BDCA1-10-40+是Mini-Circuits的一款双向耦合器芯片，其工作频率最小1600MHz，最大4000MHz，最大1.4dB插入损耗，符合ROHS标准，HERMETIC密封，外壳DZ944，10针。特征•四端口•宽带，1600至4000 MHz•出色的驻波比1.2:1。所有端口•平整度良好，±0.5 dB•出色的功率处理能力•密封•温度变化最小•受美国专利7049905保护•通过输入到输出的直流电流最大为0.25A。在1.0瓦的RF输入功率下。应用•无线通信•主义，个人电脑•移动卫星外观尺寸图点击购买：BDCA1-10-40+
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2024/10/22 13:22:53
RMK-5-751+是一款经济高效的X5倍频器，它利用专门选择的硅肖特基二极管和兼容的滤波器电路来实现低转换损耗，同时对F5输出附近的不需要的谐波具有很高的抑制能力。它使RMK-5-751+成为广泛应用的理想选择。这个小塑料外壳高0.25英寸x 0.31英寸x 0.16英寸，可水洗，符合RoHS标准。特性•转换损耗低，典型值为22dB。•高相邻谐波抑制，F4，典型值60 dBc。，F6，典型值为67 dBc。•可水洗应用•合成器•本地振荡器•卫星上下变频器25°C时的电气规格外观尺寸图点击购买：RMK-5-751+
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2024/10/22 13:11:19
2024 年 10 月 21 日，中国——意法半导体 HFA80A车规模拟输入D类音频放大器兼备高能效、小尺寸和低物料成本，并针对汽车和本机电磁兼容性 (EMC) 优化了负载诊断功能。HFA80A采用滤波器前反馈拓扑结构和 2MHz 标称 PWM 频率，让设计人员可根据目标性能优化输出滤波器，设计过程中用较小的外部元器件，实现外观紧凑的产品设计。扩频操作简化了强制性 CISPR 25 规范达标过程，无需设计额外的 EMC 专用滤波电路。新放大器提供清晰、强劲的音乐听觉体验，在14.4V电压时可以向 2Ω扬声器输送高达4x 49W功率，典型谐波失真 (THD)为0.015% (1W/4Ω)。新功放芯片确保扬声器音质纯净，输出噪声和串扰都很低，在加载1W/1kHz输入信号和4Ω负载的情况下，电源电压抑制比为80dB。平直频率响应高达40kHz ，为高分辨率音频带来充足的带宽，设计人员可以通过优化滤波器将其扩展到 80kHz。此外，因为采用低延迟设计方法，HFA80A可以处理以专注性能的应用，例如降噪。汽车专用诊断基于专门设计的抗噪算法，能够检测负载的异常状况和变化。诊断功能包括每个通道独立的直交流负载检测、启动时短路检测，以及阈值可设置的过流保护。其他诊断检查包括直流输入电压失调检测、输出电流失调检测，以及可选择四种不同温度警告的过热保护功能。HFA80A配备一个可配置的专用引脚和I2C总线接口。当有新的诊断信息时，可配置专用引脚发出信号通知主微控制器，这个设计简化了功放芯片与主控制器的通信连接，并减轻了CPU的运算负荷。主控制器能够通过I2C 总线接口控制功放芯片功能，访问诊断数据，即使I2C控制功能失效，备份模式也可让放大器继续正常运行。此外，HFA80A 还配备了数字导纳计 (DAM)，帮助工程师无需使用外部测量工具或传感器即可检查所连接扬声器的特性，从而简化开发过程。H...
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2024/10/22 11:55:39
三星电子宣布，已开发出业界首款24千兆位 (Gb) GDDR7 DRAM。除了业界最高的容量外，GDDR7还具有最快的速度，定位为下一代应用的最佳解决方案。全新GDDR7提供业界的容量和超过40Gbps的速度，大大提高了支持未来应用的图形DRAM的标准。今年将开始与主要GPU客户验证，预计明年初投入生产三星电子宣布，已开发出业界首款24千兆位 (Gb) GDDR7 DRAM。除了业界最高的容量外，GDDR7还具有最快的速度，定位为下一代应用的最佳解决方案。24Gb GDDR7 凭借高容量和强大性能，将广泛应用于数据中心、AI工作站等需要高性能内存解决方案的各个领域，超越显卡、游戏机和自动驾驶等图形DRAM的传统应用。三星电子表示继去年开发出业界首款16Gb GDDR7之后，巩固了在图形DRAM市场的技术地位。我们将继续引领图形DRAM市场，推出符合AI市场日益增长的需求的下一代产品。 24Gb GDDR7采用第五代10纳米级DRAM，使单元密度增加50%，同时保持与前代相同的封装尺寸。三级脉冲幅度调制 (PAM3) 信号有助于实现业界的40千兆位每秒 (Gbps) 图形DRAM速度，比上一代提升25%。根据使用环境的不同，GDDR7的性能可进一步提升至42.5Gbps。通过将以前用于移动产品的技术首次应用于图形DRAM，电源效率也得到了提高。通过实施时钟控制管理和双VDD设计等方法，可以显著减少不必要功耗，使电源效率提高30%以上。为了提高高速运行时的运行稳定性，24Gb GDDR7采用电源门控设计技术来最大限度地减少电流泄漏。主要GPU客户今年开始对下一代AI计算系统中24Gb GDDR7的验证，并计划于明年初实现商业化。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/10/22 11:50:54
Qorvo QPD1035 GaN射频功率晶体管是40W分立式碳化硅基氮化镓HEMT，工作频率范围为直流至6GHz，工作采用50V电源。Qorvo QPD1035晶体管具有输入预匹配，因此非常适合用于脉冲和连续波操作中的宽带放大器。这些器件不含铅，符合RoHS指令。特性工作频率范围：直流至6GHz工作电压：50V输出功率 (P3dB) = 50W漏极效率 (P3dB) = 52.2%线性增益 = 15.1dB低热阻封装应用军用雷达民用雷达专业无线电和军用无线电通信测试仪器宽带或窄带放大器干扰发射机框架图
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2024/10/21 13:37:55
Qorvo PAC55712电源应用控制器 (Power Application Controllers®) 优化用于高速BLDC电机控制。Qorvo PAC55712控制器将150MHz Arm® Cortex®-M4F微控制器与Active-Semi®专有的多模电源管理器 (Multi-Mode Power Manager™)、可配置模拟前端 (Configurable Analog Front-End™)，以及特定应用电源驱动器 (Application-Specific Power Driver™) 整合在一起。此紧凑型解决方案包括128kB闪存、32kB SRAM、2.5MSPS ADC（可编程自动采样，最高可达24倍序列）、3.3V IO、灵活的时钟控制、PWM/通用定时器和多个串行通信接口。特性150MHz Arm cortex M4F128kB闪存、32kB SRAM70V降压/SEPIC直流/直流控制器，带外部NCH FET5V/200mA系统电源三个高侧70V、1.2A（拉电流）/1.8A（灌电流）栅极驱动器三个低侧20V、1.2A（拉电流）/1.8A（灌电流）栅极驱动器VDS 检测逐周期保护三个差分PGA（x1至x48）四个单PGA（x1至x48）可编程过流关断可编程比较器迟滞和消隐同时采样和保持3次循环应用工业BLDC电机控制（泵、风扇、机器人）电动和园林工具小家电电动出行
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2024/10/21 13:28:47
Qorvo PAC55724电源应用控制器 (Power Application Controller ® ) 设计用于高速BLDC电机控制。 Qorvo PAC55724控制器将150MHz Arm® Cortex®-M4F微控制器与Active-Semi®专有的多模电源管理器 (Multi-Mode Power Manager™)、可配置模拟前端 (Configurable Analog Front-End ™ )，以及特定应用电源驱动器 (Application-Specific Power Driver™ ) 整合在一起，提供紧凑的电机控制解决方案。 主要特性包括128kB嵌入式闪存、32kB SRAM、2.5MSPS ADC（可编程自动采样，最高可达24倍序列）、3.3V I/O、灵活时钟控制、PWM、通用定时器和多个串行通信接口。特性150MHz Arm cortex M4F128kB闪存、32kB SRAM70V降压/SEPIC直流/直流控制器，带外部NCH FET5V/200mA系统电源三个高侧70V 1.2A（拉电流）/1.8A（灌电流）栅极驱动器三个低侧20V 1.2A（拉电流）/1.8A（灌电流）栅极驱动器逐周期保护三个差分PGA（x1至x48）四个单PGA（x1至x48）可编程过流关断可编程比较器迟滞和消隐3相同时采样和保持应用工业BLDC电机控制（泵、风扇、机器人）电动和园林工具小家电电动出行框架
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2024/10/21 13:26:13
Qorvo QPA2811功率放大器是大功率、封装的X波段MMIC放大器，采用0.15μm碳化硅基氮化镓工艺 (QGaN15) 制造而成。这些放大器的工作频率范围为8.5GHz至10.55GHz，饱和输出功率为48.9dBm，大信号增益为27.9dB，功率附加效率为48.5%。QPA2811放大器采用7mm x 7mm 48引脚塑料包覆成型封装。这些功率放大器 支持各种工作条件，可满足最佳支持系统要求。这些放大器完全匹配至50Ω，设有直流接地射频端口，可实现最佳性能， 非常适合用于军用雷达系统。特性8.5 GHz至10.55 GHz频率范围PSAT ：48.9dBm（PIN =21dBm）PAE：48.5%（PIN =21dBm）功率增益：27.9dB（PIN =21dBm）工作电源电压：24V工作电源电流：1.24mA偏置：VD =24V，IDQ =1.24A封装尺寸：7 mm x 7 mm x 0.82 mm无铅，符合RoHS指令应用军用雷达系统
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2024/10/21 13:20:43
Qorvo QPA1111功率放大器是大功率、封装的X波段MMIC放大器，采用0.15 μm碳化硅基氮化镓工艺（QGaN15）制成。 这些放大器的工作频率范围为8.5GHz至10.5GHz，储存温度范围为-55°C至150°C。QPA1111放大器具有30W饱和输出功率、45%功率附加效率和38dB小信号增益。这些放大器完全匹配至50Ω,设有直流接地I/O端口，可实现最佳ESD性能， 简化了系统集成。QPA1111功率放大器100%经过直流和射频测试，以确保符合电气规范，非常适合用于雷达、卫星通信和数据链路应用。特性8.5 GHz至10.5 GHz频率范围POUT ：45dBm（PIN =18dBm）PAE：45%（PIN =18dBm）功率增益：27dBm（PIN =18dBm）功率耗散（PD）：65W小信号增益：38 dB储存温度范围：-55°C至150°C偏置：脉冲VD =22VIDQ =620mAPW=100μsDC=10%典型范围：VG =-2.3V封装尺寸：6 mm x 6 mm x 0.85 mm无铅，符合RoHS指令应用卫星通信雷达数据链路功能框图
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2024/10/21 13:17:56
安森美NCV8189高精度低压差 (LDO) 稳压器是0.5A器件，具有低噪声、低静态电流、下一代高PSRR和电源良好开路集电极输出。NCV8189稳压器可调节低至0.6V的输出电压和出色的负载/线路瞬态。NCV8189设计用于搭配4.7µFµ输入和输出陶瓷电容器使用。安森美NCV8189 LDO稳压器设计用于满足射频/敏感模拟电路要求，采用行业标准DFNW8 0.65P (3mm x 3mm) 和WDFNW6 0.65P (2mm x 2mm) 封装。特性工作输入电压范围：1.6V至5.5V0.6V至5.0V固定电压选项0.6V可调版本参考电压初始精度：±0.7%（+25°C时）整个负载和温度范围内的精度：±1%（高达+125°C）低静态电流：35µA（典型值）关断电流：0.1µA（典型值）极低压差：65mV（典型值，0.5A时，3.3V型号）高PSRR：85dB（典型值）（100mA，f=1kHz时）低噪声：10µVRMS（固定版本）可通过小型4.7µF陶瓷电容器稳定工作受控输出电压转换率：5mV/µs采用以下封装DFNW8：3mm × 3mm × 0.9mm外壳507ADWDFNW6：2mm x 2mm x 0.75mm外壳511DW无铅、无卤/无BFR，符合RoHS指令应用通信系统车载网络远程信息处理、信息娱乐和仪表板通用汽车典型应用示意图
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2024/10/21 13:13:50
安森美 (onsemi) NCV51752隔离式单通道栅极驱动器设计用于快速开关，以驱动功率MOSFET和SiC MOSFET电源开关。NCV51752具有4.5A拉峰值电流/9A灌峰值电流和短/匹配传播延迟。为了提高可靠性、dV/dt抗扰度和更快关断，NCV51752产生负偏置电源轨。安森美 (onsemi) 驱动器提供其他必要的保护功能，例如两侧驱动器的独立欠压锁定。NCV51752符合AEC-Q100标准，采用4mm SOIC-8封装，支持高达3.75kVRMS 的隔离电压。特性选项： VCC UVLO以GND2为基准 GND2和VEE 引脚之间内置负偏置 可通过调整选择负偏置电平输入电源电压：3V 20V至输出电源电压范围为6.5V至30V，MOSFET为6V和8V，SiC阈值为12V和17V4.5 A峰值拉电流、9 A峰值灌电流输出能力最小CMTI：200V/ns dV/dt输入引脚具有负5V处理能力36 ns典型传播延迟，5 ns最大延迟匹配符合汽车应用要求的AEC-Q100标准隔离和安全 3.75kVRMS 隔离，持续1分钟（符合UL1577要求）（规划中） 通过GB4943.1-2011 CQC认证（规划中） 符合IEC 62386-1标准的SGS FIMO认证（规划中）应用板载充电器xEV 直流-直流转换器牵引逆变器充电站典型应用电路简化框图
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2024/10/21 13:08:59
安森美半导体RSL10多协议Bluetooth 5系统级封装 (SiP) 是一款完整的解决方案，可轻松将低功耗蓝牙低功耗技术集成到无线应用中。RSL10 SiP在单一封装中集成了RSL10 SoC、板载天线及所有必要的无源元件，有助于最大限度地减小系统整体尺寸。RSL10 SiP完全符合FCC、CE和其他法规标准，无需额外的天线设计考虑或射频认证。特性完全符合全球监管标准Bluetooth 5QDID声明IDFCC、CE、IC、MIC、KC超低功耗：峰值接收电流：5.6mA (1.25V VBAT)峰值接收电流：3.0mA (3V VBAT)峰值发射电流 (0dBm)：8.9mA (1.25V VBAT)峰值发射电流 (0dBm)：4.6mA (3V VBAT)深度休眠电流消耗 (1.25V VBAT)：深度休眠、IO唤醒：50nA深度休眠、8KB RAM（用于保留数据）：300nA电流消耗 (3V VBAT)：深度休眠、IO唤醒：25nA深度休眠、8KB RAM（用于保留数据）：100nAEEMBC ULPMark内核概览 (3.0V)：1090EEMBC ULPMark内核概览 (2.1V)：1360完整的解决方案RSL10无线电SoC全集成天线所有无源元件先进的多协议无线功能支持蓝牙低功耗和2.4GHz专有/定制协议接收灵敏度：-94dBM发射功率：−17dBm至+6dBm支持无线固件 (FOTA)内置电源管理先进的双核架构1.1V至3.3V电源范围384kB闪存、76kB程序存储器、88kB数据存储器IP保护功能，闪存内容可配置的模拟和数字传感器接口（GPIO、LSAD、I2C、SPI、PCM）应用物联网边缘节点应用蓝牙低功耗技术能量采集可穿戴设备健身追踪器健康监控器智能手表智能锁家用电器 照明应用
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2024/10/21 11:41:45
安森美 (onsemi) NCD57000和NCD57001大电流IGBT驱动器是内置电流隔离功能的单通道IGBT栅极驱动器，设计用于为大功率应用实现高系统效率和可靠性。NCD57000和NCD57001 IGBT驱动器具有互补输入、漏极开路故障和就绪输出、有源米勒钳位、精确UVLO、DESAT保护以及DESAT软关断特性。另外，NCD57000 IGBT驱动器还可提供独立的高侧和低侧（OUTH和OUTL）驱动器输出，以实现较高的系统设计灵活性和便利性。NCD57000和NCD57001均可在输入侧提供5.0V和3.3V信号，在驱动器侧提供较宽的偏置电压范围，包括负电压能力。这些器件具有5kVrms（符合UL1577标准）和1200Viorm（工作电压）功能。NCD57000和NCD57001 IGBT栅极驱动器采用宽体SOIC-16封装，输入和输出之间的爬电距离保证为8mm，以满足增强的安全绝缘要求。这些器件无铅、无卤，符合RoHS指令。特性在IGBT米勒平坦电压下具有大电流输出 (+4A/-6A)低输出阻抗，用于增强型IGBT驱动传播延迟时间短，具有精确匹配有源米勒钳位，防止杂散栅极导通DESAT保护，带可编程延迟独立的高侧和低侧（OUTH和OUTL）驱动器输出（仅限NCD57000）针对DESAT的负电压（低至-9V）能力IGBT短路期间的软关断短路期间的IGBT栅极钳位IGBT栅极有源下拉UVLO阈值小，实现偏置灵活性宽偏置电压范围，包括负VEE2输入电源电压：3.3V至5.0V设计用于符合AEC-Q100标准5000V电流隔离（以满足UL1577要求）1200V工作电压（符合VDE0884-11要求）高瞬态抗扰度高电磁抗扰度封装：SOIC-16 WB无铅、无卤，符合RoHS指令应用太阳能逆变器电机控制焊接不间断电源 (UPS)工业电源简化应用电路
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2024/10/21 11:39:19
安森美 (onsemi) NVVR26A120M1WSB碳化硅 (SiC) 模块是VE-Trac™ B2 SiC高度集成功率模块系列的一部分，用于EV和HEV牵引逆变器应用。此SiC模块在半桥配置中集成了1200V漏极-源极电压，以及用于裸芯连接的烧结技术，可提高可靠性和散热性能。NVVR26A120M1WSB模块具有超低RDS(on) 、氮化铝隔离器和7.1nH超低杂散电感。此SiC模块的工作温度范围为-40°C至175°C，采用AHPM-15封装。NVVR26A120M1WSB模块符合汽车级AQG324标准，达到UL 94 V-0可燃性等级。特性超低RDS(on)氮化铝隔离器超低杂散电感：7.1nH汽车级SiC MOSFET芯片技术烧结裸芯技术，实现高可靠性能1200 V漏源电压栅极-源极电压：+25V/-10V工作温度范围：-40°C至175°CAHPM15 封装符合汽车模块AQG324标准支持PPAPUL 94 V-0可燃性等级应用汽车电动汽车 (EV)混合 (HEV) 牵引逆变器引脚配置尺寸图
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2024/10/21 11:33:24
STM32 开发人员可以在 STM32C0微控制器(MCU)上获得更多存储空间和更多功能，在资源有限和成本敏感的嵌入式应用中实现的功能。STM32C071 MCU配备高达128KB的闪存和 24KB 的 RAM，还新增不需要外部晶振的USB从设备，支持TouchGFX图形软件。片上 USB控制器让设计人员轻松节省至少一个外部时钟和四个去耦电容，降低物料清单成本，简化 PCB元器件布局。此外，新产品只有一对电源线，这有助于简化 PCB 设计。新产品设计可以变得更薄、更整洁、更具竞争力。STM32C0 MCU采用 Arm® Cortex®-M0+ 内核，可取代家用电器、简单工业控制器、电动工具和物联网设备等产品设备中的传统 8 位或 16 位 MCU。作为32 位MCU中的经济型产品，STM32C0具有更高的处理性能、更大的存储容量、更高的外设集成度（适合用户界面控制等功能），以及其他基本控制、定时、计算和通信功能。此外，开发者可以借助强大的 STM32 生态系统加快STM32C0 MCU应用开发。STM32生态系统统提供各种开发工具、软件包和评估板。当然，开发者还可以加入STM32 用户社区，分享交流经验心得。可扩展性是新产品的另一个亮点，STM32C0系列与性能更高的STM32G0 MCU有很多共性，包括 Cortex-M0+ 内核、外设 IP内核和紧凑的引脚排列及优化的I/O比。意法半导体通用 MCU子产品部总经理 Patrick Aidoune 表示：“我们将 STM32C0系列设定为 32 位嵌入式计算应用的经济型入门产品。STM32C071系列具有更大的片上存储容量和 USB从设备控制器，现在为开发者升级现有应用和开发新产品提供了更高的设计灵活性。此外， 新MCU全面支持TouchGFX GUI 软件，图形、动画、颜色和触摸等功能更容易提升用户体...
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2024/10/21 11:27:38
TDK株式会社隆重推出一款适用于乘用车、商用车、非公路车辆及机械工具的标准模块化直流支撑电容器设计——xEVCap。通常，这类电容器设计是完全定制的，开发过程耗时且仅适合大批量订单生产。而且，一旦客户在开发期间更改需求，时间线还可能进一步延长。凭借可扩展和模块化的xEVCap，TDK能小批量、高性价比地满足广大逆变器设计师的不同电容和电流规格要求，同时节省宝贵的时间。而且，标准化的电容器模块还能减少所需的元件库存种类，从而降低相应成本。必要时还可将多个xEVCap轻松并联以满足不同的电容和电流需求。整个电容范围满足汽车标准AEC-Q200（修订版E）和IEC TS 63337:2024的要求。xEVCap提供两种连接方式：其中B25654A001型为引线式，可焊接至汇流条或PCB板；B25654A002型则配备扁平端子，可焊接或螺纹连接至汇流条。这两种型号还分别具有三种不同的机械尺寸和四种电压等级可供选择，其中可选结构尺寸（长x宽x高）为85 x 47 x 40.5 mm、97.5 x 35.5 x 42.5 mm和109 x 47 x 40.5 mm；可选额定电压为500 V、650 V、850 V和920 V；覆盖电压范围为60 µF至270 µF，具体视额定电压而定。所有xEVCap均纳入到TDK的CLARA（电容器使用寿命和额定参数查询 APP）工具中，后者可模拟元件在不同工作条件下的电气和热性能。此外，TDK还为这些元件提供了SPICE模型。这些元件还能在一定时间内耐受超过额定电压的电压，比如850-V型号可在+105 °C下承受890 V电压达100小时，并且可耐受最高1200 V的冲击电压。新元件的额定电流范围为35 A至60 A (@10 kHz)，等效串联电感 (ESL) 为14 nH或17 nH (@1 MHz)，工作温度范...
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2024/10/21 11:25:34
Mini-Circuits的LFHK-2250+是一种微型低温共烧陶瓷（LTCC）低通滤波器，具有直流至2250 MHz的通带，支持各种应用。由于其坚固的单片结构，该型号在宽带上提供了1.5 dB的典型插入损耗。该滤波器采用1008陶瓷小尺寸封装，是密集信号链PCB布局的理想选择，可以补充MMIC的尺寸和性能。LTCC制造工艺确保了最小的射频性能变化，同时提供了一种非常适合高湿度和高温极端环境的产品。特性低插入损耗，典型值1.5 dB。通带回波损耗，典型值18 dB。阻带抑制，典型值72 dB。1008表面安装占地面积功率处理：7.5 W应用测试和测量设备谐波抑制VHF/UHF发射机/接收机实验室使用功能图+25°C时的典型频率响应外观尺寸图
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2024/10/18 13:43:17
HMC424ALP3E是一款宽带、6位、砷化镓(GaAs)、数字衰减器，采用低成本、无引脚表贴封装，以0.5 dB步长提供31.5 dB的衰减控制范围。HMC424ALP3E在0.1 GHz至13.0 GHz的指定频率范围内具有出色的衰减精度（±0.2 dB + 4%的衰减状态）和高输入线性度，典型插入损耗小于4 dB。衰减器位值为0.5 dB (LSB)、1 dB、2 dB、4 dB、8 dB和16 dB，总衰减为31.5 dB，典型步长误差为±0.5 dB。该器件允许用户通过在0 V至VEE之间切换的六个并行控制输入对衰减状态进行编程设定。HMC424ALP3E采用−3 V至−5 V单个负电源供电，需要外部电平转换器以便连接CMOS/晶体管对晶体管逻辑(TTL)接口。HMC424ALP3E采用符合RoHS标准的紧凑型、3 mm × 3 mm、16引脚引脚架构芯片级封装(LFCSP)。特性• 衰减范围：0.5 dB (LSB)步进至31.5 dB• 步长误差：±0.5 dB（典型值）• 低插入损耗：2.8 dB（4 GHz时）• VEE = −3 V 时具有高线性度• 输入P0.1dB：22 dBm（典型值）• 输入IP3：45 dBm（典型值）• 高RF输入功率处理：25 dBm（最大值）• 低相对相位：30°（典型值，6.0 GHz）• 单电源供电：−3 V至−5 V• 16引脚、3 mm × 3 mm LFCSP封装应用• 基站基础设施• 光纤和宽带通信• 微波和VSAT无线电• 军事和太空• 测试仪器仪表引脚图
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2024/10/18 13:31:50