定义AD9755 是一款双端口、复用输入、超高速度、单通道 14 位 CMOS 数模转换器（DAC）。它将一个高质量的 14 位 TxDAC+ 核心、电压基准和数字接口电路集成在一个小型 48 引脚 LQFP 封装中。AD9755 提供卓越的交流和直流性能，支持高达 300 MSPS 的更新速率。AD9755 被优化用于超高速度应用，最高可达 300 MSPS，适用于那些数据速率超过单数据接口端口 DAC 处理能力的情况。其数字接口包括两个缓冲锁存器及控制逻辑。这些锁存器可以通过多种方式以时分复用的方式驱动高速 DAC。该器件内置的锁相环（PLL）可以以两倍于外部时钟的速度驱动 DAC 锁存器，并能够将两个输入通道的数据交错输出，从而使得输出数据速率为输入通道的两倍。如果禁用 PLL，也可以提供一个外部 2 倍时钟信号，由内部进行二分频处理。时钟输入（CLK+/CLK–）支持差分或单端驱动，输入信号幅度可低至 1 V 峰峰值。该 DAC 采用分段式电流源架构，并结合专有的开关技术，以减少毛刺能量并最大化动态精度。差分电流输出支持单端或差分应用。每个差分输出可提供从 2 mA 到 20 mA 的可编程满量程电流。采用低成本 0.35 μm CMOS 工艺制造，工作电压范围为单电源 3.0 V 至 3.6 V，功耗为 155 mW。特征14位双多路复用端口DAC300 MSPS输出更新率出色的SFDR和IMD性能25 MHz输出下的SFDR到奈奎斯特：71 dB内部时钟倍增PLL差分或单端时钟输入片上1.2V参考电压单3.3V电源操作功耗：155 mW@3.3 V48导联LQFP应用通讯：LMDS、LMCS、MMDS基站数字合成QAM和OFDM
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2025/10/27 10:17:05
电流限制（Current Limit）当检测电阻 Rs（VIN 到 SENSE）两端的电压达到 55mV 时，电流限制阈值被触发。在电流限制状态下，GATE 引脚的电压被控制，以限制 MOSFET Q1 中的电流。当电流限制电路激活时，故障定时器也开始工作。如果在故障超时结束前，负载电流降至电流限制阈值以下，LM5069 将恢复正常工作。为确保正常工作，Rs 电阻的值不得超过 100mΩ。断路器（Circuit Breaker）如果负载电流迅速上升（例如负载短路），在电流限制控制环路响应之前，检测电阻 Rs 中的电流可能会超过电流限制阈值。如果电流超过电流限制阈值的两倍（即 105mV/Rs），Q1 将通过 GATE 引脚的 230mA 下拉电流迅速关闭，同时开始故障超时计时。当 Rs 两端电压降至 105mV 以下时，GATE 引脚的 230mA 下拉电流关闭，Q1 的栅极电压将由电流限制或功率限制功能决定。如果在电流限制或功率限制条件解除之前，TIMER 引脚电压达到 4V，Q1 将通过 GATE 引脚的 2mA 下拉电流关闭。功率限制（Power Limit）LM5069 的一个重要特性是 MOSFET 功率限制功能。该功能可用于将 MOSFET Q1 的最大功耗保持在其安全工作区（SOA）额定值内。LM5069 通过监测 Q1 的漏源电压（SENSE 到 OUT）和通过检测电阻（VIN 到 SENSE）的漏电流来计算其功耗。电流与电压的乘积将与通过 PWR 引脚电阻设定的功率限制阈值进行比较。如果功耗达到限制阈值，GATE 电压将被调节，以减少 Q1 中的电流。当功率限制电路激活时，故障定时器也开始工作。欠压锁定（UVLO）当输入电源电压（Vsys）处于可编程的欠压锁定（UVLO）和过压锁定（OVLO）设定范围内时，串联 MOSFET（Q1）被启用。通常，UVLO ...
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2025/10/27 10:09:44
定义TPS22995H-Q1 是一款单通道负载开关，包含 19mΩN 沟道 MOSFET，可在 0.8V 至 5.5V 的输入电压范围内运行，支持的连续电流上限为 3A。该开关由可与低压 GPIO 信号直接连接的开关输入(ON) 控制。TPS22995H-Q1 在开关关闭时具有快速输出放电功能，可将输出电压拉低至已知 0V 状态。此外，该器件还提供可调节上升功能，旨在限制具有高容性负载的浪涌电流。TPS22995H-Q1 的引脚可耐受高湿度条件，这意味着，无论哪个引脚与 GND 或电源之间发生 100kΩ 短路，该器件都能正常运行。时序引脚 (RT) 受高湿度影响时，预计时序保持在 +/-20% 范围内。TPS22995H-Q1 采用 2.8mm × 2.9mm 6 引脚 SOT 封装，间距为 0.5mm。该器件在自然通风环境下的额定运行温度范围为 –40°C 至 +125°C。特征• 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准：– 温度等级 1: – 40 ° C 至 125 ° C 、 T A• 输入电压范围 (VIN)：0.8V 至 5.5V• 偏置电压 (VBIAS): 1.5V 至 5.5V• 最大持续电流：3A• 导通电阻 (RON)：19mΩ（典型值）• 通过外部电阻器实现可调压摆率控制• 快速输出放电 (QOD)：100Ω（典型值）• 热关断• 耐湿引脚：– 100kΩ 接地短路– 100kΩ 电源短路• ON 引脚智能下拉电阻 (RPD,ON)：• – ON ≥ VIH (ION)：25nA（最大值）– ON ≤ VIL（RPD，ON）：500kΩ（典型值）• 低功耗：– 导通状态 (IQ)：10µA（典型值）– 关闭状态 (ISD)：0.1µA（典型值）应用• 信息娱乐系统• 仪表组•...
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2025/10/27 10:00:53
问：德州仪器OPA690运算放大器如何优化电阻值？答：由于 OPA690 是一个单位增益稳定的电压反馈运算放大器，因此可以使用较宽范围的电阻值作为反馈电阻和增益设定电阻。对这些值的主要限制来自于动态范围（噪声和失真）以及寄生电容的考虑。对于非反相单位增益跟随器应用，反馈连接必须使用一个 25Ω 的电阻，而不能直接短路。这样可以隔离反相输入端的电容与输出引脚之间的耦合，从而改善频率响应的平坦性。通常，在增益 G 1 的应用中，反馈电阻的值应保持在 200Ω 到 1.5kΩ 之间。低于 200Ω 时，反馈网络会对输出端造成额外负载，从而可能降低 OPA690 的谐波失真性能；高于 1.5kΩ 时，反馈电阻上典型的寄生电容（约 0.2pF）可能会在放大器响应中引入意外的带宽限制。一个实用的经验法则是：将 Rf 和 Rg 的并联组合（见图36）控制在约 300Ω 以内。该并联阻抗 Rf || Rg 会与反相输入端的电容相互作用，在反馈网络中引入一个额外的极点，从而在前向响应中形成一个零点。假设反相节点上的总寄生电容为 2pF，保持 Rf || Rg 单独来看，这一约束意味着在高增益情况下，反馈电阻 Rf 可以增大到几千欧姆。这是可以接受的，只要由 Rf 和其并联寄生电容所形成的极点频率保持在所关注频率范围之外即可。
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2025/10/27 9:57:37
由于 OPA690 是一款通用型宽带电压反馈运算放大器，设计者可以使用所有常见的运放应用电路。反相操作是较常见的需求之一，并且具有多项性能优势。图38展示了一个典型的反相配置，其中保留了图36中的输入/输出阻抗和信号增益，但以反相电路形式实现。在反相配置中，有三个关键设计注意事项：增益电阻（Rg）成为信号通道输入阻抗的一部分。如果希望实现输入阻抗匹配（在信号通过电缆、双绞线、长PCB走线或其他传输线导体传输时非常有利），可以将 Rg 设置为所需的终端阻抗值，并通过调整 Rf 来获得所需的增益。这是最简单的方法，能够实现最佳的带宽和噪声性能。然而，在较低反相增益下，所得到的反馈电阻值可能会对放大器输出构成显著负载。例如，对于反相增益为2的情况，若将 Rg 设置为50Ω以实现输入匹配，就不再需要 Rm，但需要选用100Ω的反馈电阻。这样做的一个有趣优势是，当源阻抗为50Ω时，噪声增益变为2——与前一节中考虑的非反相电路相同。然而，此时放大器输出端将看到100Ω的反馈电阻与外部负载并联。一般来说，反馈电阻应限制在200Ω至1.5kΩ之间。在这种情况下，更好的做法是如图38所示，增大 Rf 和 Rg 的值，然后通过一个接地的第三个电阻（Rm）来实现输入阻抗匹配。总的输入阻抗就是 Rg 和 Rm 的并联组合。第二个重要考虑因素，在前一段中已提及，是信号源阻抗会成为噪声增益公式的一部分，并影响带宽。对于图38中的示例，Rm 值与外部的50Ω源阻抗并联，形成一个等效驱动阻抗为：50Ω || 67Ω = 28.6Ω这个阻抗在与 Rg 串联后用于计算噪声增益（NG）。因此，图38中的最终噪声增益为2.8，而如果能像前面讨论的那样去掉 Rm，则噪声增益仅为2。因此，图38中增益为 ±2 的电路带宽略低于图36中增益为2的电路。第三个在反相放大器设计中的重要考虑因素，是设置非反相输入端...
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2025/10/27 9:51:49
用于电压反馈运算放大器的典型差分输入级通常设计为将固定偏置电流导向补偿电容，从而限制了可实现的最大压摆率。OPA690采用了一种新型输入级结构，将跨导元件置于两个输入缓冲器之间，利用它们的输出电流作为前向信号。图36展示了直流耦合、增益为2、双电源供电的电路配置，该配置用作±5V电源下的典型特性测试基础。为了测试目的，输入阻抗通过一个接地电阻设置为50Ω，输出阻抗则通过一个串联输出电阻设置为50Ω。规格中所报告的电压摆幅是直接在输入和输出引脚上测得的，而输出功率（以dBm为单位）则是在匹配的50Ω负载下测得的。对于图36中的电路，总的有效负载为100Ω并联804Ω。禁用控制引脚通常保持开路，以确保放大器正常工作。图36中还包括两个可选元件：一个是串联在非反相输入端的附加电阻（175Ω），与信号源向后看的25Ω直流源阻抗结合，构成一个输入偏置电流抵消电阻，使其与反相输入端所看到的200Ω源阻抗相匹配。除了常见的电源去耦电容接地外，还在两个电源引脚之间加入了一个0.1μF的电容。在实际印刷电路板（PCB）布局中，这个可选的附加电容通常可以将二次谐波失真性能改善3dB至6dB。图37展示了交流耦合、增益为2、单电源供电的电路配置，该配置用作5V电源下的典型特性测试基础。尽管OPA690不是轨到轨（rail-to-rail）设计，但与其他超宽带电压反馈运算放大器相比，它对输入和输出电压的余量要求非常小。在单5V供电下，它可以实现3Vpp的输出摆幅，并保持超过150MHz的带宽。宽带单电源操作的关键要求是保持输入和输出信号摆幅在输入端和输出端的可用电压范围内。图37中的电路通过一个简单的电阻分压器从5V电源建立输入中点偏置（两个698Ω电阻）。输入信号然后通过交流耦合方式接入这个中点电压偏置。输入电压可以在距离任一电源引脚1.5V的范围内摆动，从而提供一个以电源中点为中心、...
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2025/10/27 9:45:28
定义OPA690器件在单位增益稳定、电压反馈运算放大器方面迈出了重要一步。一种新的内部架构提供了以前仅在宽带电流反馈运算放大器中发现的转换速率和全功率带宽。新的输出级架构以最小的净空要求提供高电流。这些因素结合在一起，实现了单电源运行。使用单个5V电源，OPA690可以提供1V到4V的输出摆动，驱动电流超过150mA，带宽为150MHz。这种功能组合使OPA690成为理想的RGB线路驱动器或单电源模数转换器（ADC）输入驱动器。OPA690的5.5mA低电源电流在25°C时精确调整。这种微调以及低温漂移使最大电源电流低于竞争产品。使用可选的禁用控制引脚可以进一步降低系统功率。保持此禁用引脚打开或保持高电平，OPA690正常工作。如果拉低，OPA690电源电流降至100µA以下，同时输出进入高阻抗状态。此功能可用于节能。特征•灵活的供应范围：-5V至12V单电源–±2.5V至±5V双电源•单位增益稳定：500 MHz（G=1）•高输出电流：190mA•输出电压摆动：±4 V•高转换速率：1800 V/µs•低电源电流：5.5mA•低禁用电流：100µA•宽带5V操作：220 MHz（G=2）应用•视频线路驱动器•xDSL线路驱动器和接收器•高速成像通道•ADC缓冲器•便携式仪器•跨阻抗放大器•有源滤波器
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2025/10/27 9:39:38
去年11月，iQOO正式推出了iQOO Neo10系列，包括Neo10与Neo10 Pro两款机型，以“满血双芯战神”为定位，凭借卓越的性能表现，为用户带来流畅高效的使用体验。而近期，官方已正式宣布，新一代iQOO Neo11将于10月30日亮相，吸引了众多消费者的目光。随着发布日期的临近，官方也陆续揭晓了更多产品细节，尤其是外观配色方面的信息。根据iQOO最新发布的内容，全新iQOO Neo11将推出四款各具特色的配色，分别为“面对疾风”“像素方橙”“驰光白”与“疾影黑”。其中，“面对疾风”配色采用了行业首创的“霓虹”工艺，色彩层次经过十几次调试迭代，实现了光影流动般的视觉效果。细看之下，还能发现纹理中隐藏的旋风元素，整体极具辨识度。“像素方橙”则致敬了8-bit像素游戏文化，背盖上分布着78个橙色像素方块，随着光线变化仿佛唤醒了游戏开始的电子音效——Time to play，堪称游戏玩家的理想之选。“驰光白”版本选用缎面AG玻璃工艺，不仅触感细腻顺滑，还不易沾染指纹，兼顾美观与实用，体现出“简约却不简单”的设计理念。而“疾影黑”则采用了与旗舰机型相同的铠甲后盖材质，具备更轻薄、更耐冲击的特性，轻松应对日常使用中的磕碰。这是一款经典而不失质感的黑色，沉稳中透出强大气场。在其他配置方面，iQOO Neo11将配备一块2K分辨率直屏，支持144Hz高刷新率，并采用京东方Q10+发光材料，成为Neo系列迄今最出色的显示屏。屏幕出厂时即贴附AR增透消反保护膜，进一步提升视觉体验。性能方面，新机将搭载高通骁龙8至尊版移动平台，并内置7500mAh大容量电池，成为行业中少数同时具备2K屏与超大电池的性能旗舰。此外，iQOO Neo11还将支持超声波屏幕指纹识别，并预装全新的OriginOS 6操作系统。iQOO Neo11定于10月30日正式发布，届时将揭晓更多产品细节，值得期待。免...
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2025/10/27 9:32:18
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司，近期宣布推出针对工业与消费市场的OptiMOS™ 7功率MOSFET系列。该系列基于针对应用优化的设计理念，旨在应对各行业高功耗应用对功率密度、效率和可靠性的更高要求。新品进一步扩展了其现有的OptiMOS™ 7产品组合，为高性能开关与电机驱动等特定应用场景提供了更为理想的解决方案。基本特性OptiMOS™ 7 25 V：专为开关应用优化●场景导向：突破传统通用设计思路，专为中间总线转换器（IBC） 和开关模式电源（SMPS） 等开关应用量身定制。●技术分类：针对硬开关拓扑和软开关拓扑分别进行优化，提供出色的米勒比、性能指数（FOM）或超低的RDS(ON)45和FOMQg。●性能提升：相较于OptiMOS™ 5 25V，其RDS(ON)和FOM最多可降低20% 和提升25%。OptiMOS™ 7 40 V：专为电机驱动优化●性能增强：专为电机驱动设计，具备更低的RDS(on)、更强大的栅极特性和抗噪性能，其安全工作区（SOA）扩大了三倍。●稳定性提升：较低的跨导特性优化了电流分布，有助于减少电压过冲，提升在恶劣工况下的性能。●通用特性：该系列MOSFET通常具备极低的导通电阻、出色的开关性能和高可靠性。技术难点及应对方案●难点一：通用型MOSFET难以满足多样化的特定场景需求行业挑战：不同应用（如高频开关与电机驱动）对MOSFET的性能要求侧重点不同，通用方案往往无法在各场景下都达到最优。应对方案：英飞凌采用针对应用优化的设计思路，推出了分别针对开关应用和电机驱动进行专门优化的25V与40V产品线，从底层设计上契合特定场景的核心需求。●难点二：提升功率密度与系统效率存在瓶颈行业挑战：随着设备小型化和能效要求提高，如何在有限空间内实现更高功率输出和更低能耗是一大挑战。应对方案：OptiMOS™ 7通过降低RDS(ON)...
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2025/10/27 9:28:29
英飞凌科技近日推出DEEPCRAFT™ AI套件，这是一套涵盖软件、工具与解决方案的完整产品组合，旨在助力开发者将人工智能无缝集成至边缘设备中。该套件针对英飞凌PSOC™ Edge系列微控制器进行了深度优化，充分发挥其Arm® Cortex®-M55处理器与Ethos™-U55神经网络加速单元的效能，为从概念设计、模型开发到最终硬件部署的全流程提供支持，显著降低了边缘AI的应用门槛。基本特性●DEEPCRAFT™ AI Hub：提供超过50种开源模型、软件工具及行业案例，为AI开发各阶段提供资源和灵感。●DEEPCRAFT™ Studio：端到端开发平台，支持包括计算机视觉在内的多类模型开发与训练，并可免费适配英飞凌硬件。●DEEPCRAFT™ 模型转换器：支持PyTorch、TFLite和Keras等主流框架，优化模型以在PSOC™ Edge硬件上高效运行。●语音与音频解决方案：包含音频增强和语音助手功能，支持低至1mW功耗的全时监听，提升语音交互清晰度与响应能力。●高性能硬件基础：PSOC™ Edge MCU搭载Cortex-M85内核和专用NPU，提供高性能机器学习加速能力，并内置安全框架。技术难点及应对方案●难点一：边缘设备算力与能效平衡难行业挑战：边缘设备需实时处理数据，但传统MCU算力有限，高性能处理器又难以兼顾功耗。应对方案：PSOC™ Edge系列采用Arm Cortex-M55内核与Ethos-U55 NPU的组合，并通过DEEPCRAFT模型转换器对AI模型进行特定优化，在提升性能的同时有效控制功耗。●难点二：AI模型从开发到部署流程复杂行业挑战：将PC或服务器训练的模型部署到资源受限的边缘硬件，常面临兼容性和性能损失问题。应对方案：DEEPCRAFT Studio提供端到端平台，集成YOLO等模型，简化了高性能计算机视觉模型从训练到...
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2025/10/27 9:21:32
定义HMC973LP3E是一种吸收式电压可变衰减器（VVA），工作频率为0.5至6 GHz，在必须使用模拟直流控制信号来控制26 dB幅度范围内的射频信号电平的设计中非常理想。它具有由模拟电压Vctrl控制的分流型衰减器。与其他基于GaAs FET的VVA不同，HMC973LP3E在整个控制范围内表现出+35 dBm输入IP3的出色线性。HMC973LP3E是一种单向器件，当RF输入信号施加到RFIN封装引线时，可实现最佳线性性能。HMC973LP3E采用符合RoHS标准的3x3mm QFN无引线封装。特征出色的线性度：+35 dBm输入IP3宽衰减范围：26dB单正电压控制：0至+5V吸收拓扑16引脚3x3mm SMT封装：9mm²应用•点对点无线电•蜂窝/3G和WiMAX/4G基础设施•测试仪器•微波传感器•军事、ECM和雷达
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2025/10/24 10:30:22
定义：PE43610是pSemi一款50Ω、HaRP™技术增强型6位RF数字步进衰减器（DSA），支持9 kHz至13 GHz的宽频率范围。PE43610具有故障安全衰减状态转换功能，支持1.8V控制电压和可选的VSS_EXT旁路模式，以提高杂散性能，使该设备成为测试和测量、点对点通信系统和甚小孔径终端（VSAT）的理想选择。PE43610提供了一个集成的数字控制接口，支持衰减的串行可寻址和并行编程。PE43610的衰减范围为31.5 dB，步长为0.5 dB和1 dB。它能够在13 GHz内保持0.5 dB和1 dB的单调性。此外，如果射频端口上存在0 VDC，则不需要外部隔直电容器。特征•支持9 kHz至13 GHz的宽带•Glitch安全衰减状态转换•灵活的衰减步长为0.5 dB和1 dB，最高可达31.5 dB•+105°C工作温度•具有串行寻址能力的并行和串行编程接口•1 kV的高HBM ESD•封装：24引脚4×4mm LGA应用•测试和测量（T&M）•点对点通信系统•甚小口径终端（VSAT）
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2025/10/24 10:22:36
TI（德州仪器）SN74AHC595设备包含一个8位串行输入、并行输出移位寄存器，该寄存器为8位D型存储寄存器供电。存储寄存器具有并行的3态输出。为移位寄存器和存储寄存器提供单独的时钟。移位寄存器有一个直接覆盖清除（SRCLR）输入、一个串行（SER）输入和一个用于级联的串行输出。当输出启用（OE）输入为高时，除QH′外的所有输出都处于高阻抗状态。特征工作范围：2V至5.5V Vcc8位串行输入、并行输出移位根据JESD 78 II级标准，闭锁性能超过100毫安ESD保护超过JESD 22-2000-V人体模型（A114-A）-200-V机器型号（A115-A）-1000V充电设备型号（C101）应用网络交换机电力基础设施LED显示器服务器
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2025/10/24 10:18:41
定义VNA-28B+是Mini-Circuits一款提供高动态范围的宽带放大器。它采用8引脚5X6 mm MCLP封装，封装面积与SOIC-8引脚封装兼容。VNA-28B+采用PHEMT技术制造。它在RF-in和RF-OUT端口内置了直流块，并配有单独的直流焊盘，无需偏置三通。特征•2.8V和5V操作•无需外部偏置电路•射频输入和输出端的内部直流阻断•高指向性，典型值为16-23dB。•宽带，0.5至2.5 GHz•低噪声系数，典型值为3.0 dB。•输出功率，典型值高达+11.4 dBm。1.5 GHz•VNA-28A+的潜在替代品，见（AN-60-089）•成本低应用•缓冲放大器•蜂窝•PCN
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2025/10/24 10:13:52
Mini-Circuits的ZSW2-63DR+是50Ω 高功率SPDT RF开关专为自动测试设备应用而设计，覆盖5至6000 MHz的宽频范围，具有低插入损耗和高线性度。ZSW2-63DR+采用单引脚控制，在+2.3 V至+4.8 V的单一电源电压下运行。该开关装在坚固、紧凑的铝合金外壳（2.00 x 1.5 x 0.6英寸）中，射频端口有3个SMA-F连接器，还有一个用于直流电源和控制信号的9针D-sub连接器。特征•宽带，5至6000 MHz•高功率+36 dBm•高线性，IP3+73dBm@850兆赫•低损耗，高达6 GHz时为1.1 dB应用•实验室•仪器仪表•自动测试设备（ATE）•防御
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2025/10/24 10:08:52
瑞萨电子近日宣布推出两款新型微控制器（MCU）——RA8M2和RA8D2，进一步扩展了其RA8系列产品线。这两款MCU基于22纳米低功耗工艺，搭载了性能强大的1GHz Arm® Cortex®-M85处理器，并可选配250MHz的Arm® Cortex®-M33协处理器，形成了高效的双核架构。它们实现了高达7300 CoreMark的跑分，在嵌入式领域树立了新的性能标杆。RA8M2面向通用高性能计算场景，而RA8D2则专为图形显示和人机界面（HMI）应用优化，集成了丰富的高端图形外设。两款产品均采用了创新的嵌入式MRAM存储器，相比传统闪存，在数据读写速度、耐用性和功耗方面均有显著提升，为工业自动化、智能家居和物联网设备提供了强大的核心动力。基本特性●核心性能：采用1GHz主频的Arm® Cortex®-M85主核，支持Arm的Helium™技术，显著提升了数字信号处理（DSP）和机器学习（ML）任务的效率。可选配的250MHz Cortex®-M33协处理器能高效处理系统后台任务，实现智能功耗管理。●存储技术：内置1MB高速MRAM和2MB SRAM，提供了更快的数据写入速度和更高的耐用性。对于需要更大存储空间的应用，还提供了集成4MB或8MB外部闪存的SIP（系统级封装）选项。●图形与多媒体：特别是RA8D2型号，集成了支持1280×800分辨率的LCD控制器、2D图形绘制引擎，并提供了MIPI CSI-2和并行相机接口，能够高效处理视觉AI和复杂的图形渲染任务。●连接与安全：配备双千兆以太网接口、时间敏感网络（TSN）交换机、USB 2.0和CAN-FD等丰富的通信外设。在安全方面，搭载了RSIP-E50D加密引擎，支持安全启动和防篡改检测，为设备提供了高等级的安全保障。技术难点及应对方案...
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2025/10/24 9:36:59
Microchip无线解决方案业务部副总裁Rishi Vasuki表示：“PIC32-BZ6 MCU凭借其在单芯片方案中卓越的互联能力、高集成度与设计灵活性脱颖而出。目前市场上少有器件能够将如此丰富的功能整合于单一芯片中。我们已观察到众多用户正积极评估并使用该产品，借助其多协议无线能力、模拟特性和高I/O性能，高效开发更智能、更互联的设备。”随着智能设备射频设计复杂度的提升，传统无线方案通常需要多芯片组合以支持新功能，或频繁重新设计以适配更新的行业标准。PIC32-BZ6 MCU以单颗高度集成的芯片取代传统多芯片架构，有效解决了多协议有线与无线互联的复杂性。该MCU还集成了模拟外设以简化电机控制开发，具备触摸与图形处理功能以支持人机界面，并提供大容量存储，满足复杂应用、高工作负载及无线远程（OTA）固件更新的需求。PIC32-BZ6 MCU平台为智能家居、汽车互联、工业自动化及无线电机控制等应用提供简化的开发体验，其核心功能包括：高容量存储与可扩展封装：配备2 MB闪存与512 KB RAM，支持高性能应用与OTA更新；提供132引脚IC及模块化封装选项，未来将推出更多引脚与封装组合。多协议无线连接：符合蓝牙核心规范6.0，支持Thread、Matter等基于IEEE 802.15.4的协议，以及私有智能家居网状网络协议。灵活的设计与扩展能力：丰富的外设组合不仅支持无线连接与OTA升级，还涵盖以下方面：有线连接：集成两个CAN-FD端口（适用于汽车与工业通信）、10/100 Mbps以太网MAC及USB 2.0全速收发器，实现高速数据传输与PC集成。触摸与显示：内置电容分压式（CVD）触摸外设（最多18通道），助力高级用户界面开发。电机控制：集成12位ADC、7位DAC、模拟比较器、PWM和QEI等模拟外设，实现精确位置与速度控制。内置安全机制：提供ROM中不可篡改的安全启...
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2025/10/24 9:34:48
全球半导体行业正迎来一次重大技术升级，台积电的2nm制程已在本季度投入量产。这一工艺在性能和能效上实现了显著提升，但同时也伴随着高昂的成本。据报道，2nm晶圆的定价相比3nm高出至少50%，苹果首款采用该工艺的A20芯片成本可能因此达到280美元，这将使其成为iPhone中最昂贵的组件，并给明年的iPhone 18系列带来巨大的涨价压力。晶圆代工成本飙升，2nm工艺涨价至少50%台积电的2nm制程技术代表了半导体制造领域的一次重大飞跃，但其高昂的成本也引起了广泛关注。2nm晶圆定价高达每片3.3万美元，相较于去年300mm晶圆3万美元的预估价格，涨幅为10%。而对比3nm工艺，2nm的溢价幅度更为显著，价格高出超过50%。这一大幅涨价主要源于高昂的资本投入。2nm生产过程中需要使用造价昂贵的高数值孔径极紫外光微影设备，同时，台积电在美国等海外地区建设晶圆厂的成本也在上升。在定价策略上，台积电对2nm制程推行 "溢價聯盟"戰略，对所有客户实行统一定价，且不打折、不议价。这在台积电的历史上颇为罕见，反映了其在新技术上的强势定价权。A20芯片成本结构剧增，iPhone组件成本占比洗牌苹果A20芯片作为首款采用台积电2nm工艺的移动处理器，其成本结构发生了显著变化，将对iPhone的整体物料成本构成产生深远影响。A20芯片的预估成本高达280美元，这与前代芯片相比涨幅惊人。相较于A19芯片的150美元成本，A20的成本增幅高达约87%。这一变化使得芯片在iPhone成本结构中的地位发生了历史性转变。在2024年iPhone 16 Pro系列中，处理器的成本单价（135美元）首次超越面板（约110美元），成为整支手机成本最高的零组件，而A20芯片将进一步巩固这一趋势。芯片成本的飙升已经开始影响苹果的产品定价策略。苹果今年已提高了iPhone 17 Pro和iPho...
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2025/10/24 9:28:51