YSF-322+是小型电路系统级封装中的高级放大器模块。该模块完全匹配50Ω 输入/输出阻抗，内置输入和输出直流阻断电容器。它被封装在一个5 x 6毫米的MCLP塑料包装中。YSF-322+采用E-PHEMT*技术，使其能够在单个正电源电压下工作。特性•匹配的50欧姆表面贴装放大器•高增益，典型值为20 dB。2 GHz•典型值高达+20 dBm。2 GHz输出功率•高IP3，2 GHz时为+35 dBm•低噪声系数，典型值为2.8 dB。2 GHz•高指向性，30dB隔离•内部输入和输出直流模块•单独的直流端子应用•蜂窝•便携式无线•接收器和发射器•雷达•GSM•WiMax•仪器仪表
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2025/5/13 15:14:09
Mini-Circuits的RMK-5-13+倍频器提供5的乘法因子，将150至200 MHz的输入频率转换为750至1000 MHz的输出频率，支持合成器、本地振荡器、卫星上下变频器等应用。该单元支持+17 dBm的信号输入功率，转换损耗为21.2 dB，谐波抑制效果非常好。乘法器采用微型表面贴装封装（0.25 x 0.31 x 0.16英寸），非常适合密集的电路板布局。特性•低转换损耗，典型值21.2 dB。•出色的相邻谐波抑制，F4，典型值63 dBc。F6，68 dBc典型值•可水洗应用•合成器•本地振荡器•卫星上下变频器
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2025/5/13 15:06:55
M3SWA-2-50DRA+是一款具有集成CMOS驱动器的高隔离度快速开关吸收型SPDT开关，在消耗50µa典型电流的同时，以单正电源电压运行。它专为宽带操作而设计。它采用3.25mm x 3.25mm的小型8引脚封装，可通过250V的ESD（HBM）。特性•高隔离度，1 GHz时为52 dB•插入损耗低，典型值为0.8 dB。1 GHz•电源电流消耗低，典型值为50µA。•快速上升/下降时间，典型值为16ns。应用•防御•通信基础设施•测试和测量
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2025/5/13 14:56:58
Mini-Circuits的CY2-44+是一款超宽带MMIC倍频器，可将6.2至20 GHz的输入频率转换为12.4至40 GHz的输出频率。其宽输出范围使该型号适用于宽带系统以及各种窄带应用。该乘法器采用GaAs HBT技术，采用3 x 3 x 0.89mm微型MCLP封装，具有出色的可重复性、低电感和良好的热效率。特性宽带，输出12.4至40 GHz转换损耗低，典型值为14dB。良好的基波和谐波抑制，F1，典型值为26 dBc。；F3，典型值为34 dBc。；F4，典型值为18 dBc。微型尺寸3 x 3 x 0.89mm可水洗应用合成器本地振荡器5G
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2025/5/13 14:52:54
HXG-122+（符合RoHS标准）是微型电路系统级封装（MSiP）中的高级放大器模块，其中包括内部匹配网络，可提供极高的动态范围模块。它被封装在6.4mm x 7.0mm x 2.4mm的陶瓷封装中。特性•超高IP3，典型值+47 dBm。•增益，典型值15.3 dB。900 MHz•高Pout，典型值为P1dB+23dBm。900 MHz•低噪声系数，900 MHz时为2.2 dB•内部匹配，优化IP3性能•不需要外部匹配组件应用•LTE•基站基础设施•便携式无线
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2025/5/13 14:20:00
DAT-15R5A-SP+为50Ω 数字步进衰减器，以0.5dB的步长提供0至15.5dB的可调衰减。该控件是一个5位串行接口，使用单个（正）电源电压运行。DAT15R5A-SP+采用独特的硅基CMOS工艺生产，具有GaAs的性能和传统CMOS器件的优点。特性•对闭锁免疫•精度极高，典型值为0.1 dB•串行控制接口•低插入损耗•高IP3，+52 dBm典型值•直流功耗极低•出色的回波损耗，典型值为20 dB•小尺寸4.0 x 4.0毫米应用•基站基础设施•便携式无线•有线电视和数字广播•MMDS和无线局域网•无线本地环路•UNII和Hiper局域网•功率放大器失真消除回路
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2025/5/13 14:17:28
MERA-556+是一款双匹配宽带放大器，提供高动态范围。它具有可重复的性能。它被封装在一个6.0 x 4.9毫米的MCLP塑料包装中。MERA-556+采用达林顿配置，并采用InGaP HBT技术制造。整个装置（A1和A2）在85°C外壳温度下的预期MTBF为420年。特性•一个封装中有两个匹配的50欧姆放大器•InGaP HBT中频和射频放大器•频率范围DC至2.2 GHz•高增益，典型值20.5 dB。0.1 GHz•在50-1000MHz下具有非常好的平坦度响应•典型值高达+18 dBm。输出功率为0.1 GHz•高IP3，0.1 GHz时为+35 dBm•低噪声系数，典型值为3.5 dB。•低热阻•瞬态保护•可用作平衡放大器和推挽放大器应用•蜂窝•有线电视•超高频/甚高频通信•接收器和发射器•FTTH
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2025/5/13 14:09:18
意法半导体推出革命性车规级栅极驱动器STGAP4S，为电动汽车电驱系统提供全维度升级方案。 该器件突破性实现SiC MOSFET与IGBT的跨平台兼容，单颗驱动器即可覆盖从50kW到300kW的逆变器功率范围，使电驱系统设计无需因功率器件迭代而重构硬件。STGAP4S集成可配置的短路保护、过流预警及退磁检测功能，配合内置的自检诊断模块，形成符合ISO 26262 ASIL D级要求的完整安全链。STGAP4S的设计灵活性归功于输出电路，该电路允许将高压功率级连接到外部MOSFET的推挽式缓冲电路，以调整栅极电流。这种架构让工程师能够利用STGAP4S及其丰富的功能来控制不同额定功率的逆变器，包括多个功率开关管并联的高功率设计。该驱动器仅用非常小的MOSFET，就可以产生高达几十安的栅极驱动电流，并能够处理高达1200V的电压。在驱动器的重要功能中，诊断功能有助于对安全要求严苛的应用达到系统安全完整性标准ISO 26262 D级 (ASIL-D) 认证。自检功能可以验证连接的完整性、栅极驱动电压和去饱和以及过流检测等内部电路是否正常工作。主控制器通过芯片的SPI端口读取诊断状态寄存器内的数据。此外，两个硬件诊断引脚也可以提供故障状态信号。STGAP4S具有主动米勒箝位、欠压和过压锁定 (UVLO、OVLO) 以及去饱和、过电流和过热检测等保护功能，实现稳健可靠的设计，满足严格的可靠性要求。该产品具有很高的设计灵活性，准许设计人员通过SPI端口配置一些参数，包括保护阈值、死区时间、去毛刺滤波。STAGP4S还集成了一个带全面保护功能的反激电源控制器，为高压侧电路供电以生成正负栅极驱动电压，提高SiC MOSFET的开关速度和能效。高压侧和低压侧电路之间有6.4kV的电隔离能力。EVALSTGAP4S评估板现已上市，板载两个STGAP4S驱动器，帮助设计人员在半桥应用中评估驱动器...
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2025/5/13 13:55:00
日前，威世科技最新研发的ISOA200系列功率电阻器在封装技术领域实现重大突破。通过创新采用SOT-227薄型封装结构，该器件在保持紧凑外形的同时，实现了200W的持续功率耗散能力。其核心创新在于采用裸露铝基板替代传统金属片，配合相变热界面材料，使热阻降低，在80℃工况下仍可保持高脉冲处理能力和高达200W的高功率的稳定输出。产品功能：功率密度：200W@80℃（同类产品平均150W）脉冲承受：140J/0.1s（通过1000次循环验证）安全认证：AEC-Q200/AEC-Q200-003智能监测：可选集成NTC热敏电阻（±1%精度）阻值范围：10Ω-1MΩ（支持双电阻配置）环境耐受：-55℃~+150℃宽温域运行行业价值：该产品有效解决了新能源汽车电控系统面临的三大痛点：1）预充电回路空间限制；2）频繁脉冲工况下的可靠性；3）系统温度监测的集成需求。实测数据显示，在800V电池系统中，采用ISOA200可使预充电模块体积缩小35%，同时提升能量回收效率12%。技术难题攻克：研发团队突破了三大技术瓶颈：1）陶瓷基板与铝散热体的异质材料焊接工艺；2）多脉冲循环下的材料疲劳控制；3）NTC传感器与功率体的电磁兼容设计。通过梯度式散热结构设计，成功将瞬时温升控制在150℃/s以内。应用场景与市场前景：主要应用于：1）电动汽车OBC/DCDC模块 2）光伏逆变器缓冲电路 3）航空电源管理系统。据MarketsandMarkets预测，2025年全球车用功率电阻市场规模将达28亿美元，其中满足AEC-Q200标准的高密度产品年复合增长率达19.7%。未来展望：威世科技透露，下一代产品将实现：1）300W功率密度 2）集成电流检测功能 3）无线温度监控模块。同时正在开发基于GaN材料的超高频版本，预计可将开关损耗再降低25%。结语：ISOA200的推出标志着功率器件向智能化、...
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2025/5/13 13:50:09
金升阳推出的FC-L15HB是AC砖类电源配套使用的EMC辅助器。将FC-L15HB加装在金升阳AC/DC砖类电源的前端，可以提高电源产品IEC/EN61000—4系列及CISPR32/EN55032标准的EMC性能。一、产品介绍金升阳推出的FC-L15HB是为AC砖类电源配套使用的EMC辅助器。将FC-L15HB加装在金升阳AC/DC砖类电源的前端，可以提高电源产品IEC/EN61000—4系列及CISPR32/EN55032标准的EMC性能。二、产品优势1、高共差模插入损耗① DM&CM＞60dB@550KHz：150K~1MHz＞35dB(CM/DM)1~10MHz以内＞25dB(CM/DM) 10~30MHz＞35dB(CM/DM)2、高浪涌抑制能力结合外围电路，满足浪涌抑制 线对线：±2KV； 线对地：±4KV3、EMI抑制效果4、符合安规标准FC-L15HB符合安规标准EN62368，具有CE认证三、产品应用场景将 FC-L15HB 加装在金升阳 AC/DC 砖类电源的前端，可以提高电源产品 IEC/EN61000-4 系列及 CISPR32/EN55032 标准的 EMC 性能。可广泛应用于工控、通信、服务器、仪器检测、车载船载机载系统等领域。四、产品特点• 高共差模抑制能力（DM&CM＞60dB@550KHz）• 高绝缘耐压2500VAC（L~PE, N~PE，漏电流• 高浪涌抑制能力（可抑制浪涌线对线：±2KV； 线对地：±4KV）• 宽范围工作电压（85~305VAC，120~430VDC）• 超薄超小体积（外观尺寸63*60*14.5mm，大致为半砖电源尺寸大小）• 符合安规标准EN62368/5000m免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有...
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2025/5/13 13:45:59
PMA3-43-1W+是一款GaAs MMIC功率放大器，工作频率为10至4000 MHz。放大器提供21dB的增益，+32.6dBm的饱和输出功率，并在单个+12V电源下工作时实现+37dBm的输出IP3。此外，它内部匹配50欧姆，采用3x3毫米12引脚QFN型封装。这些特性使其非常适合需要高工作输出功率的宽带测试仪器和防御系统，同时保持非常低的失真特性。特性典型高P1dB。+32.2 dBm典型高PSAT。+32.6 dBm典型低噪声系数。3.2分贝高OIP3，典型。+37 dBm单电源电压，+12V@190mA3x3 mm 12引线QFN型封装应用测试和测量设备雷达、电子战和电子对抗防御系统 5G Sub6，MIMO无线基础设施系统微波无线电和甚小口径终端
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2025/5/12 14:59:01
CBN系列秉承了Mini-Circuits对质量、一致性、性能和价值的承诺。在实现极端灵活性的设计目标的同时，CBN设计在很大程度上消除了抗弯性和回弹性。困难的路由挑战得到了极大的简化，同时保持了改进的衰减和无与伦比的射频稳定性。无论应用是工作台上的封装器件表征、电路级面包板、实验室或生产环境中的射频设备互连，还是存在空间限制的可交付产品，当极端灵活性和射频稳定性是首要考虑因素时，CBN都是正确的选择。CBN-XX-SMM+SMA公头到SMA公头电缆系列是连接各种系统中同轴组件和子组件的理想选择，包括测试和测量、仪器仪表等。这种柔性电缆提供了出色的相位和振幅稳定性以及灵活性。目前，这些电缆的长度为1至15英尺。特性宽带低损耗电介质卓越的相位和振幅稳定性非常灵活应用测试和测量高速数据系统仪器精密测量研发实验室和设备特性电路级面包板设备机架和堆叠互连紧凑和有限间距应用
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2025/5/12 14:51:46
AVA-17303+是一款GaAs MMIC中功率放大器，工作频率为17至31.5 GHz。该放大器在160 mA的+6 V电源下工作时，可提供典型的20.5 dB增益、+22.9 dBm P1dB和+33 dBm OIP3。此外，它内部匹配50Ω 并采用4x4毫米20引脚QFN型封装。这些特性使其非常适合作为点对点无线电和通信系统中的驱动放大器，这些系统需要高工作输出功率，同时保持低失真特性。特性典型高P1dB。+22.9 dBm高OIP3，典型。+33 dBm电源电压，160 mA时为+6 V4x4 mm 20引线QFN型封装应用测试和测量设备卫星通信雷达、电子战和电子对抗防御系统5G毫米波、MIMO无线基础设施系统微波无线电和甚小口径终端
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2025/5/12 14:43:51
AVA-17303-D+是一款GaAs MMIC中功率放大器，工作频率为17至31.5 GHz。该放大器在160 mA的+6 V电源下工作时，可提供典型的19.2 dB增益、+23.8 dBm P1dB和+36 dBm OIP3。该器件与50Ω相匹配，是一款适用于芯片和电线组件的芯片。这些特性使其非常适合作为点对点无线电和通信系统中的驱动放大器，这些系统需要高输出功率，同时保持低失真特性。特性典型高P1dB。+23.8 dBm高OIP3，典型。+36 dBm电源电压，160 mA时为+6 V应用测试和测量设备卫星通信雷达、电子战和电子对抗防御系统5G毫米波、MIMO无线基础设施系统微波无线电和甚小口径终端
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2025/5/12 14:38:36
PHA-1H+（符合RoHS标准）是一种使用E-PHEMT*技术制造的宽带放大器，在宽频率范围内提供极高的动态范围和低噪声系数。此外，与竞争对手的型号不同，PHA-1H＋在宽频范围内具有良好的输入和输出回波损耗，不需要外部匹配元件，并且表现出卓越的可靠性。它具有可重复的性能，并且封装在SOT-89封装中，具有非常好的热性能。特性超高IP3高磅，典型值为P1dB+22 dBm。2 GHz，+5V低噪声系数，2.2 dB@2 GHz，+5V可用于+4.0V宽带高动态范围，无需外部匹配组件可用作WJ AH1a、b的替代品适用于低相位噪声应用应用基站基础设施便携式无线有线电视和DBSMMDS和无线局域网LTE
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2025/5/12 14:30:45
SCP-4-1+是Mini-Circuits的一款合路器芯片，其工作频率最小1MHz，最大400MHz，最大1.5dB插入损耗，符合ROHS标准，8针。规格参数频率:1 MHz to 400 MHz带宽:399 MHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT封装 / 箱体:19.05 mm x 9.65 mm x 5.08 mm最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C系列:SCP封装:Reel封装:Cut Tape商标:Mini-Circuits介入损耗:1 dB安装:Board Mount特性•宽带，1至400 MHz•良好的隔离，典型值为26 dB。•出色的振幅不平衡，典型值为0.3 dB应用•VHF/UHF•接收器/发射器•通信系统•仪器仪表
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2025/5/12 14:18:38
边缘人工智能正推动集成度与功耗的持续增长，工业自动化和数据中心应用亟需先进的电源管理解决方案。Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）针对边缘人工智能应用对集成度与功耗的严苛需求，正式推出MCPF1412高密度电源模块。这款专为工业自动化和数据中心设计的12A高效全集成负载点电源模块，配备16V输入电压降压转换器，并全面支持I2C和PMBus®接口，为边缘AI设备提供的电源管理解决方案。MCPF1412电源模块旨在提供卓越性能与可靠性，确保高效电能转换并降低能量损耗。其紧凑型封装尺寸为5.8 mm × 4.9 mm × 1.6 mm，创新的焊盘网格阵列（LDA）封装相较传统分立方案，可将所需电路板空间缩减40%以上。这种小型化设计结合增强的可靠性，以及最小化的PCB开关与射频噪声，使MCPF1412成为行业领先的产品。Microchip负责模拟电源接口业务的副总裁Rudy Jaramillo表示：“MCPF1412与我们的FPGA和PCIe®解决方案高度兼容，旨在为Microchip客户提供完整的解决方案。结合其他Microchip器件使用时，该创新解决方案通过减少芯片布局，可显著节省空间。”MCPF1412M06是一款多功能器件，通过I2C和PMBus接口为配置与系统监控提供高度灵活性。此外，该模块支持无需数字接口的独立运行模式，设计人员可通过简单电阻分压器调整（resistor divider adjustments）轻松配置输出电压，并借助电源正常信号（Power Good）输出监控系统。MCPF1412的其他关键特性包括：过温、过流和过压保护等多重诊断功能，有效提升性能与可靠性；适用工作温度范围为结温（TJ） −40°C至+125°C；板载嵌入式EEPROM可用于编程默认上电配置。...
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2025/5/12 14:13:39
2025年5月7日 — 日前，威世科技（Vishay Intertechnology）近日宣布推出VEML4031X00，业界首款符合AEC-Q100汽车级认证的矩形环境光传感器。该器件集成环境光传感器（ALS）与高灵敏度红外（IR）光电二极管，采用4.38mm×1.45mm×0.6mm的超薄不透明表贴封装，宽度仅为前代产品的一半，尤其适用于无边框中控显示器等空间敏感型设计。日前发布的汽车级传感器的光谱灵敏度与人眼的光谱灵敏度相当，可实现高精度测量，同时，其红外通道允许区分光源。VEML4031X00的环境光探测范围为0 lx至172 000 lx，在日光条件下不会饱和，而其0.0026 lx/ct的高灵敏度使该器件能够放置在深色盖玻片后。VEML4031X00的工作温度范围为-40至+110 °C，可用于显示器背光控制、信息娱乐系统、后视镜调光、内部照明控制系统和平视显示器。在这些应用中，该款传感器支持易于使用的I²C总线通信接口，并提供了中断功能。VEML4031X00支持2.5 V至3.6 V的电源电压范围、1.7 V至3.6 V的I²C总线电压范围，关断电流典型值低至0.5 μA。这些器件符合RoHS标准，无卤素，并满足Vishay绿色标准，根据J-STD-020，其湿度敏感度2a级，车间存放时间为四周。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/5/12 14:00:29