MACOM的MABAES0060是一款符合RoHS标准的设备，相当于ETC1-1T变压器电子元器件。该设备是一个低成本、表面贴装封装的1:1射频通量耦合变压器。非常适合大容量蜂窝和无线应用。典型应用包括单模式到平衡模式转换和阻抗匹配。MABAES0060变压器采用SM-22表面贴装封装，设计用于标准回流焊和高温焊接。规格参数频率范围:300 kHz to 200 MHz初级线圈阻抗:75 Ohms最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C长度:3.81 mm宽度:3.81 mm高度:2.67 mm最大直流电流:500 mA功率额定值:500 mW (1/2 W)单位重量:505.850 mg特性·表面安装·提供磁带和卷轴包装·符合RoHS标准的ETC1-1T版本·二级CT·1:1阻抗比应用·无线网络和通信功能示意图
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2025/1/2 14:09:29
MACOM的MABA-009180-500MHZ是一款符合RoHS标准的1:1射频磁通耦合变压器电子元器件，采用低成本表面贴装封装。非常适合大容量蜂窝和无线应用。典型应用包括单模式到平衡模式转换和阻抗匹配。MABA-009180-500MHZ变压器采用SM-22表面贴装封装，设计用于标准回流焊和高温回流焊。特性·表面安装·提供磁带和卷轴包装·二级CT·1:1阻抗比·符合RoHS标准的1:1变压器应用·无线网络和通信尺寸图
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2025/1/2 14:03:29
MACOM的MABA-007159-000000是一款符合RoHS标准的1:1射频传输线变压器电子元器件，采用低成本表面贴装封装。MABA-007159-000000的绕组焊接到封装基板上，以提高可靠性并消除铅含量。非常适合大容量蜂窝和无线应用。零件用胶带和卷轴包装。规格参数频率范围:4.5 MHz to 3 GHz初级线圈阻抗:50 Ohms最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C长度:3.81 mm宽度:3.81 mm高度:2.67 mm最大直流电流:30 mA功率额定值:250 mW (1/4 W)单位重量:1 g特性·表面贴装·符合RoHS标准·260°C回流兼容·1:1阻抗·频率范围广·无铅·提供磁带和卷轴应用·无线网络和通信尺寸图
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2025/1/2 13:57:31
圣邦微电子推出 SGM8431-1Q，一款高输出电流、轨至轨输入/输出、单 CMOS 车规级运算放大器。该器件可广泛应用于汽车应用中的多种场景，包括但不限于振荡器激励驱动器、电机驱动器、扬声器驱动器，以及 4mA 至 20mA 传输器。SGM8431-1Q 是一款专为汽车领域设计的单通道、轨至轨输入/输出、高电压和高输出驱动能力的 CMOS 运算放大器。这款器件针对 4.5V 至 36V 的单电源高压工作环境进行了特别优化，能够提供至少 400mA 的峰峰输出电流。针对混合动力汽车和电动汽车中电机驱动器的旋转变压器励磁需求，SGM8431-1Q 以其高电压和高输出电流的特性，特别适合于这些应用。在这些应用中，SGM8431-1Q 能够有效替代传统的由运算放大器和功率晶体管组成的复杂旋转变压器励磁驱动器，简化系统设计。经过 AEC-Q100 认证的 SGM8431-1Q，确保了其在汽车应用中的可靠性和耐用性。该器件采用符合环保理念的 TO-252-5 封装，并且能够在 -40℃ 至 +125℃ 的宽温度范围内稳定工作，满足汽车行业对高性能运算放大器的严苛要求。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/1/2 13:41:20
据SemiAnalysis报道，英伟达已经完成升级版Blackwell GPU，即B300芯片的流片，并透露了改进版的Grace-Blackwell组件，即GB300。报告指出，B300设计目标与B100和B200使用的相同，即台积电的4NP 4nm标称制造工艺。然而，对设计的调整使得其FLOPS性能比B200高出多达50%。B300 GPU还使用12层HBM3E DRAM，使得每块GPU的内存容量增加到288GB，尽管内存带宽仍保持在每块GPU 8TB/s。英伟达于2024年3月推出B100、B200 Blackwell GPUs和GB200组件，后者配备一个基于ARM的CPU加上两个GPU。原始Blackwell部件的推出因服务器机架中GPU过热而蒙上阴影。然而，机架的设置、液冷的使用，内部热监控以及性能管理技术都很复杂，需要超大规模客户和机架供应商进行大量配置和迭代的工作。运行温度更高SemiAnalysis表示，B300系列Blackwell部件的热设计预算增加到每CPU 1.2kW——相比之下B200 为1kW，并且具有更大的内存容量，非常适合推理应用。制造芯片的前沿晶圆通常在生产线上花费约三个月的时间，加上晶圆级测试、封装和组件测试的时间，通常决定了从流片到芯片发货的最低周期为六个月。据SemiAnalysis称，B300在封装上与B200/GB200有一些不同。据报道，英伟达将仅提高“SXM Puck”模块上的B300和BGA封装中的Grace CPU，让客户在计算板上采购更多组件。推荐的主机管理控制器 (HMC) 来自初创公司 Axiado，第二层内存是LPCAMM模块，可能来自美光。英伟达CEO黄仁勋将于2025年1月7日在拉斯维加斯举行的消费电子展上发表主题演讲，届时他可能会借此机会确认B300。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版...
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2025/1/2 13:36:36
看来英特尔准备在新一代产品中进一步提升VRAM容量，有消息称英特尔计划明年推出一款24GB Battlemage GPU。泄露的清单表明BMG-G21芯片上采用翻盖设计，理论上可容纳12个16Gb GDDR6模块。由于该报告声称这款GPU面向专业人士，因此它很可能是英特尔的Pro系列或Flex系列的指定产品。英特尔12月正式向主流市场推出Battlemage系列，包括Arc B580和即将发布的Arc B570。在这些GPU中，B580受到热烈欢迎；需求持续超过供应，以至于英特尔现在承诺每周补货以保持库存。传闻称英特尔至少准备了三种Battlemage芯片：BMG-G31、BMG-G21和BMG-G10。BMG-G21为Arc B580提供支持，包括192位接口和20个Xe2核心。业内人士称，英特尔计划在2025年推出一款配备24GB VRAM的专业GPU。所谓“专业”表明这款GPU并非针对主流市场；很可能是基于Alchemist的Flex系列或Pro系列的继任者。该GPU的目标用户群体包括数据中心、边缘计算、科学研究和个人开发。发货记录显示，英特尔一直在运送一款基于BMG-G21的GPU，采用翻盖配置的内存进行测试。作为参考，英特尔目前在Arc Pro系列中的旗舰产品Arc Pro A60拥有12GB VRAM。显存容量在训练AI模型和LLM（大语言模型）推理中起着巨大作用。当前竞争对手的容量高达48GB，比如AMD的Radeon W7000 GPU和英伟达的Ada Lovelace工作站卡。值得注意的是，英特尔BMG-G21是与英伟达RTX 4060竞争，而不是RTX 4090或RTX 6000 Ada。而且更现实的竞争对手可能是配备16GB的英伟达RTX 2000 Ada或配备8GB内存的AMD Radeon Pro W7600。3免责声明：本文为转载文章，转载此文目...
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2025/1/2 13:34:47
QPA3358是一款混合封装的GaAs pHEMT/MESFET 75欧姆推挽式射频放大器，具有34 dB的平坦增益和低噪声。该IC设计用于使用单个24V电源支持高达1218MHz的DOCSIS 3.1应用。QPA3358以仅消耗6.8W的高效率提供低噪声和低失真。规格参数工作频率:47 MHz to 1.218 GHz工作电源电压:24 V工作电源电流:290 mA增益:34 dBNF—噪声系数:4 dB最小工作温度:- 30 C最大工作温度:+ 85 C输入返回损失:20 dB通道数量:2 Channel点击购买：QPA3358特性•增益：1218 MHz时为34 dB•47-1218MHz带宽•47 dBmV/ch虚拟1.2 GHz•低噪音：4.0 dB噪音系数•出色的复合失真•pHEMT/MESFET技术•功耗：24 V，290 mA（6.8 W）应用•47–1218 MHz有线电视放大器系统•DOCSIS 3.1应用程序功能图
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2024/12/31 10:29:03
Qorvo的TQP3M9041是一款4x4 mm封装的高线性、超低噪声系数双器件放大器。在1.95 GHz的平衡配置下，LNA提供18.4 dB的增益、20 dBm的IIP3和0.80 dB的噪声系数。该部件不需要负电源即可工作，并且可以对漏极电流和电压进行偏置调节。该设备采用符合绿色/RoHS行业标准的QFN封装。TQP3M9041由单个单片GaAs E-pHEMT管芯组成，集成了偏置电路和关闭功能，使LNA可用于FDD和TDD应用。TQP3M9041针对2.4-6.0 GHz频段进行了优化，但也可以在频段外使用。Qorvo为0.7-1.0 GHz频段（TQP3M9039）和1.5-2.3 GHz（TQP3M3040）提供引脚兼容的双LNA。平衡放大器针对无线基础设施中的高性能接收器进行了优化，可用于基站收发器或塔式放大器。规格参数工作频率:2.3 GHz to 6 GHz工作电源电压:2 V to 5 V工作电源电流:57 mA增益:18.4 dBNF—噪声系数:0.8 dB安装风格:SMD/SMTP1dB - 压缩点:22.5 dBmOIP3 - 三阶截点:38.2 dBm最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 105 C电源电压-最大:5 V电源电压-最小:2 V测试频率:2.6 GHz单位重量:57.100 mg点击购买：TQP3M9041特性•2.3-6.0 GHz工作带宽•超低噪声系数，0.33 dB NFmin（单通道）•高增益，在2.6 GHz时增益为18.4 dB•高线性度，+20 dBm输入IP3（平衡配置）•集成关闭偏置功能•只需要正向供应•偏差可调•引脚兼容0.5-1.5 GHz TQP3M9039和1.5-2.3 GHz TQP3M 9040•4x4mm 16针QFN封装应用•3G/4G无线基础设施•FDD/TDD•塔式放大器•WCDMA/L...
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2024/12/31 10:25:10
Qorvo的TGA2535-SM是一款X波段封装功率放大器。TGA2535-SM的工作频率为10至12 GHz，采用Qorvo的功率pHEMT生产工艺设计。TGA2535-SM通常在20 dBm Pout/Tone下提供43 dBm的TOI，在1dB增益压缩下提供33 dBm的输出功率，以及25 dB的小信号增益。TGA2535-SM采用低成本、表面安装的24引脚5 x 5 QFN封装，非常适合点对点无线电和x波段通信。该部件无铅，符合RoHS标准。评估板可应要求提供。规格参数工作频率:10 GHz to 12 GHz工作电源电压:6 V工作电源电流:1.3 A增益:24 dBNF—噪声系数:10 dBP1dB - 压缩点:33 dBmOIP3 - 三阶截点:43 dBm最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C产品类型:RF Amplifier单位重量:1 g点击购买：TGA2535-SM特性•频率范围：10至12 GHz•TOI:43 dBm•功率：34.5 dBm Psat，33 dBm P1dB•增益：25 dB•回波损耗：15dB•集成功率检测器•偏压：Vd=6 V，Id=1.3 A，Vg=-0.55 V（典型值）•包装尺寸：5.0 x 5.0 x 0.85毫米应用•点对点无线电•X波段通信功能图
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2024/12/31 10:21:17
Qorvo的RFSA4013是一款全单片模拟温度补偿衰减器（TCA）电子元器件，在整个增益控制范围内具有出色的线性度。它被设计为在不需要闭环反馈的情况下抵消射频组件随温度变化的增益降低。三种客户可选择的温度系数使其成为射频线路的灵活解决方案。它采用了革命性的新电路架构，解决了衰减器架构方面长期存在的行业问题：高IP3、低直流电流和宽带。解决这个问题的传统方法需要昂贵的具有温度敏感材料的共烧陶瓷或具有复杂面积消耗控制电路的电流密集型PIN二极管。这种温度补偿衰减器只需要一个电源电压和两个逻辑位来设置控制衰减斜率与温度的关系。RFSA4013消耗非常低的1mA电流，并封装在3mm x 3mm的小型QFN中。该衰减器在其额定控制范围和频率上与50欧姆匹配，不需要外部匹配组件。规格参数封装 / 箱体:QFN-16衰减:7.4 dB最大频率:6 GHz阻抗:50 Ohms通道数量:1 Channel最大工作温度:+ 85 C最小频率:50 MHz最小工作温度:- 40 C安装风格:SMD/SMT工作电源电压:5 V特性•专利电路架构•宽带50MHz至6000MHz频率范围•3可选衰减与温度斜率•+55dBm IIP3典型值•+85dBm IIP2典型值•高1dB压缩点+30dBm•典型低电源电流1mA•5V电源•1C级ESD（1000V）•采用3mm x 3mm QFN封装的完整解决方案•3.3V零件可用-RFSA4023应用•蜂窝无线基础设施•WiBro、WiMax、LTE•微波收音机•高线性电平控制功能图
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2024/12/31 10:17:08
DS28E05是一款112字节用户可编程EEPROM芯片电子元器件，分为7页，每页16字节。存储器页通过保护字节可单独设置为写保护或者EPROM仿真模式。每个器件都带有唯一的64位ROM注册码(ROM ID)，由工厂刻入器件。DS28E05通过Maxim Integrated单触点1-Wire®接口高速通信，在多点1-Wire网络中，ROM ID作为节点地址。规格参数存储容量:896 bit接口类型:1-Wire组织:128 x 7封装 / 箱体:SOT-23-3电源电压-最小:1.71 V电源电压-最大:3.63 V安装风格:SMD/SMT数据保留:10 Year最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C有源读取电流（最大值）:400 uA电源电流—最大值:400 uA单位重量:8 mg特性• 单触点1-Wire接口• 112字节用户EEPROM，具有1K次写循环• 用户存储器可编程为写保护以及OTP EPROM仿真模式• 唯一、工厂编程的64位ROM ID• 与主机通信速率高达76.9kbps (仅高速模式)• 工作范围：3.3V ±10%, -40°C至+85°C• IO引脚具有±8kV HBM ESD保护(典型值)• 3引脚SOT23和6引脚TSOC封装应用• 配件/PCB识别• 消费品的售后管理• 模拟感应器校准• 医用传感器校准数据存储引脚图
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2024/12/31 10:02:20
ADG408是一款单芯片CMOS模拟多路复用器电子元器件，内置8个单通道。它根据3位二进制地址线A0、A1和A2所确定的地址，将8路输入之一切换至公共输出。该器件提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。 ADG408采用增强型LC2MOS 工艺设计，具有低功耗、高开关速度和低导通电阻特性。接通时，各通道在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。在断开条件下，达到电源电压的信号电平被阻止。所有通道均采用先开后合式开关，防止开关通道时发生瞬时短路。设计本身具有低电荷注入特性，当切换数字输入时，可实现较小的瞬变。规格参数通道数量:8 Channel配置:1 x 8:1电源电压-最大:32 V最大双重电源电压:+/- 22 V导通电阻—最大值:100 Ohms运行时间—最大值:150 ns空闲时间—最大值:60 ns最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C工作电源电压:12 VPd-功率耗散:450 mW传播延迟时间:130 ns单位重量:173 mg特性• 最大额定电源电压：44 V• 模拟信号范围：VSS至 VDD• 低导通电阻：100 Ω（最大值）应用音频和视频路由自动测试设备数据采集系统电池供电系统取样和保持系统通信系统引脚图
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2024/12/31 9:52:18
ADM2483差分总线收发器是一款集成式电气隔离电子元器件，设计用于平衡、多点总线传输线路的双向数据通信。它符合ANSI EIA/TIA-485-A和ISO 8482:1987(E)标准。该器件采用ADI公司的iCoupler技术，将3通道隔离器、三态差分线路驱动器和差分输入接收器集成于单封装中。器件逻辑端采用5 V或3 V电源供电，总线端则采用5 V电源供电。ADM2483压摆率受限以减小端接不当传输线路的反射。受控的压摆率将数据速率限制在500 kbps。该器件的输入阻抗为96 kΩ，允许总线上最多连接256个收发器。其驱动器具有高电平有效使能特性。驱动器差分输出与接收器差分输入内部相连，形成差分输入/输出端口。当驱动器禁用时，或者当VDD1或VDD2 = 0 V时，该端口向总线提供的负载极小。该器件还具有高电平有效接收器禁用特性，可使接收器输出进入高阻抗状态。接收器输入具有真故障安全特性，当输入开路或短路时，可确保接收器输出保持逻辑高电平。这样，通信开始之前以及结束时，可保证接收器输出处于已知状态。限流和热关断特性可防止发生输出短路以及总线竞争导致功耗过大的情况。额定温度范围为工业温度范围，提供16引脚、宽体SOIC封装。规格参数通道数量:3 Channel极性:Unidirectional数据速率:500 kb/s绝缘电压:2500 Vrms电源电压-最大:5.5 V电源电压-最小:2.7 V工作电源电流:2.5 mA传播延迟时间:620 ns最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C工作电源电压:5 V支持协议:RS-485单位重量:666 mg点击购买：ADM2483BRWZ特性• 集成电气数据隔离的RS-485收发器• 符合ANSI TIA/EIA RS-485-A和ISO 8482：1987(E)标准• 数据速率：500 kbps• 限摆率驱动器输...
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2024/12/31 9:46:25
PC等终端产品需求缺乏，导致DRAM价格连续3个月下跌，跌幅扩大。因需求低迷，导致在智能手机、PC、数据中心服务器上用于暂时存储数据的DRAM价格继续下跌。11月份DDR4 8Gb批发价(大宗交易价格)为每个1.9美元左右，容量较小的4Gb价格为每个1.46美元左右，比上个月下跌4%，连续第3个月下跌，跌幅比9-10月的3%呈现扩大。DRAM需求中，约50%来自PC和服务器、约35%来自智能手机。库存下降，不过中国市场的终端产品销售放缓，持续为买方市场。存储厂商无法以强硬的姿态进行涨价谈判。AI用HBM供应追不上需求，然而HBM供应开始稳定，很难按照存储厂商预定的价格进行交易。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/12/31 9:40:28
F1792以最小的功耗提供最大的性能和灵活性。独特的专利可设置增益功能使其可用于各种各样的无线电卡应用，甚至允许动态调整增益以最大限度地提高运行性能。通过固定的BOM和所有内部匹配，实现了极宽的射频和中频带宽。该设备可以在低至-6dBm的LO功率下运行，并具有独立的信道关闭模式，便于集成到高阶TDD MIMO系统中。规格参数频率范围：400MHz~3.8GHz增益/损耗：11dB噪声系数：8.9dB电源电压：3.15V~3.45V供电电流：462mA工作温度：-40℃~+105℃点击购买：F1792NLGI8特性•射频范围：400 MHz至3800 MHz•LO范围：400 MHz至3600 MHz•中频范围：50 MHz至600 MHz•4个增益设置；11 dB、8 dB、5 dB、2 dB•2位增益步进控制•非常适合多载波系统•+35 dBm OIP3•通过IDT的FlatNoise™技术在任何增益设置下都具有低噪声系数•Z=200ΩIF平衡，50ΩRF，50ΩLO单端•所有内部匹配。所有RF、LO和IF频率的单一BOM•4毫米x4毫米，24针TQFN封装•独立路径待机模式•75纳秒用于增益调整•VCC=3.3 V，462 mW引脚图
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2024/12/30 14:16:02
MAX2870为超宽频带锁相环(PLL)，集成压控振荡器(VCO)，能够工作在整数和分数N分频模式。配合外部参考时钟振荡器和环路滤波器，MAX2870可构成高性能频率合成器，产生23.5MHz至6.0GHz频率范围的时钟，并可保持优异的相位噪声和杂散指标。内部覆盖3000MHz至6000MHz范围的多路集成VCO以及1-128输出分频器用于实现超宽频率范围的时钟输出。器件提供双通道差分输出驱动器，可分别设置提供-4dBm至+5dBm的输出功率，两路输出均可通过软件或硬件控制静音。 MAX2870由3线串口控制，兼容于1.8V控制逻辑。器件采用无铅、符合RoHS标准的5mm x 5mm、32引脚TQFN封装，工作在-40°C至+85°C扩展级温度范围。 规格参数电路数量:1 Circuit最大输入频率:200 MHz最小输入频率:10 MHz输出频率范围:23.5 MHz to 6 GHz电源电压-最大:3.6 V电源电压-最小:3 V技术:Si最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C开发套件:MAX2870EVKIT#工作电源电流:144 mA工作电源电压:3.3 V点击购买：MAX2870ETJ+T特性• 整数/分数N分频模式• 手动或自动选择VCO• 6000MHz基频VCO3000MHz至• 输出二进制缓冲器/驱动器，用于扩展频率范围• 1/2/4/8/16/32/64/128• 23.5MHz至6000MHz• 低相噪• RMS抖动：0.25psRMS(典型值)• EVM @ 2.1GHz：0.35%(典型值)• 高性能PFD• 整数N分频模式下，105MHz• 分数N分频模式下，50MHz• 高达200MHz的参考时钟频率• +3.0V至+3.6V供电• 两路可编程输出• -4dBm至+5dBm• 模拟和数字锁定...
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2024/12/30 14:07:46
BQ40Z50-R2 器件采用已获专利的 Impedance Track™ 技术，是一个全集成、单芯片、基于电池组的解决方案，可为 1 节、2 节、3 节和 4 节串联锂离子和锂聚合物电池组提供电量监测、保护和认证等各种特性。BQ40Z50-R2 电子元器件利用其集成的高性能模拟外设，测量锂离子或锂聚合物电池的可用容量、电压、电流、温度和其他关键参数，保留准确的数据记录，并通过 SMBus v1.1 兼容接口将这些信息报告给系统主机控制器。规格参数输出电压:26 V输出电流:20 mA工作电源电压:2.2 V to 26 V容量:100 mAh to 29 Ah开发套件:BQ40Z50EVM-561最大工作温度:+ 85 C最小工作温度:- 40 C工作电源电流:336 uA单位重量:34 mg特性• 完全集成的 1 节、2 节、3 节和 4 节串联锂离子或锂聚合物电池组管理器和保护• 获得专利的新一代 Impedance Track™ 技术可准确测量锂离子和锂聚合物电池中的可用电量• 高侧 N 沟道保护 FET 驱动器• 充电或者静止状态时具有集成的电池平衡功能• 适合于 100mAh 和 29Ah 之间的电池• 全面的可编程保护功能• 电压• 电流• 温度• 充电终止时间• CHG/DSG FET• 模拟前端 (AFE)• 精密的充电算法• JEITA• 增强型充电• 自适应充电• 电池均衡• 支持涡轮模式 2.0• 支持电池跳闸点 (BTP)• 诊断使用寿命数据监控器和黑盒记录器• LED 显示屏• 支持双线制 SMBus v1.1 接口• 安全散列算法 (SHA-1) 认证• IATA 支持• 紧凑型封装：32 引线 QFN (RSM)应用• 平板电脑• 无人机• UPS/电池备用系统• 医疗设备• 手持式真空吸尘器和扫地机器人引脚图
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2024/12/30 14:01:13
AOZ1360是一种高压侧负载开关电子元器件，适用于需要电路保护的应用。该设备在5.5V至28V的电源电压下运行。内部限流电路保护输入电源电压免受大电流负载的影响。电流限制可以用外部电阻器设置。AOZ1360提供热保护功能，限制过度功耗。该设备采用内部软启动电路来控制与热插拔事件相关的高电容性负载引起的涌入电流。它具有220μA的低静态电流，关机时电源电流降至1uA以下。AOZ1360提供SO-8或DFN-10 4 mm x4 mm封装，可在a-40C至+85 C的温度范围内运行。特性35mΩ最大导通电阻可编程电流限制5.5V至28V工作输入电压低静态电流欠压锁定热关断保护2.5kV ESD额定值提供SO-8或DFN-10封装应用笔记本电脑热插拔电源引脚图
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2024/12/30 13:56:46