NCP163是一种LDO（低压差稳压器），能够提供250mA的输出电流。NCP163器件旨在满足射频和模拟电路的要求，提供低噪声、高电源抑制比、低静态电流和非常好的负载/线路瞬态。该器件设计用于1µF输入和1µF输出陶瓷电容器。它有两种厚度的超小0.35P，0.65 mm x 0.65 mm芯片级封装（CSP）和XDFN−4 0.65P，1 mm x 1 mm。具备的特性•1 kHz时的超高PSRR为92dB，100 kHz时为60dB•非常适合Wi-Fi模块等对电源敏感的设备•超低输出噪声6.5µVRMS•非常适合噪声敏感应用•超低静态电流12µA•在轻载条件下提高效率•工作输入电压范围2.2V至5.5V•适用于电池供电设备•250mA时80mV的极低压降•满载时功耗低•提供0.64mm x 0.64mm CSP4 0.35P和1mm x 1mm XDFN4 0.65P封装•非常适合空间受限的应用•提供TSOP5封装•适用于需要含铅包装的应用常见应用•电池供电设备•无线局域网设备•智能手机、平板电脑•相机、DVR、机顶盒和摄像机
浏览次数：
5
2026/4/7 10:51:41
QPD1011A是一款7W（P3dB）、50欧姆输入匹配的SiC上GaN分立HEMT，工作频率为30 MHz至1200 MHz。集成输入匹配网络实现了宽带增益和功率性能，而输出可以在板上匹配，以优化频带内任何区域的功率和效率。该设备采用6 x 5mm无引线SMT封装，节省了已经空间有限的手持无线电的空间。具备的特征频率范围：50-1000MHz漏极电压：50V输出功率（P3dB）：1 GHz时为8.7，负载拉动数据PAE（P3dB）：1 GHz时为60%，负载拉动数据输入匹配50欧姆低热阻封装应用•军用雷达•民用雷达•陆地移动和军用无线电通信•测试仪器•宽带或窄带放大器•干扰器免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
浏览次数：
2
2026/4/7 10:37:08
从DC/DC转换器功率传输的角度来看，LTM4676的主要特征如下：两个集成电源级中的每一个输出电流可达13A，或组合输出电流可达26A。宽输入电压范围：从5.75V到26.5V输入的DC/DC降压转换。从4.5V到5.75V输入的DC/DC降压转换，将SVIN连接到INTVCC。当辅助5V偏压电源为SVIN和INTVCC供电时，小于4.5V的输入可能会进行DC/DC降压转换。输出电压范围：VOUT0为0.5V至4V，VOUT1为0.5V到5.4V。VOUT0的差分遥感（VOSNS0+/VOSNS0--）。在无吸收电流的情况下启动预偏置负载。四个LTM4676可以并行传输高达100A的电流。一个LTM4676可以与三个LTM4620A或LTM4630模块并行，提供高达130A的功率；通过鞋底LTM4676推断并联LTM4620A或LTM4630的轨道状态和遥测数据不连续模式和突发模式操作可用于更高的轻负载效率（MFR_PWM_Mode[1:0]）。输出电流限制和过电压保护。三个集成温度传感器，温度过高/过低保护。恒定频率峰值电流模式控制。可配置开关频率，250kHz至1MHz；可与外部时钟同步；七种可配置的信道相位交错设置。提供内环补偿；如果愿意，可以应用外部环路补偿。集成缓冲电容器通过将外部缓冲电阻器放置在模块附近来降低EMI。低剖面（16mm×16mm×5.01mm）BGA封装电源解决方案只需要输入和输出电容器；用于开路漏极数字信号的上拉电阻器最多为九个；最多六个下拉电阻器来配置所有可能的引脚捆扎选项。仅供参考。
浏览次数：
4
2026/4/3 15:02:31
LTM4676是一款双13A或单26A降压μModule®（微模块）DC/DC稳压器，具有远程可配置性和通过PMBus对电源管理参数的遥测监测功能，PMBus是一种基于I²C的开放标准数字接口协议。LTM4676由快速模拟控制回路、精密混合信号电路、EEPROM、功率MOSFET、电感器和支持组件组成。LTM4676的2线串行接口允许输出以可编程的转换速率和顺序延迟时间进行余量、调谐和上下斜坡。输入和输出电流和电压、输出功率、温度、正常运行时间和峰值都是可读的。不需要对EEPROM内容进行自定义配置。启动时，输出电压、开关频率和通道相位角分配可以通过引脚捆扎电阻器设置。LTpowerPlay™GUI和DC1613 USB到PMBus转换器和演示套件可用。LTM4676采用16mm×16mm×5.01mm BGA封装，可提供SnPb或符合RoHS标准的端子表面处理。具备的特性主要有：双快速模拟回路，带数字接口，用于控制和监测宽输入电压范围：4.5V至26.5V输出电压范围：0.5V至5.4V（VOUT0上为4V）±1%最大直流输出温度误差10A负载下的电流回读精度为±2.5%400kHz PMBus兼容I²C串行接口集成16位Δ∑ADC恒频电流模式控制并行和电流共享多个模块16个奴隶地址；铁路/全球地址16mm×16mm×5.01mm BGA封装可读数据：输入和输出电压、电流和温度运行峰值、正常运行时间、故障和警告机载EEPROM故障日志记录可写数据和可配置参数：输出电压、电压排序和裕度数字软启动/停止坡道OV/UV/OT、UVLO、频率和相位因此，常被应用于：原型、生产和现场环境中的系统优化、特征描述和数据挖掘电信、数据通信和存储系统
浏览次数：
2
2026/4/3 14:53:09
MSPM0G3218-Q1说明德州仪器的MSPM0G3218-Q1 和 MSPM0G3207-Q1 微控制器 (MCU) 属于 MSP 高度集成的超低功耗 32 位 MCU 系列，该 MCU 系列基于增强型 Arm Cortex-M0+ 32 位内核平台，工作频率最高可达 80MHz。这些 MCU 为需要采用封装（24 至 64 个引脚）的 128KB 至 256KB 闪存存储器的应用同时提供了成本优化和设计灵活性。这些器件包括CAN-FD 控制器、网络安全机制和高性能集成模拟，并在整个工作温度范围内提供出色的低功耗性能。该器件提供具有内置纠错码 (ECC) 且高达 256KB 的嵌入式闪存程序存储器，以及高达 32KB 的 SRAM（具有 ECC 和奇偶校验保护功能）。闪存存储器分为两个主要存储体，用于支持现场固件更新，并支持在两个主要存储体之间进行地址交换。可以使用灵活的网络安全机制来支持安全启动、安全的现场固件更新、IP 保护（仅执行存储器）、密钥存储等。针对多种 AES 对称密码模式提供了硬件加速功能。网络安全架构正等待 Arm® PSA 1 级认证。提供了一组高性能模拟模块，如两个同步采样的 12 位 1.6Msps ADC（支持多达 27 个外部通道）、片上电压基准（1.4V 或 2.5V）和两个比较器（内置 8 位基准 DAC，可在低功耗和高速模式下运行）。TI MSPM0 系列低功耗 MCU 包含具有不同模拟和数字集成度的器件。MSPM0 MCU 平台将 Arm Cortex-M0+ 平台与超低功耗整体系统架构相结合，使系统设计人员能够在降低能耗的同时提高性能。应用• 汽车车身电子装置和照明• 汽车网关• 方向盘系统• 汽车电机控制• 直流转交流逆变器• 车内照明• 车门把手模块• 脚踢开启模块• 车辆乘员检测• 座椅舒适模块 MSPM0G3218...
浏览次数：
4
2026/4/3 14:35:13
LMK1C1106-Q1缓冲器说明LMK1C110x-Q1 是德州仪器 (TI) 的一款模块化、高性能、低偏斜、通用时钟缓冲器系列器件。整个系列采用模块化方法设计。五种不同的扇出选项：1:2、1:3、1:4、1:6 和 1:8。该系列所有器件均具有相同的高性能特性，如低附加抖动、低偏斜和宽工作温度范围。LMK1C110x-Q1 支持同步输出使能控制 (1G)，当 1G 为低电平时，输出切换为低电平状态。这些器件具有失效防护输入，可防止在没有输入信号的情况下输出发生振荡并允许在提供 VDD 之前输入信号。LMK1C110x-Q1 系列具有汽车 1 级（–40°C 至 125°C）和 AEC-Q100 认证。特性• 高性能 1:2、1:3、1:4、1:6 和 1:8 LVCMOS 时钟缓冲器• 输出偏斜极低：– LMK1C1102-Q1、LMK1C1103-Q1 和 LMK1C1104-Q1 • 50ps– LMK1C1106-Q1 和 LMK1C1108-Q1 • 55ps • 极低的附加抖动：– LMK1C1102-Q1、LMK1C1103-Q1 和 LMK1C1104-Q1 • VDD = 3.3V 时，典型值为 7.5fs • VDD = 2.5V 时，典型值为 10fs • VDD = 1.8V 时，典型值为 19.2fs– LMK1C1106-Q1 和 LMK1C1108-Q1 • VDD = 3.3V 时，典型值为 12fs • VDD = 2.5V 时，典型值为 15fs • VDD = 1.8V 时，典型值为 28fs • 传播延迟极低， 3ns • 同步输出使能• 电源电压：3.3V、2.5V 或 1.8V– 在所有的电源电压下，容差输入为 3.3V– 失效防护输入• fmax = 250MHz (3.3V) fmax = 200MH...
浏览次数：
2
2026/4/3 14:20:48
LMK1C1108-Q1汽车级时钟缓冲器系列器件说明LMK1C110x-Q1 是德州仪器 (TI) 的一款模块化、高性能、低偏斜、通用时钟缓冲器系列器件。整个系列采用模块化方法设计。五种不同的扇出选项：1:2、1:3、1:4、1:6 和 1:8。该系列所有器件均具有相同的高性能特性，如低附加抖动、低偏斜和宽工作温度范围。LMK1C110x-Q1 支持同步输出使能控制 (1G)，当 1G 为低电平时，输出切换为低电平状态。这些器件具有失效防护输入，可防止在没有输入信号的情况下输出发生振荡并允许在提供 VDD 之前输入信号。LMK1C110x-Q1 系列具有汽车 1 级（–40°C 至 125°C）和 AEC-Q100 认证。特性• 高性能 1:2、1:3、1:4、1:6 和 1:8 LVCMOS 时钟缓冲器• 输出偏斜极低：– LMK1C1102-Q1、LMK1C1103-Q1 和 LMK1C1104-Q1 • 50ps– LMK1C1106-Q1 和 LMK1C1108-Q1 • 55ps • 极低的附加抖动：– LMK1C1102-Q1、LMK1C1103-Q1 和 LMK1C1104-Q1 • VDD = 3.3V 时，典型值为 7.5fs • VDD = 2.5V 时，典型值为 10fs • VDD = 1.8V 时，典型值为 19.2fs– LMK1C1106-Q1 和 LMK1C1108-Q1 • VDD = 3.3V 时，典型值为 12fs • VDD = 2.5V 时，典型值为 15fs • VDD = 1.8V 时，典型值为 28fs • 传播延迟极低， 3ns • 同步输出使能• 电源电压：3.3V、2.5V 或 1.8V– 在所有的电源电压下，容差输入为 3.3V– 失效防护输入• fmax = 250MHz (3.3V) fma...
浏览次数：
2
2026/4/3 14:17:19
ISO6041数字隔离器说明ISO604x 器件是高性能数字隔离器，专为符合 UL 1577 的需要最高 5000VRMS 的隔离额定值的应用而设 计。器件还通过了 VDE、TUV、CSA 和 CQC 认证。 ISO604x 器件在极低的电源电流下提供高数据速率、 低传播延迟、低抖动以及低通道间和器件间偏斜，同时 隔离 CMOS 或 LVCMOS 数字 I/O。这些器件配有使能 引脚，可用于将相应的输出置于高阻抗状态。该系列中的器件具有针对穿过隔离栅的特定正向和反向 数量、默认输出电平和封装的通道配置。四通道器件配置可 适应任何四通道设计，包括 SPI、RS-485 和数字 I/O 应用。可使用多个四通道器件或者组合使用二通道和六 通道器件，以传输应用所需的任意数量的并行 I/O、 SPI 芯片选择、状态或故障信号。特性支持高带宽和时钟敏感型应用高达 200Mbps 的数据速率低传播延迟：5V 时最大值为 9ns、3.3V 时最大值为 10nsSPI 最高可达：5V 时为 27.75MHz、3.3V 时为 25MHz低脉宽失真度：5V 时最大值为 1.2ns、3.3V 时最大值为 1.2ns低抖动：3.3V 时最大值为 5ps (RMS)，对采样时钟信号的 ADC 和 DAC SNR 的影响较低低通道间偏斜：5V 时最大值为 1.2ns、3.3V 时最大值为 1.2ns低器件间偏斜：5V 时最大值为 3.5ns、3.3V 时最大值为 3.8ns支持高通道密度应用：低功耗：1Mbps 和 3.3V 时，每个通道的最大电流为 0.635mA稳健可靠的 SiO2 隔离栅：在 1061VRMS 工作电压下具有超长的寿命宽温度范围：-40°C 至 125°C隔离等级高达 5000VRMS浪涌抗扰度高达 10.4kV最小值为 ±50kV/µs C...
浏览次数：
2
2026/4/3 14:11:15
TPS7H6101说明TPS7H6101 是一款具有集成式栅极驱动器的抗辐射 200V e 模式 GaN 功率 FET 半桥；集成 e 模式 GaN FET 和栅极驱动器可简化设计、减少元件数量并缩小布板空间。支持半桥和两个独立开关拓扑、可配置死区时间和可配置击穿互锁保护，有助于为各种应用和实现提供支持。特性辐射性能：通过了总电离剂量 (TID) 为 50krad(Si) 的辐射批次验收测试 (RLAT)单粒子瞬变 (SET)、单粒子烧毁 (SEB) 和单粒子栅穿 (SEGR) 对于线性能量传递 (LET) 的抗扰度高达 43MeV-cm2/mg单粒子瞬变 (SET) 和单粒子故障中断 (SEFI) 的特征值高达 (LET) = 43MeV-cm2/mg200V e 模式 GaN FET 半桥15mΩRDS(ON)（典型值）100kHz 至 2MHz 运行LGA 封装：带有散热焊盘的热优化 12mm × 9mm LGA 封装集成式栅极驱动电阻器低共源电感封装电气隔离式高侧和低侧适用于各种半桥和两种开关电源拓扑的灵活控制低传播延迟两种工作模式具有可调死区时间的单个 PWM 输入两个独立输入可编程的死区时间控制在独立输入模式下提供可选输入互锁保护5V 栅极驱动电源，可实现稳定的 FET 运行应用• 卫星电力系统 (EPS) • 电机驱动器典型应用电路免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
浏览次数：
3
2026/4/3 13:59:38
AI数据中心的创新节奏之快，已使设计人员无法再通过逐个优化元器件来构建系统。产品开发周期曾以三到四年为衡量，如今已缩短至12到15个月。这意味着AI数据中心架构师需要的是端到端的电源解决方案，以及全面、长远的规划蓝图，而非将整合风险转嫁给系统设计人员的零散产品组合。依托数十年的电源技术积累，瑞萨深知：要降低GaN的采用门槛并缩短设计周期，离不开控制器、栅极驱动器与保护器件的协同设计，再辅以完善的参考设计和专业的技术支持。我们在应用电力电子会议（APEC）上最新发布的GaN解决方案，正是这一系统级理念如何转化为更快速、更低风险设计的生动例证。通过收购Transphorm公司及其高压SuperGaN® D-mode GaN FET技术，瑞萨电子的市场地位得到了进一步的巩固。我们致力于为数据中心OEM厂商提供从器件级创新到系统级支持的全方位赋能，从而加速其评估进程，缩短产品设计周期。剖析AI数据中心的电力挑战相较于早期的云基础设施，AI数据中心呈现出两大显著特征：更高的电力消耗，以及功耗动态变化的急剧增加。传统数据中心的服务器电源柜的功率上限可能最高为30千瓦。而如今，AI系统的单个电源柜运行功率已跃升至50千至300千瓦之间（具体数值因供应商而异），按照这一趋势，预计到明年，单个机柜的功率甚至有望突破1兆瓦大关。在电源功率如此飙升的背景下，功率分配和电力转换已无法再作为后台的辅助环节被忽视。为了实现AI应用的可持续规模化扩展，电源架构必须迈向更高效、更紧凑，且更具适应性的新阶段。简而言之，电力已从昔日的运营支出项，演变为复杂且资本密集型的核心考量因素。并且，只要对算力的渴求继续由日益庞大的AI模型所驱动，这一趋势就将长期持续。AI推动新型电源架构这场变革最明显的标志之一，便是从传统的415V交流（AC）配电向800V直流（DC）（或±400V直流）架构演进。...
浏览次数：
1
2026/4/3 13:53:08
半导体制造商ROHM宣布推出兼具业界超低动态电阻（Rdyn）*1和超低电容特性的ESD（静电放电）保护二极管*2“RESDxVx系列”。该系列产品适用于需要高速数据传输的众多应用领域。近年来，在工业设备和车载市场，高速信号传输的普及与电子设备的小型化、高性能化趋势日益显著。相应地，系统（电路板、模块）层面对所需的ESD防护措施要求越来越严苛。另一方面，随着多功能化、高性能化、微细化技术的发展，IC对电气过载（EOS）和静电放电（ESD）的耐受能力呈下降趋势。因此，对于兼具“低电容（抑制高速通信时的信号劣化）”和“凭借低动态电阻实现出色IC保护性能”的外置ESD保护器件的需求与日俱增。尤其是在10Gbps以上的下一代通信中，微小的寄生电容差异都会对通信波形产生重大影响。然而，降低寄生电容与动态电阻之间存在此消彼长的权衡关系，因此如何兼顾通信质量和IC保护，成为亟待解决的课题。对此，ROHM推出了能够解决这一课题、并支持更高速通信的RESDxVx系列产品，新产品不仅实现更低电容，还实现更低的动态电阻。超过10Gbps的高速通信接口，需要可将信号劣化控制在更低且具备出色IC保护性能的ESD保护二极管。新产品实现引脚间电容*3仅为0.24pF（双向）和0.48pF（单向）的超低电容特性。同时，与该特性存在权衡关系的动态电阻也降低至0.28Ω。与普通产品相比，其钳位电压*4降低了约40%，确保了优异的IC保护性能。这些优势有助于提高各种高速数据通信设备（例如AI服务器和5G/6G通信设备等工业设备，笔记本电脑和游戏机等消费电子产品）的可靠性。另外，DFN1006-2W封装的“RESDxVxBASAFH”和“RESDxVxUASAFH”符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101的要求，还适用于采用SerDes*5通信的ADAS（高级驾驶辅助系统）、AD（自动驾驶）摄像头以及ECU（电子...
浏览次数：
5
2026/4/3 13:47:52
Microchip已获得UL Solutions认证，符合IEC 62443-4-1成熟度第二级（ML2）工业自动化与控制系统标准，证明其新产品开发流程符合全球公认的安全设计标准。该认证提供了经审计支持的产品开发，确保产品是在成熟、可重复且独立验证的网络安全框架下开发。IEC 62443-4-1标准定义了安全开发生命周期（SDL）的要求，包括威胁建模、安全设计实践、严格的实施控制、验证与确认，以及长期缺陷和补丁管理。UL Solutions的认证确认，Microchip从最初设计到生命终止，将安全整合进其硬件和软件，并且这些做法在各业务单元及全球设计和制造中心中持续应用。这种基于审计支持的保障水平帮助客户简化自身的网络安全评估，降低供应链风险，并加速应对欧盟网络韧性法案（CRA）等新兴监管要求的准备。“获得IEC 62443-4-1 ML2认证体现了Microchip长期以来对严格安全实践的承诺，”Microchip Technology安全计算集团企业副总裁Nuri Dagdeviren表示。“客户需要能够展示安全开发成熟度的合作伙伴，而不仅仅是宣称成熟度。这种经过独立验证的认证增强了信任，降低了硬件-固件堆栈的风险，并支持客户朝向CRA及其他基于标准的合规性迈进。”免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
浏览次数：
2
2026/4/3 13:35:22
TPS3850-Q1汽车窗口监控器定义TPS3850-Q1 将可编程窗口看门狗定时器与高精度电压监控器相结合。TPS3850-Q1 窗口比较器在 SENSE 引脚上可针对过压 (VIT+(OV)) 和欠压 (VIT–(UV)) 阈值实现 0.8% 的精度（–40°C 至 +125°C）。TPS3850-Q1 在两种阈值条件下还可提供高精度迟滞，因此非常适用于容差要求严苛的系统。该监控器的 RESET 延迟可通过经出厂编程的默认延迟设置进行设定，也可以通过外部电容以编程方式设定。出厂编程的 RESET 延迟具备 9.5% 精度、高精度延迟时间。TPS3850-Q1 具备适用于多种应用的可编程窗口看门狗计时器。专用看门狗输出 (WDO) 有助于提高分辨率，从而帮助确定出现故障情况的根本原因。窗口看门狗超时可通过经出厂编程的默认延迟设置进行设定，也可以通过外部电容以编程方式设定。可通过逻辑引脚禁用看门狗，避免在开发过程中出现意外的看门狗超时。TPS3850-Q1 采用小型 3.00mm × 3.00mm、10 引脚 VSON 封装。TPS3850-Q1 具有可湿性侧面，可轻松进行光学检查。具备的特性• 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性：• 器件温度等级 1：-40°C 至 125°C 环境工作温度范围• 器件 HBM ESD 分类等级 2• 器件 CDM ESD 分类等级 C4B• 提供功能安全• 可帮助进行功能安全系统设计的文档• 输入电压范围：VDD = 1.6V 至 6.5V• 0.8% 电压阈值精度（最大值）• 低电源电流：IDD = 10µA（典型值）• 用户可编程看门狗超时• 用户可编程复位延迟• 出厂编程的精密看门狗和复位计时器• 开漏输出• 精密过压和欠压监测：• 支持 0.9V 到 5.0V ...
浏览次数：
3
2026/4/2 17:11:47
AD203SN专为在恶劣的操作环境中使用而设计和制造。AD203SN也是ADI公司AD200系列低成本、高性能、变压器耦合隔离放大器的组成部分。电路设计、变压器结构、表面贴装元件和装配自动化方面的技术创新带来了一种坚固、经济、军用温度范围隔离器，它保留或改进了AD202/AD204系列的关键性能规格。AD203SN通过使用内部变压器耦合，在隔离放大器的输入和输出级（包括电源）之间提供完全的电流隔离。AD203SN的功能完整设计，由单个+15 V dc电源供电，无需外部dc/dc转换器。这允许设计者最小化必要的电路开销，从而降低整体设计和组件成本。此外，变压器耦合器件的功耗、非线性和漂移特性远优于其他隔离技术，而不会牺牲带宽或噪声性能。最后，AD203SN即使在持续的共模应力下也能保持其高运行性能。AD203SN的设计强调在必须在高CMV条件下测量或传输信号的广泛应用中具有最大的灵活性和易用性。AD203SN具有±10 V输出范围、非专用输入放大器、输出缓冲器、10 kHz全功率带宽和±15 V dc@±5 mA的前端隔离电源。其常见应用为：发动机监测和控制移动多通道数据采集系统仪表和/或控制信号隔离电流分流测量高压仪表放大器
浏览次数：
3
2026/4/2 17:10:03
nRF24L01是一款单芯片2.4GHz收发器，内置基带协议引擎（Enhanced ShockBurst™），专为超低功耗无线应用而设计。nRF24L01设计用于在2.400-2.4835GHz的全球ISM频段运行。使用nRF24L01设计无线电系统需要一个MCU（微控制器）和很少的外部无源元件。nRF24L01通过串行外围接口（SPI）进行配置和操作。通过此接口，寄存器映射可用。寄存器映射包含nRF24L01中的所有配置寄存器，可在芯片的所有操作模式下访问。嵌入式基带协议引擎（Enhanced ShockBurst™）基于分组通信，支持从手动操作到高级自主协议操作的各种模式。内部FIFO确保无线电前端和系统MCU之间的数据流顺畅。Enhanced Shock Burst™通过处理所有高速链路层操作来降低系统成本。无线电前端使用GFSK调制。它具有用户可配置的参数，如频率信道、输出功率和空中数据速率。nRF24L01支持的空中数据速率可配置为2Mbps。高空气数据速率与两种节能模式相结合，使nRF24L01非常适合超低功耗设计。内部电压调节器可确保高电源抑制比（PSRR）和宽电源范围。常见应用•无线PC外围设备•鼠标、键盘和遥控器•三合一桌面捆绑包•高级媒体中心遥控器•VoIP耳机•游戏控制器•运动手表和传感器•消费电子产品的射频遥控器•家庭和商业自动化•超低功耗传感器网络•有源RFID•资产追踪系统•玩具
浏览次数：
2
2026/4/2 17:02:28
HCMS-2975是一款由板载CMOS IC驱动的高性能、易于使用的点阵显示器。显示器可以直接与微处理器连接，从而消除了对繁琐接口组件的需求。串行IC接口允许用最少的数据线显示更高的字符数信息。各种颜色、字体高度和字符数为设计师提供了针对其特定应用的广泛产品选择，易于阅读的5 x 7像素格式允许显示大写、小写、片假名和自定义用户定义的字符。该显示器可在x和y方向上堆叠，使其成为高字符数显示器的理想选择。应用电信设备便携式数据输入设备计算机外围设备医疗设备测试设备商业机器航空电子工业控制。具备的特性•易于使用•直接与微处理器接口•4、8和16（2×8）字符包中的字符高度为0.15英寸•4字符和8字符包装中的字符高度为0.20英寸•坚固的X和Y型可堆叠包装•串行输入•方便的亮度控制•可波峰焊•提供五种颜色•低功耗CMOS技术•TTL兼容常见应用电信设备便携式数据输入设备计算机外围设备医疗设备测试设备商业机器航空电子设备工业控制
浏览次数：
3
2026/4/2 14:07:20
KARN-50+是Mini-Circuits的一款同轴负载电子元件。其工作频率最小0MHz，最大8000MHz，50Ω。具备的特性宽带覆盖，DC至8 GHz适用于9 GHz（回波损耗，9 GHz时典型值为20 dB坚固结构常见应用蜂窝通信卫星通信国防通信测试设置尺寸图
浏览次数：
4
2026/4/2 13:47:51
瑞萨电子宣布其辐射硬化（辐射硬）集成电路将被用于NASA的Artemis II任务，该任务于4月1日从佛罗里达肯尼迪航天中心成功发射。作为数十年来首次载人绕月任务，阿尔忒弥斯二号代表了NASA重返月球并在月球表面建立长期存在计划中的一个重要里程碑。目前，四名宇航员正乘坐NASA的猎户座飞船前往绕月轨道，作为NASA阿耳忒弥斯II任务的一部分，将人类带到五十多年来最远离地球的距离。飞行期间，机组人员将在深空环境中测试航天器系统和机组性能，然后安全返回。此次任务将验证关键航天器能力，并为未来的载人航行和登月做好准备。在阿耳忒弥斯II核心系统中，包括猎户座飞船和空间发射系统（SLS）火箭，瑞萨的辐射硬集成电路被应用于多个子系统。这些Intersil品牌设备嵌入航天器的航电和安全发射系统中，有助于调节和分配电力，保持信号完整性，并支持机载计算。这些专用集成电路设计用于在人类航天任务典型的高辐射和极端温度下可靠运行。“载人航天任务没有失败的余地，我们很自豪成为少数被委托为这次历史性的载人阿尔忒弥斯任务提供符合太空资格的半导体公司之一，”瑞萨HiRel业务部副总裁克里斯·斯蒂芬斯说。“我们的辐射高强度设备帮助航天器系统保持连接、保护和精确控制，帮助船员深入深空。我们期待通过我们的空间级半导体解决方案支持未来的里程碑任务，开启太阳系探索的新纪元。”瑞萨Intersil品牌在航天行业拥有悠久历史，超过六十年，始于1950年Radiation Inc.的创立。此后，几乎所有卫星、航天飞机发射和深空探索任务都包含了Intersil品牌产品。瑞萨利用这些经验，为国防、高可靠性（Hi-Rel）和辐射硬空间市场提供高效、热优化且高度可靠的SMD、MIL-STD-883和MIL-PRF 38535 Class-V/Q Intersil品牌产品。瑞萨Intersil品牌的辐射硬IC支持数据通信...
浏览次数：
3
2026/4/2 13:44:38