Mini-Circuits的ZB3PD-63+是一款3路0˚高功率分路器/合路器，作为分路器提供高达30W的功率处理（作为合路器为0.9W），在整个150至6000 MHz的频率范围内具有低插入损耗。其出色的高功率处理和低损耗组合最大限度地减少了功耗，并提供了从输入到输出的出色信号功率传输。ZB3PD-63+采用坚固的铝合金外壳，尺寸为4.5 x 6.00 x 0.88英寸，可选择SMA或N型连接器。特征•宽带，150至6000 MHz•插入损耗低，典型值为1dB。•良好的隔离，典型值为20dB。•振幅不平衡良好，典型值为0.5 dB。•功率处理高达30W应用•蜂窝•PCN•仪器仪表外形尺寸图电气原理图25°C时的电气规格
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2024/9/14 13:39:41
SXHP-76+是一款采用SMT技术制造的50Ω高通滤波器。该高通滤波器覆盖81-1000MHz。该滤波器采用高Q电容器和绕线电感器构建，性能卓越。它在不同批次中具有可重复的性能，在不同温度下具有一致的性能。特性•插入损耗低•高拒绝率•微型屏蔽封装应用•卫星通信•宽带光纤网络•有线电视•无线电通信•接收器/发射器功能示意图典型频率响应外观尺寸图点击购买：SXHP-76+
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2024/9/14 11:38:57
ZJL-7G-S+ 是Mini-Circuits的一款宽带低功率放大器芯片，其工作频率最大7000，最小20.需要在-40摄氏度到75摄氏度之间进行作业。特性•超宽带，20至7000 MHz•紧凑型坚固外壳，1.07“x0.61”（包括安装背板）应用•通信系统•雷达•仪器仪表•实验室使用外形图放大器电气规格
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2024/9/14 11:37:31
ZHL-3A-S+是Mini-Circuits的一款宽带中功率放大器，其工作频率最小0.4MHz，最大150MHz，符合ROHS标准，外壳S32。特征中高功率，最小+29.5 dBm。高IP3，典型值+38 dBm。应用高频/甚高频仪器通信系统电气规范外形尺寸图点击购买：ZHL-3A-S+
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2024/9/14 11:19:31
Mini-Circuits的SPHSA-152+是一款表面贴装电压可变移相器，提供800至1500 MHz的精确360英寸相位控制，支持许多流行的蜂窝和通信应用频段。该型号实现了2.8 dB的低插入损耗和1.2:1的良好VSWR。它的控制带宽为DC至50kHz，控制电压范围为0至+15V。该装置采用屏蔽的12导联封装，带有环绕式端子，尺寸仅为0.44 x 0.74 x 0.19英寸，为更大的连接器移相器提供了一种节省空间、低成本的替代方案。特征•插入损耗低，典型值为2.8 dB。•电压驻波比良好，典型值为1.2:1。•宽相移，360°•可水洗应用•蜂窝•通讯外形尺寸图25°C时的电气规格电气原理图点击购买：SPHSA-152+
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2024/9/14 11:09:13
SK-2+是Mini-Circuits的一款倍频器，其工作频率最小2MHz，最大1000MHz，具有最大16dB转换损耗，符合ROHS标准，外壳B02，4针。特征•宽带，2至1000 MHz•转换损耗低，典型值为13.5 dB应用•合成器•本地振荡器外形图电气规格点击购买：SK-2+倍频器
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2024/9/14 11:06:39
ZX05-42MH-S+是一款双平衡混频器，其工作频率最小5MHz，最大4200MHz，并且最大具备11.8dB转换损耗，符合ROHS标准，外壳FL905。特征•结构坚固•体积小•转换损耗低•高L-R隔离应用•蜂窝•个人电脑•仪器仪表•卫星通信外形图电气原理图电气规格（TAMB=25°C）点击购买：ZX05-42MH-S+
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2024/9/14 10:51:00
AD9988 是一款高度集成的套件，具有四个 16 位、12 GSPS 最大采样率、RF 数模转换器 (DAC) 内核，以及四个 12 位、4 GSPS 速率、RF 模数转换器 (ADC) 内核。该套件通过 4T4R 配置，支持 4 个变送器通道和 4 个接收器通道。该产品非常适合四天线 TDD 变送器应用，在该应用中，接收器路径可以在接收器和观察模式之间共享。可以配置和切换 GPIO 引脚，以支持不同的用户模式，同时保持相位一致性。在 4T4R 配置中，支持的最大射频通道带宽为 1.2 GHz，采样分辨率为 16 位。AD9988具有一个 16 通道 24.75 Gbps JESD204C 或 15.5 Gbps JESD204B 串行数据端口，其中每个变送/接收链路最多可支持八个通道，还有一个片内时钟乘法器，并具有针对直接面向 RF 射频应用的多频带的数字信号处理能力。特性• 灵活的可重新配置无线电通用平台设计• 变送器/接收器通道带宽高达 1.2 GHz (4T4R)• RF DAC/RF ADC 射频频率范围高达 7.5 GHz• 具有多芯片同步功能的片内 PLL• 外部 RF 时钟输入选项• 多种数字特性• 可选的插值和抽取滤波器• 可配置的 DDC 和 DUC• 8 个细调复数 DUC (FDUC) 和 4 个粗调复数 DUC (CDUC)• 8 个细调复数 DDC (FDDC) 和 4 个粗调复数 DDC (CDDC)• FDUC 和 FDDC 是可完全置于旁路的• 每个 DUC 或 DDC 都有 2 个独立的 48 位 NCO• 可编程 192 抽头 PFIR 滤波器，用于接收均衡• 支持通过 GPIO 加载的 4 种不同的配置文件设置• 接收 AGC 支持• 用于快速 AGC 控制，具有低延迟的快速检测应用• 无线通信基础设施• W-CDMA、LTE、LT...
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2024/9/14 10:44:39
9月11日，英飞凌科技股份公司（infineon）宣布，公司已成功开发出全球首款300毫米功率氮化镓（GaN）晶圆技术。英飞凌是世界上第一家在现有且可扩展的大批量制造环境中掌握这项突破性技术的公司。这一突破将有助于大幅推动基于 GaN 的功率半导体市场。与 200 mm 晶圆相比，300 mm 晶圆上的芯片生产在技术上更先进，效率更高，因为更大的晶圆直径每个晶圆可容纳 2.3 倍的芯片。目前基于氮化镓的功率半导体在工业、汽车和消费、计算和通信应用中得到快速采用，包括AI系统的电源供应器、太阳能逆变器、充电器和适配器以及电机控制系统。最先进的 GaN 制造工艺可以提高器件性能，从而为最终客户的应用带来好处，因为它可以实现效率性能、更小的尺寸、更轻的重量和更低的总成本。此外，300 毫米制造通过可扩展性确保了卓越的客户供应稳定性。英飞凌科技股份公司首席执行官Jochen Hanebeck表示：“这一显著的成功是我们创新实力和全球团队专注工作的结果，旨在展示我们作为氮化镓和电源系统创新领导者的地位。这项技术突破将改变行业游戏规则，使我们能够释放氮化镓的全部潜力。在收购 GaN Systems 近一年后，我们再次证明我们决心成为快速增长的 GaN 市场的领导者。作为电源系统的领导者，英飞凌掌握了所有三种相关材料：硅、碳化硅和氮化镓。”据介绍，英飞凌在其位于奥地利菲拉赫的功率工厂现有的 300 mm 硅生产中，成功地在一条集成试验线上制造了 300 mm GaN 晶圆。该公司正在利用现有 300 mm 硅和 200 mm GaN 生产中的成熟能力。英飞凌将根据市场需求进一步扩大 GaN 产能。300 毫米 GaN 制造将使英飞凌能够塑造不断增长的 GaN 市场，预计到本十年末，该市场将达到数十亿美元。这一开创性的技术成功凸显了英飞凌作为电源系统和物联网领域全球半导体领导者的地位。英飞...
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2024/9/14 10:31:12
资策会产业情报研究所(MIC)发布台湾半导体趋势预测，预估到2025年整体产值将达到5.52万亿新台币，比今年大幅增长15.9％。其中，存储器价格回温与AI需求将为两大成长动能。回顾2024年半导体市场成长，超过八成为存储器产值所带动，AI需求约占一成多。到了2025年，存储器居五成左右，AI会进一步占到四成。预估2024年台湾半导体产业产值将达4.76万亿新台币，成长21.3％。展望2025年，先进芯片将持续引领台湾半导体产值成长，整体产值将成长15.9％，达到5.52万亿新台币。次产业如晶圆代工预估成长18％，IC设计、存储器／IDM、IC封测将分别增14％、15％、10％。从2023年起的Cloud AI发展，到2024下半年至2025年由AI PC与AI手机带动的边缘AI(Edge AI)影响扩大，都将为供应链带来商机。由半导体结合AI的发展方向，将推动全球科技生态系的变革与再造，催生产业价值链的创新变化。值得留意的是，随着AI更加落实甚至可代理决策，预期2026年之后半导体市场，将受到更多AI治理相关的政策性因素影响。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/9/14 10:29:07
三星电子宣布，已开始大规模生产其1太比特 (Tb) 四级单元 (QLC) 第9代垂直NAND (V-NAND)。继今年4月实现业界首个三级单元 (TLC) 第九代V-NAND量产后，三星又实现业界首个QLC第九代 V-NAND量产，巩固了在高容量、高性能NAND闪存市场的领导地位。 三星电子表示，在TLC版本推出仅四个月后，QLC第9代 V-NAND就成功量产，这使我们能够提供全系列先进的SSD解决方案，满足AI时代的需求。随着企业级SSD市场快速增长，对AI应用的需求不断增加，我们将继续通过QLC和TLC第9代V-NAND巩固领导地位。三星计划扩大QLC第9代V-NAND的应用范围，从品牌消费产品开始，并扩展到移动通用闪存 (UFS)、PC和服务器SSD，以满足包括云服务提供商在内的客户需求。 三星QLC第九代V-NAND汇集了多项创新，取得了技术突破。采用三星独有的通道孔蚀刻技术，以双层堆栈结构实现业界最高层数，并利用TLC第九代V-NAND 的技术专长，优化单元面积和外围电路，实现业界领先的位密度，比上一代QLC V-NAND高出约 86%。设计模具技术可调整操作单元的字线 (WL) 的间距，以确保跨层和层内单元特性的一致性和优化。随着V-NAND层数的增加，这些特性变得越来越重要。与以前的版本相比，采用设计模具可将数据保留性能提高约20%，从而提高产品可靠性。预测程序技术可预测并控制单元状态变化，以最大限度地减少不必要的操作。三星的QLC第9代V-NAND通过技术改进，写入性能提高了一倍，数据输入/输出速度提高了60%。通过使用低功耗设计，数据读取和写入功耗分别降低了约30％和50％。该方法通过仅感测必要的位线（BL）来降低驱动NAND单元的电压并最大限度地降低功耗。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所...
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2024/9/14 10:26:42
Mini-Circuits的WVA-44603LN+是一款宽带低噪声放大器，工作频率为44GHz至60GHz，具有WR19波导接口。该型号在+10至+15V的正电源范围内运行，允许用户选择所需的工作电压。内部DC-DC转换电路在整个输入电压范围内保持一致的效率。放大器集成了多种直流保护功能，如过电压、反向电压和浪涌电流保护，以防止在运行过程中出现意外的电压尖峰时损坏。高频操作与高增益和低噪声系数相结合，使该放大器成为毫米波段卫星通信应用和5G测试的理想选择。特性WR19波导射频接口平坦增益响应，典型值±2dB。低噪声系数，典型值2.5dB。高PSAT，+21dBm典型值。宽直流工作电压，+10至+15V过压和反向电压保护应用5G-FR2毫米波测试航空航天与国防测试和测量Q波段、V波段卫星通信无线基础设施IEEE802.11和WiGig功能图带散热器的机箱样式图（WVA-44603LN+）不带散热器的机箱样式图（WVA-44603LNX+）点击购买：WVA-44603LN+
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2024/9/13 15:11:03
Mini-Circuits的LVA-273PN+是一种基于GaAsHBT工艺技术制造的超低相位噪声分布式MMIC放大器。该放大器的工作频率为0.01至26.5GHz，具有高动态范围和超低相位噪声，以及18dB增益、+18dBmP1dB、+28dBmOIP3和3.7dB噪声系数。LVA-273PN+非常适合与低噪声信号源和高灵敏度收发器信号链一起使用，用于商业、工业和国防应用。特性0.01至26.5GHz的宽带超低相位噪声型-10kHz偏移时为172dBc/Hz输出P1dB典型值+18dBm输出IP3类型+28dBm电源电压：+5V和85mA4x4mm24导联QFN型封装应用测试和测量设备雷达、电子战和电子对抗防御系统5GMIMO和回程无线电系统信号分配网络功能图案例风格图点击购买：LVA-273PN+
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2024/9/13 14:31:17
PMA5-83-2W+是一款GaAsMMIC分布式功率放大器，工作频率为0.01至10GHz。放大器提供12dB的增益、+33dBm的饱和输出功率，并在+12V电源和消耗400mA电流的情况下实现+43.5dBm的输出IP3。此外，它内部匹配50欧姆，采用5x5毫米32引脚QFN型封装。这些特性使其非常适合需要高工作输出功率的宽带测试仪器和防御系统，同时保持非常低的失真。特性P1dB，典型值+31dBmPSAT，典型+33dBm典型低噪声系数。3.5分贝高OIP3，典型+43.5dBm电源电压+12V，400mA5x5mm32引线QFN型封装应用测试和测量设备雷达、电子战和电子对抗防御系统5GSub6，MIMO无线基础设施系统微波无线电和甚小口径终端功能图特性测试板点击购买：PMA5-83-2W+
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2024/9/13 14:21:54
AnalogDevices太阳能光伏逆变器解决方案在能源管理产品和应用中提供精确的信号测量和控制。太阳能光伏逆变器解决方案提供高性能的处理技术，专门用于实现电力网络和下一代智能电网的稳健性和可靠性。AnalogDevices通过在经过优化的系统级信号处理方面经过验证的专业知识和提供各种系列产品，为开发人员提供准确、可靠且易于设计的能源管理解决方案。这些解决方案包括可再生能源、电力传输和配电应用，以及电力、燃气和计量。AnalogDevices可为相应的能源管理解决方案提供参考设计、演示板、技术资料和技术支持。主要挑战和系统考虑因素降低每瓦的系统成本提高电网的合规能力通过尽可能减少磁性元件和无源元件的使用来减轻重量/尺寸更高的可靠性和更长的使用寿命针对防火的直流电弧检测最大限度地减少交流电网上的直流注入电流太阳能光伏应用分类离线太阳能光伏系统并网太阳能光伏系统公用事业规模的三相光伏逆变器(100kW)分布式单相和三相光伏组串逆变器(1kW-50kW)单相微型逆变器和直流优化器(200W-300W)为何选择AnalogDevices？因为亚德诺在集成能源测量方面拥有专业知识，AnalogDevices已部署3亿台基于计量学的仪表是下一代可靠性更高的隔离技术(iCoupler®)领域的行业领导者全球所有电网设备中有50%采用AnalogDevices转换器通过高精度转换器和放大器实现电流和电压的精密测量为电力网络和智能电网提供稳定、可靠的高性能信号处理技术优化用于太阳能光伏逆变器的系统级混合信号转换和处理技术，以及完整的信号链产品可缩短产品上市周期，提供差异化终端设备
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2024/9/13 14:08:25
固态模拟开关和多路复用器已成为电子系统设计中的重要组件，这些系统需要能够控制和选择模拟信号的指定传输路径。这些设备用于各种应用，包括多通道数据采集系统、过程控制、仪器仪表、视频系统等。1960年代后期的开关和多路复用器采用分立MOSFET器件设计，并采用小型PC板或模块制造。随着CMOS工艺的发展（在同一衬底上产生良好的PMOS和NMOS晶体管），开关和多路复用器在1970年代中期迅速转向集成电路形式，推出了AnalogDevices广受欢迎的AD7500系列（1973年推出）等产品。1976年推出的这些器件的介电隔离系列允许±25V的输入过压（超出电源轨），并且对闩锁不敏感。这些早期的CMOS开关和多路复用器通常设计为在±15V电源下工作时处理高达±10V的信号电平。1979年，AnalogDevices推出了广受欢迎的ADG200系列开关和多路复用器，1988年又推出了ADG201系列，该系列采用专有的线性兼容CMOS工艺（LC2MOS）制造。当采用±15V电源供电时，这些器件允许输入信号达到±15V。1980年代和1990年代推出了大量开关和多路复用器，其趋势是降低导通电阻、加快开关速度、降低电源电压、降低成本、降低功率和更小的表面贴装封装。如今，模拟开关和多路复用器具有多种配置、选项等，几乎适合所有应用。现代CMOS技术现在可以实现小于0.5Ω的导通电阻、皮安级漏电流、大于1GHz的信号带宽以及1.8V单电源操作。此外，还提供采用AnalogDevicesiCMOS®（工业CMOS）工艺的±15V电源供电的工业产品。尽管CMOS是当今最流行的开关和多路复用器的IC工艺，但双极工艺（使用JFET）和互补双极工艺（也具有JFET功能）通常用于视频开关和多路复用等特殊应用，在这些应用中，CMOS无法实现...
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2024/9/13 14:02:17
由于多路复用器通常位于数据采集系统的前端，因此其输入通常来自远程位置，因此，它们经常会受到过压条件的影响。了解与CMOS器件相关的问题尤为重要。尽管本文的讨论主要围绕多路复用器展开，但它几乎与所有类型的CMOS器件都密切相关。大多数CMOS模拟开关采用结隔离CMOS工艺构建。单个开关单元的横截面图如图所示。如果模拟开关端子的电压正大于VDD或负电压大于VSS，则可能会发生寄生SCR（可控硅整流器）闩锁。即使是瞬态情况，例如在存在输入电压的情况下上电，也可以触发寄生闩锁。如果传导电流太大（几百毫安或更高），可能会损坏开关。寄生SCR机制如图2所示。当开关的任一端子（源极或漏极）的正压比VDD多一个二极管压降或一个二极管压降的负值比VSS大时，将发生SCR动作。在前一种情况下，VDD端子成为SCR门输入，并提供电流以触发SCR动作。在电压大于VSS负的情况下，VSS端子成为SCR栅极输入并提供栅极电流。在任何一种情况下，大电流都会在电源之间流动。电流量取决于两个晶体管的集电极电阻，该电阻可能相当小。通常，为防止闩锁情况，CMOS器件的输入不应超过正电源0.3V或负电源低0.3V。请注意，当电源关闭（VDD=VSS=0V）时，此限制也适用，因此，如果在输入端存在信号时为部件通电，器件可能会闩锁。CMOS器件的制造商总是将此限制放在绝对最大额定值的数据表表中。此外，过压条件下的输入电流应限制在5-30mA，具体取决于特定器件。
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2024/9/13 13:57:58
据 Real Time Automation 报道，以太网可能用于比工业环境更多的办公室。Office 以太网专为基本级别使用而设计，而工业以太网可以考虑用于多个级别并应用于更重负荷的环境。工业以太网更适合处理工厂噪音、工厂流程需求和更恶劣的环境，甚至能够更好地响应工厂车间的数据冲突。电缆和连接器在工业以太网技术中也可能有所不同。例如，工业环境中使用的连接器不会是基本的卡入式锁定机制， Real Time Automation 报道。由于环境较恶劣，因此需要更重的锁定机构。重型应用也经常需要密封连接器。商业或办公室以太网与工业以太网之间的布线也可能有所不同。轻型工业电缆可能比普通以太网电缆具有更高的护套质量。而且，正如预期的那样，重型电缆周围的护套和使用的金属也提高了质量，使它们更加耐用。
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2024/9/13 13:46:47