热分担电阻（OUTx 与 RESx）TPS92623-Q1 为每个通道提供两条电流输出路径：电流从电源经 R(SNSx) 采样电阻流入芯片内部的电流调节电路，然后分别通过 OUTx 引脚和 RESx 引脚流向 LED。OUTx 与 RESx 的电流各自独立受控，但两者之和始终等于该通道 R(SNSx) 上的总电流。OUTx 直接与 LED 负载的阳极串联；RESx 则通过外部电阻再连接到 LED，用于分担部分功耗，降低芯片本体的热累积。芯片内部的独立电流调节环路会动态调整 OUTx 与 RESx 的电流分配，以保证 LED 总电流稳定。调节策略：TPS92623-Q1 总是尽可能把电流往 RESx 路径推，直到 RESx 路径饱和；剩余所需电流再由 OUTx 提供。因此：当电源与 LED 所需总正向电压之间压差较大时，大部分电流经 RESx 输出；当电源与 LED 之间压差较小时，大部分电流则改由 OUTx 输出。如有型号采购及选型需求,可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2025/12/29 14:07:15
TPS92623-Q1 三通道 LED 驱动器采用独特的热管理设计，可减少器件温升。TPS92623-Q1 是由汽车电池直接供电的线性驱动器，具有宽电压范围，每个通道可输出高达 150mA 的全电流负载。外部分流电阻器可用来共享输出电流并由驱动器驱动。该器件具有全面的诊断功能，包括 LED 开路、LED 接地短路和器件过热保护。TPS92623-Q1 的连带失效功能可与其他 LED 驱动器（如 TPS9261x-Q1、TPS9262x-Q1、TPS92630/8-Q1 和 TPS92830-Q1 器件）配合工作，从而满足不同的要求。具备的特征•AEC-Q100符合汽车应用标准：•温度等级1：-40°C至125°C，TA•宽输入电压范围：4.5V至40V•外部分流电阻器的热共享•故障模式下电源电流低•三种高精度电流调节：•每个通道高达150mA的电流输出•在整个温度范围内精度为±5%•通过电阻器独立设置电流•独立的PWM引脚用于亮度控制•低压差：•最大压降：150mA时为600mV•诊断和保护•LED断路，具有自动恢复功能•LED对地短路，自动恢复•诊断启用，阈值可调•故障总线可配置为任一故障——所有故障或仅故障通道关闭（N-1）•热关机常见应用•车外尾灯：尾灯、中央高位刹车灯、侧标志灯•车外小灯：门把手、盲点检测指示灯、充电口•车内灯：顶灯、阅读灯•通用 LED 驱动器应用如有型号采购及选型需求,可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2025/12/29 14:00:26
TDA22590 集成功率级芯片内部集成了一颗低静态电流同步降压栅极驱动器 IC，并与控制 MOSFET 和同步 MOSFET 共同封装在 4 mm × 6 mm 的小尺寸封装内。该封装针对 PCB 布局、热传导、驱动与 MOSFET 控制时序以及开关节点振铃进行了优化，只要遵循布局指南即可实现最小振铃。驱动器与 MOSFET 的配对设计，可在 CPU、GPU、FPGA 和 DDR 存储器所需的低输出电压下实现更高效率。改进型 MOSFET 电流镜电流输出检测方式，相比业界领先的基于控制器的电感 DCR 检测以及 MOSFET Rdson 电流检测方法，具有更优的电流检测精度。保护功能包括：IC 温度报告与过温保护（OTP，含热关断）、逐周期过流保护（OCP）、控制 MOSFET 短路检测（HSS，高边短路检测）、VDRV 与自举电容欠压保护。TDA22590 还具备“自举电容刷新”功能，防止自举电容过度放电。此外，TDA22590 支持“高级故障报告”功能，在多相降压转换器中，可帮助控制器识别故障相及故障类型。芯片支持高达 2 MHz 的开关频率，实现高性能瞬态响应，有助于缩小输出电感及输入/输出电容尺寸。特征主要特性集成驱动器、肖特基二极管、控制 MOSFET Q1、同步 MOSFET Q2片内 MOSFET 电流检测与报告：5 μA/A输入电压 4.25 V–16 V；VCC/VDRV 4.5 V–5.5 VVsub=12 V 时输出电压 0.225 V–5.5 V，持续输出电流 90 A开关频率高达 2 MHzVDRV 欠压锁定 (UVLO)、自举欠压保护温度模拟输出 8 mV/°C过温保护 + 热关断；逐周期 OCP 及标志；高边短路 (HSS) 检测及标志自举电容自动补电兼容 3.3 V 三态 PWM 输入支持 Body-Braking™ 负...
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2025/12/29 13:53:10
ADMV8052是一款射频滤波器，具有数字可选的工作频率。该器件集成了三个带通滤波器，跨越从30到520 MHz的三个指定频段。写分组优先级在 SPI 写模式下，由于存在 4 个写分组（WR0～WR3），可能出现多个 switch-set 位同时为高的情况。开关的最终状态取决于 SPI 事务类型：流式（streaming）或单条指令（single instruction）。SPI 流式事务分两种 endian 地址顺序：寄存器地址递增 和 寄存器地址递减。ADMV8052 仅支持递增顺序。要使能递增流式模式，需将寄存器 0x000 写入 0x3C。流式事务（推荐）优先级顺序：WR0 → WR1 → WR2 → WR3（序号越小优先级越高）。操作示例：从寄存器 0x020 开始连续写 16 字节（0x020～0x02F），总帧长 144 bit（1 bit R/W + 15 bit 地址 + 128 bit 数据）。若同一帧内 WR1 与 WR2 的 switch-set 位都为高，则最终开关位置以 WR1 的配置为准。单条指令事务无固定优先级，最后写入的分组生效。操作顺序：必须先写“开关寄存器”，再写该分组内的滤波器参数。例：使用 WR0 时，先以 24-bit 帧写 0x020（R/W+地址+8 bit 数据），再依次用 24-bit 帧写 0x021、0x022、0x023。如有型号采购及选型需求,可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2025/12/29 13:50:40
SPI 配置ADMV8052 的 SPI 接口允许用户通过 5 线 SPI 端口对器件进行功能或操作配置，提供更高的灵活性与定制化能力。SPI 共 5 根控制线：SFL、SCLK、SDI、SDO 和 CS。正常 SPI 操作时，SFL 引脚必须保持低电平。SPI 协议格式：1 位 R/W 读写位 + 15 位寄存器地址 + 8 位数据。地址与数据均按 MSB→LSB 顺序传输。写操作：将最高位（R/W）置 0。写周期在 SCLK 上升沿被采样。24 位串行地址与数据通过 SDI 线 MSB→LSB 移入。ADMV8052 写周期输入逻辑电平兼容 3.3 V 接口。读操作：将最高位（R/W）置 1。前 16 位（R/W+地址）在 SCLK 上升沿通过 SDI 移入；随后 8 位读出数据在 SCLK 下降沿通过 SDO 线 MSB→LSB 移出，输出电平 3.3 V。SDO 驱动器在指令周期最后一个 SCLK 上升沿之后使能，并保持有效直至读周期结束。CS 撤销后，SDO 回到高阻态，直到下次读操作。CS 低电平有效，用于启动并选通一次通信周期，允许多片器件共享同一 SPI 总线。CS 为高时，SDO 呈高阻。在整个通信周期内 CS 必须保持低电平。SPI 通信协议遵循 Analog Devices SPI 标准，具体内容参考《亚德诺ADI-SPI 串行控制接口标准（Rev 1.0）》。如有型号采购及选型需求,可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2025/12/29 13:48:50
ADMV8052是一款射频滤波器，具有数字可选的工作频率。该器件内置三个带通滤波器（BPF），覆盖 30 MHz 至 520 MHz 的三个指定频段。中心频率（fCENTER）可通过 8 位数值（256 种状态）进行调节，并采用专利插值技术。典型 3 dB 带宽为 9%，可调范围为 ±2%。插入损耗典型值低于 4.5 dB，在距 fCENTER 25% 处的抑制为 20 dB，非常适合抑制系统谐波。此外，其灵活的架构还包含旁路模式，此时插入损耗 1 dB。这款可调滤波器可替代体积庞大的开关滤波器组和腔体调谐滤波器，为通信系统提供动态可调的紧凑解决方案。具备的特征数字可调、多倍频程、带通调谐3 dB带宽：9%±2%低插入损耗：典型值4.5 dB出色的抑制性能：在距离fCENTER 25%处为20 dB出色的线性度（IP3）：典型值为40 dBm分立解决方案的单芯片替代32-终端LGA常见应用陆地移动无线电测试和测量设备军用雷达与电子战及电子对抗卫星通信工业和医疗设备如有型号采购及选型需求,可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2025/12/29 13:46:16
AN65004C对高边和低边MOSFET的过流保护机制有所不同。对于高边MOSFET，FAN65004C根据电流限制设置提供两级过载保护：过流保护（OCP）和短路保护（SCP）。当高边MOSFET的电流 isub 处于 100% × Isub ≤ isub 130% × Isub 范围时，触发OCP；当 isub ≥ 130% × Isub 时，触发SCP。FAN65004C持续监控MOSFET电流，并提供逐周期的峰值电流限制。一旦电流超过限制，高边MOSFET将被立即关闭。当电流限制被触发时，FAN65004C开始计数。如果连续发生1024次过流事件（无论FB电压如何），系统将进入打嗝模式（hiccup mode）。最严重的过流情况包括输出短路或电感饱和，此时电流超过设定限制的130%。在这种情况下，器件将立即启动短路保护并进入打嗝模式。对于低边MOSFET，FAN65004C也提供逐周期保护。如果在某个周期中低边MOSFET导通时，其电流超过限制值 Isub，则该MOSFET将立即关闭，并保持关闭状态直到下一个开关周期。此过程将持续重复，直到过流事件解除（即低边MOSFET电流低于 Isub）。低边MOSFET的过流保护不会影响高边MOSFET的开关行为——也就是说，只要高边MOSFET未发生过流事件，其开关操作将保持正常。如有型号采购及选型需求,可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2025/12/29 13:41:32
FAN65004C是一款高效率同步降压转换器，集成了控制器、驱动器和两个功率MOSFET。它可在4.5V至65V的输入电压范围内工作，并提供6A的负载电流。其内部基准电压在-40°C至125°C温度范围内为0.6V±1%。FAN65004C采用电压模式PWM控制方式，并具备输入电压前馈功能，以适应宽输入电压范围。高带宽误差放大器监控输出电压，并为脉宽调制模块生成控制信号。通过调整外部补偿网络，可根据应用参数优化系统性能。开关频率由外部电阻设定，并可同步至外部时钟信号。为提高轻载效率（低Io模式），当电感电流降至零时可关闭低边MOSFET，或在负载电流进一步降低时采用脉冲跳跃模式。采用高边MOSFET电流检测电路实现峰值电流限制功能，在电流限制条件下输出电压将被降低。其他保护功能包括过温关断和过压保护。在每个开关周期开始时，时钟信号启动PWM信号以打开高边MOSFET，同时斜坡信号开始上升。当斜坡信号与COMP信号相交时，比较器产生一个复位脉冲，该脉冲关闭高边MOSFET并打开低边MOSFET，直到下一个时钟周期到来。若达到电流限制，将产生峰值电流限制（PCL）信号以关闭高边MOSFET，直到下一个PWM信号到来。这是逐周期电流限制保护。当检测到特定故障条件时，器件将进入打嗝模式以进一步保护自身。如有型号采购及选型需求,可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2025/12/29 13:39:06
FAN65004C是一款宽VIN高效同步降压稳压器，集成了高侧和低侧功率MOSFET。该设备包含一个固定频率电压模式PWM控制器，支持4.5V至65V的宽电压范围，可以处理高达6A的连续电流。FAN65004C包括一个0.67%的精确参考电压，以实现严格的调节。开关频率可编程为100 kHz至1 MHz。这种单相降压调节器提供完整的保护功能，包括过电流保护、热关断、欠压锁定、过电压保护、欠电压保护和短路保护。该设备采用紧凑的6 x 6 mm PQFN封装。特征•宽输入电压范围：4.5 V至65 V•支持多种应用•开关频率：100 kHz至1 MHz•允许在尺寸、效率和最大占空比之间进行优化•0.6 V参考电压，精度为0.67%•保持电压精度•适用于轻负载的可选CCM PWM模式或PFM模式•重载和轻载时效率最高•过电流保护、热关断、过电压保护、欠电压保护和短路保护•完全防止电压、电流和温度故障•双LDO用于单电源操作并减少功率损耗•通过减少功耗来提高效率•宽操作范围的外部补偿•可调软启动和预偏置启动•启用可调输入电压欠压锁定功能（UVLO）•电源良好指示灯如有型号采购及选型需求,可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2025/12/29 13:33:49
SK海力士宣布其第五代10纳米级（1b）工艺、32Gb单颗芯片构建的256GB DDR5 RDIMM高容量服务器内存模块，已成功应用于英特尔®至强®6处理器平台，并业界首次通过了严格的英特尔数据中心认证。这不仅标志着该高性能内存与顶级计算平台实现了深度兼容与优化，更确立了SK海力士在高密度、大容量服务器内存领域的技术领导地位，为下一代数据中心和AI服务器提供了核心硬件支撑。寄存双列直插式内存模块（RDIMM, Registered Dual In-line Memory Module）：在存储器模块的内存控制器与DRAM芯片之间增加可中继地址、命令信号的寄存器（Register）或时钟缓冲器（Buffer），适用于服务器和工作站的DRAM模块。此次认证在位于美国的英特尔数据中心开发实验室（Advanced Data Center Development Laboratory）完成。SK海力士经过数次的全方位评估，证实其产品与Xeon平台相结合时具备可靠的性能、兼容性和品质。公司此前已于今年1月获得了基于第四代10纳米级（1a）16Gb的256GB产品认证。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2025/12/29 13:21:58
针对智能电网对电源“国产化、抗干扰、宽适配、稳交付”的严苛需求，金升阳匠心打造，给出完美答案——全新推出LO-E-G系列电力专用开板AC/DC电源，全面覆盖15/30/50/75W功率。该系列采用100%国产元器件，从设计源头满足电力行业AQKK要求，深度契合电力行业的相关标准；搭载85-305VAC超宽电压输入、-40℃to+85℃宽温运行能力，从容应对电网波动与极端工况；更以电力四级EMS抗扰标准、5KV冲击电压耐受的硬核性能，搭配全功率段覆盖、兼容同类产品的灵活优势，直击智能输变电、继电保护等场景供电痛点，为电力行业国产化替代提供“成本稳、交期稳、运行稳”的三重保障。100%采用国产元器件，从设计到部件全面满足核查要求，完美契合电力行业AQKK安全自主可控标准，为智能电网、配电终端筑牢稳定防线。一、产品优势LO-E-G系列围绕电力场景需求，打造四大高价值特性：1.国产化保障100%采用国产元器件，从设计到部件全面满足国产I类要求，完美契合电力行业AQKK安全可控标准，从源头规避供应链风险，交期与成本双稳定，助力客户高效完成国产化替代，为智能电网、配电终端筑牢稳定防线。2.环境适配性85-305VAC超宽电压覆盖&-40℃to+85℃超宽温度区间，多安装方向满足70℃的5年使用寿命，适配电网电压波动、极端环境工况，保障设备持续稳定运行不宕机。3.强抗扰&高可靠满足EMI传导CLASSB、EMS电力四级标准A等级、可承受5KV冲击电压耐受、4000VAC高隔离耐压，在复杂电磁环境下设备数据不丢包、运行更可&靠，适配恶劣电力场景。4.应用灵活性15-75W全功率段适配不同电力设备，可兼容市场同类产品，大幅降低客户换型成本与适配风险,助力电力设备快速升级。二、产品应用LO15/30/50/75-E-G系列凭借高可靠性与场景适配性，广泛应用于电力质量恶劣...
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2025/12/29 13:18:38
通过在非转换期间将 AD7940 置于掉电模式，可随吞吐速率降低而减小 ADC 的平均功耗。图 19 显示：吞吐速率越低，器件处于关断状态的时间越长，随时间平均的功耗相应下降。举例：连续采样模式下，吞吐速率 10 kSPS，SCLK 2.5 MHz (VDD = 3.6 V)，并在两次转换之间进入掉电模式，则功耗计算如下：正常工作时最大功耗 6.84 mW (VDD = 3.6 V)从掉电状态唤醒需 1 µs，剩余转换时间 6.4 µs（16 个 SCLK 传输）→ 每个转换周期内，AD7940 仅在 7.4 µs 内耗散 6.84 mW10 kSPS 对应的周期为 100 µs，剩余 92.6 µs 器件处于掉电模式，此期间仅耗散 1.08 µW。因此，每周期平均功耗为：(7.4/100) × 6.84 mW + (92.6/100) × 1.08 µW ≈ 0.51 mW图 19 给出了在 3.6 V 供电、SCLK = 2.5 MHz 条件下，使用掉电模式时芯片功耗随吞吐速率变化的曲线。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2025/12/26 13:27:16
AD1954 内置 26 bit DSP（双精度模式下 48 bit），用于插值与音频处理；包含三路过采样多位 Δ-Σ 调制器及模拟输出驱动电路。芯片还集成参数 RAM，采用“安全上传”机制，可在不中断音频的情况下同时更新滤波器系数与数字去加重滤波器。输入选择器最多可切换三路串行数据源及主时钟，特别适合 2.1 声道系统（两颗卫星箱 + 一只低音炮）。默认程序可对卫星箱与低音炮输出分别进行均衡、压缩/限幅处理。AD1954 内部含程序 RAM，上电时由片内引导 ROM 自动加载；信号处理参数存放于 256 单元的参数 RAM，同样由上电引导 ROM 初始化。新参数通过 SPI 端口写入参数 RAM，可实时控制 IIR 均衡滤波器、双段压缩/限幅器、延时值以及立体声展宽算法的各项设置。AD1954 的 SPI 接口功能完备，支持程序 RAM 与参数 RAM 的全读写操作；另设两个控制寄存器，用于配置串行模式及其它可选功能，并自带握手协议，方便批量上传/下载。芯片内置 4 路独立数据捕获电路，可在 DSP 算法链任意节点截取信号；捕获结果既可通过独立串行输出引脚送至外部 DAC 或 DSP，也可通过 SPI 寄存器直接读取，从而轻松扩展系统功能。AD1954 的处理器内核专为复杂压缩/限幅算法设计，含两路独立压缩/限幅器，均具备 RMS 幅度检测、起控/保持/释放时间控制，以及用户自定义压缩曲线。压缩器还支持“前瞻”功能，可提前抑制过冲，确保输出平稳。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2025/12/26 13:19:48
LTC3128 会实时监测串联输出电容中每一颗电容的电压。如果某颗电容的电压超过了设定的最大允许值，芯片将停止对整个电容组充电，并启动两颗电容之间的主动平衡。若平衡失败且故障状态持续，充电将被中止，直到电容自行放电至故障条件解除。这种情况通常出现在某颗输出电容短路或损坏时。最大电容电压通过一颗连接在 MAXV 引脚与地之间的电阻设定。该电阻应尽量靠近 MAXV 引脚放置，以减小引脚寄生电容。典型电阻值可用下面公式估算： RMAXV (kΩ) = 50 × VMAXV (V)其中 VMAXV 为单颗电容允许的最高电压。按此公式选定的 RMAXV 对应的实际 VMAXV 可能有 ±6 % 的偏差。只有当 VOUT 高于约 1.5 V 后，最大电容电压比较器才会启用。若仅需给单颗电容充电且无需平衡，可将 MAXV 引脚直接接地，此时最大电容电压比较器和主动电荷平衡功能均被关闭。单电容应用时，应改用 FB 引脚设定最高电压，电压环路会防止电容过压，同时 MID 引脚必须接地。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2025/12/26 11:54:06
LTC3128 是一款高效率的升降压型 DC/DC 超级电容充电器。无论输入电压高于、低于或等于输出电压，它都能高效运行。LTC3128 集成了可编程平均输入电流限制、主动电荷平衡以及可编程最大电容电压等功能。这些特性使其非常适合在备用电源系统中安全地为大容量电容充电并提供保护。输入电流限制和最大电容电压均可通过单颗电阻设定。平均输入电流可在 0.5 A 至 3 A 范围内精确编程，而单颗电容的最大电压可设定在 1.8 V 至 3.0 V 之间。其他特性包括：Burst 模式下 VOUT 静态电流 2 µA、精确的电源良好（Power-Good）与电源故障指示、以及热过载保护。LTC3128 提供低厚度、热增强型 20 引脚 4 mm × 5 mm × 0.75 mm QFN 封装和 24 引脚 TSSOP 封装。主要特性±2 % 精度的平均输入电流限制，最高可编程至 3 A可编程最大电容电压限制主动电荷平衡，支持不匹配电容的快速充电可给单颗或串联电容充电输入电压范围：1.73 V 至 5.5 V输出电压范围：1.8 V 至 5.5 V充电完成后 VOUT 静态电流 2 µA关断时输出断开，关断电流 1 µA内置电源良好比较器电源故障指示热增强 20 引脚 QFN（4 mm × 5 mm × 0.75 mm）与 24 引脚 TSSOP 封装典型应用基于超级电容的备用电源存储器备份服务器、RAID、射频系统工业、通信、计算设备如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2025/12/26 11:49:09
LT1715 在单 5 V 供电时，规定的共模范围为 -100 mV 至 3.8 V。更通用的描述是：共模范围从 VEE 以下 100 mV 到 VCC 以下 1.2 V。该共模限制的判定标准是：输出仍能对小差分输入信号做出正确响应。若其中一个输入位于共模范围内，另一输入即使超出共模限制（但未超过绝对最大额定值），输出极性仍保持正确。当任一输入信号低于负共模限制时，与衬底形成的内部 PN 结可能导通，导致芯片内出现较大电流。在输入端与负电源之间外接一只肖特基钳位二极管，可防止衬底二极管导通，从而加快从负向过驱状态的恢复。当两个输入信号均低于负共模限制时，内部的相位反转保护电路可防止输出出现错误翻转，至少可保护到 -400 mV 共模电压。然而，在此区域内，失调电压与迟滞电压都会显著增大，最高可达 15 mV；输入偏置电流也会上升。当某一输入信号高于共模上限，但未超过输入电源轨一个二极管压降时，输入级仍保持偏置，比较器输出极性正确。若再升高，输入级电流源将完全饱和，ESD 保护二极管正向导通。一旦异常输入回到共模范围内，比较器将在不到 10 ns 内重新对有效输入信号做出正确响应。当两个输入信号均高于正共模限制时，输入级将失去偏置，输出极性随机；但内部迟滞仍会保持输出为有效逻辑电平。当至少一个输入回到共模范围内时，从该状态恢复所需时间最长可达 1 µs。在大差分电压驱动下，传播延迟不会显著增加；但在低过驱电平且源阻抗较大时，由于 2 pF 典型输入电容带来的 RC 延迟，可能观察到明显的“延迟增大”现象。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2025/12/26 11:45:28
LT1715 是一款 UltraFast™ 超高速双路比较器，专为低电压应用优化设计。其独立的电源引脚允许模拟输入范围与输出逻辑电平独立设置，且不会降低性能。输入电压范围从负电源轨（VEE）下方 100 mV 到正电源轨（VCC）下方 1.2 V。内部迟滞功能使 LT1715 即使面对缓慢变化的输入信号也易于使用。轨到轨输出可直接与 TTL 和 CMOS 接口。对称的输出驱动能力带来相近的上升和下降时间，可用于模拟应用，或轻松转换为其他单电源逻辑电平。LT1715 提供 10 引脚 MSOP 封装，其引脚布局通过将最敏感的输入端远离输出端，并由电源轨屏蔽，从而最大限度地降低寄生效应。具备的特征超高速：20 mV 过驱动时仅 4 ns150 MHz 切换频率独立的输入与输出电源低功耗：每路比较器在 3 V 下仅 4.6 mA引脚布局针对高速应用优化输出针对 3 V 与 5 V 电源优化TTL/CMOS 兼容的轨到轨输出输入电压范围可延伸至负电源轨以下 100 mV内置迟滞，且规格明确工作温度范围：-40 °C 至 +125 °C提供 10 引脚 MSOP 封装典型应用高速差分线路接收器电平转换器窗口比较器晶体振荡电路阈值检测/鉴别器高速采样电路延迟线如有型号及采购需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2025/12/26 11:36:06
电机控制三相电机控制AD8418A 非常适合用于三相电机应用中的电流监测。其典型带宽为 250 kHz，可实现瞬时电流监测。此外，典型输入失调漂移仅为 0.1 μV/°C，意味着在不同温度下，两个电机相位之间的测量误差极小。AD8418A 可抑制范围为 -2 V 至 +70 V（在 5 V 供电条件下）的 PWM 输入共模电压。通过监测电机相电流，可在任意时刻采样电流，并提供诊断信息，例如对地短路或对电池短路。请参考图 36，了解使用 AD8418A 进行典型相电流测量的配置方式。H 桥电机控制AD8418A 的另一个典型应用是作为 H 桥电机控制环路的一部分。在此类应用中，将分流电阻置于 H 桥的中点，可通过电机端的分流电阻准确测量双向电流（见图 35）。在此位置使用放大器和分流电阻，比使用接地参考运算放大器更为优越，因为在此类应用中，地通常不是一个稳定的参考电压。地参考的不稳定会导致使用简单接地参考运放时产生测量误差。AD8418A 可在 H 桥切换、电机改变方向时，测量双向电流。其输出配置为外部参考的双向模式。放大器，因为在此类应用中，地通常不是一个稳定的参考电压。地参考的不稳定会导致使用简单接地参考运放时产生测量误差。AD8418A 可在 H 桥切换、电机改变方向时，测量双向电流。其输出配置为外部参考的双向模式。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2025/12/26 11:31:56