AD9656是一款4通道、16位、125 MSPS模数转换器(ADC)电子元器件，内置片内采样保持电路，专门针对低成本、低功耗、小尺寸和易用性而设计。该产品的转换速率最高可达125 MSPS，具有杰出的动态性能与低功耗特性，适合比较重视小封装尺寸的应用。 该ADC要求采用1.8 V单电源供电以及LVPECL/CMOS/LVDS兼容型采样速率时钟信号，以便充分发挥其工作性能。无需外部基准电压源或驱动器件即可满足许多应用需求。它还支持独立关断各通道；禁用所有通道时，典型功耗低于2 mW。该ADC内置多种功能特性，可使器件的灵活性达到较佳、系统成本较低，例如可编程输出时钟与数据对准、生成数字测试码等。可获得的数字测试码包括内置固定码和伪随机码，以及通过串行端口接口(SPI)输入的用户自定义测试码。AD9656采用符合RoHS标准的56引脚LFCSP封装。规格参数分辨率:16 bit通道数量:4 Channel接口类型:SPI采样比:125 MS/s模拟电源电压:1.8 V数字电源电压:1.8 VSNR – 信噪比:80.1 dBFS最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C工作电源电压:1.8 V产品类型:ADCs - Analog to Digital Converters参考类型:Internal参考电压:1.4 V电源电压-最大:1.8 V电源电压-最小:1.8 V单位重量:226.645 g点击购买：AD9656BCPZ-125特性• 信噪比(SNR)：79.9 dBFS（16 MHz，VREF = 1.4 V）• 信噪比(SNR)：78.1 dBFS（64 MHz，VREF = 1.4 V）• 无杂散动态范围(SFDR)：86 dBc（至奈奎斯特频率，VREF= 1.4 V）• JESD204B Subclass 1编码串行数字输出• 灵活的模拟输入范围：2....
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2024/12/30 13:44:40
HMC1031MS8E、外部环路滤波器和VCXO形成完整的时钟发生器解决方案，适用于低频抖动清除器和参考时钟产生应用。HMC1031MS8E集成了支持1/5/10分频比的低功率整数N分频器，它通过外部硬件引脚控制，无需串行端口。集成鉴相器和电荷泵的工作频率高达140 MHz，最大VCXO输入为500 MHz，确保符合各种系统时钟和VCXO频率要求。其它功能包括专用硬件引脚上集成锁定检测指示器及内置省电模式。HMC1031MS8E采用8引脚MS8E SMT封装。规格参数输出端数量:1 Output最大输出频率:500 MHz最大输入频率:500 MHz封装 / 箱体:MSOP-8占空比 - 最大:60 %工作电源电流:1.95 mA最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C工作电源电压:3.3 V输出类型:CMOS单位重量:140 mg点击购买：HMC1031MS8E特性• 低功耗： 195 mA（典型值）• 高鉴频鉴相器速率： 140 MHz• 硬件引脚可编程时钟倍频系数： x1/ x5/ x10• 锁定检测指示器• 省电模式：0.8 µA（典型值）• 8引脚MSOP封装： 4.9 mm × 3.0 mm应用• 低抖动时钟发生• 低带宽抖动衰减• 低频PLL• 频率转换• OCXO频率乘法器• 10MHz设备锁相、干净高频参考引脚图
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2024/12/30 13:37:30
HMC838LP6CE是一款全功能小数N分频锁相环(PLL)频率合成器，集成压控振荡器(VCO)。 频率合成器由带有三频段输出的集成式低噪声VCO、用于低压VCO调谐的自动校准子系统、极低噪声数字相位检波器(PD)、精密控制电荷泵、低噪声参考路径分频器和小数分频器组成。小数分频频率合成器采用高级Σ-Δ型调制器设计，支持超精细步长和低杂散产物。 相位检波器(PD)采用防周跳(CSP)技术，具有更快的跳频时间。 超低近载波相位噪声和低杂散特性还实现了更宽的环路带宽，从而具有更快的跳频和低微音特性。规格参数电路数量:1 Circuit最大输入频率:3.78 GHz最小输入频率:795 MHz电源电压-最大:5.2 V电源电压-最小:3 V最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C工作电源电流:88 mA工作电源电压:3.3 V, 5 V单位重量:117.300 mg特性• RF带宽： 795 – 945，1590 – 1890，3180 - 3780 MHz• 小数或整数模式• 19位预分频器• 超低相位噪声：-111 dBc/Hz（带内典型值）• 品质因数(FOM)：-230 dBc（整数）• 24位步长，3 Hz分辨率（典型值）• 200 MHz、14位参考路径输入• 防周跳• 40引脚6x6mm SMT封装： 36mm²应用• 蜂窝/4G基础设施• 中继器和毫微微蜂窝• 通信测试设备• 有线电视设备• 相控阵应用• 替代DDS• 极高数据速率无线电引脚图
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2024/12/30 13:32:22
艾诺半导体的ezSiP(System in Package)降压电源模块EZ8828和EZ8836，该系列产品支持单颗最高42V(EZ8836)的输入电压，最大16A(EZ8828)输出电流，同时也可采用多颗EZ8828/EZ8836并联来提升功率等级。适用于测试机、医疗设备、通信基站等领域中使用24V总线供电的较大功率工业应用场景，同时也标志着艾诺半导体对工业、医疗等领域应用的持续拓展和深耕。选择合适的艾诺电源模块可以有效满足有设计时间和空间限制难题的工程师需求，为他们提供高效、可靠的电源管理解决方案。01 EZ8828/EZ8836产品特点· 输入电压范围：4.5 to 32V(EZ8828) 4.5 to 42V(EZ8836)· 输出电压范围：0.6 to 14V(EZ8828) 0.6 to 18V (EZ8836)· 输出电流：双路6A单路并联12A(EZ8836) 双路8A单路并联16A(EZ8828) · 支持I²C数字通信· ±1.2%最大总直流输出精度· 支持差分远端采样· 支持多相均流· 频率可调250kHz~750 kHz· 输出过流、过压保护· 输出过温保护· 额定工作温度范围：-40℃~125℃· 80-Lead 10mm×12.5mm×5.01mm BGA封装02 效率优秀，可靠性高凭借集成技术与卓越的封装工艺，艾诺半导体EZ8826和EZ8836的峰值效率能够达到 96%以上。同时，其特殊的封装材料与形式，一方面有效减小了整体方案的尺寸，另一方面还起到了均匀温升的作用，进而提高了整体的效率和可靠性。不同输入输出电压下的效率数据可参考下图2和...
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2024/12/30 13:21:19
美国柏恩 Bourns 全新扩展其产品线，推出符合 AEC-Q200 标准车规级 HVMA03F40C-ST10S 反激式变压器。该系列专为在紧凑尺寸中实现高功率密度与更高效率而设计，Bourns 持续推出具备更高能力的高隔离反激式及栅极驱动变压器系列产品，以因应当今汽车、工业以及能源储存设计对于功率密度的不断增长需求。Bourns® HVMA 型号变压器的多项特性使其成为电动车、晶体管栅极驱动、高压电池管理系统，以及混合动力车辆中跨电压系统隔离供电的理想解决方案。此外，该系列亦能有效支持宽带隙设计中使用的高频碳化硅 (SiC)、绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 和氮化镓 (GaN) 开关组件。Bourns 在开发微型化磁性结构方面具备成熟的设计技术。此款最新变压器符合 IEC 标准的隔离与高电气间隙/爬电距离要求，并采用尖端的机械与电气设计，有助于提升系统性能与安全性。Bourns® HVMA03F40C-ST10S 提供 10 毫米爬电距离的表贴式封装，设计人员可在现有平台上利用其支持高达 900 V 的工作电压，或简化新平台的设计。此外，此款 3 瓦反激式变压器支援 100 kHz 至 400 kHz 的开关频率范围，以及 -40 °C 至 +155 °C 的工作温度范围。全新 Bourns® HVMA03F4A-LP8S 系列反激式变压器现已上市，符合 RoHS* 标准和 REACH** 规范。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/12/30 13:18:47
12月26日，市调机构Counterpoint Research在报告中指出，自折叠屏智能手机市场诞生以来，中国市场经历了快速增长，但目前增速有所放缓。预计2024年中国折叠屏手机出货量将达到910万部，同比增长2%。Counterpoint Research表示，在折叠屏手机类别中，大折叠手机的表现优于小折叠手机，这主要得益于大折叠手机提供了更广泛的使用场景。受此趋势影响，OPPO和vivo今年相继停止了小折叠手机的生产。然而，与上面的趋势相反，小米在7月推出了其首款小折叠手机Mix Flip，市场反响热烈。Counterpoint Research认为，尽管中国的折叠屏手机市场增速放缓，但在饱和的智能手机市场中，折叠屏手机市场仍是一个亮点。为了吸引更多消费者并推动更广泛的普及，创新且更具吸引力的使用场景将变得至关重要。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版问题，请联系小编进行处理。
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2024/12/30 13:14:38
随着尖端代工厂2025年开始使用2nm工艺节点量产芯片，半导体领域正在上演一场激烈的竞争。这恰逢3nm量产的第三年。首批搭载3nm芯片的智能手机是苹果iPhone 15 Pro和iPhone 15 Pro Max，这两款手机都配备基于台积电第一代3nm节点（N3B）构建的A17 Pro应用处理（AP）。台积电第二代3nm节点（N3E）用于制造iPhone 16系列所用的A18和A18 Pro AP。尽管早前有传言称台积电将使用其2nm节点制造A19系列AP，但明年的iPhone 17系列芯片将采用台积电第三代3nm工艺（N3P）制造。苹果可能希望等到2026年的iPhone 18系列才使用2nm节点制造其A20和A20 Pro AP，以节省费用。使用新工艺节点制造芯片所用的硅片价格通常在该节点使用的第一年更高。全球最大的晶圆代工厂台积电已经在2nm上已有足够的客户。除了其最大客户苹果已全部签约2026年的2nm产能外，台积电的客户如HPC（高性能计算）制造商、人工智能（AI）、芯片制造商和移动芯片制造商也都参与其中。这使得台积电在2nm订单方面领先于英特尔和三星代工厂。除了苹果，其他表示希望搭上购买台积电2nm产能的知名公司包括AMD、英伟达、联发科和高通。过去几年，三星代工厂在4nm、3nm和2nm的良率方面一直存在问题。三星代工厂在为高通生产骁龙8 Gen1时，4nm良率非常糟糕，以至于后来高通放弃三星代工，转而选择台积电。台积电制造了骁龙8+ Gen 1 AP。最终，三星代工厂将4nm 良率提高到70%。然而，三星代工厂在3nm方面仍然存在良率问题，据报道，这导致3nm Exynos 2500 AP的生产延迟。因此，三星可能不得不支付额外的资金，为所有Galaxy S25系列手机配备更昂贵的骁龙8 Elite SoC，而不是其内部的Exynos 2500。低良率会增加...
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2024/12/30 13:13:40
据Counterpoint研究团队表示，2023年第二季2024年第三季，全球智能型手机AP(Application Processor)/SoC芯片市场呈现多元变化，若依各主要芯片供货商今年第三季表现来看，联发科以36%的市场份额居第一，其第三季的整体芯片出货量小幅成长，其中5G芯片组出货量稳定，而LTE芯片组则微幅增长。数据显示，高通市场份额为26%，受季节性因素影响，第三季芯片出货量呈减少，但三星Galaxy Z Flip 6与Fold 6系列将成为Snapdragon 8 Gen 3出货的主要成长动力，且最新推出的Snapdragon 8 Elite芯片，已与多家手机品牌厂商达成设计合作。苹果市场份额为18%，其第三季推出A18芯片组，带动出货量季增，最新i16基础版标配A18芯片，Pro版则搭载A18 Pro芯片，强化高阶市场竞争力。此外，紫光展锐的UNISOC市场份额为11%，第三季出货量呈减少，但凭借强大的LTE产品组合，仍在低阶市场(99美元以下)保持稳定市占率。三星Exynos芯片第三季出货量略有成长，其主要受惠于Galaxy S24 FE搭载Exynos 2400芯片，而Galaxy A55与A35机型的热销，进一步推动Exynos 1480与Exynos 1380的出货表现。Counterpoint表示，随着智能型手机市场逐步复苏，各大芯片厂商正积极调整产品组合与市场策略，以满足不同价位带的市场需求。从高阶产品的技术创新到低阶市场的深度布局，全球智能型手机芯片市场的竞争态势依然激烈。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/12/27 17:09:05
MAPS-010166是一款GaAs pHEMT 6位数字移相器电子元器件，采用4mm PQFN塑料表面贴装封装，集成CMOS驱动器。步长为5.6°，以5.6°的步长提供从0到360°的相移。该设计已经过优化，以最大限度地减少相移范围内的衰减变化。MAPS-010166非常适合在需要高相位精度和相移范围内最小损耗变化的情况下使用。4mm PQFN封装提供了比通常用于具有内部驱动器的数字移相器更小的占地面积。典型应用包括通信天线和相控阵雷达。规格参数最大输入频率:12 GHz最小输入频率:8 GHz最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C技术:GaAs封装 / 箱体:PQFN-24商标:MACOM安装风格:SMD/SMT工作电源电压:3 V to 5.5 V电源电压-最大:5.5 V电源电压-最小:3 V特性6位数字移相器360°覆盖，LSB=5.6°集成CMOS驱动器串行或并行控制低直流功耗相移范围内衰减变化最小50Ω阻抗无铅4mm 24导联PQFN封装符合RoHS*标准功能图
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2024/12/26 14:35:27
MADRCC0007是一款四通道驱动器电子元器件，用于将TTL控制输入转换为GaAs FET微波开关和衰减器的栅极控制电压。高速模拟CMOS技术用于在中高速下实现低功耗，包括大多数微波开关应用。输出高电平可选为0至+2.0V（相对于GND），以优化控制设备在低频下的互调产物。规格参数封装 / 箱体:SOIC-16电源电压-最小:4.5 V电源电压-最大:5.5 V最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C封装:Bulk商标:MACOM工作电源电流:1 mA工作电源电压:5 VPd-功率耗散:500 mW单位重量:666 mg特性·符合RoHS标准的SWD-119版本·260°C回流兼容·无卤素“绿色”模塑料·铜上镀100%哑光锡·低成本塑料SOIC-16包装·低功耗·正电压控制·高速CMOS技术·四通道应用·航空航天与国防·主义功能图
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2024/12/26 14:23:16
AD9914是一款带12 位DAC的直接数字频率合成器(DDS)。该电子元器件采用DDS技术，连同高速、高性能数模转换器，构成数字可编程的完整高频合成器，能够产生高达1.4 GHz的频率捷变模拟输出正弦波。Ad9914可实现快速跳频和精密调谐分辨率（64 位采用可编程模数模式）。这款器件还提供快速相位与幅度跳频功能。频率调谐和控制字通过串行或并行输入/输出端口载入AD9914。AD9914还支持用户定义的线性扫描工作模式，可生成频率、相位和幅度的线性扫描波形。它包含一个高速32位并行数据输入端口，支持极性调制方案的高数据率以及相位、频率和幅度调谐字的快速编程。规格参数分辨率:12 bit通道数量:1 Channel电源电压-最小:1.8 V电源电压-最大:3.3 V最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C高度:0.83 mm接口类型:Serial长度:12 mm转换器数量:1 ConverterDAC通道数量:1 DAC Channel宽度:12 mm单位重量:41.163 g特性• 3.5 GSPS内部时钟速度• 集成12位DAC• 频率调谐分辨率：190 pHz• 16位相位调谐分辨率• 12位幅度调整• 可编程模数• 自动线性和非线性频率扫描能力• 32位并行数据路径接口• 8种频率/相位偏移形式应用敏捷LO频率合成可编程时钟发生器用于雷达和扫描系统的调频啁啾源测试和测量设备声光设备驱动程序极化调制器快速跳频引脚图
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2024/12/26 14:13:50
HMC1122是一款6位数字衰减器电子元器件，工作频率范围为0.1 GHz至6 GHz，以0.5 dB步长提供31.5 dB的衰减控制范围。HMC1122采用硅工艺实现，提供超快速建立时间、低功耗和高ESD鲁棒性。该器件具有安全状态转换特性，并针对频率和温度范围内出色的步长精度和高线性度进行了优化。RF输入与输出为匹配元件。该设计为双向；因此，RF输入与输出可以互换。HMC1122采用3.3 V至5 V单电源供电，由于集成了片内稳压器，性能不会发生变化。该器件集成一个驱动器，支持对衰减器进行串行和并行控制。该器件还提供用户可选上电状态和串行输出端口，可级联其他串行控制元件。该器件采用符合RoHS标准的紧凑型4 mm × 4 mm LFCSP封装，与HMC624A引脚兼容。规格参数衰减:31.5 dB最大频率:6 GHz阻抗:50 Ohms位数:6 bit通道数量:1 Channel衰减器步长:0.5 dB最大工作温度:+ 85 C最小工作温度:- 40 C单位重量:1.842 g特性• 衰减范围：0.5 dB LSB步进至31.5 dB• 低插入损耗• 1.1 dB（1 GHz时）• 1.3 dB（2 GHz时）• 典型步进误差：小于±0.1 dB• 出色的衰减精度• 安全状态转换• 高线性度• 输入0.1dB压缩(P0.1dB)：30 dBm（典型值）• 输出三阶交调截点(IP3)：55 dBm（典型值）• RF建立时间（0.05 dB最终RF输出）：250 ns• 低相移误差：6° (1 GHz)• 单电源供电：3.3 V至5 V• ESD额定值：2级(2 kV HBM)• 24引脚、4mm× 4mm LFCSP封装：16mm2• 与HMC624A引脚兼容应用蜂窝基础设施微波无线电和甚小口径终端测试设备和传感器中频和射频设计引脚图
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2024/12/26 14:09:35
LTC®1050 是一款高性能、低成本零漂移运算放大器电子元器件。LTC1050 的独特成就是实现了其他斩波放大器通常在外部需要的两个采样及保持电容器的片内集成。而且，与其他带或不带内部采样及保持电容器的斩波器稳定型放大器相比，LTC1050 还可提供更好的整体 DC 和 AC 性能组合。LTC1050 具有 0.5μV 的失调电压、0.01μV/°C 的漂移、1.6μVP-P 的 DC 至 10Hz 输入噪声电压、和 160dB 的典型电压增益。4V/μs 转换速率和 2.5MHz 增益带宽乘积的实现仅需使用 1mA 的电源电流。从正和负饱和状态的过载恢复时间分别为 1.5ms 和 3ms，比采用外部电容器的斩波放大器加快了约 100 倍。引脚 5 是任选的外部时钟输入，适用于同步目的。LTC1050 采用标准的 8 引脚金属罐、塑料和陶瓷双列直插式封装以及 SO-8 封装。LTC1050 可以作为大多数标准运放的改进型插入式替代产品。规格参数通道数量:1 ChannelGBP-增益带宽产品:2.5 MHzSR - 转换速率 :4 V/usVos - 输入偏置电压 :500 nVIb - 输入偏流:10 pA电源电压-最大:18 V电源电压-最小:4.75 V工作电源电流:1 mA每个通道的输出电流:6 mACMRR - 共模抑制比:140 dB高度:1.75 mmIn—输入噪声电流密度:0.0018 pA/sqrt HzIos - 输入偏置电流 :20 pAPSRR - 电源抑制比:140 dB单位重量:3.415 g特性• 无需外部组件• 噪声指标经过测试并得到保证• 低混叠误差• 最大失调电压：5μV• 最大失调电压漂移：0.05μV/°C• 低噪声：1.6μVP-P (0.1Hz 至 10Hz)• 最小电压增益：130dB• 最小 P...
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2024/12/26 13:50:32
HMC526是一款紧凑型I/Q MMIC混频器电子元器件，可用作图像抑制混频器或单边带上变频器。该芯片采用两个标准的Hittite双平衡混频器单元和一个在GaAs MESFET工艺中制造的90度混频器。下面显示的所有数据都是在芯片安装在50欧姆测试夹具中时获得的，包括每个端口上直径为1密耳x长度为20密耳的键合线的影响。使用低频正交混合器产生100 MHz USB IF输出。该产品是混合式图像拒绝混合器和单侧带上变频器组件的较小替代品。规格参数射频:6 GHz to 10 GHz转换损失——最大:10 dB最大工作温度:+ 85 C最小工作温度:- 55 CPd-功率耗散:507 mW产品类型:RF Mixer特性宽中频带宽：DC-3.5 GHz图像抑制：40 dBLO到RF隔离：50 dB高输入IP3:+28 dBm模具尺寸：1.49 x 1.14 x 0.1毫米应用•点对点和点对多点无线电•VSAT•军事最终用途引脚图
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2024/12/26 13:44:03
AD9244是一款单芯片、14位、65 MSPS模数转换器（ADC）电子元器件，采用5 V单电源供电，内置一个片内高性能采样保持放大器和基准电压源。它采用多级差分流水线架构，内置输出纠错逻辑，在65 MSPS数据速率时可提供14位精度，并保证在整个工作温度范围内无失码。AD9244具有一个片上可编程基准电压源。也可以选用外部基准电压，以满足应用的直流精度与温度漂移要求。采用一个差分时钟输入来控制所有内部转换周期。数字输出数据格式为标准二进制或二进制补码。超量程（OTR）信号表示溢出状况，可由最高有效位来确定是下溢还是上溢。AD9244采用的CMOS工艺制造，提供48引脚表面贴装塑料封装（48-LQFP），额定温度范围为-40°C至+85°C工业温度范围。规格参数分辨率:14 bit通道数量:1 Channel采样比:65 MS/s输入类型:Differential结构:Pipeline模拟电源电压:5 V数字电源电压:2.7 V to 5.25 VSNR – 信噪比:74.8 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 CDNL - 微分非线性:+/- 1 LSB增益误差:+/- 2 %FSR高度:1.4 mmINL - 积分非线性:+/- 4 LSB输入电压:1 Vp-p/2 Vp-p长度:7 mmADC 输入端数量:1 Input转换器数量:1 Converter工作电源电压:5 VPd-功率耗散:640 mW电源电压-最大:5 V电源电压-最小:5 V宽度:7 mm单位重量:181.700 mg特性• 低功耗：- 590 mW（65 MSPS，Fin至Nyquist频率）- 340 mW（40 MSPS，Fin至Nyquist频率）• 片内基准电压源和采样保持• 750 MHz模拟输入带宽• 信噪比（SNR）：73 dBc（至Nyquis...
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2024/12/26 13:39:01
ADM485是一款差分线路收发器电子元器件，适用于多点总线传输线路的高速双向数据通信。它针对平衡数据传输而设计，符合EIA标准RS-485和RS-422。该器件内置一个差分线路驱动器和一个差分线路接收器，驱动器和接收器均可独立使能。禁用时，输出处于三态。 ADM485采用+5 V单电源供电。热关断电路可防止总线竞争或输出短路导致功耗过大。故障条件下，如果检测到内部驱动器电路的温度显著升高，此特性将强制驱动器输出进入高阻抗状态。一条总线上最多可以同时连接32个收发器，但任一时间只能使能一个驱动器。因此，其余禁用的驱动器不能向总线提供负载。为此，ADM485驱动器在禁用和关断时处于高输出阻抗状态。当收发器不用时，这可以使负载效应降至低点。在-7 V至+12 V的整个共模电压范围内，驱动器均可保持高阻抗输出。如果输入未连接（浮地），接收器所具有的故障安全特性将使输出保持逻辑高状态。ADM485采用BiCMOS工艺制造，这是一种将低功耗CMOS与快速开关双极性技术相结合的先进混合工艺技术。所有输入和输出均提供ESD保护；所有驱动器输出均有较高的源电流和吸电流能力。一个外延层用来防止闩锁。ADM485的开关速度极快。驱动器传播延迟极小，数据传输速率最高可达5 Mb/s，而低偏斜则使电磁辐射(EMI)降至低点。该器件的额定温度范围为商用和工业温度范围，提供8引脚DIL/SOIC封装。规格参数激励器数量:1 Driver接收机数量:1 Receiver数据速率:5 Mb/s电源电压-最大:5 V电源电压-最小:5 V最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C高度:3.43 mm长度:9.27 mm输入/输出端数量:1输入线路数量:10 at RS-422, 32 at RS-485输出线路数量:1工作电源电流:2.2 mA工作电源电压:5 V宽度:7.24 mm单位重量:1 g...
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2024/12/26 13:31:39
美国柏恩 Bourns 全球知名电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商，推出全新高效能、超紧凑型气体放电管 (GDT) 系列。Bourns® GDT21 系列为双电极组件，专为设计于节省空间的表贴式封装，可实现卓越的脉冲电压限制。此全新系列专为空间受限应用的需求而打造，并针对雷击和交流开关负载产生的感应电压提供更高效保护解决方案。Bourns® GDT21 系列采用紧凑的 EIA 1206 封装，具备业界领先的浪涌保护能力，确保在严苛环境中提供稳定可靠的性能。该系列的电压限制功能和快速响应时间，有助于在快速上升的瞬变事件中减少对下游组件的应力。此外，GDT21 系列拥有广泛的工作温度范围 (-40 °C 至 +105 °C) 和电压范围 (150 V 至 600 V)。低电容特性可最大限度降低插入损耗，非常适合在通讯系统中维护信号完整性。同时，该系列可用于工业控制、机顶盒、HVAC 系统、天线等多种设计需求。Bourns 气体放电管与浪涌保护产品线经理 David Chavarría 表示：「全新推出的 GDT21 系列充分展现了我们在微型化高效能电路保护产品领域的不懈努力。透过与客户的紧密合作，Bourns 持续响应应用需求的不断变化，提供卓越的浪涌处理能力、高可靠性和空间高效的解决方案。我很高兴地宣布，Bourns 全新 GDT21 系列成功满足了这些严苛要求。」免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/12/26 13:22:32
近期英伟达GB200AI服务器出货递延杂音四起，英伟达CEO接受外媒专访时辟谣，表示「GB200正满载生产、进展顺利」，并大赞最新Blackwell平台服务器在推理过程中兼顾高效和节能之余，效能更大增30倍。英伟达CEO直言，「愈来愈多公司争相建置AI能量，三个月的时间差可能就会改变游戏规则。」 业内指出，英伟达出面辟谣，并对Blackwell平台服务器「超强效能」信心喊话，有稳定军心味道，也为鸿海、广达、纬创、英业达等GB200 AI服务器代工厂出货提供信心。鸿海、广达等首批出货GB200 AI服务器的代工厂先前均透露，将于年底前小量出货，明年第1季放量。如今英伟达出面稳军心，代工厂大量认列GB200 AI服务器机柜出货实质营收贡献，可望如先前预期推进。广达指出，高频、高算力服务器产品在验证过程中，从前段芯片组良率到后段装机测试等，一定会出现各式各样问题，供应链势必会一层一层解决，确保量产良率。英伟达Blackwell平台AI芯片正陆续交付，「最强AI芯片」GB200服务器出货放量在即，市场对出货进度关注节节升温。研调机构集邦科技（TrendForce）示警，由于高速互通介面、热设计功耗（TDP）等关键零组件设计规格明显高于主流，供应链需要更多时间调校优化，AI服务器机柜放量出货时程恐递延至明年第2季甚至第3季，比业界预期晚一季到半年。英伟达CEO受访透露Blackwell平台AI芯片出货进展顺利，也点出其超强效能。黄仁勋表示，过去通常需花费数月处理训练模型所需数据，接着再训练模型，透过Blackwell可提升训练模型效率，将时间压缩至原先三分之一到四分之一，假如原先需要六个月，现在仅需耗时一个半月左右。谈及Blackwell推理能力，英伟达指出，推理过程遵循的不是零样本学习或单样本学习，而是长期思考模式，本质上是AI先在脑海中构思各种不同解法，再用更多算力，提...
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2024/12/26 13:19:01