ADRF5020是一款通用型单刀双掷(SPDT)开关，采用硅工艺制造。它采用3 mm × 3 mm、20引脚基板栅格阵列(LGA)封装，在100 MHz至30 GHz频率范围内提供高隔离度和低插入损耗。其工作原理主要如下：工作原理ADRF5020电子元器件需要在VDD引脚施加正电源电压，在VSS引脚施加负电源电压。建议在电源线上使用旁路电容器以最小化射频耦合。ADRF5020在射频公共端口（RFC）和射频投掷端口（RF1和RF2）内部匹配到50 Ω；因此，不需要外部匹配组件。所有射频端口都直流耦合到0 V，当射频线电位等于0 V时，射频端口不需要直流阻断。该设计是双向的；射频输入信号可以应用于RFC端口，而射频投掷端口（RF1或RF2）作为输出，反之亦然。ADRF5020包含一个驱动器来执行内部逻辑功能，并为用户提供简化的控制接口优势。该驱动器具有两个数字控制输入引脚，CTRL和EN。当EN引脚为低电平时，RF1到RFC路径处于插入损耗状态，而RF2到RFC路径处于隔离状态，或者反之，取决于应用于CTRL引脚的逻辑电平。插入损耗路径（例如，RF1到RFC）在其投掷端口（例如，RF1）和公共端口（RFC）之间同样良好地传导射频信号。隔离路径（例如，RF2到RFC）在其插入损耗路径和其投掷端口（例如，RF2）之间提供高损耗，终止于内部50 Ω电阻器。当EN引脚为高电平时，无论CTRL的逻辑状态如何，RF1到RFC路径和RF2到RFC路径都处于隔离状态。RF1和RF2端口终止于内部50 Ω电阻器，RFC变为开路反射。理想的加电顺序如下：将EPAD和GND引脚连接到接地参考。给VDD和VSS供电。在给VDD供电后给VSS供电可以避免在上升过程中VDD上的电流瞬变。应用数字控制输入CTRL和EN。在VDD供电之前应用数字控制输入可能会无意中正向偏置并损坏内部ESD保护结构。...
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2026/3/23 11:35:08
德州仪器 (TI)近期推出完整的 800V 直流 (DC) 电源架构，该架构基于 NVIDIA 800 VDC 参考设计，用于下一代 AI数据中心。TI 高压电源副总裁兼总经理 Kannan Soundarapandian 表示：“ AI 算力的指数级增长，正推动数据中心供电方式发生根本性变革。我们推出的这款 800 VDC 架构是一项具有重要意义的突破，它不仅能帮助数据中心运营商应对当前的电力挑战，更能为未来的 AI 工作负载需求做好准备。通过与 NVIDIA 的合作，我们正加速推动高效、可靠的 AI 基础设施部署。”解决 AI 基础设施中的关键电力问题随着 AI 工作负载的激增，数据中心的电力需求达到了前所未有的水平，传统的配电架构正接近其极限。TI 的 800VDC 架构通过在整个电力路径上最大限度地提高转换效率和功率密度来应对这些挑战，简化了配电架构，并使 AI 数据中心能够实现更高可扩展性和可靠性。TI 这一突破性方案仅需要两个功率转换级，即可将 800V 转换为 GPU 核心电源：首先通过高峰值效率的紧凑型 800V 至 6V 隔离式母线转换器，其后再通过高电流密度的 6V 至 1V 以下多相降压解决方案。这种简化架构符合 NVIDIA 的参考设计要求。完整的电源解决方案TI 将在 NVIDIA GTC 上展示全面的 800 VDC 电源架构解决方案，其中包含了多个具有行业领先规格的突破性参考设计：800V 热插拔控制器：可扩展的热插拔解决方案，用于 800V 电源轨的输入电源保护。800V 至 6V 直流/直流转换器：高密度解决方案，集成了 GaN 功率级，峰值效率可达 97.6%，功率密度超过 2000W/in3，适用于计算托盘应用。6V 至 1V 以下多相降压转换器：GPU 内核的高电流解决方案，功率密度远超 12V 设计，并具有双相功率级设计。除此之外，...
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2026/3/23 11:07:33
英飞凌科技近日宣布进一步扩大与NVIDIA（又称：英伟达）的合作，推进物理 AI系统架构的发展，重点聚焦人形机器人领域。双方将基于 2025 年 8 月宣布的合作继续深化合作，结合英飞凌在电机控制、微控制器、电源管理系统及安全领域的优势，以及 NVIDIA 的 AI、机器人和仿真平台，共同助力生态系统设计并推动人形机器人的部署。此外，英飞凌还将加入 NVIDIA Halos AI 系统检测实验室，共同研究设计可靠的软硬件安全基础，确保机器人在现实世界环境中能够安全、可靠地运行。人形机器人作为高度复杂的系统，必须在为人类设计的工作环境中实时感知周围环境、做出快速决策，并安全地执行任务。这一目标的实现高度依赖于一系列由半导体支撑的功能链条：感知、处理、执行、连接及能源管理。英飞凌将其半导体解决方案引入 NVIDIA 的仿真和机器人平台，共同加速实现人形机器人安全、可靠的“感知-思考-执行”这一功能链路，从而推动其更快地从实验室试验阶段走向大规模商业部署。本次合作的重点之一是在数字孪生（Digital Twins）模型中采用了英飞凌的智能执行器及特定传感器。这些虚拟模型将被部署在开放式机器人学习与仿真框架NVIDIA Isaac Sim 和 NVIDIA Isaac Lab中，让开发者能够在生产或集成硬件之前，即可在仿真环境中对机器人的运动控制与感知功能执行测试和优化。通过在开发周期的早期阶段提前锁定并解决潜在问题，客户能够缩短人形机器人的上市时间，并降低集成风险，这一点广泛适用于各种应用，包括用于物流和生产制造领域的人形机器人以及服务型机器人。基于现有的合作，英飞凌和 NVIDIA 将共同致力于开发人形机器人的通用系统架构，旨在实现超低延迟以及外形尺寸更加紧凑的设计，并提高功率密度。英飞凌将提供由 NVIDIA Holoscan Sensor Bridge 驱动的电机控制解决方...
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2026/3/23 11:03:01
瑞萨电子宣布推出基于氮化镓（GaN）的半波LLC（Half-wave LLC, HWLLC）平台及其四款控制器IC RRW11011、RRW30120、RRW40120和RRW43110，进一步扩展其交流/直流（AC/DC）转换器及电源适配器解决方案组合。该平台支持500W及以上功率输出，可广泛应用于物联网、工业及基础设施系统。全新的HWLLC转换器拓扑结构将超高效、紧凑型电源架构从100W级设计扩展至500W级，为电动工具、电动自行车等设备打造新一代高速充电器，同时有效规避传统拓扑结构在体积、发热和效率方面的局限性。其中，核心产品RRW11011是一款集成交错式功率因数校正（PFC）与HWLLC的组合控制器，专为实现高功率密度与高效率而设计。其采用的移相控制PFC技术可有效消除纹波、减小元件尺寸并降低成本，同时提升电流均衡能力和系统稳健性。该组合控制器使设计人员能在满足USB扩展功率范围（EPR）及其它可变负载充电系统所需宽输出范围（5V至48V）的同时，有效降低工作温度。新方案还包含RRW30120 USB功率传输（USB PD）协议和闭环控制器（支持最高240W USB功率传输）、RRW40120半桥GaN栅极驱动器，以及RRW43110智能同步整流控制器。在240W USB EPR电源适配器设计中，该方案实现了高达3W/cc的功率密度和96.5%的峰值效率。HWLLC技术高达500W的宽功率范围，使其能够覆盖更广泛的充电应用市场，包括大尺寸电视显示器、吸尘器、电动工具、户外工业照明，以及部分医疗设备等高功率家电。基于HWLLC的新型AC/DC拓扑结构，还有助于设计人员突破100W USB-C充电设备的局限，转向采用240W USB EPR充电技术，从而显著缩小智能手机、笔记本电脑及众多游戏系统中专属“板砖”式充电器的体积。瑞萨的紧凑型高功率快充技术近期已被贝尔金（B...
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2026/3/23 10:57:44
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子宣布，推出业界首款采用耗尽型（d-mode）氮化镓（GaN）技术的双向开关——TP65B110HRU：该产品能够在单一器件中阻断正负电流的功能。该款器件主要应用于单级太阳能微型逆变器、人工智能（AI）数据中心和电动汽车车载充电器等系统，可大幅简化功率转换器设计，以单个低损耗、高速开关且易驱动的产品替代传统背靠背FET开关。单级拓扑结构：提升效率，减少元件数量目前高功率转换设计中所用的单向硅或碳化硅（SiC）开关在关断状态下仅能单向阻断电流。因此，功率转换必须分阶段进行，并使用多个开关桥接电路。例如，典型的太阳能微逆变器需采用四开关全桥电路完成第一级DC-DC转换，随后经第二级转换产生最终交流输出以接入电网。尽管电子行业正朝着更高效的单级转换器方向发展，但设计人员仍需应对开关器件本身的物理局限。因此现在许多单级设计都是采用背靠背的传统单向开关，导致开关数量增加四倍，整体效率降低。双向GaN技术的出现彻底改变了这一局面。通过在单个GaN产品中集成双向阻断功能，仅需更少的开关即可实现单级功率转换。以典型的太阳能微逆变器为例，仅需两颗瑞萨SuperGaN®双向高压器件即可——相较传统方案，可省去中间的直流链路电容器，并将开关数量减半。此外，GaN器件具备高速开关特性与低存储电荷，可实现更高开关频率和功率密度。在实际单级太阳能微型逆变器应用中，这种新型GaN架构由于无需背靠背连接和低效的硅开关，其功率效率可超过97.5%。兼具强劲性能与可靠性，兼容硅基驱动器瑞萨650V SuperGaN®产品已在市场中获得验证，其基于专有的常关断技术，具有驱动简单、可靠性高的特点。此次推出的TP65B110HRU将高压双向耗尽型GaN芯片与两颗低压硅基MOSFET进行共同封装。这两颗低压MOSFET具备高阈值电压（3V）、高栅极耐压裕量（±...
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2026/3/23 10:47:38
Microchip Technology宣布其BZPACK mSiC®功率模块，旨在满足严格的高湿度高压高温反向偏置（HV-H3TRB）标准。BZPACK模块能够提供卓越的可靠性，简化制造流程，并为最严苛的电力转换环境提供多样化的系统集成选项。提供多种拓扑配置，包括半桥、全桥、三相和PIM/CIB配置，为设计者提供优化性能、成本和系统架构的灵活性。经过测试，BZPACK mSiC功率模块符合超过1000小时标准的HV-H3TRB标准，为工业和可再生能源应用的部署提供了信心。采用比较跟踪指数（CTI）600伏外壳，稳定的Rds（on）在温度范围内，以及铝氧化物（Al₂O₃）或氮化铝（AlN）等基材选项，这些模块提供了卓越的绝缘、热管理和长期耐用性。Microchip高功率解决方案业务部门副总裁Clayton Pillion表示：“我们BZPACK mSiC功率模块的发布，强化了Microchip为最严苛的电力转换环境提供坚固高性能解决方案的承诺。”“通过利用mSiC技术，我们为客户提供了更简便的路径，打造高效且持久的系统，涵盖工业和可持续发展市场。”为了简化生产并降低系统复杂度，BZPACK模块采用紧凑、无底板设计，配备按压式、无焊接端子和可选预加热接口材料（TIM）。这些多功能选项使组装更快、制造一致性提高，并通过行业标准的布局实现更便捷的多采购。此外，模块设计上兼容引脚，便于使用。Microchip的MB和MC系列mSiC MOSFET为工业和汽车应用提供了强大的解决方案，并提供AEC-Q101认证选项。这些器件支持共同的门极源电压（VGS≥15V），并以行业标准封装提供，便于集成。经过验证的高压-H3TRB能力通过帮助降低因湿气引起的泄漏或击穿导致现场失效的风险，支持长期可靠性。MC系列集成了栅极电阻，提升开关控制，保持低开关能量，并在多芯片模块配置中提升稳定...
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2026/3/20 10:19:56
半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）宣布，针对智能戒指、智能手环等小型可穿戴设备以及智能笔等小型外围设备应用，推出支持近场通信技术（NFC，近距离非接触式无线通信技术）的无线供电IC芯片组“ML7670（接收端）”和“ML7671（发射端）”。近年来，以医疗保健和健身用途为核心的智能戒指市场发展迅速。但挑战在于对佩戴在手指上的环形超小设备而言，很难进行有线供电；而且常用的Qi标准*1无线充电技术也因线圈尺寸等因素的限制而难以运用。因此，业内将目光投向能在小型设备上实现可靠充电的近场供电方式。在这种背景下，采用可实现天线小型化的13.56MHz高频段的NFC供电技术备受瞩目，其在下一代可穿戴设备中的应用正在加速普及。ROHM已推出支持1W供电的ML7660/ML7661芯片组，此次又开发出针对小型设备优化的新芯片组ML7670/ML7671，助力可穿戴设备的升级和使用便利性提升。新芯片组是基于广受好评、最高可提供1W供电的“ML7660（接收端）”和“ML7661（发射端）”系列开发出来的衍生型号。新产品将供电量限制在最大250mW，同时内置了向充电IC供电所需的开关MOSFET等外部器件。因此，在安装面积和供电效率两方面均针对小型可穿戴设备（尤其是智能戒指）所需的功率等级进行了优化。接收端IC“ML7670”不仅保持2.28mm×2.56mm×0.48mm这一业界超小尺寸，在供电量250mW的低输出功率范围内工作时还实现高达45%的供电效率。新芯片组的一大优势是通过优化线圈匹配、整流电路以及降低开关器件损耗等要素，实现了超越同等产品效率水准的性能。而且，IC内部已经集成无线供电所需的固件，无需再外置主控MCU，这可大大节省所开发设备的空间并大幅减少开发工时。另外，由于符合NFC Forum*2标准（WLC 2.0），因此可在保持与现有设备兼容性的同...
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2026/3/20 10:17:09
ADI(亚德诺)公司在泰国新落成的先进制造工厂已经正式启用。此举将进一步提升ADI的先进制造与测试能力，同时推动公司在亚太地区形成更具韧性和可持续性的半导体生产布局。此次扩建基于ADI的混合制造战略，依托由内部工厂、外部代工厂与外包半导体组装和测试(OSAT)合作伙伴构成的全球网络，打造兼具韧性与高性能的解决方案。泰国在ADI全球制造网络中发挥着至关重要的作用。通过扩大ADI在泰布局，提升制造韧性、灵活性与产能规模，为多元市场客户提供支持，从而有力支撑公司的长期发展。新工厂的定位是智能可持续工厂，融合先进自动化、数字化制造技术与完善运营体系，兼顾高效生产与绿色环保，能够更快响应市场需求，并在瞬息万变的全球环境中，持续提供客户所期望的品质、可靠性与性能。ADI首席执行官兼董事会主席Vincent Roche表示：“泰国是ADI全球制造布局中的战略枢纽之一。此次扩建彰显了我们长期致力于将泰国及该地区打造为能够可靠且可持续地提供世界级技术的关键环节的决心。随着客户需求的不断演变，此次扩建投资将确保我们能够持续大规模交付独具优势的创新成果。”ADI全球运营与技术执行副总裁Vivek Jain指出：“新工厂极大提升了我们高效且负责任地开展测试业务的能力。凭借当地雄厚的工程人才储备、供应链优势以及支撑长期发展的产业环境，泰国已成为我们构建更加敏捷、更具韧性且面向未来的制造网络的重要一环。”提升全球供应链韧性通过更广泛的区域布局、更高的运营敏捷性以及增强的制造网络灵活性，ADI在泰国的扩产增能举措强化了公司的全球韧性战略。新工厂坐落于泰国东部经济走廊(EEC)，得益于当地完善的基础设施、优质的工程人才储备和稳定中立的运营环境，将进一步强化ADI服务全球客户的能力。推动半导体制造可持续发展新工厂依照LEED标准规划建造，彰显了ADI践行绿色制造的坚定承诺，也是ADI制造网络中首个以获得LE...
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2026/3/20 10:13:39
24MR-35M+同轴适配器定义Mini-Circuits 的 24MR-35M+ 是一款同轴适配器，一端为 2.4 mm 直角公头（Right-Angle Male），另一端为 3.5 mm 公头（Male），支持从直流（DC）至 33 GHz 的广泛应用。该型号在整个频率范围内提供优异的电压驻波比（VSWR）和低插入损耗。24MR-35M+ 采用钝化不锈钢结构制造，整体长度仅为 0.71 英寸（约 18.03 mm），紧凑耐用，适用于空间受限的高频系统。特性超宽带，直流至33GHz低插入损耗，典型值0.11 dB。出色的VSWR，1.11:1典型值。直角车身电气规格（在 +25°C 条件下）参数 频率 (GHz)最小值典型值最大值单位频率范围-DC-33GHz插入损耗0.01–33-0.11 0.44dB电压驻波比 (VSWR)0.01–33-1.111.35:1备注：规格测试最低频率为 0.01 GHz。案例风格图
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2026/3/19 14:22:58
BAT-1+吸收式固定衰减器定义BAT-1+ 是一款宽带、双向、吸收式固定衰减器，采用高可靠性且可重复性优异的砷化镓（GaAs）半导体工艺制造。其工作频率范围从直流（DC）至 60 GHz，在整个频段内实现了出色的衰减精度与平坦度，同时保持卓越的回波损耗性能。该型号可承受高达 2 W 的输入功率，使其成为多种应用的理想选择，包括：测试与测量、卫星通信、雷达系统、电子战（EW）、电子对抗防御系统（ECM Defense Systems）、电信基础设施以及 5G 通信。特性宽频带：DC 至 60 GHz覆盖从基带到毫米波全频段，适用于各类射频系统设计。高功率处理能力：2 W支持中高功率应用场景，如发射链路调节或负载匹配。优异回波损耗：典型值 14 dB表明端口匹配良好，反射小，有助于提升系统稳定性与信号完整性。封装尺寸：1.5 × 1.5 mm，6 引脚 QFN 式封装小型化表面贴装封装，便于集成到高密度 PCB 布局中，适合自动化生产。应用测试与测量设备卫星通信系统雷达、电子战（EW）及电子对抗防御系统（ECM）电信基础设施5G sub-6 GHz 及毫米波（mmW）应用功能图（俯视图）
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2026/3/19 14:20:12
BAT-4+吸收式固定衰减器定义BAT-4+ 是一款宽带、双向、吸收式固定衰减器，采用高可靠性且可重复性优异的砷化镓（GaAs）半导体工艺制造。其工作频率范围从直流（DC）至 60 GHz，在整个频段内实现了出色的衰减精度与平坦度，同时保持卓越的回波损耗性能。该型号可承受高达 2 W 的输入功率，使其成为多种应用的理想选择，包括：测试与测量、卫星通信、雷达系统、电子战（EW）、电子对抗防御系统（ECM Defense Systems）、电信基础设施以及 5G 通信。特性宽频带：DC 至 60 GHz覆盖从基带到毫米波全频段，适用于各类射频系统设计。高功率处理能力：2 W支持中高功率应用场景，如发射链路调节或负载匹配。优异回波损耗：典型值 15 dB表明端口匹配良好，反射小，有助于提升系统稳定性与信号完整性。封装尺寸：1.5 × 1.5 mm，6 引脚 QFN 式封装小型化表面贴装封装，便于集成到高密度 PCB 布局中，适合自动化生产。应用测试与测量设备卫星通信系统雷达、电子战（EW）及电子对抗防御系统（ECM）电信基础设施5G sub-6 GHz 及毫米波（mmW）应用功能图（俯视图）
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2026/3/19 14:16:23
BAT-20+固定衰减器定义BAT-20+ 是一款宽带、双向、吸收式固定衰减器，采用高可靠性且可重复性优异的砷化镓（GaAs）半导体工艺制造。其工作频率范围从直流（DC）至 60 GHz，在整个频段内实现了出色的衰减精度与平坦度，同时保持卓越的回波损耗性能。该型号可承受高达 1.6 W 的输入功率，使其成为多种应用的理想选择，包括：测试与测量、卫星通信、雷达系统、电子战（EW）、电子对抗防御系统（ECM Defense Systems）、电信基础设施以及 5G 通信。特性宽带，直流至60 GHz高功率处理，1.6 W出色的回波损耗，典型。18分贝1.5x1.5 mm，6引线QFN型封装应用测试和测量设备卫星通信雷达、电子战和电子对抗防御系统电信基础设施5G低于6 GHz和毫米波功能图（俯视图）
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2026/3/19 14:09:57
BFHKI-2162+陶瓷带通滤波器定义BFHKI-2162+ 是一款微型低温共烧陶瓷（LTCC）超高中频抑制带通滤波器，其通带范围为 19.4 GHz 至 23.8 GHz，可支持多种应用。该型号在 10.3 GHz 以下实现高达 72 dB 的阻带抑制，在 40 GHz 以下实现 49 dB 的阻带抑制。该滤波器采用小巧的 4.95 mm × 3.65 mm 陶瓷封装形式，非常适合高密度信号链 PCB 布局，能够与 MMIC 尺寸和性能完美匹配。BFHKI 系列内置集成式中介层焊盘，便于通过自动化制造设备安装到 PCB 上。得益于其坚固的单片结构，该模型在整个宽频带内提供典型的 2.8 dB 插入损耗。LTCC 制造工艺确保了射频性能的极小波动，同时交付的产品能胜任高湿度与极端温度等严苛环境条件。该型号可承受最高 1 W 的射频输入功率，并拥有宽广的工作温度范围：-55°C 至 +125°C。特性带集成插入板的LTCC带通滤波器超高阻带抑制，典型。49分贝小尺寸，4.95x3.65毫米坚固的陶瓷结构应用测试和测量设备卫星通信航空航天和国防信号调节功能图+25°C时的典型频率响应
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2026/3/19 14:04:49
BFHK-1202+带通滤波器定义Mini-Circuits的BFHK-1202+带通滤波器采用紧凑、坚固的陶瓷封装，通过Ku波段的下边缘为上X波段提供精确滤波。利用专有材料科学和分布式设计拓扑，确保关键任务设计的高度可重复性能。该滤波器在9.5至13.5 GHz范围内提供0.85 dB的典型通带损耗，在0.1至4.5 GHz范围内具有46 dB和74 dB至30 GHz的出色阻带抑制，大大抑制了干扰和谐波。BFHK-1202+的额定射频输入功率高达1W，可在-55°C至+125°C的宽温度范围内运行，结合了可靠性和高性能，适用于要求苛刻的卫星通信、雷达、电子战和测试环境。特性超高阻带抑制，典型值62 dB。可表面安装的拾放式标准机箱标准小1812（4.5x3.2毫米）表壳样式高质量分布式滤波器拓扑宽阻带屏蔽结构防止滤波器失谐通过采用LGA（陆地栅格阵列）减少占地面积应用测试和测量设备卫星通信航空航天和国防信号调节功能图典型频率响应图
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2026/3/19 14:01:58
PMA1-14LV+低噪声 MMIC 放大器定义PMA1-14LV+ 是一款基于 pHEMT 的低噪声 MMIC 放大器，具有高 IP3 和平坦增益。其工作频率范围为 0.05 GHz 至 10 GHz，具备高动态范围特性，典型参数包括：噪声系数 1.0 dB、增益 21.9 dB、P1dB +20.4 dBm、OIP3 +28.4 dBm。这种性能组合使其非常适用于对灵敏度和动态范围要求高的接收机应用。PMA1-14LV+ 采用单一 +5 V 电源供电，与 50 Ω 阻抗良好匹配，并采用小型薄型 1.5 x 1.5 mm QFN 式封装，便于集成到高密度电路板布局中。特性高增益，典型。21.9分贝典型低噪声系数。1.0分贝OIP3高，典型。+28.4 dBm典型高P1dB。+20.4 dBm单电源电压，60mA时+5V1.5 x 1.5 mm 6引线QFN型封装应用测试和测量设备回程无线电系统卫星通信雷达、电子战和电子对抗防御系统5G无线基础设施功能图（俯视图）
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2026/3/19 13:53:09
Vishay推出了一款新型航天级表面贴装共模扼流圈，旨在为要求高的航天、航空航天和国防应用提供EMI滤波和噪声抑制。Vishay定制磁SGCM05339非常适合氮化镓和硅碳开关应用，这些器件在波形中会形成锐利边缘，从而产生辐射辐射。共模扼流圈也将用于低矮、高电流的电源;分布式电力系统中的直流/直流转换器;以及太阳能电池板的电力转换器。为抵御这些应用的恶劣环境，该自屏蔽器件采用紧凑坚固的纳米晶芯和成型坚固结构。SGCM05339在扩展频率下提供高阻抗，支持高达14.43安的高温电流能力，并能连续工作温度范围，范围从-55°C到+130°C。该设备符合ASTM-E595排放标准，提供多种筛选选项，包括MIL-PRF-27、5级产品级T、温度等级S;MIL-STD-981家族-4，S级;以及EEE-INST-002。该SGCM05339提供1000伏RMS的介电耐阻，在500伏直流电压下绝缘电阻最低10吉瓦，并可根据匝数、线规等参数进行定制，以满足具体应用需求。设备规格表如下：部件编号SGCM05339每绕组电感320 μH 到 10 400 μH共模阻抗（类型）540 Ω到3600 Ω每绕组的直流电阻（最大）0.0029 Ω 到 0.1318 Ω等级热电流（类型）2.02 A 至 14.43 A峰值阻抗频率2.06 Hz 到 31.74 Hz泄漏（最大0.35 μH 到 7.75 μH免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/3/19 13:36:11
Mythic选择了Microchip Technology子公司Silicon Storage Technology®（SST®）的memBrain™神经形态硬件知识产权（IP），用于其下一代边缘到企业级模拟处理单元（APU）。Mythic将利用SST的SuperFlash嵌入式非易失性存储器（eNVM）比特单元，每瓦特提供高水平的模拟内存计算（aCIM）性能。该合作使Mythic能够实现120 TOPS/瓦的推理处理，实现边缘和数据中心的高效AI加速：Mythic的APU目标能效是传统数字图形处理单元（GPU）的100倍。截至目前，Mythic授权的SST SuperFlash技术已发货1500亿套。SuperFlash技术是工业、汽车、消费和计算等多个行业的关键数据和代码存储的事实电子非视频（eNVM）解决方案，并被全球十大半导体代工厂授权使用。Microchip Edge AI业务部副总裁Mark Reiten表示：“Mythic正在工业、汽车和数据中心应用中开创AI推理处理和AI传感器融合的创新解决方案，有效克服当前AI能力的限制。”“作为Mythic下一代产品的核心存储技术，memBrain为边缘和数据中心应用带来了显著的能效和高性能。”memBrain 细胞具备：每个比特单元最多可支持8位数据（8 bpc） 存储单位纳安（nA）比特单元读电流工作温度下10年数据保留10万次耐力循环8 位元的多态写入操作的全状态机控制aCIM的单周期乘加运算Mythic首席执行官Taner Ozcelik博士表示：“Mythic在对eNVM技术的行业范围内广泛搜索后，确定memBrain单元技术最能帮助我们实现客户所需的超低功耗和高性能，”Taner Ozcelik博士表示。“此外，其行业验证的SuperFlash技术在代工厂的广泛可用性，加上SST工程团队的...
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2026/3/19 13:32:39
意法半导体宣布扩展其800伏直流功率转换组合，采用两种新的架构：800伏直流转12伏和800伏直流转6伏。这些新的功率转换阶段基于NVIDIA 800伏直流参考设计开发，补充了此前推出的800伏直流转50伏解决方案。快速发展的800伏直流数据中心架构实现了更高的能效，减少了电力损失，并支持更具可扩展性和高计算密度的超大规模企业和AI计算基础设施。意法半导体创新办公室、意法半导体战略、系统研究与应用组模拟、功率与离散、微机系统与传感器集团负责人、机体微电系统与传感器集团负责人表示：“随着人工智能基础设施计算规模的快速扩展，这需要更高的电压分布和更高的密度，而这只能通过针对不同AI服务器形态的系统层面进行系统层面的系统创新与创新。“借助这些800伏直流电力分配的新变流器，ST带来了一套完整的解决方案，支持千兆瓦级计算基础设施的部署，采用更高效、可扩展和可持续的电力架构。”为不同AI服务器形态提供完整的800 VDC生态系统向12V和6V输出级的扩展反映了行业向不同服务器架构的转变，这些架构需要根据GPU生成、服务器高度、形态规格和热包线不同，实现不同功率输出拓扑，适用于大规模训练集群、推理农场和高密度AI基础设施。50V、12V和6V中间直流总线将根据机架密度、GPU配置和散热策略在AI数据中心共存。新的800伏直流转12伏变换器实现了机架级电源架的高效分配，直接传输到供电的AI加速器的电压域。新的800伏直流到6伏的路径允许OEM厂商减少转换阶段数量，并将6伏总线更靠近显卡。这减少了铜的使用，最小化了电阻损耗，并提升了瞬态性能，这对大型训练集群来说是关键的差异化因素。早在2025年10月，意法半导体推出了一款全集成的原型电力传输系统，展示了一款紧凑型基于氮化镓的LLC转换器，直接从800伏、1 MHz频率下工作，效率超过98%，功率密度卓越，且在智能手机尺寸的覆盖面积超过26...
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2026/3/19 13:28:20