LTC®4444-5 是一款高频高电压栅极驱动器电子元器件，可利用一个同步 DC/DC 转换器和高达 100V 的电源电压来驱动两个 N 沟道 MOSFET。强大的驱动能力降低了具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。LTC4444-5 针对两个与电源无关的输入进行配置。高压侧输入逻辑信号在内部被电平移位至自举电源，此电源可以在高出地电位达 114V 的电压条件下运行。LTC4444-5 包含欠压闭锁电路，用于在器件启动时停用外部 MOSFET。LTC4444-5 还内置了自适应贯通保护功能，用于阻止两个 MOSFET 同时传导。规格参数激励器数量: 2 Driver 输出端数量: 2 Output 输出电流: 3 A 电源电压-最小: 7.2 V 电源电压-最大: 13.5 V 上升时间: 80 ns 下降时间: 50 ns 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 125 C输入电压 - 最大值: 100 V 工作电源电流: 350 uA 输出电压: 7.2 V to 13.5 V单位重量: 254 mg特性• 自举电源电压至 114V• 宽 VCC 电压：4.5V 至 13.5V• 自适应贯通保护功能• 1.4A 峰值顶端栅极上拉电流• 1.75A 峰值底端栅极上拉电流• 1.5Ω 顶端栅极驱动器下拉电阻• 0.75Ω 底端栅极驱动器下拉电阻• 5ns 顶端栅极下降时间驱动 1nF 负载• 8ns 顶端栅极上升时间驱动 1nF 负载• 3ns 底端栅极下降时间驱动 1nF 负载• 6ns 底端栅极上升时间驱动 1nF 负载• 可驱动高压侧和低压侧 N 沟道 MOSFET• 欠压闭锁功能• 耐热增强型 8 引脚 MSOP 封装应用分布式电源架构汽车电源高密度功率模块电信系统引脚图
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2024/12/20 14:50:10
CSD95377Q4M NexFET™功率级的设计针对高功率、高密度同步降压转换器应用进行了高度优化。此电子元器件集成了驱动器 IC 和功率 MOSFET，从而可以实现功率级开关功能。此驱动器 IC 具有内置可选二极管仿真功能，该功能支持非连续导通模式 (DCM) 运行，从而提高轻负载效率。该组合在小型 3.5mm x 4.5mm 外形尺寸封装中提供高电流、高效率和高速开关功能。此外，PCB 封装已经过优化，可帮助减少设计时间并简化总体系统设计。规格参数激励器数量: 1 Driver 输出端数量: 1 Output 输出电流: 35 A 电源电压-最小: 4.5 V 电源电压-最大: 5.5 V 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 125 C工作电源电流: 8.6 mA Pd-功率耗散: 8 W单位重量: 56.200 mg特性• 电流为 15A 时的效率约为 94%• 最大额定持续电流 35A• 高频运行（高达 2MHz）• 高密度 3.5mm × 4.5mm SON 封装• 超低电感封装• 系统优化的 PCB 封装• 兼容 3.3V 和 5V PWM 信号• 支持强制连续传导模式 (FCCM) 的二极管仿真模式• 输入电压最高可达 16V• 三态 PWM 输入• 集成型自举二极管• 击穿保护• 符合 RoHS 环保标准-无铅引脚镀层• 无卤素应用•服务器、网络、电信系统中的负载点同步降压•多相Vcore、DDR和图形解决方案引脚图
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2024/12/20 14:46:27
DRV8300是100-V三半桥栅极驱动器电子元器件，能够驱动高侧和低侧N沟道功率MOSFET。DRV8300D使用集成自举二极管和高侧MOSFET的外部电容器产生正确的栅极驱动电压。DRV8300N使用外部自举二极管和外部电容器为高压侧MOSFET产生正确的栅极驱动电压。GVDD用于为低压侧MOSFET产生栅极驱动电压。栅极驱动架构支持峰值高达750mA的源电流和1.5A的汇电流。相位引脚SHx能够容忍显著的负电压瞬变；而高侧栅极驱动器电源BSTx和GHx能够支持更高的正电压瞬变（115V）abs最大电压，这提高了系统的鲁棒性。小的传播延迟和延迟匹配规范最大限度地减少了死区时间要求，从而进一步提高了效率。通过GVDD和BST欠压锁定为低压侧和高压侧提供欠压保护。规格参数激励器数量: 3 Driver 输出端数量: 6 Output 输出电流: 750 mA 电源电压-最小: 5 V 电源电压-最大: 20 V上升时间: 24 ns 下降时间: 12 ns 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 125 C传播延迟—最大值: 180 ns特性•100-V三相半桥栅极驱动器•驱动N沟道MOSFET（NMOS）•栅极驱动器电源（GVDD）：5-20V•MOSFET电源（SHx）支持高达100V•集成自举二极管（DRV8300D器件）•支持反相和非反相INLx输入•Bootstrap栅极驱动架构•750 mA电源电流•1.5-A吸收电流•支持长达15秒的电池供电应用•SHx引脚（电源块）漏电流低•集成保护功能•BST欠压锁定（BSTUV）•GVDD欠压（GVDDUV）应用•电动自行车、电动滑板车和电动汽车•风扇、泵和伺服驱动器•无刷直流（BLDC）电机模块和永磁同步电机•无绳花园和电动工具、割草机•无绳真空吸尘器•无人机、机器人和RC玩具•工业和物流机器人引脚图
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2024/12/20 14:41:52
NCP51105是一款设计用于驱动功率MOSFET和IGBT的大电流低压侧栅极驱动器电子元器件。逻辑输入与CMOS和TTL输出兼容。NCP51105具有OCP引脚，用于提供过电流保护，在开关电流传感电阻器和EN引脚上检测到负电压，能够向MCU等外部控制器报告故障状态。EN引脚必须上拉到高于正常操作阈值的电压，而在所有故障条件下，它将被下拉以禁用输出。内部VDD电路通过保持低输出直到电源电压恢复到工作范围来提供欠压锁定功能，故障恢复时间可以通过连接到EN引脚的电阻和电容的时间常数集进行编程。规格参数激励器数量: 1 Driver 输出端数量: 1 Output 电源电压-最小: 12.7 V 电源电压-最大: 25 V 上升时间: 5 ns 下降时间: 5 ns 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 125 C输入电压 - 最大值: 25 V 输入电压 - 最小值: 12.7 V 逻辑类型: CMOS, TTL 工作电源电流: 700 uA Pd-功率耗散: 500 mW特性•VDD=15 V时2.6 A峰值吸收/源极•OCP功能与EN/FLT•12.7至25 V工作范围•传播延迟时间短于50 ns•输入逻辑与TTL和CMOS的宽电压范围兼容•可编程故障清除时间•欠压锁定•TSOP-6L封装应用•空调和家用电器•工业•单开关转换器•同步整流器引脚图
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2024/12/20 14:37:51
LTM8025 是一款 36VIN、3A 降压型 μModule® (微型模块) 转换器电子元器件。封装中内置了开关控制器、功率开关、电感器以及所有的支持元件。LTM8025 可一个在 3.6V 至 36V 的输入电压范围内运作，支持一个 0.8V 至 24V 的输出电压范围和一个 200kHz 至 2.4MHz 的开关频率范围 (各由单个电阻器来设定)。仅需采用大容量的输入和输出滤波电容器便可实现完整的设计。LTM8025 采用耐热性能增强型的紧凑 (9mm x 15mm) 以及扁平模压焊盘网格阵列 (LGA) 和树脂球栅阵列 (BGA) 封装，适合采用标准的表面贴装设备来进行自动化装配。LTM8025 具有符合 SnPb (BGA) 或 RoHS 标准的引脚涂层。规格参数封装 / 箱体: LGA-70 拓扑结构: Buck 输出电压: 800 mV to 24 V 输出电流: 3 A 输出端数量: 1 Output 输入电压 - 最小值: 3.6 V 输入电压 - 最大值: 36 V 静态电流: 25 uA 开关频率: 775 kHz 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 125 C输入电压: 12 V 负载调节: 0.4 % 湿度敏感性: Yes 工作电源电流: 25 uA单位重量: 12.398 g特性• 完整的降压型开关模式电源• 宽输入电压范围：3.6V 至 36V• 高达 3A 的输出电流• 可通过并联来增加输出电流• 0.8V 至 24V 输出电压范围• 可选开关频率：200kHz 至 2.4MHz应用• 汽车电池调节• 便携式产品电源• 分布式电源调节• 工业电源• 墙上变压器调节引脚图
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2024/12/20 14:30:28
SYM-25DHW+是Mini-Circuits的一款双平衡混频器电子元器件，其工作频率最小80MHz，最大2500MHz，并且具备最大9dB转换损耗，符合ROHS标准，CASE TTT167，6针。规格参数射频: 80 MHz to 2.5 GHz 转换损失——最大: 9 dB LO频率: 80 MHz to 2.5 GHz 中频: DC to 1000 MHz 最大工作温度: + 85 C 最小工作温度: - 40 C 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: 9.65 mm x 12.7 mm x 5.84 mm 商标: Mini-Circuits OIP3 - 三阶截点: 30 dBm点击购买：SYM-25DHW+特性•宽带，80至2500 MHz•转换损耗低，典型值为6.4 dB。•高IP3，典型值为30dBm。•良好的L-R隔离，典型值为37 dB；&L-I隔离，典型值36 dB应用•蜂窝•PCN•ISM/GPS•卫星分布尺寸图
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2024/12/20 14:12:40
Mini-CircuitsMTX2-143+是一款宽带MMIC平衡-不平衡变压器，阻抗比为2:1，适用于5500至13500MHz的广泛应用。该型号采用IPD工艺技术制造，具有出色的可重复性，具有低插入损耗、低幅度不平衡、低相位不平衡和高达+34dBm（2.5W）的RF输入功率处理能力。该单元采用3x3x0.89mmQFN封装，电感低，热效率高，ESD额定值高。规格参数频率: 5.5 GHz to 13.5 GHz 带宽: 8000 MHz 阻抗: 50 Ohms 端接类型: SMD/SMT最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 85 C介入损耗: 1.3 dB类型: MMIC点击购买：MTX2-143+特性宽带，5500至13500MHz低相位不平衡，8度，振幅不平衡，典型值为1.0dB。微型尺寸，（3x3x0.89毫米）成本低可水洗应用WiMAX/WIBROISM雷达卫星通信25°C时的电气规格
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2024/12/20 14:06:26
LFCN-5500+是Mini-Circuits的一款陶陶瓷LPF滤波器电子元件，最小7节，最大7节，其中心或截止频率（fo/fc）为6200MHz，符合ROHS标准，陶瓷密封，外壳FV1206，4针。规格参数产品: Low Pass Filters 频率: DC to 5500 MHz 阻抗: 50 Ohms 端接类型: SMD/SMT 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 100 C介入损耗: 2 dB点击购买：LFCN-5500+特性出色的功率处理能力，8W尺寸小7节温度稳定密封LTCC结构应用谐波抑制VHF/UHF发射机/接收机实验室使用尺寸图
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2024/12/20 13:58:54
LFCN-3800+是Mini-Circuits的一款陶瓷低通滤波器，最小7节，最大7节，其中心或截止频率（fo/fc）为4850MHz，符合ROHS标准，陶瓷密封，外壳FV1206，4针。规格参数产品: Low Pass Filters 频率: DC to 3900 MHz 阻抗: 50 Ohms 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 100 C 系列: LFCN 商标: Mini-Circuits 介入损耗: 1.5 dB单位重量: 1.628 g点击购买：LFCN-3800+特性出色的功率处理能力，8W尺寸小7节温度稳定LTCC结构应用谐波抑制VHF/UHF发射机/接收机实验室使用尺寸图
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2024/12/20 13:56:51
01 产品描述英诺迅DC~6GHz 15W 功率放大器——YP601241T，内部集成了ESD保护单元，具有较高的可靠性。其工作频率范围为DC~6GHz，输出功率15W（VDD=28V）。芯片采用SOT89-3封装，为客户节省了布板空间，便于系统小型化集成。02 主要指标工作频率：DC~6GHz工作电压：28V输出功率：15W封装：SOT89-3存储温度：-65℃ to +150℃03 应用领域无线数传、图传免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/12/20 13:48:33
MAMF-011069是一个双通道模块电子元器件，包含两个2级低噪声放大器和两个高功率开关，组装在5毫米32引脚QFN封装中。该模块的工作频率为1.8GHz至3.9GHz。它在接收模式下具有高增益和极低的噪声系数，在传输模式下具有低插入损耗。PIN开关提供超过20WCW信号的高功率处理。外部SMT组件优化了匹配，实现了灵活的工作频率。MAMF-011069非常适合4G或下一代5G大规模MIMO或小型基站。规格参数工作频率:1.8 GHz to 3.9 GHz工作电源电压:5 V工作电源电流:255 mA增益:33 dBNF—噪声系数:1.2 dBP1dB - 压缩点:19 dBmOIP3 - 三阶截点:32 dBm最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 105 C输入返回损失:13 dB隔离分贝:37 dB通道数量:2 Channel特性双通道架构两个低噪声放大器两个大功率开关20WCWPIN开关电源处理增益（Rx模式）：2.6GHz时为33dB3.5GHz时为34dB噪声系数（Rx模式）：2.6GHz时为1.2dB3.5GHz时为1.5dB0.5dB插入损耗（Tx模式）无铅5mm32引脚QFN封装集成ESD保护无卤素“绿色”模塑料符合RoHS*标准功能图
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2024/12/19 14:08:34
MAAM-011251是一款采用SOT-89塑料封装的射频放大器电子元器件。该放大器在正向和反向路径应用中提供15dB的平坦增益。该放大器具有出色的噪声系数。该放大器提供高增益、低噪声和低失真，非常适合75Ω基础设施应用。它还可以针对50Ω宽带应用和高达6GHz的窄带应用进行调谐。规格参数工作频率: 5 MHz to 1.218 GHz 工作电源电压: 5 V 工作电源电流: 95 mA 增益: 15 dB NF—噪声系数: 2.3 dBP1dB - 压缩点: 18 dBm OIP3 - 三阶截点: 37 dBm 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 85 C输入返回损失: 19 dB 隔离分贝: 19 dB 通道数量: 1 Channel特性单级、单端75Ω或50Ω操作5V，100mA操作15dB平坦增益低噪音低失真性能HBM的ESD1C级无铅SOT-89塑料封装无卤素“绿色”模塑料符合RoHS*标准功能图
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2024/12/19 14:04:00
M/A-COM的MAAL-007304低噪声放大器是一款GaAsMMIC放大器电子元器件，采用无铅SOT-26表面贴装塑料封装。MAAL-007304采用单片2级自偏置设计，可根据系统要求在+3至+5伏之间偏置。MAAL-007304提供低噪声、低电流和高增益。它可以针对0.5至3GHz的各种应用进行调谐。M/A-COM使用低噪声pHEMT工艺制造MAAL-007304，以实现低噪声和高增益。该工艺具有完全钝化的性能和可靠性。规格参数工作频率: 500 MHz to 3 GHz 工作电源电压: 3 V to 5 V 工作电源电流: 11.5 mA 增益: 25.5 dB NF—噪声系数: 0.7 dBP1dB - 压缩点: 7 dBm OIP3 - 三阶截点: 19 dBm 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 85 C电源电压-最大: 5 V 电源电压-最小: 3 V单位重量: 30 mg特性低噪声系数：2.3GHz时为0.7dB单+3至+5V电源偏压低电流：典型值11.5mA无铅SOT-26塑料封装符合RoHS*标准，兼容260°C回流焊功能图
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2024/12/19 13:56:15
MAGX-100027-300C0P是针对DC-2.7GHz频率操作进行优化的高功率GaN-on-SiHEMT器件电子元器件。该设备在塑料封装中支持CW和脉冲操作，峰值输出功率水平为300W（54.8dBm）。MAGX-100027-300C0P非常适合多种应用，包括军事无线电通信、数字蜂窝基础设施、射频能量、航空电子设备、测试仪器和雷达。规格参数工作频率: 0Hzto2.7GHz 工作电源电压: 50V 工作电源电流: 100mA 增益: 16.3dB最小工作温度: -40C 最大工作温度: +85C通道数量: 1Channel特性•适用于线性和饱和应用•一对隔离对称放大器•CW和脉冲操作：300W输出功率•内部预配对•260°C回流兼容•50V操作•100%射频测试•符合RoHS标准功能图
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2024/12/19 13:50:25
MAAD-000523是一款6位、0.5dB步进GaAs MMIC数字衰减器电子元器件，采用无铅4mm 24引脚PQFN表面贴装塑料封装。该设备非常适合在需要高精度、极低功耗和低互调产物的地方使用。典型应用包括蜂窝基站RX/TX线路、毫微微蜂窝基站和其他增益/电平控制电路。该衰减器由SPI兼容串行接口或6位并行字控制。规格参数衰减: 31.5 dB 最大频率: 6 GHz 阻抗: 50 Ohms 位数: 6 bit 通道数量: 1 Channel 衰减器步长: 0.5 dB 最大 VSWR: 1.2介入损耗: 2.5 dB 长度: 4 mm 最大工作温度: + 85 C 最小频率: 700 MHz 最小工作温度: - 40 C工作电源电压: 5 V功率额定值: 27 dBm容差: 0.4 dB单位重量: 399.600 mg特性集成CMOS/TTL兼容驱动器具有加电状态选择的并行和串行（P/S）控制插入损耗：2.1 GHz时典型值为1.6 dBIP3:2 GHz时典型值为50 dBm衰减精度：+/-（衰减设置的0.4+4%）dB0.5 dB衰减阶跃至31.5 dB适用于0.4至8.0 GHz无铅4mm 24导联PQFN封装无卤素“绿色”模塑料符合RoHS*标准，260°C回流兼容每比特相对相位变化小功能图
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2024/12/19 13:44:27
MAGX-100027-015S0P是一种适用于DC-2.7 GHz频率操作的高功率硅基GaN HEMT D型晶体管电子元器件。该设备在塑料封装中支持CW和脉冲操作，峰值输出功率水平高达15W（41.8dBm）。MAGX-100027-015S0P非常适合多种应用，包括军事无线电通信、数字蜂窝基础设施、射频能源、航空电子、测试仪器和雷达。规格参数工作频率: 0 Hz to 2.7 GHz 工作电源电压: 50 V 工作电源电流: 60 mA 增益: 17.6 dB最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 85 C通道数量: 1 Channel 产品类型: RF Amplifier特性•适用于线性和饱和应用•CW和脉冲操作：15 W输出功率•260°C回流兼容•50V操作•100%射频测试•符合RoHS标准功能图
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2024/12/19 13:37:59
AD795是一款低噪声、精密、FET输入运算放大器电子元器件。它既具有双极性输入运算放大器的低电压噪声和低失调漂移，又具有FET输入器件的极低偏置电流。1014Ω共模阻抗可确保输入偏置电流实质上与共模电压和电源电压变化无关。AD795具有出色的直流性能以及经过测试的保证最大输入电压噪声。最大输入偏置电流为2pA，最大失调电压为500µV，最大电源电流仅为1.5mA。此外，AD795保证输入噪声低至3.3μVp-p（0.1Hz至10Hz），10kHz时最大噪声电平为11nV/√Hz。经过测试的额定输入失调电压漂移最大值仅为10μV/°C。AD795可用于许多高输入阻抗、低噪声应用。AD795的额定温度范围为0°C至+70°C商用温度范围。AD795采用8引脚SOIC封装。规格参数通道数量: 1Channel GBP-增益带宽产品: 1.6MHz SR-转换速率: 1V/us Vos-输入偏置电压: 100uV Ib-输入偏流: 2pA 电源电压-最大: 18V,+/-18V 电源电压-最小: 4V,+/-4V 工作电源电流: 1.3mA 每个通道的输出电流: 10mA CMRR-共模抑制比: 110dB最小工作温度: 0C 最大工作温度: +70C双重电源电压: +/-15V 高度: 1.5mm(Max) 输入电压范围—最大: 11V 长度: 5mm(Max) 最大双重电源电压: +/-18V 最小双重电源电压: +/-4V 工作电源电压: 4Vto18V电压增益dB: 120dB 宽度: 4mm(Max) 单位重量: 540mg特性•Burr-BrownOPA-111、OPA-121运算放大器的低功耗替代产品•低噪声3.3µV峰峰值（最大值，0.1Hz至10Hz）11nV/√Hz（最大值，10kHz）0.6fA/√Hz(1k...
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2024/12/19 13:29:08
MAT01是一款单芯片双通道NPN晶体管电子元器件。专有的氮化硅“三重钝化”工艺使器件的关键参数在温度和时间范围内具有出色的稳定性。匹配特性包括失调电压40µV、温度漂移0.15µV/°C及hFE匹配为0.7%。 该器件通过60倍范围的集电极电流提供极高的h，包括在集电极电流仅为10nA的情况下具有出色的hFE 值590。该器件能够在较低集电极电流的情况下提供高增益，适合在低功耗、低电平输入级中使用。规格参数晶体管极性: NPN 配置: Dual 最大直流电集电极电流: 25 mA 集电极—发射极最大电压 VCEO: 45 V 集电极—基极电压 VCBO: 45 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V 集电极—射极饱和电压: 800 mV Pd-功率耗散: 500 mW 增益带宽产品fT: 450 MHz 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 125 C集电极连续电流: 25 mA 直流集电极/Base Gain hfe Min: 250 直流电流增益 hFE 最大值: 610 高度: 4.7 mm 长度: 9.4 mm宽度: 9.4 mm 单位重量: 1 g特性• 低VOS（VBE匹配）： 40 μV（典型值）；100 μV（最大值）• 低TCVOS： 0.5 μV/°C（最大值）• 高hFE： 500（最小值）应用磅秤低噪音、运算放大器、前端电流镜和电流吸收器/源低噪声仪表放大器电压控制衰减器对数放大器引脚图
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2024/12/19 13:20:33