意法半导体正式推出 VL53L9小型一体化直接飞行时间 3D 激光雷达模块，为高分辨率空间测距市场树立了一个新的产品标杆。该模块在小巧高性价比的封装中集成尖端技术，输出图像数据可直接用于微控制器(MCU)和高性能传感器上的低算力边缘 AI 系统，适合机器人、工业自动化、智能楼宇、AR/VR、医疗健康等各种应用。ST的FlightSense™ VL53L9可适用于许多行业，包括：– 机器人：提高自主导航的小目标检测、SLAM(同步定位建图) 和避障能力-工业自动化：准确地测量料罐和料仓内物体体积，提升运营效率与库存管理水平– 智能楼宇与智能家居：提供可靠的人体存在检测和人数统计功能，同时在保护用户隐私– 增强/虚拟现实及消费电子：高级手势识别、人体追踪和手指骨骼追踪，改进沉浸式交互体验– 健康医疗：跌倒检测和状态监测方案，适用于养老看护与病患安全保护提升3D感知的准确度和能效VL53L9可以测量2268个区位（54×42），视场角更是达到 54°×42°，可以捕捉3D 深度图细节，精准识别小物体、轮廓和边缘。该模块采用意法半导体自研堆叠式BSI SPAD传感器技术，搭配创新的超表面透镜（MOE），能够快速准确地测量测距，测量范围 5 厘米至 9 米，准确度1%，帧率100 帧/秒。提供边缘AI直接可用数据，集成化设计简化系统集成VL53L9摒弃传统点扫描技术，采用双扫描泛光照明光源，可以减少运动图像的伪影畸变，消除探测盲区，提升小物体的检测准确度，同时拍摄二维红外图像与三维深度图像。VL53L9大幅简化了数据后处理工作，让低算力小微控制器能够高效运行各类边缘 AI 应用。这款一体化模块还集成dToF处理单元与专用电源管理芯片，出厂前无需任何调校，进一步降低集成难度、系统成本和复杂度。紧凑封装VL53L9 是 一个12.8mm ×...
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2026/6/23 16:32:34
ROHM推出新参考板“BD83070GWL-EVK-002”，使用该参考板可更大程度地评估高效率且超低消耗电流的电源IC“BD83070GWL”的特性。ROHM始终在推进满足市场需求的电源IC开发工作。在这过程中诞生的升降压电源IC “BD83070GWL”，此次，作为更适用于尖端应用的解决方案，ROHM新开发并开始提供实现了超小型安装面积“BD83070GWL参考板”。“BD83070GWL”是一款升降压DC-DC转换器IC，其开发目标是成为通过小型电池等供电的电子设备的“低功耗环保器件的标杆”，实现了高达97%的效率和2.8μA的超低静态电流。此次开发的参考板旨在实现小型电池供电设备所要求的“升降压电源最小安装面积”而设计,由“BD83070GWL”与线圈、电容器等共5个元器件组成，实现了12.87mm²（3.3×3.9mm）的超小型安装面积。因此，与采用普通升降压电源IC（包括内置线圈型）的配置相比，该参考板在安装面积方面具备显著优势。此外，作为参考设计，ROHM还公布了包括电路图案和物料清单（BOM）等在内的设计信息，这不仅便于客户评估使用，还能轻松扩展应用于客户的量产设计。＜应用示例＞・可穿戴设备（智能手表、智能戒指、生物感测设备等）・移动设备（AR/VR设备、智能手机等）・物联网设备（AI传感器节点、BLE设备、智能锁、小型无人机等）・小型电池供电设备（无线耳机、数字钥匙、电动牙刷等）免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/6/23 16:29:57
数据存储器的地址范围，指的是存储器中所有可用地址的起始地址到结束地址之间的范围。换句话说，它表示了一个计算机系统或存储器模块能够访问的所有存储单元的地址集合。每个存储单元都有一个唯一的地址，CPU通过这些地址来读写数据。例如，若一个存储器的地址范围是从0x0000到0xFFFF，则它能够访问的存储单元数量为地址总数的大小，即2的16次方个单元，也就是65536个地址单元。地址范围与存储器容量的关系存储器容量通常以字节（Byte）为单位衡量，而地址范围决定了系统可以定位和访问多少个存储单元。其计算关系为：存储器容量 = 地址范围的大小 × 每个存储单元的大小其中，“地址范围的大小”是指地址的总个数，即地址最高值减去地址最低值再加1。例如，对于一个8位地址线的存储器，地址范围是0到255（共256个地址），如果每个地址单元存储1字节，那么存储器容量就是256字节。地址范围的决定因素1. 地址线的数量存储器的地址线数量决定了地址范围的大小。地址线越多，能够表示的地址越多，存储空间越大。地址线为n根时，理论最大地址范围为0到2ⁿ - 1。2. 存储器的物理设计存储器芯片的设计决定了实际可用的地址范围，有时芯片会只使用部分地址线，或通过分段管理，划分不同的地址区域以满足系统需求。3. 系统架构与地址映射操作系统和处理器体系结构会对地址空间进行管理和划分，例如内存映射、虚拟地址空间等，这也影响了有效地址范围的使用。地址范围的作用和意义1. 指导存储容量设计设计者根据系统需求确定合理的地址范围，从而配备合适容量的存储器，既避免资源浪费，也满足性能需求。2. 确定存储地址的边界地址范围清晰定义了存储器的有效访问区间，防止系统访问非法地址，提高系统的稳定性和安全性。3. 支持地址译码和访问控制通过地址范围，可以实现对不同存储模块的地址译码，避免地址冲突，实现多存储器协同工作。4. ...
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2026/6/22 17:26:47
随机存取存储器，即RAM，是一种能够在任意时间内随机访问任何存储单元的存储器，与顺序访问存储器不同，RAM不需要按照固定顺序读取数据。它通常用来临时存储计算机正在运行的程序和数据，属于易失性存储器，即断电后数据会丢失。随机存取存储器的主要功能1. 临时数据存储RAM为CPU提供临时的数据存储空间，用于保存目前正在执行的程序指令和相关数据。因其高速读写特点，能够快速响应CPU的访问请求，确保系统运行的流畅性。2. 支持程序执行当程序启动时，程序代码和数据会被加载进RAM中，CPU直接从RAM读取指令执行。RAM的高速访问能力显著提高了程序运行效率，相较于从外部硬盘读取数据，RAM访问速度快了数百倍甚至更多。3. 数据缓存和缓冲RAM还用于存储输入输出设备的数据缓存，协调数据传输。比如在视频播放、游戏运行等场景，RAM缓存临时数据，避免因数据传输延迟导致性能瓶颈。4. 临时工作区RAM充当计算机系统中的临时工作区，为操作系统和应用程序提供足够的空间进行数据处理和运算。它支持多任务并行处理，提高系统资源的利用效率。随机存取存储器的作用1. 提升系统性能RAM的高速读写功能直接决定了计算机和电子设备的响应速度和处理能力。RAM容量越大，系统能够同时处理的任务越多，运行速度越快。2. 支持多任务处理现代操作系统依赖于RAM对多个程序进行有效管理，实现多任务并行运行。RAM为各个程序分配独立的存储空间，确保系统稳定高效运行。3. 保障数据临时存储安全性在程序运行过程中，RAM提供一个安全、快速的存储环境，确保临时数据的快速传输和处理，保障程序执行的连续性。4. 支持系统启动和加载计算机启动时，BIOS和操作系统核心文件被加载到RAM中，准备系统工作环境。RAM的可靠性和容量影响系统启动速度和稳定性。总结来说，随机存取存储器（RAM）因其高速的数据访问能力和灵活性，成为各类电子设备中不可...
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2026/6/22 17:14:45
嵌入式闪存指的是集成在主控芯片或系统内的闪存存储单元，常见的类型有NOR闪存和NAND闪存。嵌入式闪存存储芯片通常与处理器紧密集成，广泛应用于微控制器（MCU）、系统单芯片（SoC）以及智能设备中，用于存储程序代码、配置数据和应用数据。嵌入式闪存存储芯片的优势1. 高度集成，节省空间嵌入式闪存直接集成到芯片内部，减少了外部存储器的需求，极大减少了系统电路板面积，满足现代电子产品对小型化、紧凑化的设计需求。这对于便携设备和空间受限的应用尤为重要。2. 低功耗设计嵌入式闪存通常优化了功耗管理，支持低功耗运行模式，适合对能耗敏感的设备，如可穿戴设备、无线传感器节点等。低功耗不仅延长了设备的电池寿命，还提升了系统的整体能源效率。3. 快速的访问速度嵌入式闪存通过与处理器的紧密耦合，提供较快的读写速度，缩短程序启动和数据访问时间，提升系统响应性能。尤其是在执行代码存储应用中，能够直接从闪存运行程序，大幅提升启动速度。4. 高可靠性和耐用性嵌入式闪存设计时注重耐久性和可靠性，具备较强的抗震动、抗干扰能力，且具备较高的擦写寿命，满足工业控制、汽车电子等严苛环境的应用需求。5. 成本效益优越集成度高的嵌入式闪存减少了外部元件数量，降低了整体硬件成本和系统复杂度。同时，生产制造过程中，由于减少了PCB设计和组件数量，降低了装配与测试费用。6. 安全性支持部分嵌入式闪存芯片集成了安全功能，如加密存储、防篡改机制、读写保护等，为安全关键应用（如金融、医疗、智能卡）提供了可靠保障。应用领域实例微控制器（MCU）系统：嵌入式闪存用于存储固件和配置数据，保障设备高效可靠运行。消费电子：智能手机、智能手表、智能家居设备中集成闪存，实现快速启动和持久存储。汽车电子：满足汽车对稳定性和安全性的高要求，支持车载娱乐系统和自动驾驶功能。工业控制：保证工业设备在复杂环境下数据的完整性和可用性。嵌入式闪存存储芯片凭...
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2026/6/22 17:11:05
非易失性存储器作为一种能够断电后依然保存数据的存储介质，其归属到底是内存还是外存，在实际应用和理论分类中常常引发讨论。那么，非易失性存储器属于内存还是外存？什么是非易失性存储器？非易失性存储器指的是断电后仍能保存数据的存储介质，典型代表包括闪存、固态硬盘（SSD）、只读存储器（ROM）、磁性存储器等。与之对应的是易失性存储器，如动态随机存储器（DRAM）、静态随机存储器（SRAM），它们需要持续供电才能保持数据。内存和外存的区别内存（主存）：计算机中直接与CPU交互，速度快、容量相对较小，用于临时存储数据和指令的存储器，例如DRAM。内存通常是易失性的。外存（辅助存储器）：用于长时间存储数据，容量大，速度较内存慢，例如硬盘、光盘和USB闪存驱动器。外存一般为非易失性。非易失性存储器的定位挑战传统上，内存强调速度和对CPU的直接访问能力，而外存强调数据的长期保存和大容量。非易失性存储器因具备持久保存数据的能力，天然具备外存的特质；但某些高速非易失性存储器随着技术进步，也开始具备内存的性能表现，模糊了内存和外存的界限。1. 作为外存的非易失性存储器最典型的是闪存和SSD，它们容量大，速度比传统机械硬盘快，广泛作为外部存储设备使用。这类非易失性存储器主要用于存储文件、操作系统和大规模数据，不能作为CPU的直接工作内存。2. 作为内存的非易失性存储器随着技术发展，出现了非易失性内存技术（如MRAM、PRAM、ReRAM等），这些存储器速度接近传统内存，且能保留数据，即使断电也不丢失。目前，这类非易失性存储器被研究和部分应用于可直接作为主存或辅助主存的角色，促进内存和存储层次结构的融合。3. 缓存级别与内存层次优化部分非易失性存储器被用于CPU缓存层或作为内存与外存之间的高速缓存桥梁，增强系统整体性能。这种应用进一步模糊了传统的内存与外存界限。总结来说，非易失性存储器的归属并非绝对，...
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2026/6/22 16:57:02
动态随机存储器（DRAM）作为计算机系统中重要的存储器之一，具有存储密度高、成本低等优点，但由于其存储单元采用电容器存储电荷的方式，会随着时间的推移而慢慢漏电，导致存储的数据逐渐丢失。因此，DRAM需要定期刷新以保持数据的完整性。什么是DRAM刷新？DRAM中的每个存储单元包含一个电容，用于存储一个数位的电荷。由于电容会自发放电或漏电，存储的数据位会随时间衰减。为了防止数据丢失，必须周期性地对存储单元进行“刷新”，即重新给电容充电，使其电荷恢复到正常水平，从而确保数据安全。DRAM的刷新方式分类DRAM的刷新方式主要可以分为以下几种：1. 循环刷新方式循环刷新是最常见和传统的刷新方式，控制器按照固定顺序依次对存储器中的每一行（或一部分行）进行刷新。它的特点是刷新操作均匀分布在整个存储周期中，不会集中产生刷新峰值。优点：实现简单，刷新均匀，系统负载平稳。缺点：刷新频率固定，可能导致不必要的刷新操作，降低存储器区块利用效率。2. 自刷新方式自刷新是DRAM芯片内置的一种刷新模式，当系统进入待机或休眠状态时，DRAM自身的内部电路能够自动管理刷新，独立于外部刷新请求，保持数据不丢失。优点：省去外部刷新控制逻辑，降低功耗，非常适合低功耗设计。缺点：刷新周期较长，刷新速度较慢，适合静止或低活动状态下使用。3. 按需刷新方式按需刷新方式根据实际数据访问需求进行刷新操作，只刷新当前或即将被访问的存储区域，减少不必要的刷新次数。优点：提高刷新效率，减少能耗，适合高性能和低延迟系统。缺点：实现复杂，刷新控制逻辑复杂，难以保证所有数据均能及时刷新。4. 批量刷新方式批量刷新是指DRAM在一段时间内集中完成多行的刷新工作，之后进入正常访问状态。它通常以刷新命令为单位，在限定时间内连续刷新多行存储单元。优点：刷新操作完成快，适用于系统可以短暂“冻结”访问的场景。缺点：刷新过程可能对系统正常访问造成...
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2026/6/22 16:55:38
射频衰减器是射频系统中重要的无源器件，主要用于减少信号的功率强度，同时尽量保持信号的波形和频率特性不变。射频衰减器的组成射频衰减器主要由以下几部分构成：衰减元件衰减器核心部件是一组精密电阻，通过电阻分压原理实现信号的功率衰减。常见电阻材料包括金属膜电阻或薄膜电阻，要求高精度和高稳定性。输入/输出接口射频衰减器通常带有标准的射频接头，如SMA、N型等，用于方便连接射频设备和测量仪器。阻抗匹配网络为保证射频信号的传输效率和减少反射，衰减器设计时会包含阻抗匹配结构（通常为50Ω），确保系统的阻抗连续性。封装结构为保证电阻网络的稳定性和抗干扰能力，衰减器采用金属外壳或屏蔽结构，有助于减小电磁干扰并增强机械强度。射频衰减器的主要类型固定衰减器：衰减值固定不变，常用于信号调整或校准。可变衰减器：衰减值可调，有机械式和电子式两种，适合需要灵活控制信号强度的场合。步进衰减器：通过开关控制，实现不同衰减级别的切换，常用于自动测试设备。射频衰减器的应用射频衰减器用途广泛，主要应用包括：信号强度调整在射频测试和通信系统中，通过衰减器调整信号功率，避免接收机输入过大引起非线性失真。阻抗匹配和信号隔离防止不同设备间反射和干扰，保护敏感元件，确保系统稳定运行。射频测试与测量测试仪器中利用衰减器精确控制输入信号强度，提高测量的准确性和重复性。保护下游设备当信号源功率过高时，衰减器减小信号功率，避免损伤后续电路。降低信号干扰控制链路中的信号电平，减少干扰和交叉耦合，提高信号质量。作为射频系统中的基础元器件，射频衰减器以其简单的结构和稳定的衰减性能，在无线通信、雷达、测试测量等领域发挥着重要作用。
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2026/6/22 14:16:43
T/R组件通常集成了发射和接收两大功能，作为射频系统的收发核心单元，包含信号的生成、放大、频率变换、切换及简单的信号处理功能。它的主要组成部分包括：功率放大器（PA），用于放大发射信号功率低噪声放大器（LNA），用于放大接收信号同时降低噪声开关器件，用于实现发射和接收路径的切换上变频器，和下变频器，实现频率的转换T/R组件的核心目标是实现从基带或中频信号转换为射频发射，以及将接收的射频信号转换回中频或基带信号，为后续处理提供合适频段的信号。那么，上下变频器是否属于T/R组件的一部分?上下变频器通常属于T/R组件（发送/接收组件）的一部分。具体来说：T/R组件是雷达、通信和射频系统中负责发射与接收信号的模块。在发送链路中，信号通常经过上变频器将基带或中频信号转换到射频频段后发送出。在接收链路中，收到的高频射频信号通过下变频转换到较低频段（中频或基带）以便后续处理。因此，上变频器和下变频器均作为T/R模块中用于信号频率转换的核心部件，负责在发送和接收过程中实现频率转换功能。
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2026/6/22 14:14:18
时钟芯片被广泛应用于各种电子设备中，作为系统的时间基准，其准确性直接影响设备的性能和稳定性。时钟芯片的误差通常用频率稳定度、频率偏差、温度稳定性和长期漂移等指标来衡量。那么，时钟芯片常见的误差的标准是多少？下面就简单了解一下吧！时钟芯片误差的主要指标频率偏差指实际输出频率与标称频率之间的差异，通常以ppm（百万分之一）或百分比表示。例如，一个标称频率为10MHz的时钟，频率偏差为±20ppm，意味着实际频率可能在9,999,800Hz到10,000,200Hz之间。温度补偿误差时钟芯片在不同温度条件下频率变化的范围，通常以ppm/℃或者整体温度范围内的ppm值表示。温度变化是影响时钟准确度的重要因素。长期漂移随着使用时间增长，时钟频率的逐渐偏移，通常以ppm/年计算。长期漂移会导致时钟性能逐渐下降。相位噪声和抖动反映频率稳定性的短期随机波动，单位通常为皮秒（ps）或角频率单位，对高速和高精度通信尤为重要。常见时钟芯片的误差范围标准普通晶振最常见的晶体振荡器，适合一般应用频率偏差典型值：±20±50ppm 温度稳定性范围 ：±50±100ppm 长期漂移 ：15ppm/年 低功耗晶振便携设备、便携传感器等低功耗场合频率偏差典型值：±20ppm 温度稳定性范围 ：±30ppm 长期漂移 ：1ppm/年 温补晶振（TCXO） 温度补偿性能优越，适合通信等领域频率偏差典型值：±0.3±2ppm 温度稳定性范围 ：±0.5±3ppm 长期漂移 ：0.5ppm/年 恒温晶振（OCXO） 高精度计时、军事和计量仪器中使用频率偏差典型值：±0.01±0.1ppm 温度稳定性范围 ：极低，几乎无温度漂移 长期漂移 ：0.05ppm/年 石英晶体振荡器 多用于不同精...
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2026/6/22 14:13:04
驱动器IC的主要任务是将来自控制器（如MCU、FPGA等）的低电平控制信号转换为能够驱动外部功率元件的高电平信号，通过电流放大、逻辑转换、保护控制等功能，实现对负载（电机、灯泡、继电器等）的有效驱动。驱动器IC的核心工作逻辑一般包括以下几个部分：1. 输入接口电路驱动器IC接收控制器输出的逻辑信号，通常为TTL、CMOS电平，输入接口电路负责信号整形和电平转换，确保信号稳定可靠。2. 信号处理单元内部逻辑电路对输入信号进行处理，包括逻辑判断、脉宽调制（PWM）生成、方向控制信号处理等，根据不同应用生成相应的控制指令。3. 功率放大级这是驱动器的核心部分，通过内部晶体管阵列或MOSFET桥式结构把控制信号放大为能够驱动负载的高电流或高电压信号，实现负载的开启、关闭或调速功能。4. 保护与监控模块现代驱动器IC通常集成过流保护、过温保护、欠压锁定、短路检测等安全功能，智能管理驱动状态，防止器件和系统损坏。5. 反馈与状态输出部分驱动器IC提供输出状态反馈，引入外部辅助电路监控运行状态，便于系统诊断和故障检测。驱动器IC的工作流程示意接收控制信号输入（例如，PWM信号或开关信号）信号经过逻辑处理和电平转换控制功率级工作状态（开、关、调速等）实时监测负载和功率级的运行状态根据保护逻辑调整或关闭驱动输出保障安全输出驱动信号至负载，实现负载动作典型应用举例步进电机驱动驱动器IC根据控制信号依次驱动多个相位线圈，实现电机精准转动。直流电机驱动通过PWM调制控制电机转速和转向，实现高效调速。LED驱动控制LED电流和亮度，实现灯光调节及显示控制。继电器驱动放大控制信号，驱动继电器输入线圈，实现大电流开关控制。总结来说，驱动器IC作为连接控制器与执行机构的桥梁，实现了逻辑信号到大功率驱动信号的转换。
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2026/6/22 14:11:53
有源滤波器通过结合有源和无源元件，实现信号的选择性滤波和放大，广泛用于改善电子系统中的信号质量和稳定性。那么其主要功能和作用是什么呢？有源滤波器是一种利用有源元件（如运算放大器、晶体管等）配合无源元件（电阻、电容、电感）构成的滤波电路。与无源滤波器相比，有源滤波器具有增益可调、频率特性可设计性强、体积小且无需电感等特点。主要功能信号滤波有源滤波器能够根据设计要求，有选择性地通过或阻断特定频率范围内的信号，实现低通、高通、带通或带阻滤波，从而优化信号频谱。信号放大由于采用运算放大器等有源器件，有源滤波器可以在滤波的同时实现信号放大，补偿信号损耗，提高信号强度。频率响应可调通过调整电路参数（电阻、电容等），有源滤波器的截止频率、带宽和滤波特性易于设计和调节，适应不同应用需求。实现复杂滤波特性可设计为巴特沃斯、切比雪夫、贝塞尔等多种滤波响应，满足具体系统对滤波波形的严格要求。主要作用改善信号质量去除电路中的高频噪声、干扰和不需要的频率成分，提高系统信号的纯净度和可靠性。保护后级电路阻止高频杂散信号进入后续放大或处理电路，避免干扰和误动作。实现信号调理调整信号频率特性，适配不同的处理模块需求，如音频均衡、通信信号滤波等。替代体积大、成本高的无源滤波器由于无需电感器件，有源滤波器体积小、集成度高，适合现代紧凑型电子设备使用。
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2026/6/22 11:12:35
数字电位计是一种通过数字信号控制电阻值变化的电子元件，内部由电阻网络和开关阵列组成。利用串行接口如SPI、I2C等进行编程，实现精确的电阻调节。下述是关于数字电位计的常用型号（可供参考）ADI(亚德诺)AD5204/AD5206通道数：4通道（AD5204）、6通道（AD5206）接口：SPI分辨率：8位特点：低功耗，响应速度快，适合多通道调节需求。AD5160通道数：单通道，可调电阻范围广接口：SPI分辨率：8位应用广泛于音频领域和工业控制。TI（德州仪器）TPIC6B595虽然是移位寄存器，但常与数字电位计配合使用。DS1803（原Maxim，现为TI）通道数：双通道数字电位计接口：I2C分辨率：7位适合低速系统的精密调节。TMF8800单通道，非易失性存储，SPI接口。ST意法半导体MCP4131/MCP4231（Microchip）MCP4131（单通道）和MCP4231（双通道）接口：SPI分辨率：7位-8位具有低电阻噪声和良好线性度，适用于工业和消费类电子。Microchip微芯MCP41xXX/MCP42xXX系列（如MCP41100)：单通道或双通道，SPI接口，易失性，成本低，应用广泛。MCP45xXX/MCP46xXX系列(如MCP4561)：集成非易失性EEPROM，掉电记忆，支持I2C或SPI，适合需保存校准数据的场景。MCP4017：超小型封装（SOT-23），I2C接口，非易失性，7位分辨率，适合空间受限设计。选择要点通道数量根据实际应用需求选择单通道或多通道电位计。接口类型SPI接口速度较快且应用广，I2C接口则便于多设备扩展。分辨率（位数）分辨率决定了调节的精细程度，多数为7-10位，具体选型依据调节精度需求。电阻范围及比值根据电路要求选择适合的总电阻值和线性度。功耗和供电电压应结合系统供电和功耗设计合理选型。非易失存储需求是否需要断电后保持...
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2026/6/22 11:02:21
法国的人工智能抱负正在加速。通过法国2030、2025年人工智能行动峰会以及今年的选择法国峰会，数十亿美元的投资承诺，进一步巩固了法国作为欧洲领先人工智能基础设施发展目的地之一的地位。作为这些努力的一部分，Mistral正在法国北部的Bruyères-le-Châtel市镇建设一座新的44兆瓦数据中心。Mistral的首次部署已在去年巴黎GTC大会上实现，已投入运行，配备18,000台NVIDIA GB200系统——为公司到2027年在欧洲实现200兆瓦计算容量的路线图奠定基础。NVIDIA Blackwell平台旨在帮助AI工厂在固定功率预算内最大化吞吐量，结合更高性能的每瓦硅片与提升数据中心吞吐量的软件特性，在电力受限环境中实现数据中心吞吐量。Mistral还与法国公共投资银行Bpifrance、人工智能公司以及先进科技投资公司MGX和NVIDIA合作，扩展Campus AI网络，该网络以计划建设的1.4吉瓦设施为核心，使其成为欧洲最大的人工智能园区之一。这一势头反映了法国人工智能基础设施投资的更广泛浪潮。欧洲公有云提供商Scaleway现提供NVIDIA Blackwell B300-SXM实例，为开发者和企业提供按需加速计算。公牛和富士康宣布将在欧洲生产NVIDIA Vera Rubin NVL72。系统将在富士康位于捷克共和国的工厂制造和初步测试，随后在法国昂热的公牛工厂组装、集成并进行全面验证。由八家法国领先企业组成的财团已提交投标，计划在法国设立欧洲人工智能超级工厂，以加强欧洲人工智能基础设施并加速人工智能的普及。与此同时，施耐德电气与英伟达合作，制定了千兆瓦级AI工厂的蓝图，帮助组织加速AI基础设施的部署。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请...
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2026/6/22 11:00:28
于德国慕尼黑当地时间6月18日就英飞凌科技与英诺赛科之间涉及氮化镓（GaN）技术的两项进一步专利侵权案件作出判决（分别基于一项专利及一项实用新型），均裁定英飞凌胜诉。此案涉及中国公司英诺赛科未经授权使用英飞凌已取得专利的氮化镓技术。根据本次判决，法院禁止英诺赛科在德国境内制造、销售及推广更多侵权产品。此外，法院还裁定英诺赛科需向英飞凌支付损害赔偿。此次判决标志着英诺赛科在相关系列诉讼中的第三次和第四次败诉，上述每项判决均认定英诺赛科的产品侵犯了英飞凌的专利。此前，德国及美国的法院和监管机构已多次裁定英诺赛科产品侵犯英飞凌的知识产权。其中包括2025年8月1日德国的初审裁决，以及2026年5月7日美国国际贸易委员会（ITC）全体委员会裁定英诺赛科在氮化镓技术领域侵犯了英飞凌的一项专利。目前，围绕英飞凌其他专利的侵权诉讼程序仍在美国和德国持续推进中。氮化镓在实现高性能、高能效的功率系统中发挥着关键作用，广泛应用于可再生能源系统、数据中心、工业自动化以及电动汽车（EV）等多个领域。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/6/22 10:55:55
继LRN65-20B系列超低纹波电源以优异性能获得市场高度认可后，金升阳正式推出全新LRN150-20Bxx系列150W超低纹波开关电源。其主要是基于金升阳自研精密供电技术架构，实现了平台化功率升级，可精准满足高端医疗、半导体测试、精密工业控制等领域中大功率精密负载的供电刚需。该系列具备的优势：超低纹波、高精度输出：突破大功率供电降噪难题，全电压、全负载工况下实现有效值0.3mV（Typ）、峰峰值1mV（Typ）超低纹波输出，从源头抑制供电杂波干扰，保障精密设备信号采集与检测数据精准稳定。电磁兼容能力：整机满足EMI CLASS B标准，传导余量15dB+、辐射余量10dB+，可适配复杂电磁工况，规避设备电磁干扰问题，保障系统长期可靠运行。高稳定、低干扰：浮地电压mV级别，极低漏电流＜75μA，有效抑制共模干扰，电位稳定、安全余量足，适配精密电子与测控设备。宽工况、强抗扰特性：支持85-264VAC/100-370VDC宽范围输入，可承受305Vac/5s高压冲击，工作温度覆盖-30℃ to +70℃，适配电网波动及高低温严苛场景，确保设备持续不间断工作。安全高效、功能灵活：搭载4000VAC高隔离防护，整机效率最高达89%，兼顾安全与节能。支持±10%电压可调、Sense远端补偿及远程遥控功能，可有效解决长线压降问题，适配各类自动化集成场景。体积小：相较行业同功率产品体积缩小20%，采用无风扇被动散热与半胶封金属结构，静音低故障、可靠性高。并且该系列通过1000小时双85老化、温度冲击测试；满足标准：设计满足EN62368、 医疗ES/EN60601、EN61558、EN60335、GB4943、半导体F47认证标准。常见应用主要有：1.仪器仪表2.精密的医疗器械3.音频处理等对纹波噪声敏感的需求行业免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行...
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2026/6/22 10:51:59
Vishay发布其新款IHDV高压功率电感系列的首四款设备（汽车级IHDV-0808AC-3A和IHDV-1008BB-3A，以及商用IHDV-0808AC-30和IHDV-1008BB-30），并且结合了180°C的持续高温运行和软饱和性能，应用于下一代汽车、能源和工业系统。专为需要1.5 kV隔离电压的设计设计，提供紧凑型0808（20毫米 x 14毫米 x 14毫米）和1008（25毫米 x 20毫米 x 23毫米）两种机壳尺寸。Vishay Dale器件采用了PET塑料线圈绝缘体，支持1.5 kV隔离电压。得益于粉末状铁合金芯，其软饱和行为使电感在负载下保持稳定，有效调节纹波电流，同时承受高达其热额电流五倍的瞬态涌入电流。对于高频滤波，IHDV器件提供的阻抗明显高于同尺寸的铁复合电感。0808型号在峰值频率80 MHz时阻抗为1 kΩ，而1008型号在25 MHz时提供2.8 kΩ阻抗——阻抗是同类电感器的三倍，频率为四倍。这些设备的典型应用包括车载充电器、电池充电电路、功率因数校正（PFC）和高压直流电池滤波。IHDV-0808AC-3A 和 IHDV-0808AC-30 提供紧凑的表面贴装封面，体积约为 1008 型号的三分之一，而较大尺寸的 IHDV-1008BB-3A 和 IHDV-1008BB-30 的优势在于其穿孔端子设计，在恶劣环境中提供最大机械强度。这四款设备均符合RoHS标准，无卤素且采用Vishay Green设计，均配备额外支撑销以增强抗冲击和抗震性能。此外，汽车用IHDV-0808AC-3A和IHDV-1008BB-3A也获得了AEC-Q200认证。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/6/22 10:46:18
磁珠是一种常见的电子元器件，广泛应用于电路中的噪声抑制和信号滤波。那么，磁珠到底是电感还是电阻？它的具体作用又是什么呢？问：磁珠属于电感还是电阻？磁珠本质上是一种磁性材料制成的铁氧体芯，在线圈状结构中表现出频率相关的阻抗特性，通常具有电感和电阻的复合性质。电感特性：磁珠在低频时表现为较小的电感作用，阻抗较低。电阻特性：随着频率升高，磁珠由于铁氧体材料的磁滞损耗和涡流效应，会产生较大的等效串联电阻（ESR），表现为阻性的特征。因此，磁珠既不是单纯的电感，也不是纯电阻，而是一种频率相关阻抗元件，其阻抗通常表现为电阻和电感的复合体。磁珠的作用磁珠的主要作用是抑制高频干扰和噪声，保护电路的正常工作。具体包括：高频噪声滤波磁珠对高频信号具有较高阻抗，能有效阻止高频噪声和电磁干扰（EMI）沿导线传播，从而净化电源和信号线。减少共模和差模干扰通过抑制噪声电流，磁珠有助于减少共模和差模干扰，提高电路的电磁兼容性。保护敏感元件避免高频尖峰和干扰信号对敏感芯片或模块造成损坏，提升系统的稳定性和可靠性。简化滤波设计磁珠体积小、结构简单，易于应用在PCB板上，常作为电源线和信号线的第一道滤波元件。综上所述，磁珠不是单纯的电感或电阻，而是频率相关的复合型阻抗元件，兼具电感和电阻特性。其主要作用是抑制和滤除高频噪声，提高电路抗干扰能力，保护电路正常运行。
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2026/6/18 15:09:23