数。1.0分贝OIP3高，典型。+28.4 dBm典型高P1dB。+20.4 dBm单电源电压，60mA时+5V1.5 x 1.5 mm 6引线QFN型封装应用测试和测量设备回程无线电系统卫星通信雷达、电子战和电子对抗防御系统5G无线基础设施功能图（俯视图）
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2026/3/19 13:53:09
Vishay推出了一款新型航天级表面贴装共模扼流圈，旨在为要求高的航天、航空航天和国防应用提供EMI滤波和噪声抑制。Vishay定制磁SGCM05339非常适合氮化镓和硅碳开关应用，这些器件在波形中会形成锐利边缘，从而产生辐射辐射。共模扼流圈也将用于低矮、高电流的电源;分布式电力系统中的直流/直流转换器;以及太阳能电池板的电力转换器。为抵御这些应用的恶劣环境，该自屏蔽器件采用紧凑坚固的纳米晶芯和成型坚固结构。SGCM05339在扩展频率下提供高阻抗，支持高达14.43安的高温电流能力，并能连续工作温度范围，范围从-55°C到+130°C。该设备符合ASTM-E595排放标准，提供多种筛选选项，包括MIL-PRF-27、5级产品级T、温度等级S;MIL-STD-981家族-4，S级;以及EEE-INST-002。该SGCM05339提供1000伏RMS的介电耐阻，在500伏直流电压下绝缘电阻最低10吉瓦，并可根据匝数、线规等参数进行定制，以满足具体应用需求。设备规格表如下：部件编号SGCM05339每绕组电感320 μH 到 10 400 μH共模阻抗（类型）540 Ω到3600 Ω每绕组的直流电阻（最大）0.0029 Ω 到 0.1318 Ω等级热电流（类型）2.02 A 至 14.43 A峰值阻抗频率2.06 Hz 到 31.74 Hz泄漏（最大0.35 μH 到 7.75 μH免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/3/19 13:36:11
Mythic选择了Microchip Technology子公司Silicon Storage Technology®（SST®）的memBrain™神经形态硬件知识产权（IP），用于其下一代边缘到企业级模拟处理单元（APU）。Mythic将利用SST的SuperFlash嵌入式非易失性存储器（eNVM）比特单元，每瓦特提供高水平的模拟内存计算（aCIM）性能。该合作使Mythic能够实现120 TOPS/瓦的推理处理，实现边缘和数据中心的高效AI加速：Mythic的APU目标能效是传统数字图形处理单元（GPU）的100倍。截至目前，Mythic授权的SST SuperFlash技术已发货1500亿套。SuperFlash技术是工业、汽车、消费和计算等多个行业的关键数据和代码存储的事实电子非视频（eNVM）解决方案，并被全球十大半导体代工厂授权使用。Microchip Edge AI业务部副总裁Mark Reiten表示：“Mythic正在工业、汽车和数据中心应用中开创AI推理处理和AI传感器融合的创新解决方案，有效克服当前AI能力的限制。”“作为Mythic下一代产品的核心存储技术，memBrain为边缘和数据中心应用带来了显著的能效和高性能。”memBrain 细胞具备：每个比特单元最多可支持8位数据（8 bpc） 存储单位纳安（nA）比特单元读电流工作温度下10年数据保留10万次耐力循环8 位元的多态写入操作的全状态机控制aCIM的单周期乘加运算Mythic首席执行官Taner Ozcelik博士表示：“Mythic在对eNVM技术的行业范围内广泛搜索后，确定memBrain单元技术最能帮助我们实现客户所需的超低功耗和高性能，”Taner Ozcelik博士表示。“此外，其行业验证的SuperFlash技术在代工厂的广泛可用性，加上SST工程团队的...
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2026/3/19 13:32:39
意法半导体宣布扩展其800伏直流功率转换组合，采用两种新的架构：800伏直流转12伏和800伏直流转6伏。这些新的功率转换阶段基于NVIDIA 800伏直流参考设计开发，补充了此前推出的800伏直流转50伏解决方案。快速发展的800伏直流数据中心架构实现了更高的能效，减少了电力损失，并支持更具可扩展性和高计算密度的超大规模企业和AI计算基础设施。意法半导体创新办公室、意法半导体战略、系统研究与应用组模拟、功率与离散、微机系统与传感器集团负责人、机体微电系统与传感器集团负责人表示：“随着人工智能基础设施计算规模的快速扩展，这需要更高的电压分布和更高的密度，而这只能通过针对不同AI服务器形态的系统层面进行系统层面的系统创新与创新。“借助这些800伏直流电力分配的新变流器，ST带来了一套完整的解决方案，支持千兆瓦级计算基础设施的部署，采用更高效、可扩展和可持续的电力架构。”为不同AI服务器形态提供完整的800 VDC生态系统向12V和6V输出级的扩展反映了行业向不同服务器架构的转变，这些架构需要根据GPU生成、服务器高度、形态规格和热包线不同，实现不同功率输出拓扑，适用于大规模训练集群、推理农场和高密度AI基础设施。50V、12V和6V中间直流总线将根据机架密度、GPU配置和散热策略在AI数据中心共存。新的800伏直流转12伏变换器实现了机架级电源架的高效分配，直接传输到供电的AI加速器的电压域。新的800伏直流到6伏的路径允许OEM厂商减少转换阶段数量，并将6伏总线更靠近显卡。这减少了铜的使用，最小化了电阻损耗，并提升了瞬态性能，这对大型训练集群来说是关键的差异化因素。早在2025年10月，意法半导体推出了一款全集成的原型电力传输系统，展示了一款紧凑型基于氮化镓的LLC转换器，直接从800伏、1 MHz频率下工作，效率超过98%，功率密度卓越，且在智能手机尺寸的覆盖面积超过26...
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2026/3/19 13:28:20
意法半导体和豹式影像®公司推出了一款面向人形及其他机器人系统的多模态视觉模块。该模块结合了ST成像、3D场景映射和运动感测，并采用NVIDIA全息扫描传感器桥技术，原生集成于NVIDIA Jetson和NVIDIA Isaac开放机器人开发平台，在人形机器人的尺寸、重量和功耗限制下简化并加速视觉系统设计。Leopard Imaging首席执行官Bill Pu表示：“直接在生态系统内访问ST传感器和执行器，使我们能够标准化并简化了HSB界面上人形机器人视觉的数据采集和记录。”“机器人制造者可以使用我们的多感应视觉模块配合Isaac工具，加速学习，快速弥合'模拟与现实'的差距。”该新模块由 NVIDIA 全息扫描传感器桥驱动，通过以太网无缝集成 NVIDIA Jetson 实现实时传感器数据采集，以及 NVIDIA Isaac 开放机器人开发平台，为开发者提供开放的 AI 模型、仿真框架和库。新模块包括构建系统和应用程序接口（API）、为移动机器人精心设计的人工智能（AI）算法、示例应用、域随机化以及包含传感器模型的仿真环境。ST继续将其传感器、驱动程序、执行器、控制器和开发工具集成到NVIDIA机器人生态系统中，作为NVIDIA机器人和边缘AI的关键合作伙伴，包括高精度模型和概念验证模块。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/3/19 13:24:34
AD8226 是一款低成本、宽电源电压范围的仪表放大器，仅需一个外部电阻即可设定介于 1 至 1000 之间的任意增益。AD8226 设计用于兼容多种信号电压。其宽输入范围与轨到轨输出能力，使信号能够充分利用电源轨的动态范围。由于输入范围还包含低于负电源的能力，因此即使在没有双电源供电的情况下，也能对接近地电平的小信号进行放大。AD8226 可在 ±1.35 V 至 ±18 V 的双电源或 2.2 V 至 36 V 的单电源下工作。AD8226 的鲁棒性输入端专为连接真实世界传感器而设计。除了宽工作范围外，AD8226 还能承受超出电源轨的电压。例如，在 ±5 V 供电条件下，该器件保证可耐受输入端 ±35 V 电压而不损坏。最小及最大输入偏置电流均有明确规格，便于实现开路检测功能。AD8226 非常适合多通道、空间受限的工业应用。与其他低成本、低功耗仪表放大器不同，AD8226 的最小增益为 1，并可轻松处理 ±10 V 信号。凭借 MSOP 封装和 125°C 温度等级，AD8226 能在紧凑、零气流的设计环境中稳定运行。AD8226 提供 8 引脚 MSOP 和 SOIC 两种封装形式，完全支持 –40°C 至 +125°C 的工作温度范围。若是需要封装和性能类似但增益可调范围为 5 至 1000 的器件，可考虑选用 AD8227电子元器件。常见应用工业过程控制桥式放大器医疗器械便携式数据采集多通道系统
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2026/3/18 13:33:48
HMC547ALP3EGaAs MMIC SPDT非反射开关，直流-20 GHz定义HMC547ALP3E 是一款通用型宽带高隔离度非反射式 GaAs pHEMT SPDT 开关，采用无引脚 QFN 表面贴装塑料封装。工作频率范围从直流（DC）至 20 GHz，该开关提供高隔离度和低插入损耗。其特性包括：在高达 5 GHz 时隔离度 50 dB，在高达 15 GHz 时隔离度 40 dB。该开关通过互补负电压控制逻辑线进行操作，需 -5/0V 控制电压，无需额外偏置电源。HMC547ALP3E 封装于无引脚 QFN 3×3 mm 表面贴装器件中。具备的特征高隔离度：在5 GHz以下50 dB40 dB至15 GHz低插入损耗：10 GHz时为1.8 dB2.5 dB@20 GHz快速切换非反光设计QFN SMT封装，9mm²常见应用•基站基础设施•光纤和宽带电信•微波无线电和甚小孔径终端•军用无线电、雷达和ECM•测试仪器
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2026/3/18 13:17:02
图1和图2中的功率损耗曲线可与图3至图6中的负载电流降额曲线配合使用，用于计算LTM4615在不同散热片配置和气流条件下的近似θJA（结到环境）热阻。图1图2LTM4615电子元器件的两个输出通道均工作在满载4A电流下，图1和图2中的功率损耗曲线分别绘制了每个输出电压通道在最高4A负载下的总功耗。VLDO稳压器设定为0.5W的功耗，通常适用于压差为0.5V或更低的应用场景。例如：1.2V转1V、1.5V转1V、1.5V转1.2V以及1.8V转1.5V等压差组合均可支持VLDO最大负载；但若需更高压差，则需对VLDO进行进一步的热分析。图3图4、5、64A输出对应的电压为1.2V和3.3V。选择这两个电压值是为了涵盖较低和较高的输出电压范围，以便推导热阻模型。热模型基于温控箱内多个温度测量点数据，并结合热建模分析得出。在无气流和有气流条件下，随着环境温度升高，监测结温并相应降低输出电流或功率。结温被维持在约120°C，同时留出相对于最大允许结温125°C的5°C安全裕量。随着环境温度上升，内部模块损耗减少，从而导致输出电流下降。图1和图2中的功率损耗曲线显示了作为负载电流函数的功率损耗量，该函数针对两个通道均有定义。所监测的120°C结温减去 ambient 工作温度，即表示允许的模块温升幅度。举例而言，在图3中，当环境温度为-90°C时，每通道负载电流降至3A，此时两通道在5V/1.2V @ 3A输出下的功耗约为1.4W。加上VLDO的0.5W功耗，总计为1.9W。若从120°C的最大结温中减去90°C的环境温度，得到温差30°C，再除以1.9W，即可得出15.7°C/W的热阻值。表1指定的15°C/W热阻值与此非常接近。下图1、2中提供了在有无散热片及气流条件下，1.2V和...
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2026/3/18 11:48:48
输出电容LTM4615 开关器件专为每个通道提供低输出电压纹波而设计。 bulk 输出电容需选用具有足够低等效串联电阻（ESR）的型号，以满足输出电压纹波和瞬态响应要求。输出电容可选用低 ESR 钽电容、低 ESR 聚合物电容或陶瓷电容。典型输出电容值范围为 66μF 至 100μF。若系统设计师需要进一步降低输出纹波或动态瞬态尖峰，则可能需要额外的输出滤波措施。下图列出了不同输出电压与输出电容组合的矩阵，旨在最小化在 2A/μs 瞬变条件下的电压跌落和过冲。该表格通过优化总等效 ESR 和总 bulk 电容量，以最大化瞬态性能。故障条件：电流限制与过热保护LTM4615 采用电流模式控制，其固有特性可在稳态运行及瞬态过程中逐周期限流电感电流。除过载情况下的电流限制外，LTM4615 还具备过热关断保护功能，当任一通道温度升至约 150°C 时，将禁止开关操作。
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