一、定义LT®6023 / LT6023-1 是一款低功率、增强摆率、精准运算放大器。该放大器的专有电路拓扑可在低静态功率耗散条件下提供出色的摆率，并且不会牺牲精度或稳定时间指标。此外，专有的输入级电路还允许在输入电压阶跃高达 5V 的情况下保持很高的输入阻抗。精度指标与快速稳定性能的组合使得这款器件成为多路复用应用的理想选择。由于 LT6023 电子元器件具有低静态电流，并且能够采用低至 3V 的电源运作，因而使其适用于便携式系统。LT6023-1 具有一种停机模式，该模式可将典型电源电流减小至 800nA。LT6023 采用小型 8 引脚 DFN 封装和 8 引脚 MSOP 封装。LT6023-1 则采用 10 引脚 DFN 封装。二、特征• 卓越的摆率与功率比• 摆率：1.4V/μs• 最大电源电流：每个放大器为 20μA• 最大失调电压：30μV• 最大失调电压漂移：2.9μV/°C• 高动态输入阻抗• 可从停机模式实现快速恢复• 最大输入偏置电流：3nA• 无输出反相• 增益带宽乘积：40kHz• 宽的规定电源范围：3V 至 30V• 工作温度范围：-40°C 至 125°C• 轨至轨输出• DFN 封装和 MS8 封装三、应用精密信号处理DAC放大器多路ADC应用低功耗便携式系统低功耗无线传感器网络
浏览次数：
1
2026/2/25 13:51:51
为确保可靠的熔丝编程，必须遵循编程程序要求，特别是编程期间适当的电源电压：编程 AD8557 电子元器件时，器件温度必须在 10°C 至 40°C 之间。将 VDD 和 VSS 设置为应用中的所需值。使用仿真模式测试并确定第二级增益、第一级增益和输出失调的所需代码。使用与这些值相对应的代码作为起点。然而，由于给定代码的实际参数值因器件而异，需要进行一些微调以获得最佳可能的精度。选择这些值的一种方法是将输出失调设置为近似值，例如中电源的代码 128，以确定所需的增益。然后，设置第二级增益，使最小第一级增益（代码 0）给出低于所需的增益，最大第一级增益（代码 127）给出高于所需的增益。选择第二级增益后，可以选择第一级增益来微调总增益。最后，可以调整输出失调以给出所需值。确定第二级增益、第一级增益和输出失调的所需代码后，器件即可进行永久编程。注意，一旦对任何熔丝进行了编程尝试，就不应再次尝试烧断该熔丝。如果熔丝未编程到预期状态，请丢弃该器件。当遵循正确的编程程序和条件时，尝试但未烧断的熔丝的预期发生率非常小。将 VSS 设置为 0 V，VDD 设置为 5.75 V（±0.25 V）。电源应能够在所需电压下提供 250 mA，并按照编程模式部分所述正确旁路。使用编程模式永久输入第一级增益、第二级增益和输出失调的所需代码。烧断主熔丝，使 AD8557 能够从熔丝读取数据并防止进一步编程。将 VDD 和 VSS 设置为应用中的所需值。使用低检测电流读取模式，然后使用高检测电流读取模式，以验证编程代码。测量增益和失调以验证正确功能。
浏览次数：
0
2026/2/25 13:42:47
AD8557 是一款零漂移传感器信号放大器，具有数字可编程增益和输出失调电压。AD8557 旨在轻松准确地将可变压力和应变桥输出转换为明确定义的输出电压范围，能够精确放大许多其他差分或单端传感器输出。AD8557 采用亚德诺半导体公司专有的低噪声自动归零和 DigiTrim® 技术，在紧凑的封装中创建精确灵活的信号处理解决方案。增益通过串行数据接口在 28 至 1300 的宽范围内进行数字编程。增益调整可以在电路中完全仿真，然后使用可靠的多晶硅熔丝技术永久编程。输出失调电压也是数字可编程的，并且与电源电压成比例。除了极低的输入失调电压和输入失调电压漂移以及非常高的直流和交流 CMRR 外，AD8557 还包括输入引脚上的上拉电流源和 VCLAMP 引脚上的下拉电流源。通过外部参考电压设置的输出钳位允许 AD8557 安全准确地驱动较低电压的模数转换器（ADC）。当与参考同一电源的 ADC 配合使用时，系统精度对正常电源电压变化免疫。输出失调电压可以以优于 0.4% 的分辨率进行调整，调整范围为 VDD 与 VSS 之间差值的 0.4%。增益和失调调整后的锁定微调进一步确保了现场可靠性。AD8557 的完全额定工作温度为 -40°C 至 +125°C。AD8557 采用单电源供电，电压范围为 2.7 V 至 5.5 V，提供 8 引脚 SOIC 和 4 mm × 4 mm 16 引脚 LFCSP 封装。
浏览次数：
0
2026/2/25 13:31:54
一、定义TPS7A39 器件是双路、单片、高 PSRR、正负极低压降 (LDO) 稳压器电子元件，支持高达 150mA 的拉电流（和灌电流）。该器件的稳压输出可在外部独立调节为对称或不对称电压，因此是进行信号调节的理想型双路双极性电源。TPS7A39 的正负两种输出在启动期间相互进行比例跟踪，从而缓解双轨系统中常见的浮动状况和其他电源定序问题。负输出可调节至最高 0V，从而扩大单电源放大器的共模范围。TPS7A39 还 具有 高 PSRR，因此消除了可能影响信号完整性的电源噪声，例如开关噪声。两个稳压器采用与标准数字逻辑对接的单个正逻辑使能引脚即可进行控制。可通过电容器编程的软启动功能将控制浪涌电流和启动时间。TPS7A39 的内部基准电压可用外部基准电压覆盖，从而实现精密输出、获得输出电压裕量或跟踪其他电源。此外，TPS7A39 具有缓冲基准输出，此输出可用作系统中其他组件的电压基准。这些 特性 使得 TPS7A39 成为一种为运算放大器、数模转换器 (DAC) 以及其他精密模拟电路供电的强大而简化的解决方案。二、特征• 正负 LDO 包含在一个封装中• 宽输入电压范围：±3.3V 至 ±33V• 宽输出电压范围：• 正压范围：1.2V 至 30V• 负压范围：–30V 至 0V• 输出电流：每通道 150mA• 单调启动跟踪• 高电源抑制比 (PSRR)：• 69dB (120Hz)• ≥ 50dB（10Hz 至 2MHz）• 输出电压噪声：21µVRMS (10Hz–100kHz)• 缓冲 1.2V 基准电压输出• 与 10µF 或更大的输出电容器一起工作时保持稳定• 单个正逻辑使能引脚• 可调软启动浪涌控制• 3mm × 3mm 10 引脚 WSON 封装• 低热阻：RθJA = 44.4°C/W• 工作温...
浏览次数：
1
2026/2/25 13:19:49
TPS709 是一系列消耗低静态电流并提供出色电源和负载瞬态性能的电子元器件。这种性能，结合低噪声和非常良好的 PSRR（具有较小的 (VIN - VOUT) 裕量），使该器件成为射频便携式应用、电流限制和热保护的理想选择。TPS709 的额定工作温度为 -40°C 至 +125°C。1.输入和输出电容对于输出电压低于 1.5 V 的情况，TPS709 器件在有效电容为 2.0 μF 或更大的输出电容下稳定工作。对于等于或大于 1.5 V 的输出电压，稳定工作的最小有效电容为 1.5 μF。稳定工作的最大电容为 47 μF。输出电容的等效串联电阻（ESR）必须在 0 Ω 至 0.2 Ω 之间以确保稳定性。有效电容是考虑容差、温度和直流偏置效应引起的变化后的电容最小值。推荐使用 X5R 和 X7R 型陶瓷电容，因为这些电容在温度变化时容值和 ESR 的变化最小。虽然输入电容对稳定性不是必需的，但良好的模拟设计实践是将 0.1 μF 至 2.2 μF 的电容从 IN 连接到 GND。该电容抵消了反应性输入源并改善瞬态响应、输入纹波和 PSRR。如果预期电源瞬态大于 10 V，则需要输入电容。2.瞬态响应与任何稳压器一样，增加输出电容大小可减小过冲和下冲幅度，但会增加瞬态响应持续时间。
浏览次数：
1
2026/2/25 11:59:26
TPS7A20 是一款超小型低压降 (LDO) 线性稳压器电子元件，可提供 300mA 的输出电流。TPS7A20 旨在提供符合射频和其他敏感模拟电路要求的低噪声、高 PSRR 和出色的负载和线路瞬态性能。欠压锁定（UVLO）操作UVLO 电路确保器件在输入电源达到最小工作电压范围之前保持禁用状态，并确保当输入电源崩溃时器件关断。下图显示了 UVLO 电路对各种输入电压事件的响应。该图可分为以下几个部分：区域 A：器件在输入达到 UVLO 上升阈值之前不会启动。区域 B：正常工作，稳压器件。区域 C：高于 UVLO 下降阈值的电压跌落事件（UVLO 上升阈值 - UVLO 迟滞）。输出可能脱离稳压，但器件保持使能。区域 D：正常工作，稳压器件。区域 E：低于 UVLO 下降阈值的电压跌落事件。在大多数情况下器件被禁用，输出因负载和有源放电电路而下降。当输入电压达到 UVLO 上升阈值时，器件重新使能，随后正常启动。区域 F：正常工作，随后输入下降到 UVLO 下降阈值。区域 G：当输入电压下降到 UVLO 下降阈值至 0 V 时，器件被禁用。输出因负载和有源放电电路而下降。
浏览次数：
1
2026/2/25 11:46:42
TLV757P 低压降稳压器 (LDO) 是一款超小型低静态电流 LDO，可提供 1A 拉电流，具有良好的线路和负载瞬态性能。经优化的 TLV757P 可支持 1.45V 至 5.5V 的 输入电压范围 从而适用于各种应用。为最大程度地降低成本和解决方案尺寸，该器件在 0.6V 至 5V 范围内以固定输出电压的形式提供，以支持现代 MCU 更低的内核电压。此外，TLV757P 具备带有使能功能的低 IQ，从而可将待机功耗降至最低。该器件 具有 内部软启动功能，旨在降低浪涌电流，该电流将为负载提供受控电压并在启动过程中最大程度地降低输入电压压降。关断时，该器件可主动下拉输出以快速释放输出并确保已知的启动状态。TLV757P 电子元器件在与支持小尺寸总体解决方案的小型陶瓷输出电容器搭配使用时，可保持稳定。高精度带隙与误差放大器支持 1% 的典型精度。所有器件版本均具有集成的热关断保护、电流限制和低压锁定 (UVLO) 功能。TLV757P 包含一个内部过流保护限制，有助于在短路事件中减少热耗散。具备的特性• 输入电压范围：1.45 V 至 5.5 V• 可提供固定输出电压：0.6V 至 5V（50mV 步长）• 低 IQ：25μA（典型值）• 低压降：在 1 A 下为 425 mV（最大值）（VOUT 为3.3V）• 输出精度：1%（最大值）• 内置软启动功能，具有单调 VOUT 上升• 折返电流限制• 有源输出放电• 高 PSRR：100kHz 时为 45dB• 与 1µF 的陶瓷输出电容器搭配使用时可保持稳定常见应用• 机顶盒、电视和游戏机• 便携式和电池供电类设备• 台式机、笔记本电脑和超极本• 平板电脑和遥控器• 白色家电和电器• 电网基础设施和保护继电器• 摄像头模块和图像传感器典型应用图
浏览次数：
1
2026/2/25 11:21:41
瑞萨电子宣布其面向ADAS（高级驾驶辅助系统）的车规级片上系统（SoC）R-Car V4H，已被应用于丰田汽车全新RAV4车型的TSS（LSS）控制单元。该车型已于2025年12月正式发布，其中央ADAS单元由电装株式会社（Denso Corporation）提供。R-Car V4H专为高阶ADAS应用设计，可在RAV4中高效运行多项ADAS处理功能，包括摄像头与雷达传感器融合、驾驶员监测、智能泊车及全景视图等，显著提升车辆安全性能和驾驶体验。在TSS（LSS）控制单元中，R-Car V4H通过内置图像识别功能（含AI神经网络）处理前置摄像头数据。该芯片将图像数据与雷达输入数据融合，实现ADAS功能，支持高精度检测车辆、行人及障碍物等。在泊车辅助方面，其集成GPU能够基于前、后、左、右摄像头生成实时3D全景图像，并通过融合摄像头与超声波传感器数据识别停车位及周边障碍物。此外，该SoC还能通过车内摄像头监测驾驶员状态，进一步提升行车安全。Vivek Bhan, Senior Vice President and General Manager of High Performance Computing at Renesas表示：“R-Car V4H能应用于RAV4车型，我们深感振奋。丰田已在ADAS SoC、微控制器及功率器件等多个领域广泛采用我们的产品。我们将继续支持智能汽车技术的发展，助力打造面向未来的移动出行解决方案。”免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
浏览次数：
2
2026/2/25 10:54:30
瑞萨电子公司宣布了一款基于3nm FinFET工艺的可配置三元内容寻址存储器（TCAM）。新型TCAM同时实现了更高的密度、更低的功耗和增强的功能安全，使其适合汽车应用。瑞萨斯在2026年2月15日至19日在美国旧金山举行的国际固态电路大会（ISSCC 2026）上展示了该成果。随着5G和云/边缘计算的快速扩展，网络流量持续激增，推动了对大型多样TCAM配置的需求，如256位×4096条条目。传统的仅依赖硬宏的扩展增加了更多银行和中继站的外围区域，使得时间关闭更困难，同时提升搜索能力。汽车应用还需要更高的安全覆盖以符合ISO 26262等标准。瑞萨通过以下创新来应对这些挑战。1. 整合硬宏与软宏方法，实现灵活配置新开发的TCAM硬宏由内存编译器以细粒度支持——搜索键宽度为8–64位，入口深度为32–128位。通过将这些硬宏与工具驱动的软宏自动生成结合实现更大的配置（例如256位×4096个项），即可在单芯片上实现可配置的单一宏，覆盖广泛的应用场景。这实现了内存密度5.27 Mb/mm²。2. 全不匹配检测与宏观流水线搜索每个硬宏集成一个全不匹配检测电路，并执行两级流水线搜索。基于第一阶段的结果，第二阶段可以继续或停止，以避免不必要的能量消耗。例如，在64–256位×512项配置中，该方法通过以下方式降低搜索能量：采用列分区、64位键时，可实现高达 71.1% 的按列流水线搜索通过按行流水线搜索（无密钥分区，≤64位密钥）可达65.3%在256位×512条配置中，该设计实现了低功耗，搜索能量为0.167 fJ/bit，分布式时序负载支持1.7 GHz的搜索时钟。所得的TCAM优点指数（密度×速度÷能量）达到53.8，超过了之前的工作。3. 增强汽车应用的功能安全（分体数据总线和专用SRAM）由于同一地址的 ...
浏览次数：
1
2026/2/25 10:49:59
意法半导体推出了MasterGaN6，开启了第二代MasterGaN半桥系列。封装中的新功率系统将升级版BCD驱动器与高性能氮化镓功率晶体管耦合，晶体管功率仅为140mΩ RDS（开）.借助与ST MasterGaN家族已建立的高集成度，MasterGaN6通过加入专用引脚以实现故障指示和待机功能，扩大了功能数量。这些功能不仅实现智能系统管理和提升节能效果，新设备还集成了LDO（低频导航仪）和引导二极管，确保最佳驱动性能，同时节省外部组件成本。该新型驱动器设计具有极快的时序，凭借其低的最小导通时间和传播延迟，支持高频工作，帮助设计者最大限度地减少电路占用。此外，其超快唤醒时间提升了突发模式运行，实现最佳低负载效率。MasterGaN6内置了包括交叉导通、热关机和低压锁定在内的完整保护措施，使工程师能够实现低材料成本、紧凑的PCB尺寸和简化的电路布局。MasterGaN6可承受最高10A电流，设计用于消费和工业应用，如充电器、适配器、照明电源以及直流转交流太阳能微逆变器。其半桥结构适用于多种拓扑结构，如主动钳位回扫（ACF）、谐振LLC、逆降压转换器和功率因数校正（PFC）电路。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
浏览次数：
3
2026/2/25 10:42:47
意法半导体宣布推出Stellar P3E，首款内置AI加速的汽车边缘智能微控制器（MCU）。Stellar P3E为未来的软件定义车辆设计，简化了X合1电子控制单元（ECU）的多功能集成，降低了系统成本、重量和复杂度。“Stellar P3E 通过将高性能实时控制与边缘人工智能集成于单一设备中，为汽车电气化树立了新的标杆，满足最高的汽车安全标准，”意法半导体集团副总裁兼通用与汽车微控制器部门总经理 Luca Rodeschini 表示。“其增强的处理能力、人工智能加速、大容量且可扩展的内存、丰富的模拟内容、智能传感能力和智能电源管理功能支持虚拟传感器等新应用。这使汽车制造商能够更好地打造更安全、更高效、更灵敏的驾驶体验。”Stellar P3E 的一个显著特点是集成了 ST Neural-ART 加速™器，实现实时 AI 效率——使其成为汽车行业首个集成神经网络加速器的 MCU。P3E由专用神经处理单元（NPU）驱动，配备先进的数据流架构，应用于AI工作负载，并结合其丰富的传感能力，使智能传感成为可能，为虚拟传感器等新应用打开大门。P3E实现微秒级推理处理，效率高出传统MCU核心处理器的30倍。这使得始终在线、低功耗的人工智能（AI）能够支持实时功能，包括预测性维护和智能感知，在广泛应用中带来显著优势。例如，这些能力可以提升电动汽车的充电速度和效率，并支持新特性的快速部署，无论是工厂还是现场。原厂（OEM）可以通过不同的AI模型引入新功能和更直观的行为，减少对额外传感器、模块、布线和集成工作的需求。“将神经处理从集中枢纽转移到车载边缘，实现了亚毫秒级的决策，这对于下一代车载智能至关重要。在MCU层面集成AI硬件加速，使OEM能够提供先进能力，如车辆性能预测性维护和虚拟传感器应用的智能传感。Counterpoint Research副主任Greg Basich表示：“这实现了...
浏览次数：
0
2026/2/25 10:27:07
电路元件参考下图，即推荐的 AD8099 同相电路原理图。RF 和 RG — 反馈电阻和增益设置电阻决定放大器的噪声增益；典型 RF 值范围为 250 Ω 至 499 Ω。CF — 在环路响应中产生一个零点，以补偿输入电容（包括杂散电容）和反馈电阻 RF 产生的极点。CF 有助于减少闭环响应中的高频峰值和振铃。此处使用的评估电路典型范围为 0.5 pF 至 1.5 pF。R1 — 该电阻将放大器输入端接至信号源的源电阻，典型值为 50 Ω。（这是特定于应用的，并非总是需要。）RS — 许多低增益配置的高速放大器要求输入级端接至标称阻抗以保持稳定性。RS 值应保持在 50 Ω 或更低以维持低噪声性能。在较高增益下，RS 可减小甚至消除。典型范围为 0 Ω 至 50 Ω。CC — 补偿电容在相位恶化的较高频率处降低开环增益。通过降低开环增益，相位裕度增加，放大器得以稳定。典型范围为 0 pF 至 5 pF。CC 值与增益相关。RC — 封装串联电感和补偿电容（CC）形成串联谐振电路。RC 抑制该谐振并防止振荡。闭环增益为 2 时，RC 推荐值为 50 Ω。该电阻在开环响应中引入一个零点，必须保持较低，以使该零点出现在较高频率。补偿网络的目的是降低开环增益。如果电阻过大，增益将降低到电阻值，而不一定是 0 Ω，这是单个电容在频率上会达到的效果。典型值范围为 0 Ω 至 50 Ω。C1 — 为降低 RC 的阻抗，C1 与 RC 并联放置。C1 不是必需的，但在低闭环增益下大大减少了峰值。典型值范围为 0 pF 至 2 pF。C2 和 C3 — 旁路电容连接在两个电源之间，以获得最佳失真和 PSRR 性能。这些电容应尽可能靠近放大器的电源引脚放置。对于 C3 和 C5，应使用 0508 外壳尺寸。0508 外壳尺寸提供降低的电感和更好的频率响应。C4 和 C2 — 电解旁路电容。
浏览次数：
3
2026/2/24 13:42:39
PCB 布局补偿网络由放大器增益要求决定。对于较低增益，布局和元件放置更为关键。对于较高增益，补偿元件较少，布局较为简单。寄生效应补偿引脚周围的区域对寄生电容非常敏感。为实现 AD8099 的完整增益带宽积，应确保没有走线连接到外部补偿引脚或在其附近，以获得尽可能低的电容。当需要补偿时，到补偿引脚、负电源以及元件之间互连（下图中的 Cc、C1 和 Rc）的走线应尽可能宽，以最小化电感。AD8099 引脚下的所有接地和电源平面应清除铜皮，以防止输入和输出引脚到地的寄生电容。SOIC 封装上的单个安装焊盘如果不清除 AD8099 引脚下方的接地或电源平面，可增加多达 0.2 pF 的对地电容。寄生电容可能导致峰值和不稳定，应最小化以确保正常工作。AD8099 的新引脚排列缩短了放大器输出和反相输入之间的距离。这有助于最小化反馈路径的寄生电感和电容，进而减少振铃和二次谐波失真。
浏览次数：
1
2026/2/24 13:38:15
一、定义AD8099是一款超低噪声(0.95nV/√Hz)和超低失真(-92dBc @ 10MHz)的电压反馈运算放大器，这两个特性相结合使其非常适合用于16位和18位系统。AD8099具备一个新的高线性度、低噪声输入极，可以在低增益下通过高转换速率来增加全功率带宽(FPBW)。AD8099具备外部补偿，从而允许用户设置增益带宽积。外部补偿可实现+2至+10的增益，并且频宽折衷最小。此外，AD8099还具备1350V/µs的极高压摆率，从而使设计工程师可以灵活地使用整个动态范围，而不会影响带宽或产生失真。AD8099的稳定时间为18 ns(稳定度0.1%)，过载恢复时间为50 ns。AD8099可在电源电流仅为15 mA下以突破性的性能驱动100W负载。AD8099的电源电压范围(5V至12V)、低失调电压(典型值为0.1 mV)、高带宽(700MHz，G=+2)以及高达3.8GHz的增益带宽积(GBWP)，使其非常适合于各种应用。二、特征• 新型引脚分布• 定制外部补偿、增益范围-1, +2至+10• 高速GBWP:3.8GHz-3dB带宽:700MHz(G=+2)550MHz (G=+10)压摆率：475V/µs(G=+2)1350V/µs(G=+10)• 电源电流：15mA• 失调电压：0.5mV（最大值）• 宽电源电压范围：5V至12V• 超低噪声：0.95nV/vHz,2.6pA/vHz• 超低失真二次谐波RL=1kΩ,G=+2-92dB @ 10MHz三次谐波 RL=1kΩ,G=+2-105dB @ 10MHz三、应用前置放大器接收器仪器仪表过滤器中频（IF）和基带放大器模拟到数字驱动器数模转换器（DAC）缓冲器光电子学
浏览次数：
2
2026/2/24 13:27:38
一、定义LT1970 是一个具有精准外部控制电流限值功能的 ±500mA 功率运算放大器。分离的控制电压能以 2% 的准确度来设置源电流和吸收电流限值检测门限。可通过增加外部功率晶体管来提升输出电流。该电路可采用总电源电压为 5V 至 36V 的单电源或分离电源。在正常操作中，输入级电源和输出级电源是相连的 (VCC 至 V+ 和 VEE 至 V–)。为了降低功耗，可由独立和较低电压电源来给输出级 (V+，V–) 供电。该放大器的整体增益是稳定的，且具有 3.6MHz 增益带宽乘积和 1.6V/µs 转换速率。电流限值电路在 VCSRC 或 VCSNK 控制输入与放大器输出之间的 2MHz 响应工作。开路集电极状态标志指示信号电流限值电路的启动，以及放大器的热停机。一个使能逻辑输入在被拉低时将放大器置于低功率、高阻抗输出状态。热停机和一个 ±800mA 固定电流限值能够在故障状态下对芯片起保护作用。LT1970 采用 20 引线 TSSOP 封装，并具有一个用于加快散热的导热铜底板。二、特征• ±500mA 最小输出电流• 源电流和吸收电流限值的独立调整• 2% 电流限值准确度• 采用单个或分离工作电源• 停机 / 使能控制输入• 开路集电极状态标志： • 吸收电流限值 • 源电流限值 • 热停机• 故障自动保险电流限值和热停机• 1.6V/µs 转换速率• 3.6MHz 增益带宽乘积• 快速电流限值响应：2MHz 带宽• 规定温度范围：–40°C 至 85°C• 20 引线 TSSOP 封装三、应用• 自动测试设备• 实验室电源• 马达驱动器• 热电冷却器驱动器
浏览次数：
1
2026/2/24 13:22:53
OP400 在所有增益下都具有固有稳定性，能够驱动大容性负载而不产生振荡。尽管如此，仍强烈建议进行良好的电源去耦。适当的电源去耦可减少电源线噪声引起的问题，并改善 OP400 的有源负载驱动能力。通过将未使用放大器的输入端连接到 V-，可以降低总电源电流。这将关闭放大器，降低总电源电流。双通道低功耗仪表放大器上图展示了一款每通道功耗低于 33 mW 的双通道仪表放大器。该仪表放大器的线性度在增益为 5 至 200 时超过 16 位，在增益为 200 至 1000 时优于 14 位。共模抑制比（CMRR）在增益 G = 1000 时高于 115 dB。失调电压漂移在军用温度范围内典型值为 0.4 μV/°C，可与最佳单片仪表放大器相媲美。低功耗仪表放大器的带宽是增益的函数，如下图所示。输出信号相对于参考输入端指定，参考输入端通常连接到模拟地。如果需要，参考输入端可将输出偏移 -10 V 至 +10 V。
浏览次数：
2
2026/2/24 13:17:50
PCB 布局通常是设计过程的最后一步，但往往被证明是最关键的一步。一个出色的设计可能因为糟糕的布局而变得毫无用处。由于 AD8045 电子元件可在射频频率范围内工作，因此必须考虑高频电路板布局。PCB 布局、信号布线、电源旁路和接地都必须妥善处理，以确保最佳性能。信号布线AD8045 LFCSP 采用新型低失真引脚排列，具有专用反馈引脚，可实现紧凑布局。专用反馈引脚缩短了输出到反相输入的距离，大大简化了反馈网络的布线。将 AD8045 布局为单位增益放大器时，建议使用短而宽的走线，在专用反馈引脚和放大器的反相输入之间连接，以最小化杂散寄生电感。为最小化杂散电感，高频信号走线应使用接地平面。然而，应移除输入和输出引脚下方的接地平面，以最小化寄生电容的形成，这会降低相位裕度。易受噪声拾取的信号应在 PCB 内层布线，以提供最大屏蔽。电源旁路电源旁路是 PCB 设计过程中的关键方面。为获得最佳性能，AD8045 电源引脚需要正确旁路。从每个电源引脚到地的电容并联连接效果最佳。并联不同值和尺寸的电容可确保电源引脚在宽频带内看到低阻抗。这对于最小化噪声耦合到放大器中很重要。从电源引脚开始，应在电路板上放置最小值和尺寸的元件，并尽可能靠近放大器，连接到接地平面。此过程应对下一个较大值的电容重复进行。对于 AD8045，建议使用 0.1 μF 陶瓷 0508 外壳。该 0508 外壳提供低串联电感和出色的高频性能。0.1 μF 电容在较高频率下提供低阻抗。应在并联位置放置 10 μF 电解电容。10 μF 电容在低频下提供低阻抗。根据电路要求，可使用较小值的电解电容。额外的较小值电容有助于为更高频率的不需要的噪声提供低阻抗路径，但并非总是必要。电容返回端（地）的放置也很重要，电容进入接地平面。将电容接地端靠近放大器负载返回端对于失真性能至关重要。保持电容距离短，但从负载返回端相等，对性能...
浏览次数：
3
2026/2/24 11:54:11
AD8045运算放大器 LFCSP 采用亚德诺半导体新型低失真引脚排列。这种新引脚排列相比传统引脚排列具有两个优势。首先，通过物理分离同相输入引脚和负电源引脚，改善了二次谐波失真性能。其次，由于专用的反馈引脚和增益设置电阻到反相输入引脚的简易布线，简化了布局。这使得布局紧凑，有助于最小化寄生效应并提高稳定性。传统的 SOIC 引脚排列也经过了轻微修改，以纳入专用反馈引脚。Pin 1 之前是放大器上的无连接引脚，现在成为专用反馈引脚。新引脚减少了寄生效应并简化了电路板布局。使用传统 SOIC 引脚排列的现有应用可以充分利用 AD8045 提供的出色性能。如果 SOIC 引脚排列位于接地平面或其他金属走线上，可能需要电气隔离器。这在数据手册的裸露焊盘部分有更详细的说明。在现有设计中，如果将 Pin 1 接地或连接到其他电位，只需将 Pin 1 的 AD8045 抬起或移除 Pin 1 焊盘上的电位即可。设计人员不需要使用专用反馈引脚为 AD8045 提供反馈。AD8045 的输出引脚仍可用于向 AD8045 的反相输入端提供反馈。
浏览次数：
1
2026/2/24 11:50:59