ADuC845为ADuC834和ADuC836的单周期、12.58 MIPs、8052内核升级版。内置额外的模拟输入，适合需要更多ADC通道的应用。ADuC845为完整的智能传感器前端。该系列产品在单芯片上集成内置灵活的多达10个通道、输入多路复用的高分辨率Σ-Δ型ADC、一个快速8位MCU和程序/数据Flash/EE存储器。ADuC845在主ADC上集成了两个（主和辅助）24位Σ-Δ型ADC，提供内部缓冲和PGA性能。ADC具有片内数字滤波和可编程输出数据速率性能，主要用于测量宽动态范围和低频信号，例如电子秤、应变计、压力传感器或温度测量应用中的信号。这些器件通过一个32 kHz晶振和片内PLL产生12.58 MHz的高频时钟信号。该时钟信号通过一个可编程时钟分频器进行中继，在其中产生MCU内核时钟工作频率。微控制器内核针对单周期8052进行优化，提供高达12.58 MIPs的性能，同时保持8051指令集兼容性。提供62 kB、32 kB和8 kB非易失性Flash/EE程序存储器选项。片内还集成4 kB非易失性Flash/EE数据存储器和2304字节数据RAM。程序存储器可配置为数据存储器，以便在数据记录应用中提供最高60 kB的非易失性数据存储器。片内出厂固件支持通过EA引脚进行在线串行下载和调试模式（通过UART）以及单引脚仿真模式。QuickStart™开发系统支持ADuC845，并提供低成本软件和硬件开发工具。规格参数核心:8052程序存储器大小:62 kB数据 RAM 大小:2.25 kB封装 / 箱体:MQFP-52最大时钟频率:12.58 MHzADC分辨率:24 bit输入/输出端数量:34 I/O电源电压-最小:2.7 V, 4.75 V电源电压-最大:3.6 V, 5.25 V安装风格:SMD/SMT数据总线宽度:8 bit最小工作温度:- 40 C...
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2025/1/20 13:39:39
AD8034 FastFET放大器是具有FET输入的电压反馈放大器，易于使用，性能优异。AD8033是单放大器。仅消耗3.3mA/放大器的静态电流，同时能够提供高达40mA的负载电流。AD8034放大器具有从5V到24V的宽电源电压范围，可在单个电源上完全运行，比价格相似的FET输入放大器适用于更多的应用。此外，AD8034具有轨对轨输出，增加了多功能性。AD8034还提供小封装8引脚SOIC和小封装8引线SOT-23。额定工作温度范围为-40℃至+85℃，不高于商业级产品。尽管成本低，但放大器提供了出色的整体性能。它们提供-100dB的高共模抑制、最大2mV的低输入偏移电压和11nV/VHz的低噪声。规格参数通道数量:2 ChannelGBP-增益带宽产品:45 MHzSR - 转换速率 :80 V/usVos - 输入偏置电压 :1 mVIb - 输入偏流:11 pA电源电压-最大:24 V, +/- 12 V电源电压-最小:5 V, +/- 2.5 V工作电源电流:7 mA每个通道的输出电流:5 mACMRR - 共模抑制比:100 dBen - 输入电压噪声密度:11 nV/sqrt Hz封装 / 箱体:SOIC-8最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C双重电源电压:+/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V高度:1.5 mmIn—输入噪声电流密度:0.0007 pA/sqrt Hz长度:5 mm最大双重电源电压:+/- 12 V最小双重电源电压:+/- 2.5 V工作电源电压:5 V to 24 V点击购买：AD8034ARZ-REEL7特性• FET输入放大器输入偏置电流：1 pA(典型值)• 极低成本• 高速-3 dB带宽：80 MHz (G = +1)压摆率：80 V/µs (G = +2)• 低噪声11 nV/√ Hz (f...
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2025/1/20 13:29:52
AD9371是一款高度集成的宽带RF收发器，提供双通道发射器和接收器、集成式频率合成器和测试和数字信号处理功能。IC提供FDD和TDD应用中3G/4G微和宏基站设备所需的灵活高性能和低功耗组合。该器件的工作频率范围为300 MHz至6000 MHz，涵盖大部分特许执照和免执照蜂窝频段。此IC支持最高100 MHz接收器带宽。另外，它还支持带宽高达250 MHz的观测接收器和发送频率合成，能够适应数字校正算法。该收发器由宽带直接变频信号路径组成，拥有罕有的噪声系数和线性度。每个完整的接收器和发射器子系统都内置直流失调校正、正交误差校正功能和可编程数字滤波器，消除了在数字基带中提供这些功能的必要性。它集成了一些辅助功能，如辅助模数转换器(ADC)、辅助数模转换器(DAC)和通用输入/输出(GPIO)，可提供额外的监控和控制功能。内置具有两个输入的观测接收器通道，可监控每个发射器输出并实施干燥降低和校准应用。该通道还连接到三个嗅探器接收器输入，可监控不同频段内的无线电活动。高速JESD204B接口支持最高6144 Mbps的通道速率。四个通道专门用于这些发射器、此接收器以及观测接收器通道。完全集成的锁相环(PLL)可同时针对发射器、接收器、观测接收器和时钟部分提供高性能、低功耗的小数N分频频率合成。精心设计和布局技术提供高性能基站应用中所需的隔离性能。所有集成式压控振荡器(VCO)和环路滤波器元件可较大程度地减少外部元件数量。需要1.3 V电源向AD9371内核供电，并通过标准四线式串行端口进行控制。其它电压电源提供适当的数字接口电平，可优化发射器和辅助转换器性能。AD9371采用12 mm × 12 mm、196引脚芯片级球栅阵列封装(CSP_BGA)。规格参数频率范围:300 MHz to 6 GHz最大数据速率:6.144 Gbps电源电压-最小:1.267 V电...
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2025/1/20 13:25:03
华北工控新发布产品EMB-4148，一款支持Intel Alder/Raptor Lake-P/U系列处理器的4寸EPIC嵌入式单板，具备高性能、低功耗特性，同时配置了丰富I/O接口，适用于人机界面、智能机器人、工业物联网等行业领域。增强的数据处理能力和显示性能EMB-4148支持Intel Alder/Raptor Lake-P/U i3/i5/i7处理器和Intel 600 Series芯片组，TDP up to 28W，基于多核多线程特性可以更高效、低功耗地处理多任务并行处理负载。CPU可集成Intel超核心显卡以提供增强的图形处理性能。此外，EMB-4148支持1*LVDS、1*HDMI、1*DP++接口，可以实现独立多显和最高4K分辨率显示。板载2*SODIMM内存插槽，Up to DDR5 5200 MT/s，整板最高可达96GB，带宽及数据吞吐量优势进一步放大，并支持1*SATA 3.0、1*M.2 M KEY 2280 PCIe x4(GEN4) NVME SSD实现高速缓存和存储容量的扩充，满足大内存的产品需求。丰富的通讯接口和I/O接口配置EMB-4148支持2*千兆RJ45网口、1*SIM、1*M.2 B Key 3042/3052接入4G/5G模块，和1*M.2 E Key 2230接入Wifi/蓝牙模块，满足有线/无线网络通讯要求。支持4*USB3.2x1 GEN1(5 Gbps)、4*USB2.0接口，可以实现多设备更高速率的互联互通。以及4*RS232、2*RS232/RS422/RS485接口，方便用户实现长/短距离灵活的数据传输与处理。EMB-4148还配置了1*Line out、1*Mic in、1*AMP功放接口，和1*PS/2接口、2*CAN8*GPIO、1*CPU FAN、1*JSATAPWR SATA硬盘供电接口、1*JLVDSP...
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2025/1/20 13:18:49
英飞凌于近日宣布不再支持第一代（G1）CoolGaN™技术用于新设计，此举曾引发外界对其硅基氮化镓（GiT）技术承诺的担忧。然而，英飞凌通过推出新一代技术，再次证明了其致力于推进GIT技术发展的决心。英飞凌成功实现了向8英寸（200毫米）晶圆转型，大幅提升了生产能力，从而显著提高了GaN器件的产量。此外，英飞凌采用创新的有源区结合（BOA）技术，无需牺牲芯片面积，从而进一步优化了制造工艺。值得注意的是，这些器件的热性能主要由硅主体材料决定，后者对器件的热特性有重要影响。此外，不论是BOA设计，还是传统的非有源区结合（NBOA）设计，有源区保持不变，在热性能方面，有源区同样发挥着关键作用。因此，BOA 技术保持了与第一代CoolGaN™设计相同的高散热能力。英飞凌最新推出的650V G5 CoolGaN™晶体管系列专为直接替代现有产品而设计，为现有平台提供了无缝升级路径，帮助设计人员快速实现重新设计。这一全新的分立式GaN晶体管系列在前代技术的基础上进一步提升，并在性能上超越了市场上的GaN竞品。650V G5 CoolGaN™晶体管系列在以下方面取得了显著进步：• 输出电容（Eoss）存储能量减少50%：大幅降低开关损耗，特别是在硬开关应用中。• 输出电荷（Qoss）减少60%：实现高效运行，并大幅降低软开关拓扑结构的损耗。• 栅极电荷减少60%：大幅降低驱动损耗，提高效率。这些改进使晶体管能够以最低的功耗支持高频工作，推动功率密度水平达到行业最佳。除了上述改进之外，最新的650V G5 CoolGaN™晶体管系列还将脉冲电流能力提高了约30%，带来了多项重要优势：支持在PFC（功率因数校正）拓扑结构中使用宽输入电压范围，以提供更佳的设计灵活性和多功能性；此外，还可以防止线路掉电事件，确保器件可靠运行，并将器件故障风险降至最低。值得一提的是，CoolGaN™ G5的热漂移和...
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2025/1/20 13:14:36
圣邦微电子推出 SGM05HU1AL，一款 5.5V 单向静电放电（ESD）和浪涌保护装置。该器件可应用于 USB VBUS 和 CC 线路保护、麦克风线路保护，以及 GPIO 保护。SGM05HU1AL 专用于保护电压敏感元件免受 ESD 影响。出色的箝位能力、低漏电、高峰值脉冲电流处理能力和快速响应时间为暴露于 ESD 的设计提供了同类最佳的保护。由于体积小，它适用于手机、平板电脑、数码相机以及其他许多需要占用大量电路板空间的便携式应用。器件特性：低钳位电压：6.9V低漏电：10nA小型封装：UDFN-1×0.6-2BL为下列 IEC 标准提供保护：IEC 61000-4-2 4 级：±30kV 接触放电IEC 61000-4-5（雷击）: 43A（8/20μs）无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合 RoHS 规范免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/1/20 13:11:59
近日，野村证券在报告中指出，英伟达因多项产品需求放缓，将大福削减在台积电、联电等CoWoS-S订单量高达80%，预计将导致台积电营收减少1%至2%。野村半导体产业分析师郑明宗指出，英伟达Hopper平台芯片停产、最新GB200A需求有限，加上GB300A需求缓慢，是英伟达大幅削减2025年在台积电、联电的CoWoS-S预订量的原因，预估每年减少5万片CoWoS-S需求，将导致台积电营收减少1%至2%。不过，郑明宗表示，虽CoWoS-S大减单，仍预期AI将带领台积电今年营收增长，贡献占比高于20%。此前行业调研机构semiwiki分析称，台积电在中国台湾大举扩充先进封装产能，其中随着英伟达需求推动，预估2025年CoWoS月产能估计6.5万片-7.5万片，2026年估计月产9-11万片。此外，2025年预计英伟达占据CoWoS总需求的63%，表明其在采用CoWoS技术方面的领导地位。紧随其后的是博通，占据13%的份额。AMD和Marvell各占据8%并列第三，表明两家公司对这项技术的兴趣相当。最近英伟达产品频传故障。据外媒报道，英伟达最新一代人工智能芯片Blackwell在部署至数据中心时遇到技术问题，包括服务器机架过热和芯片连接异常。主要客户微软、亚马逊云部门、谷歌母公司Alphabet和Meta等公司已经减少了英伟达Blackwell GB200机架订单。一些客户正在等待改进版本的机架，或者计划购买该公司旧款的AI芯片。Blackwell芯片是英伟达的新一代图形处理器（GPU）。机架是数据中心中用于容纳芯片、电缆及其他关键设备的结构。与上一代产品 Hopper 相比，Blackwell 的能源效率提高四倍，微软、亚马逊、Google 和 Meta 等为此下达价值近100 亿美元的订单。然而，将多个高功耗芯片整合到一个服务器机架中比预期更具挑战。每个 Blackwell 机...
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2025/1/20 13:10:19
天风国际证券分析师郭明錤近日发文指出，GB200 NVL72组装量产时程不断延期，将导致出货量低于预期。预期目前影响市场情绪最大的不是出货量变化，而是GB200 NVL72数次延期后对市场信心造成的负面影响，建议谨慎面对短期NVIDIA与相关供应链的潜在风险。郭明錤指出，根据GB200 NVL72组装量产时程延期纪录，从2024年9月延到当年12 月，再往后到今年第一季、再延到第二季。大量出货数次延期的结果，就是出货量将低于预期。目前预期2025年GB200 NVL72出货可能约2.5万~3.5万柜，显著低于去年市场情绪最乐观时预期的5万~8万柜。GB200 NVL72开案时间是2023年第四季，以合理开发时间为1.5~2年算，今年第二季是较为合理且乐观的预期，若延后到2025年下半年也不会意外，但这很可能会打击市场信心。谈到市场信心不足所带来的负面影响，郭明錤认为供应链预期GB200 NVL72将在2025年第二季大量出货，但投资人没看到大量出货证据前，对此信心不足。再者，即便先前有些供应商或客户张贴少量/样品出货的GB200 NVL72成品照片，对NVIDIA或供应链股价帮助有限，投资人更在意的是供应链调查、营收等明确大量出货的证据。第三点，当股价提前反应利多、市场信心不足时，市场传闻就很容易被放大或过度解读，如先前ASIC取代NVIDIA AI芯片，与近期CoWoS扩产相关等。此外，目前GB200较低规格机种与HGX几种订单消耗的GPU，仅约等同2,000~4,000柜GB200 NVL72，对提振市场信心帮助有限。至于GB300 NVL72有数个关键规格升级并需要开发时间，可能到2026上半年才能大量出货。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/1/20 13:08:13
PE426462是一款HaRP™技术增强型吸收SP6T射频开关，支持10 MHz至8 GHz的频率范围。它在-55°C至+125°C的工作温度范围内提供低插入损耗、快速RF TRISE/TFALL时间和高隔离度。它非常适合在这个温度范围内需要扩展支持的恶劣工业应用。如果射频端口上不存在直流电压，则不需要隔直电容器。规格参数开关配置:SP6T最小频率:10 MHz最大频率:8 GHz介入损耗:1.6 dB关闭隔离—典型值:30 dB最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 125 C封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel点击购买：PE426462A-X特性•高隔离度：6 GHz时为35 dB•低插入损耗：6 GHz时为1.1 dB•射频跳闸/全触发时间为100 ns•31 dBm CW的功率处理•逻辑选择（LS）引脚提供了最大的控制逻辑灵活性•终止所有关闭状态模式•支持-55°C至+125°C的工作温度•封装：24引脚4×4mm QFN应用•高达8 GHz的恶劣工业应用•需要在-55°C至+125°C范围内扩展温度支持的应用•过滤器组切换•射频信号路由引脚图
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2025/1/17 14:15:00
PE4250是一款HaRP™增强型反射SPDT射频开关，适用于一般交换应用和移动基础设施。该器件提供3.3/5V的灵活电源电压、单引脚或互补引脚控制输入和4000V ESD容差。它为pin二极管和机械继电器开关提供了一种简单的替代解决方案。规格参数开关配置:SPDT最小频率:10 MHz最大频率:3 GHz介入损耗:0.75 dB关闭隔离—典型值:40 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C安装风格:SMD/SMT点击购买：PE4250MLI-Z特性•增强了HaRP™技术•低插入损耗：1000 MHz时为0.65 dB•高隔离度：1000 MHz时为51 dB•P1dB典型值：+30.5 dBm•IIP3典型值：+59 dBm•快速切换时间：150 ns•灵活的电源电压：3.3V±10%或5.0V±10%电源•卓越的ESD保护：4000V HBM•不需要隔直电容器•单针或互补控制输入•包装：8导联MSOP引脚图
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2025/1/17 14:10:43
PE42440是基于UltraCMOS®工艺技术开发的HaRP™增强型SP4T射频开关。这种通用交换机包含四个相同的RF端口，可用于高达3000 MHz的多种应用。它将板载CMOS控制逻辑与低压CMOS兼容控制接口集成在一起，不需要隔直电容器。此符合RoHS标准的零件采用标准的3 x 3 x 0.75 mm QFN封装。规格参数开关配置:SP4T最小频率:50 MHz最大频率:3 GHz介入损耗:1 dB关闭隔离—典型值:22 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:pSemi单位重量:123.145 mg点击购买：PE42440MLBB-Z特性•HaRP™-增强技术，实现无与伦比的线性•插入损耗极低：1000 MHz时为0.45 dB，2000 MHz时为0.5 dB•极高隔离度：1000 MHz时为34 dB，2000 MHz时为28 dB•极高的ESD耐受性•用于2针控制的集成解码器•4.5Ω串联导通电阻低•不需要隔直电容器•封装：16引脚3×3×0.75mm QFN引脚图
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2025/1/17 14:05:51
PE43712是一款50Ω、HaRP™技术增强型7位RF数字步进衰减器（DSA），支持9 kHz至6 GHz的宽频范围。它具有无毛刺衰减状态转换的特点，支持1.8V控制电压，工作温度范围扩展到+105°C，使该设备成为许多宽带无线应用的理想选择。PE43712是PE43601和PE43701的引脚兼容升级版本。集成数字控制接口支持衰减的串行可寻址和并行编程，包括在通电时对初始衰减状态进行编程的能力。PE43712覆盖了0.25 dB、0.5 dB和1 dB步长的31.75 dB衰减范围。它能够在4 GHz内保持0.25 dB单调性，在5 GHz内保持0.5 dB单调性和在6 GHz内保持1 dB单调性。此外，如果射频端口上存在0 VDC，则不需要外部隔直电容器。规格参数衰减:31.75 dB最大频率:6 GHz阻抗:50 Ohms位数:7 bit通道数量:1 Channel衰减器步长:1 dB介入损耗:2.45 dB最大工作温度:+ 105 C最小频率:9 kHz最小工作温度:- 40 C安装风格:SMD/SMT工作电源电压:5.5 V点击购买：PE43712B-Z特性•0.25 dB、0.5 dB和1 dB的灵活衰减步长，最高可达31.75 dB•无故障衰减状态转换•单调性：0.25 dB至4 GHz，0.5 dB至5 GHz，1 dB至6 GHz•工作温度延长至+105°C•具有串行寻址能力的并行和串行编程接口•封装——32引线5×5mm QFN应用3G/4G无线基础设施陆地移动无线电（LMR）系统点对点通信系统引脚图
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2025/1/17 13:56:21
PE4314是一款75ΩHaRP™技术增强型6位RF数字步进衰减器（DSA），支持1 MHz至2.5 GHz的频率范围。它具有无毛刺衰减状态转换的特点，支持1.8V控制电压和高达+105°C的扩展工作温度范围，使该设备成为多有线宽带应用的理想选择。PE4314是PE4304、PE4307、PE4308和PE43404的引脚兼容升级版本。集成数字控制接口支持衰减的串行和并行编程，包括在通电时对初始衰减状态进行编程的能力。PE4314的衰减范围为31.5 dB，步长为0.5 dB。它能够在2.5 GHz内保持0.5 dB的单调性。此外，如果射频端口上存在0 VDC，则不需要外部隔直电容器。规格参数衰减:31.5 dB最大频率:2.5 GHz阻抗:75 Ohms位数:6 bit通道数量:1 Channel衰减器步长:0.5 dB介入损耗:1.5 dB最大工作温度:+ 105 C最小频率:1 MHz最小工作温度:- 40 C安装风格:SMD/SMT工作电源电压:3.3 V点击购买：PE4314B-Z特性•衰减步长为0.5 dB至31.5 dB•无故障衰减状态转换•有线电视和多载波应用的低失真•工作温度延长至+105°C•并行和串行编程接口•封装：20引脚4×4×0.85毫米QFN应用•DOCSIS 3.1/0客户驻地设备（CPE）和基础设施•卫星CPE和基础设施•光纤CPE和基础设施引脚图
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2025/1/17 13:51:05
PE42823是HaRP™技术增强型50ΩSPDT射频保护开关，专为高功率和高性能无线基础设施应用而设计，如支持高达6 GHz频率的宏蜂窝。该开关具有高线性度，在整个电源范围内保持不变。PE42823还具有出色的隔离性能、快速的开关时间，并采用16导联3×3×0.75 mm。规格参数开关配置: SPDT 最小频率: 700 MHz 最大频率: 6 GHz 介入损耗: 1.28 dB 关闭隔离—典型值: 23 dB 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 105 C 安装风格: SMD/SMT点击购买：PE42823A-X特性•51 dBm LTE的出色单事件峰值功率处理•卓越的线性性能•延长工作温度+105°C•4.5 kV HBM在射频引脚对地上的高ESD性能•封装：16引脚3×3×0.75mm QFN应用•4G/4.5G无线基础设施•5G/5G之前的大规模MIMO系统•基于TDD的射频收发器引脚图
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2025/1/17 13:42:45
PE42820是一款HaRP™技术增强型高功率反射SPDT射频开关，专为移动无线电、继电器更换和其他高性能无线应用而设计。该开关是PE42510A的引脚兼容升级版本，具有更宽的频率和电源范围，以及外部负极电源选项。它在30 MHz至2.7 GHz的范围内保持了出色的线性度和功率处理能力。PE42820还具有低插入损耗、高功率处理的特点，并采用32引脚5×5mm QFN封装。此外，如果射频端口上存在0 VDC，则不需要外部隔直电容器。规格参数开关配置:SPDT最小频率:30 MHz最大频率:2.7 GHz介入损耗:0.7 dB关闭隔离—典型值:24 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C安装风格:SMD/SMT单位重量:3 g点击购买：PE42820B-X特性•高功率处理•出色的线性•插入损耗低•2.3–5.5V的宽电源范围•+1.8V控制逻辑兼容•ESD性能•外部负电源选项•封装：32引脚5×5mm QFN引脚图
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2025/1/17 13:31:54
PE42562是一款HaRP™技术增强型吸收SP6T射频开关，支持9 kHz至8 GHz的频率范围。外部VSS引脚可用于绕过内部负电压发生器，以便PE42562提供无杂散性能。它具有高隔离度、低插入损耗和快速切换时间，使该设备成为测试和测量以及高达8 GHz的无线应用中滤波器组切换和RF信号路由的理想选择。如果射频端口上不存在直流电压，则不需要隔直电容器。规格参数开关配置:SP6T最小频率:9 kHz最大频率:8 GHz介入损耗:1.6 dB关闭隔离—典型值:30 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 105 C封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:pSemi单位重量:1.148 g点击购买：PE42562A-X特性•高隔离度：6 GHz时为35 dB•低插入损耗：6 GHz时为1.1 dB•210 ns的快速切换时间•33 dBm CW的功率处理•逻辑选择（LS）引脚提供了最大的控制逻辑灵活性•终止所有关闭状态模式•外部VSS引脚，消除杂散•封装：24引脚4×4mm QFN应用•测试和测量•高达8 GHz的无线应用•过滤器组切换•射频信号路由引脚图
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2025/1/17 13:27:10
株式会社村田制作所推出了1210尺寸静噪元件共模扼流线圈“DLM11CN_HH2系列”新产品，适用于汽车中的LVDS、SerDes、USB、HDMI等高速差分接口——其中LVDS(Low Voltage Differential Signaling)是液晶面板用接口，SerDes(Serializer/Deserializer)则用于串行和并行信号互换的电路。本新产品已从2024年12月起开始批量生产。在汽车市场，随着高级驾驶辅助系统(ADAS)和自动驾驶(AD)的发展，汽车周围检测用相机、以及通过激光束检测车辆周围障碍物的系统的LiDAR(Light Detection and Ranging）等传感设备、环视显示器、平视显示器、智能后视镜、液晶速度仪表等使用显示器的设备也不断增加。此类设备的图像数据需要通过LVDS/SerDes来传输。此外，车辆内座位上还配备了多个USB端口，用作与智能手机和个人电脑联动的接口，用于USB端口的小型产品的需求也随之不断增长。此类差分接口的共模静噪对策至关重要，因此需要适用于高速信号的小型共模扼流圈。为此，村田基于自主研发的层压技术，成功研发了相较原有的2012尺寸更小型的1210尺寸产品。主要规格AEC-Q200是汽车电子协会（AEC，Automotive Electronics Council）制定的一项标准。文章来源：Murata村田中国免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/1/17 13:21:01
市场调查机构Canalys的最新数据显示，PC市场在2024年第四季度实现连续5个季度的增长，台式电脑、笔记本和工作站的总出货量达到6740万台，增长4.6%。笔记本（包括移动工作站）的出货量为5370万台，增长6.2%，而台式机（包括台式工作站）的出货量则下降1.4%，为1370万台。Canalys分析师Kieren Jessop表示：“2024年是PC市场小幅回暖并回归传统季节性的一年，全年出货量增长3.8%（达2.55亿台）。在第四季度，增长小幅提升，出货量同比增长4.6%。”按品牌来看，2024年第四季度，联想引领全球市场，全球出货量高达1690万台，与2023年第四季度强劲的出货量相比，同比增长4.9%；惠普紧跟其后，位居第二，全球出货量达到1370万台，同比下降1.6%；戴尔稳居第三，但其出货量在全年各季度均呈下滑趋势，第四季度降幅达0.2%；苹果位居第四，出货量为590万台，年增长率达到3.1%；而华硕同比增长率为21.6%，成为前五大厂商中增幅最快的厂商。展望未来，Canalys预计，2025年将是加速增长的一年，因为微软会在10月终止Windows 10的系统支持，迫使数亿PC用户更新设备。Canalys首席分析师Ishan Dutt表示：“展望未来，受商用需求的推动，PC市场将加速增长，企业正为Windows 10系统结束做准备。CES 2025上展示的进步表明，PC市场正致力于将AI PC打造成明星类别，这引发消费者开始关注更广泛的机型进行探讨。鉴于CPU和PC厂商的产品路线图开始在各类别、各价格区间和各地区中应用端侧AI，我们预计2025年AI PC将占全球出货量的35%。”免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/1/17 13:18:01