Microchip宣布推出EX-423真空微型晶体振荡器（EMXO），这是一款紧凑、低功耗的定时解决方案，专为要求高稳定性、准确性和长期可靠性的应用而设计。基于公司的EX-421产品线，EX-423以低矮的13毫米×13毫米封装，为空间和功耗限制的设计提供高射频性能。EX-423 坚固耐用，适应严苛环境，采用超高真空密封设计，提供最佳热绝缘性能并提升频率稳定性。其石英晶体采用四点支架，提升抗震能力并降低重力敏感度，非常适合GPS/GNSS跟踪、军用无线电、医疗设备、海底节点（OBN）地震系统、测试测量设备以及卫星通信。Microchip频率与时间系统业务部门副总裁Randy Brudzinski表示：“在开发EX-423时，我们关注设计师用来评估高性能参考振荡器的关键参数。”“在坚固、小巧的空间内实现如此高性能，有助于客户简化设计，同时不牺牲时序准确性。”EX-423结合了超低相位噪声与严格的温度控制、强的短期稳定性（艾伦偏差）、快速预热和长期频率稳定性。该设备在标准的10–20 MHz频率范围内工作，预热时功耗为1W，在+25°C稳态下最低可达0.2W，有助于延长电池寿命，同时在特定工作条件下保持干净稳定的参考。Microchip 提供广泛的时钟和定时系统组合，从微型元件振荡器到小型插拔式定时服务器卡，再到多机架时间尺度系统。作为世界时间的重要贡献者，Microchip的时序解决方案值得信赖、可靠且具有韧性。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/5/15 10:58:11
Mini-Circuits的ZVBP-8100-S+是一种同轴腔滤波器，通过实现具有极高Q值的谐振结构而设计，非常适合窄带、高选择性应用。Mini-Circuits的同轴腔滤波器具有特殊的保护组件，可防止意外失谐，否则需要昂贵的更换或返回工厂进行重新调谐。精密加工允许实现具有小形状因子的腔体滤波器，适用于尺寸至关重要的应用。主要特点低插入损耗，典型值0.75dB。回波损耗良好，典型值为19dB。高抑制，典型值96 dB。宽阻带高达17000 MHz功率处理：5瓦ZVBP-8100-S+应用电信卫星通信雷达系统功能图如下：
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2026/5/14 15:47:09
Mini-Circuits的ZXBF系列无反射滤波器采用了一种新型的滤波器拓扑结构，该拓扑结构在内部吸收和终止阻带信号，而不是将其反射回源。无反射滤波器消除了阻带反射，使其能够与敏感设备配对，并用于需要隔离放大器或衰减器等电路的应用。这是在一种新的宽带、稳定的连接器封装中开发的。ZXBF系列主要特点：专利设计终止阻带信号阻带高达40 GHz高阻带抑制，高达60 dBZXBF系列主要型号有：ZXBF-K24+：19500 - 20500 MHz, 50ΩZXBF-K163+：15500 - 16500 MHz, 50ΩZXBF-K183+：17500 - 18500 MHz, 50ΩZXBF-K282+：2350 - 3150 MHz, 50Ω
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2026/5/14 15:42:48
Mini-Circuits的连接薄膜滤波器ZABF-6R5G-S+通过氧化铝基板上的薄膜实现了低插入损耗和高抑制，使用溅射工艺可以保证增强的Q值和可重复的性能。低通、高通和带通连接器薄膜设计可以通过这项技术以小尺寸实现高达40 GHz的频率，帮助用户实现SWaP目标。主要特点低通带插入损耗，典型值为2 dB。高抑制，典型值52 dB。尺寸小应用无线通信C波段ZABF-6R5G-S+其功能图如下：
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2026/5/14 15:36:05
ZX75BP-1500-S+是一款宽带带通滤波器，采用坚固的连接器封装，覆盖1350至1650 MHz。这是为非对称抑制应用而设计的，如超外差接收机。通过具有不对称频带，在相对较小的封装和较低的通带插入损耗中实现了上侧频带的更快滚降。它具有跨批次的可重复性能和跨温度的一致性能。具备的特征：•上侧带快速滚落•通带匹配良好•连接包应用程序•航空和航空•数字音频广播•海事•移动卫星•射电天文学•无线医疗遥测
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2026/5/14 15:31:10
TS72421K 与 TS72461K 均为基于氮化镓（GaN）技术的对称反射式单刀四掷（SP4T）宽带射频开关，二者在整体架构与核心规格上保持了高度一致。两者均采用 16 引脚 3 mm × 3 mm × 0.8 mm 的 QFN 封装，支持 10 W 连续波功率处理与 40 dBm 热切换能力，射频通路上无需外置直流阻断电容，控制接口为 4 条独立控制线，可实现多达 16 种开关状态的灵活配置，电源电压范围均为 2.6 V 至 5.5 V，并符合 RoHS/REACH/无卤素环保标准。两者的差异主要体现在以下方面工作频率范围有所不同：TS72421K 的可用频段为 700 MHz 至 3.8 GHz，而 TS72461K 将低频下限进一步延伸至 400 MHz，从而覆盖了更宽的亚千兆赫频段，这对需要 400 MHz 至 700 MHz 频段支持的系统而言尤为重要。插入损耗表现略有差别：在 800 MHz 测试频点下，TS72421K 的典型插入损耗为 0.45 dB，而 TS72461K 优化至 0.40 dB，后者在信号通路上的能量损耗略低，有助于提升系统整体链路预算。在应用层面的划分上，TS72421K 明确将 ADS-B（广播式自动相关监视）系统列入典型应用场景，同时涵盖蜂窝基础设施、小基站、LTE 中继与微蜂窝以及卫星终端；而 TS72461K 主要面向蜂窝基础设施、小基站、LTE 中继/微蜂窝和卫星终端等通信基础设施领域。综合来看，若设计需求涉及 400 MHz 以下频段覆盖，或对 800 MHz 附近的插入损耗有更为严苛的要求，TS72461K 凭借更宽的频率范围和更低的插入损耗指标将是更合适的选择。反之，若系统工作频段始于 700 MHz 以上，且明确面向 ADS-B 等航空监视应用，则 TS72421K 的规格定义与应用背书使其成为更...
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2026/5/14 15:25:07
TS64210L–1.1Ω ON电阻GaN宽带射频开关SP2T特性● 低1.1Ω 导通电阻● 0.28pF-Coff● 120V射频峰值电压处理● 每个州都可以独立控制● 4 独立状态配置● 射频线路上没有外部隔直电容器● 多功能2.65.5V电源● 1.25.0V数字控制TS63421K–GaN宽带射频调谐开关4位SP4T特性● Rds在1.1Ω ● Coff 0.21pF● 100V射频峰值电压处理● 4-BIT 16可能的独立状态配置● 射频线路上没有外部隔直电容器● 直流电源：Vdd=2.65.5V，Vcp=-18V● 1.25.0V GPIO总线● 超低杂散选项需要-18V外部电源TS63410K–GaN宽带射频调谐开关4位SP4T特性● Rds在1.1Ω ● Coff 0.21pF● 100V射频峰值电压处理● 4-BIT 16可能的独立状态配置● 射频线路上没有外部隔直电容器● 直流电源：Vdd=2.65.5V● 1.25.0V GPIO总线TS63430D–4调谐开关，RON=0.5Ω,V=100V特性•全集成解决方案，单个VDD=2.6…5.25V•频率范围30MHz至1000MHz•RON=0.5Ω•50WCW功率•VPEAK=100V•与SOI相比，无突然电压击穿•切换时间=5.9µs，无功率降额•低功耗，小于1mW•不需要提供负电压TS63430D–4T/5T二进制调谐开关，RON=0.5Ω,V=100V特性•全集成解决方案，单个VDD=2.6…5.25V•频率范围30MHz至1000MHz•RON=0.5Ω•50WCW功率•VPEAK=100V•与SOI相比，无突然电压击穿•切换时间=7.2µs，无功率降额•低功耗，小于1mW•不需要提供负电压
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2026/5/14 15:12:59
TA9010K2WGaN功率晶体管20MHz至5.0GHz特性•2W GaN驱动级•28V典型操作•频率范围20MHz至5.0GHz•1000MHz时的小信号增益：20dB•1000MHz时的P3dB增益：15dB• PAE@P3dB@1000MHz:45%TA9110K6 W CW，30–4000 MHz GaN功率晶体管特性● 1000 MHz时的小信号增益：17 dB● 1000 MHz时的大信号增益：14 dB● 1000 MHz时的PSAT：40 dBm● 在1000 MHz时，PSAT的PAE:55%● 28 – 32 V典型操作● 工作频率：30 MHz至4.0 GHzTA9210D12.5W CW，30–4000 MHz GaN功率晶体管特性● 800 MHz时的小信号增益：18 dB● 800 MHz时的大信号增益：13.5 dB● 800 MHz时的PSAT：41.5 dBm● 在800 MHz时，PSAT的PAE：55%● 28 – 32 V典型操作● 工作频率：30 MHz至4.0 GHzTA9310E20 W CW，30–4000 MHz GaN功率晶体管特性•900 MHz时的小信号增益：17.5 dB•900 MHz时的大信号增益：14.0 dB•900 MHz时的PSAT：44 dBm•900 MHz时PSAT的PAE：55%•28-32V典型操作•工作频率：30 MHz至4.0 GHzTA9410E25 W CW、50V、20-3000 MHz GaN功率晶体管特性● 1000 MHz时的小信号增益：20 dB● 1000 MHz时P3dB的增益：17 dB● 1000 MHz时的P3dB:44 dBm● 1000 MHz时P3dB的PAE：57%● 50 V典型操作● 工作频率：20 MHz至3.0 GHz
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2026/5/14 15:05:38
TL0374J:0.03-3.0GHz GaAs超低噪声放大器特性● 1800 MHz时的小信号增益：21.5 dB● 1800 MHz时的噪声系数：0.35 dB● 1800 MHz时的OP1dB:18.5 dBm● 1800 MHz时的OIP3dB:35 dBm● 5 V典型工作电压● 工作频率：0.03至3.0 GHzTL0375J:2.0–5.0 GHz GaAs超低噪声放大器特性●3600 MHz时的小信号增益：17.5 dB● NF@3600MHz：0.4dB● OP1dB@3600MHz：19.5 dBm● 3600MHz时的OIP3dB:32.5 dBm● 5V典型工作电压● 工作频率：2.0至5.0 GHzTL0301H:4.9–6.0 GHz高增益超低噪声放大器特性● 5.5 GHz时的小信号增益：17.8 dB● 5.5 GHz时的EVB噪声系数：1 dB● 5.5 GHz时的IP1dB:-4.5 dBm● 3.3 V典型工作电压● 工作频率：4.9至6.0 GHzTL0302H:5.925–7.125 GHz高增益超低噪声放大器特性● 6.6 GHz时的小信号增益：13.6 dB● 6.6 GHz下的噪声系数：1.4 dB● 6.6 GHz时的IP1dB:0.5 dBm● 3.3 V典型工作电压● 工作频率：5.925至7.125 GHzTR0329M:2.0–4.2 GHz超低噪声2级旁路低噪声放大器特性● 3600 MHz时的小信号增益：34 dB（高增益模式）@3600 MHz：15 dB（低增益模式）● NF@3600 MHz：0.5 dB（高增益模式）@3600 MHz：0.5 dB（低增益模式）● 3600 MHz时的P1dB:20 dBm（高增益模式）@3600 MHz：10.5 dBm（低增益模式）● 5 V典型工作电压● 工作频率：...
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2026/5/14 14:44:46
TSL8329M特征：集成双通道射频前端2级LNA和GaN SPDT开关片上偏置和匹配单电源操作3.6 GHz时的增益：32 dB（高增益模式）@3.6 GHz:13 dB（低增益模式）NF@3.6 GHz:1.0 dB（高增益模式）@3.6 GHz:0.9 dB（低增益模式）OP1dB@3.6 GHz:20 dBm（高增益模式）@3.6 GHz:10.5 dBm（低增益模式）工作频率：2.0至4.2 GHz高隔离度：RXOUT-CHA和RXOUT-CHB：典型值为40 dBTERM-CHA和TERM-CHB:55 dB典型值3600 MHz时的插入损耗：0.45 dB（TX模式）TCASE=105°C下的高功率处理全寿命LTE平均功率（9 dB标准杆数）：43 dBm高OIP3（高增益模式）：典型值为35 dBm高增益模式电流：5V时典型值为90mA低增益模式电流：5V时典型值为45mA断电模式电流：5V时典型值为5mA正向逻辑控制6毫米×6毫米，40针QFNTSL8028N特征：集成单通道射频前端两级LNA和GaN SPDT开关片上偏置和匹配单电源操作3.6 GHz时的增益：33 dB[高增益模式]@3.6 GHz:14 dB[低增益模式]NF@3.6 GHz:1.2 dB[高增益模式]@3.6 GHz:1.1 dB[低增益模式]OP1dB@3.6 GHz:21 dBm[高增益模式]@3.6 GHz:12 dBm[低增益模式]工作频率：2至5 GHz3600 MHz时的插入损耗：0.3 dB[TX模式]3.6 GHz下的开关隔离度：17 dB[RX HG模式]3.6 GHz时的RXHG隔离度：48 dB[PD=5V&BP=0V]3.6 GHz时的RXLG隔离度：48 dB[PD=BP=5V]TCASE=105°C下的高功率处理全寿命...
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2026/5/14 14:36:13
TA3115AA1223SAW滤波器2655 MHz尺寸1.0x0.9 mm BW 70 MHz最大额定值：输入功率：15dBm最大直流电压：3V工作温度范围：-30°C至+85°C储存温度范围：-40°C至+85°C湿度敏感等级：3级（MSL3）TS0034A声表面波振荡器627.27MHz贴片13.7X9.4毫米TS0034A是一款SAW 振荡器，采用 13.7x9.4 mm 的 SMD（表面贴装器件） 封装。其标称输出频率为 627.27MHz。此外，该器件符合 RoHS 标准，并采用无铅焊接工艺。TS0032A声表面波振荡器628.1737MHz贴片13.7X9.4毫米符合RoHS标准、采用无铅封装的13.7x9.4mm表面贴装器件（SMD），其标称输出频率为627.9933MHz，频率容差为±250ppm，在3.3V典型供电电压下的最大电流消耗为40mA。该器件的输出信号在50Ω负载下的典型电压为0.9Vp-p，并具备出色的相位噪声性能，在100KHz偏移处的典型值可达-154dBc/Hz。此外，其工作温度范围内的频率牵引效应较小，且对静电放电（ESD）敏感。上述型号推荐回流配置文件：1.预热温度应固定在150-180℃，持续60-90秒。2.升温至预热温度150℃的时间应为30秒。3.加热应固定在220℃下50-80秒，峰值温度为260℃+0/-5C（20-40秒）。4.时间：2次。
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2026/5/14 14:23:42
Qorvo推出了一款全新的1.8 GHz DOCSIS® 4.0功率倍增器混合放大器，该放大器提升了24V下游射频输出，实现扩展频谱网络和全双工升级，同时不超出既定平台功率限制。随着运营商将混合光纤同轴（HFC）网络扩展至1.8 GHz，改善终端调制裕度变得越来越复杂。提高射频输出传统上需要更高的直流功率或额外的增强放大器，增加了成本和运营负担。Qorvo的新QPA3312混合放大器通过提升可用射频输出，同时保持现有的24V架构和机体限制，解决了这一挑战。Qorvo基础设施业务高级市场经理Bob Simmers表示：“运营商希望获得更强的1.8 GHz性能，但不能超过现有放大器平台的功率限制。”“这一新的功率倍增器在24V下实现了可衡量的性能提升，使OEM和MSO能够在无需重新设计基础设施的情况下加强DOCSIS 4.0网络。”通过保留既有的24V电源框架和经过验证的SOT-115J混合设计，QPA3312使放大器和节点制造商能够在保持现有产品线间机械、热和电气连续性的同时，区分其DOCSIS 4.0解决方案。对于运营商来说，该设备提升了终端信号质量，减少级联复杂度，同时保持现有电力基础设施。结果是网络性能更强，同时不增加电力负担。作为支持HFC架构解决方案的技术领导者，Qorvo持续扩展其DOCSIS 4.0产品线，涵盖最广泛的混合放大器、MMIC、控制产品和均衡器，支持灵活的网络设计和快速、可扩展的升级。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/5/14 13:58:04
Vishay推出了四个系列的单向和双向3000 W标准杆数和TRANSZORB表面安装瞬态电压抑制器（TVS）。为工业和汽车应用提供节省空间的解决方案，汽车级T3KNxxA和T3KNxxCA系列设备通过AEC-Q101认证，可在+185°C的高温下运行，而3KDFNxxA和3KDFNxxxCA系列符合LL15i工业可靠性认证。作为Vishay最新Power DFN系列封装，DFN6546A体积紧凑，尺寸为6.5毫米×4.6毫米，典型高度极低，仅为0.88毫米，使今日发布的Vishay General Semiconductors的TVS二极管能够更高效地利用PCB空间。同时，这些器件结构和芯片配置技术允许更高的铜含量和更大的芯片尺寸，从而显著提升性能。与SMPC（TO-277A）封装兼容，二极管功耗提升了两倍，且外形降低了20%。与SMC（DO-214AB）中的设备相比，它们提供了相同的功耗，同时减少了76%的体积。TVS旨在保护敏感电子设备免受感性负载切换和闪电引起的电压瞬变影响。符合AEC-Q101资格的T3KNxxA和T3KNxxCA PAR系列的典型应用包括高级驾驶辅助（ADAS）、激光雷达、摄像头、信息娱乐和传感器系统;直流/直流转换器;电池管理系统（BMS）和车载充电器;电动助力转向（EPS）;牵引逆变器;中央控制单元;以及电动机驱动。工业级3KDFNxxA和3KDFNxxCA TRANSZORB系列将应用于机器人控制板、过程/流量控制仪表、自动化系统和发电机启动控制器;60千瓦的储能系统;服务器电源模块;消费娱乐设备;以及电信和医疗设备。对于这些应用，二极管提供了出色的夹持能力，最大钳位电压范围为T3KNxxA和3KDFNxxA为16.7V至33.2V，T3KNxxCA和3KDFNxxCA为16.7V至137V。其 DFN6546A 套件的...
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2026/5/14 13:54:31
AD9230架构由前端采样保持放大器（SHA）和流水线开关电容ADC组成。来自每一级的量化输出在数字校正逻辑中被组合成最终的12位结果。流水线架构允许第一级对新的输入样本进行操作，而其余级对先前的样本进行操作。采样发生在时钟的上升沿。除最后一级外，流水线的每一级都由一个低分辨率闪存ADC组成，该ADC连接到开关电容DAC和级间残差放大器（MDAC）。残差放大器放大重建的DAC输出和流水线中下一级的闪存输入之间的差异。每个阶段都使用一位冗余来促进闪存错误的数字校正。最后一级仅由闪存ADC组成。输入级包含一个差分SHA，可以以差分或单端模式进行交流或直流耦合。输出暂存块对齐数据，执行纠错，并将数据传递到输出缓冲区。输出缓冲器由单独的电源供电，允许调整输出电压摆动。在断电期间，输出缓冲器进入高阻抗状态。模拟输入和电压基准AD9230的模拟输入是一个差分缓冲器。为了获得最佳的动态性能，驱动VIN+和VIN-的源阻抗应匹配，以使共模稳定误差对称。模拟输入经过优化，可提供卓越的宽带性能，并要求模拟输入采用差分驱动。如果用单端信号驱动模拟输入，则SNR和SINAD性能会显著降低。宽带变压器，如Mini-Circuits®ADT1-1WT，可以为需要单端到差分转换的应用提供差分模拟输入。两个模拟输入均由片上电阻分压器自偏置至标称1.3V。内部差分电压参考产生正负参考电压，定义ADC核心的1.25 V p-p固定跨度。该内部电压基准可以通过SPI控制进行调整。
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2026/5/13 14:48:59
AD9230是一款12位单片采样模数转换器，针对高性能、低功耗和易用性进行了优化。该产品以高达250 MSPS的转换率运行，并针对宽带载波和宽带系统中的出色动态性能进行了优化。芯片上包含所有必要的功能，包括跟踪和保持（T/H）和电压参考，以提供完整的信号转换解决方案。ADC需要1.8V模拟电压电源和差分时钟才能实现全性能运行。数字输出与LVDS（ANSI-644）兼容，支持双补码、偏移二进制格式或格雷码。数据时钟输出可用于正确的输出数据定时。AD9230采用CMOS工艺制造，采用56引脚LFCSP，可在工业温度范围（-40°C至+85°C）内使用。AD9230亮点高性能——在250 MSPS和70 MHz输入下保持64.9 dBFS信噪比。低功耗——在250 MSPS下仅消耗434 mW。易用性——LVDS输出数据和输出时钟信号允许轻松连接到当前的FPGA技术。片上参考和采样保持为系统设计提供了灵活性。使用单个1.8V电源简化了系统电源设计。串行端口控制——标准串行端口接口支持各种产品功能，如数据格式化、禁用时钟占空比稳定器、断电、增益调整和输出测试模式生成。引脚兼容系列——AD9211提供的10位引脚兼容系列。应用无线和有线宽带通信电缆反向路径通信测试设备雷达和卫星子系统功率放大器线性化
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2026/5/13 14:43:18
LTC2847是一款带片上电缆终端的3驱动器/3接收器多协议收发器。当与LTC2845结合使用时，该芯片组形成一个完整的软件可选DTE或DCE接口端口，支持RS232、RS449、EIA530、EIA530-a、V.35、V.36和X.21协议。LTC2847内部提供了所有必要的电缆端接。VCC为驱动器、接收器和内部电荷泵供电，该电荷泵只需要五个节省空间的表面安装电容器。VIN电源驱动包括接收器输出驱动器的数字接口电路。它可以连接到VCC或关闭较低的电源（低至3V），以与低压ASIC接口。LTC2847采用0.8mm高、5mm×7mm QFN封装。具备的特征软件可选收发器支持：RS232、RS449、EIA530、EIA530-A、V.35、V.36、X.21由单个5V电源供电数字接口的独立电源引脚工作电压低至3V片上电缆端接配备LTC2845的完整DTE或DCE端口提供38针5mm×7mm QFN封装应用数据网络CSU和DSU数据路由器
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2026/5/13 14:38:36
HMC741ST89E是一款InGaP异质结双极晶体管（HBT）增益块MMIC SMT放大器，覆盖0.05至3 GHz。该放大器采用行业标准SOT89封装，可用作可级联的50欧姆RF或IF增益级，以及输出功率高达+18.5 dBm的PA或LO驱动器。HMC741ST89E在200 MHz下提供20 dB的增益和+42 dBm的输出IP3，可以直接从+5V电源工作。HMC741ST89E在温度范围内表现出优异的增益和输出功率稳定性，同时需要最少的外部偏置元件。具备的特征P1dB输出功率：+18.5 dBm增益：20 dB输出IP 3:+42 dBm可级联50欧姆I/O单电源：+5V行业标准SO T89包装坚固的1000V ES D，1C级稳定电流过温主动偏差网络应用•蜂窝/3G和WiMAX/4G•固定无线和WLAN•有线电视、有线调制解调器和DBS•微波无线电和测试设备•中频和射频应用
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2026/5/13 14:35:10
HMC792LP4E是一款低成本无引线SMT封装的宽带6位GaAs IC数字衰减器。这种多功能数字衰减器结合了片外交流接地电容器，用于近直流操作，使其适用于各种射频和中频应用。双模控制接口兼容CMOS/TTL，可接受三线串行输入或6位并行字。HMC792LP4E还具有用户可选择的通电状态和串行输出端口，用于级联其他Hittite串行控制组件。HMC792LP4E采用符合RoHS标准的4x4 mm QFN无引线封装，不需要外部匹配组件。特性0.25 dB LSB阶跃至15.75 dB通电状态选择高输入IP3:+55 dBm低插入损耗：1.8 dB@2.0 GHzTTL/CMOS兼容，串行，并行或闭锁式并联控制±0.2 dB典型阶跃误差单路+3V或+5V电源24引脚4x4mm SMT封装：16mm2HMC792LP4E非常适合：•蜂窝/3G基础设施•WiBro/WiMAX/4G•微波无线电和甚小孔径终端•测试设备和传感器•中频和射频应用
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2026/5/13 14:30:53