Mini-Circuits的HFHKI-2700+是一种微型低温共烧陶瓷（LTCC）高通滤波器，通带为3至11 GHz，支持各种应用。由于其坚固的单片结构，该型号在宽带上提供了0.8 dB的典型插入损耗。该滤波器采用1008陶瓷小尺寸封装，是密集信号链PCB布局的理想选择，可以补充MMIC的尺寸和性能。LTCC制造工艺确保了最小的射频性能变化，同时提供了一种非常适合高湿度和高温极端环境的产品。HFHKI-2700+高通滤波器具备哪些特征？典型低插入损耗。0.8分贝典型通带回波损耗。15分贝阻带抑制，典型。70分贝1008表面安装占地面积功率处理：6 W屏蔽结构因此该滤波器型号常被应用于5G基站、雷达、电子战、电子对抗防御系统、测试和测量设备、电信和宽带无线系统以及点到点链路中，并在其中发挥着不可或缺的力量。附图：典型频率响应
浏览次数：
1
2026/1/28 10:34:47
Mini-Circuits的TCW-4300+是一款高性能陶瓷RF平衡-不平衡变压器，阻抗比为1:2，针对2.15至4.3 GHz进行了优化，这是无线基础设施、卫星通信上行链路和5G sub-6 GHz系统的关键范围。它专为精度而设计，具有低插入损耗、出色的相位平衡和最小的幅度变化，确保在要求苛刻的射频链中具有卓越的信号完整性。凭借4W射频功率处理和输入输出之间的直流隔离，它支持有源元件的偏置灵活性。TCW2-4300+基于LTCC技术，采用坚固的0603陶瓷封装，将紧凑的尺寸与恶劣环境下的卓越可靠性相结合。TCW-4300+射频变压器都具备什么特征？微小尺寸，0603低成本次级直流馈电能力坚固的LTCC结构因此常被应用于无线基础设施5G，低于6 GHz频段、小型蜂窝、中继器和基站模块以及卫星与航空航天等应用领域中。附图：典型性能图
浏览次数：
2
2026/1/28 10:32:54
EQY-9-123+是一种宽带吸收增益斜率均衡器，采用高度可靠和可重复的GaAs MMIC IPD工艺制造。该型号工作在直流至12 GHz范围内，由于其吸收设计，在整个频带内实现了出色的线性斜率，同时保持了出色的回波损耗。该型号采用紧凑的1.5x1.5 mm封装，是测试与测量、卫星通信、雷达、电子战和ECM防御系统等广泛应用中密集电路布局的理想选择。EQY-9-123+都具备哪些特征？宽带，直流至12 GHz工作频带内的线性正斜率出色的回波损耗，典型值为16dB。1.5x1.5 mm，6引线QFN型封装因此，常被应用于测试和测量设备、卫星通信、雷达、电子战和电子对抗防御系统等领域中。附图：功能图（俯视图）
浏览次数：
3
2026/1/28 10:24:10
ZX60-5123LN+与ZX60-5153LN+是Mini-Circuits近期新推出的同轴低噪声放大器型号，下面就一块简单了解一下吧！ZX60-5123LN+Mini Circuits的ZX60-5123LN+是一款低噪声放大器，采用MCL自己的基于pHEMT的放大器PMA3-5123+，在5.5至12.5 GHz的整个频率范围内性能。该设计在80mA的单个+6V电源上运行，采用坚固、紧凑的一体式外壳（0.74英寸x 0.75英寸x 0.46英寸），带有集成SMA母连接器，使其成为苛刻操作条件和拥挤系统布局的理想选择。具备的特征低噪声系数，典型值1.4 dB。出色的增益平坦度，典型值为±0.6 dB。高输出IP3，+29.5 dBm典型值。 高输出P1dB，+17.0 dBm典型值。 内部电压调节和反向电压保护PMA3-5123的理想评估模块+ZX60-5153LN+Mini Circuits的ZX60-5153LN+是一款低噪声放大器，采用MCL自己的基于pHEMT的放大器PMA3-5153+，在5.5至15.5 GHz的整个频率范围内性能。该设计在90 mA的单+9 V电源下运行，采用坚固紧凑的一体式外壳（0.74“x 0.75”x 0.46“），带有集成SMA母连接器，使其成为苛刻操作条件和拥挤系统布局的理想选择。具备的特征低噪声系数，典型值1.5 dB。出色的增益平坦度，典型值为±0.8 dB。超过5.5至14.5 GHz高输出IP3，+28.0 dBm典型值。高输出P1dB，+18.0 dBm典型值。内部电压调节和反向电压保护
浏览次数：
1
2026/1/28 10:15:21
NanoXplore，欧洲SoC FPGA和辐射硬化FPGA技术设计，以及服务于电子应用各类客户的全球半导体STMicroelectronics，宣布NG-ULTRA已获得航天应用资格认证。这款抗辐射的SoC FPGA专为航天应用设计，包括低地球和中地球轨道星座，预计将应用于众多卫星设备系统，包括旗舰任务如伽利略号、哥白尼号，甚至可能用于IRIS²。“ESCC 9030资格认证为NG-ULTRA是一个历史性的里程碑。这证明欧洲现在掌握了针对深空和新太空星座需求的尖端数字零部件的整个生产链。得益于欧洲航天局（ESA）、国家国家科学研究中心（CNES）和欧盟委员会（通过DG-DEFIS）的支持，NanoXplore和意法半导体正在确保欧盟的战略自主权，同时使欧洲卫星的竞争力比以往任何时候都更强。”—— Édouard Lepape，NanoXplore首席执行官。首款获得欧洲新航天产业ESCC 9030认证的产品 这一认证标志着欧洲航天生态系统的重大工业和技术里程碑：NG-ULTRA是首个符合ESCC 9030认证的产品，该欧洲新标准专注于高性能微电路的有机基底或塑料翻转芯片。该标准不仅满足航天应用所需的可靠性，还使得人们能够逐步摆脱传统的陶瓷封装方案——这些方案适合深空，但更重且更昂贵——标志着星座和大批量任务的重要进步。“新太空”动态（星座、低地球和中地球轨道、更高容量）正在改变机载数字设备的需求，推动规模转变：同时需要更强的计算能力、受控的功耗以及与大规模部署兼容的内控成本。NG-ULTRA通过允许更多数据直接在轨道处理（边缘计算）来应对这一挑战，从而限制太空与地面之间的传输瓶颈。NG-ULTRA的目标包括机载计算机、子系统间的数据管理与路由、图像和视频处理（实时压缩和编码）、软件定义无线电（SDR）——实现通信模式的远程演进，以及车载自主性（检测、识...
浏览次数：
1
2026/1/28 9:52:07
什么是TMR技术，它与霍尔效应传感有何不同？隧道磁阻（TMR）利用电阻的变化来检测磁场，与霍尔效应传感器相比，具有更高的灵敏度和更低的功耗。TMR可在紧凑型设备中延长电池寿命并提高精度。磁性开关中的“全极”是什么意思？全极开关对北极和南极磁场都有反应。此功能省去了组装过程中对磁体方向或极性的控制需求，从而简化了系统设计。紧凑型LGA4封装有哪些优势？LGA4封装尺寸小巧，易于表面贴装，支持超紧凑的电路板布局。其尺寸非常适合对占用空间和高度要求极高的小型化或电池供电设计。LF21173TMR和LF21177TMR如何提高设计效率？其高敏感度允许使用更小或更弱的磁体，紧凑的LGA4封装则节省了宝贵的电路板空间。这种组合减少了组件数量，简化了集成，并提高了整体系统效率。这些开关是否与标准CMOS电路兼容？是的。集成的CMOS输出接口确保了与低功耗逻辑电路的轻松连接，使这些TMR开关可以直接用于各种电子设计。芯片包装方式是什么？产品以卷带形式提供免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
浏览次数：
5
2026/1/28 9:47:47
新型LF21173TMR和LF21177TMR开关采用紧凑型LGA4封装，可提供高灵敏度、快速响应并延长电池寿命，适用于电池供电的智能电子产品。Littelfuse公司是一家多元化的工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今天宣布推出两款新一代 全极磁性开关： LF21173TMR 和 LF21177TMR。这两款器件在紧凑的LGA4封装中结合了隧道磁阻（TMR）和CMOS技术，可为紧凑的电池供电系统提供超低功耗、卓越的磁灵敏度和快速响应。LF21173TMR和LF21177TMR设计用于在较宽泛的电压范围（1.8 V-5.5 V）内运行，支持多个磁阈值，可灵活集成到空间有限的应用中，如智能电表、电子锁、医疗设备和便携式消费电子产品。与传统的霍尔效应开关相比，这些TMR器件具有显著提高的灵敏度和更低的功耗，可帮助工程师打造出体积更小、能效更高、使用寿命更长的产品。“随着LF21173TMR和LF21177TMR开关的推出，我们把磁感应的精度和效率提升到了一个新的水平。”Littelfuse传感器全球产品经理Julius Venckus表示， “这款开关集成了TMR技术，具有超低功耗和高灵敏度，可解决紧凑型电池供电设计中的关键挑战。对于在工业、医疗和消费应用中构建更智能、更可靠设备的工程师而言，这将是一次具有颠覆性意义的变革。”TMR优势与依靠磁通量产生霍尔电压的传统霍尔效应技术不同，TMR传感器可测量磁隧道结的电阻变化，从而在更低的电流水平下产生更强的信号输出。该开关在保持卓越精度和热稳定性的同时实现了更低功耗，特别适用于对能量要求严格的应用场景，在这些场景中，每微安的电流都至关重要。主要特性和优势超低功耗可延长便携式设备的电池寿命。高磁灵敏度（9 - 30高斯）确保使用较小磁体时仍能实现可靠检测。1.8 V-5.5 V宽泛工作范围支持灵活...
浏览次数：
1
2026/1/28 9:43:11
英飞凌科技股份公司近日推出新一代USB 2.0外设控制器EZ-USB™ FX2G3，该产品可为USB设备带来卓越的性能、强大的安全性与能效。这款新型控制器基于备受信赖的EZ-USB™ FX2LP平台，能够为需要无缝、安全连接的行业提供高度适配的解决方案。 高效、安全的数据传输需求正驱动各行业创新升级，而USB技术在实现这种连接方面发挥着关键作用。EZ-USB™ FX2G3控制器包含串行通信模块（SCB）、可提高安全性的加密引擎，以及高带宽数据子系统。高带宽数据子系统可加快从LVCMOS输入端至USB输出端DMA数据传输，最高传输速率达480 Mbps，适用于基于USB Hi-Speed的主机系统。高带宽数据子系统还内置1024 KB SRAM，为数据提供充足的缓冲空间。EZ-USB™ FX2G3凭借其多功能性可无缝集成至多个行业领域。例如，在生物识别系统中，该控制器可支持安全、快速的指纹识别或面部认证功能，为用户提供便捷、安全的设备访问方式；在医疗健康设备中，该控制器可驱动便携式诊断工具、影像系统和患者监护设备，帮助医护人员提供更加高效的有效护理；在工业系统中，该控制器可加快机器人和自动化系统中的实时数据采集与通信，从而提高生产力和效率；在消费电子领域，该控制器的速度和效率可提高游戏设备、音频外设，以及其他USB配件的性能，为消费者带来更加愉快、沉浸的体验；在机器人领域，EZ-USB™ FX2G3支持传感器集成和高级控制，在工业级和消费级设计中提供高响应能力。EZ-USB™ FX2G3产品采用104引脚LGA封装，尺寸为8x8毫米。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
浏览次数：
2
2026/1/28 9:34:31
1月26日晚，阿里正式推出千问系列旗舰推理模型Qwen3-Max-Thinking。根据阿里公布的数据，该模型在19项权威基准测试中的表现媲美OpenAI的GPT-5.2-Thinking、谷歌的Gemini 3 Pro等国际顶尖模型，标志着国产大模型在高阶推理领域实现重要突破。据了解，Qwen3-Max-Thinking是目前阿里规模最大、能力最强的千问推理模型，其总参数量超万亿（1T），预训练数据量高达36T Tokens。此前，预览版Qwen3-Max-Thinking斩获数学推理AIME 25和HMMT 25的国内首个双满分，推理性能已让人惊艳；在此基础上，阿里通义团队进行了更大规模的强化学习后训练，全面提升了正式版Qwen3-Max-Thinking性能：在涵盖事实知识、复杂推理、指令遵循、人类偏好对齐、Agent能力等19个公认的大模型基准测试中，千问旗舰推理模型刷新了数项最佳表现（SOTA）纪录，整体性能可媲美 GPT-5.2-Thinking-xhigh、Claude Opus 4.5 和 Gemini 3 Pro 。在性能比拼中，该模型在被称为“人类最后的测试”的HLE工具调用基准中，以58.3分远超GPT-5.2-Thinking的45.5分和Gemini 3 Pro的45.8分；IMO级数学推理测试获91.5分登顶，预览版更曾拿下AIME 25与HMMT 25双满分。目前，普通用户可通过千问PC端、网页端免费体验，企业则能通过阿里云百炼获取API服务。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
浏览次数：
1
2026/1/28 9:12:03
ADuC7020 接口上图展示了 ADF41020 与 ADuC7019/ADuC7023 系列模拟微控制器之间的接口。ADuC70xx 系列基于 AMR7 内核，但同样的接口也可用于任何基于 8051 的微控制器。该微控制器配置为 SPI 主模式，CPHA = 0。要启动操作，将驱动 LE 的 I/O 端口拉低。ADF41020 的每个锁存器需要一个 24 位字。这通过微控制器向器件写入三个 8 位字节来完成。当写入第三个字节时，将 LE 输入拉高以完成传输。首次给 ADF41020 上电时，需要进行三次写入（分别写入功能锁存器、R 计数器锁存器和 N 计数器锁存器各一次），输出才会变为有效状态。微控制器的 I/O 端口线还用于控制电源关闭（CE 输入）和检测锁定（MUXOUT 配置为锁定检测，并通过端口输入轮询）。在上述工作模式下，ADuC7023 的最大 SPI 传输速率为 20 Mbps。这意味着输出频率可以改变的最大速率为 833 kHz。如果使用更快的 SPI 时钟，请确保遵守表1中列出的 SPI 时序要求。Blackfin BF527 接口上图展示了 ADF41020 与 Blackfin® ADSP-BF527 数字信号处理器（DSP）之间的接口。ADF41020 的每次锁存器写入需要一个 24 位串行字。使用 Blackfin 系列实现这一操作的最简单方法是采用交替帧模式的自动缓冲发送模式。这提供了一种在中断产生之前传输整块串行数据的方法。将字长度设置为 8 位，每个 24 位字 使用三个存储位置。要编程每个 24 位锁存器，存储三个 8 位字节，启用自动缓冲模式，然后写入 DSP 的发送寄存器。最后一次操作启动自动缓冲传输。与微控制器情况一样，确保时钟速度在表1概述的最大限制范围内。表1续
浏览次数：
2
2026/1/27 10:41:03
定时器计数器控制：用户可以选择编程设置两个电荷泵电流。其设计意图是：电流设置1用于射频输出稳定且系统处于静态时；电流设置2用于系统处于动态变化状态（例如，编程新的输出频率时）。正常的事件序列如下：用户首先确定偏好的电荷泵电流值。例如，选择0.85 mA作为电流设置1，1.7 mA作为电流设置2。同时，必须决定次级电流在恢复到主电流之前保持激活状态的时间。这由功能锁存器中的定时器计数器控制位DB14至DB11（TC4至TC1）控制。要编程新的输出频率，只需用新的A和B值编程N(A,B)计数器锁存器。同时，可以将CP增益位设置为1，这将根据TC4至TC1设定的时间段内，将电荷泵电流设置为CP16至CP14的值。当这段时间结束后，电荷泵电流恢复到CP13至CP11设定的值。同时，N(A,B)计数器锁存器被复位为0，准备好在用户下次希望改变频率时使用。注意，定时器计数器具有使能功能。当通过将功能锁存器中的快速锁定模式位（DB10）设置为1来选择快速锁定模式2时，该功能被启用。关键术语对照英文中文Charge pump电荷泵Current Setting电流设置Function latch功能锁存器Fast Lock Mode快速锁定模式N(A,B) counter latchN(A,B)计数器锁存器
浏览次数：
1
2026/1/27 10:35:03
一、ADF41020概述ADF41020频率合成器可用于在无线接收器和发射器的上变频和下变频部分实现高达18 GHz的本地振荡器。它由低噪声数字相位频率检测器（PFD）、精密电荷泵、可编程参考分频器和高频可编程反馈分频器（a、B和P）组成。如果合成器与外部环路滤波器和压控振荡器（VCO）一起使用，则可以实现完整的锁相环（PLL）。合成器可用于通过有源环路滤波器驱动外部微波VCO。其极高的带宽意味着可以省去倍频器级，简化系统架构并降低成本。二、具备的特征18 GHz最大射频输入频率集成SiGe预分频器与ADF4106/ADF4107/ADF4108系列PLL兼容的软件2.85 V至3.15 V PLL电源可编程双模预分频器8/9、16/17、32/33、64/65可编程电荷泵电流三线串行接口数字锁检测硬件和软件断电模式4000 V HBM/1500 V CDM ESD性能三、常见的应用微波点对点/多点无线电无线基础设施甚小口径终端无线电测试设备仪器仪表
浏览次数：
3
2026/1/27 10:24:46
VCOADF4372 的 VCO 由四个独立的 VCO 内核组成：内核 A、内核 B、内核 C 和内核 D。每个内核使用 256 个重叠频带，使器件在具备较大 VCO 灵敏度（Kv）的同时，能够覆盖宽广的频率范围，且不会导致相位噪声和杂散性能恶化。每当寄存器地址 0x10 被更新且自动校准使能时，VCO 及频带选择逻辑会自动选定合适的 VCO 与频带。此时，VCO 调谐电压将与环路滤波器输出断开，转而连接至内部基准电压。R 计数器输出用作频带选择逻辑的时钟。频带选择完成后，PLL 恢复正常工作。当 N 分频器由 VCO 输出直接驱动时，Kv 的标称值为 50 MHz/V；若 N 分频器由射频输出分频器驱动，则 Kv 值需除以输出分频系数 D。随着调谐电压 VTUNE 在频带内变化以及在不同频带间切换，Kv 值亦会随之改变。对于覆盖宽频率范围（并切换输出分频器）的宽带应用，采用 50 MHz/V 的数值可获得最准确的 Kv，因为该值最接近平均值。图 33 和图 34 展示了 Kv 随 VCO 基频的变化情况，以及各频带的平均值。在进行窄带设计时，建议参考下面两张图。
浏览次数：
1
2026/1/27 10:19:50
ADPA9002功率放大器的工作原理：ADPA9002 是一款基于砷化镓（GaAs）工艺的 MMIC pHEMT 级联分布式功率放大器。其级联分布式架构采用一种基本单元，该单元由两个场效应晶体管（FET）堆叠而成，上方 FET 的源极与下方 FET 的漏极相连。该基本单元被多次复制，其中 RFIN 传输线连接下方 FET 的栅极，RFOUT 传输线连接上方 FET 的漏极。每个单元周围采用了额外的电路设计技术，以优化整体带宽、输出功率和噪声系数。这种架构的主要优点是在远超过单个基本单元所能提供的带宽范围内保持高输出电平。该架构的简化原理图如图 61 所示。为简化偏置且无需负电压轨，VGG1 可直接接地。当 VDD = 12 V 且 VGG1 接地时，产生 385 mA（典型值）的静态漏极电流。也可以选择施加外部产生的 VGG1，从而允许将静态漏极电流在 385 mA 标称值上下进行调整。例如，下图显示，通过将 VGG1 从约 –0.3 V 调整到 +0.3 V，可获得 250 mA 至 450 mA 的静态漏极电流。ADPA9002 具有单端输入和输出端口，在直流至 10 GHz 频率范围内，其阻抗标称值为 50 Ω。因此，ADPA9002 可直接插入 50 Ω 系统，无需阻抗匹配电路。同样，输入和输出阻抗对温度和电源电压的变化具有足够的稳定性，因此无需进行阻抗匹配补偿。射频输出端口还兼作 VDD 偏置端，需要连接一个射频扼流圈（RF choke）以施加直流偏置。尽管该器件可工作至直流，但建议在射频输入和输出端口使用隔直电容，以防止在加载直流偏置电源时对射频级造成损坏。射频输出端的射频扼流圈和隔直电容共同构成一个偏置 T 型接头（bias tee）。实际上，外部射频扼流圈和直流隔直电容的选择限制了最低工作频率。ACG1 至 ACG3 是用于提供交流接地端接（电容）的节点。使...
浏览次数：
2
2026/1/27 9:52:03
一、概述ADRF5046 是一款基于硅工艺的反射式单刀四掷（SP4T）开关。ADRF5046 的工作频率范围为 100 MHz 至 44 GHz，插入损耗低于 3.0 dB，隔离度高于 31 dB。该器件的射频（RF）输入功率处理能力为 27 dBm，适用于直通路径和 RFC 引脚的热切换。ADRF5046 在 +3.3 V 正电源供电时电流为 3 µA，在 –3.3 V 负电源供电时电流为 –110 µA。该器件提供互补金属氧化物半导体（CMOS）/低压晶体管-晶体管逻辑（LVTTL）兼容的控制接口。ADRF5046 采用 20 引脚、3 mm × 3 mm、符合 RoHS 标准的栅格阵列（LGA）封装，工作温度范围为 –40°C 至 +105℃。二、具备的特征超宽带频率范围：100 MHz至44 GHz反映设计低插入损耗1.5 dB至18 GHz2.5 dB至40 GHz3.0 dB至44 GHz高隔离度46 dB至18 GHz33 dB至40 GHz31 dB至44 GHz高输入线性度P0.1dB:27.5 dBm典型值IP3:50 dBm典型值高射频输入功率处理直通路径：27 dBm热切换（RFC）：27 dBm无低频杂散0.1 dB射频稳定时间：50 ns20-端子，3mm×3mm，符合RoHS标准，LGA封装三、常见的应用工业扫描仪测试仪器蜂窝基础设施毫米波5G军用无线电、雷达和电子对抗措施（ECM）微波无线电和甚小口径终端
浏览次数：
1
2026/1/27 9:40:58
HMC6832 是一款输入可选的 2:8 差分扇出缓冲器，专为低噪声时钟分配而设计。IN_SEL 控制引脚用于选择两路差分输入中的一路，该输入随后被缓冲至全部八路差分输出。HMC6832 的低抖动输出可实现下游电路（如混频器、模数转换器(ADC)/数模转换器(DAC)或串行器/解串器(SERDES)器件）的同步低噪声切换。通过将 CONFIG 引脚拉低可配置为低压正射极耦合逻辑(LVPECL)模式，或将其拉高/悬空（内部上拉）配置为伪低压差分信号(LVDS)模式。那么它都具备哪些亮点呢？1.多种输出配置。CONFIG引脚允许用户选择LVPECL或LVDS输出端接。2.多电源电压操作。HMC6832在LVPECL终端的2.5V或3.3V下工作（仅LVDS为2.5V）。3.噪音低。HMC6832的噪声很低，通常在-168 dBc/Hz到-162 dBc/Hz之间，最高可达3000 MHz。4.低传播延迟。HMC6832显示低延迟，通常小于207ps。信道偏斜也很低，典型值为±5ps。5.铁芯电流低。HMC6832的核心电流通常为56mA。因此常常被大家应用在以下这些领域中：SONET、光纤通道、GigE时钟分布ADC/DAC时钟分布低偏斜和抖动时钟无线/有线通信电平转换高性能仪器医学影像单端到差分转换
浏览次数：
0
2026/1/27 9:33:56
问：HMC903LP3E低噪声放大器的工作原理是什么？答：HMC903LP3E 是一款基于砷化镓（GaAs）工艺的赝晶高电子迁移率晶体管（pHEMT）单片微波集成电路（MMIC）低噪声放大器。该放大器采用两级串联增益结构，基本电路原理如下图所示，构成一款工作频率范围为 6 GHz 至 17 GHz 的低噪声放大器，具有优异的噪声系数性能。HMC903LP3E 具有单端输入和输出端口，在 6 GHz 至 17 GHz 频率范围内，其阻抗标称值为 50 Ω。因此，它可以直接插入 50 Ω 系统中，无需阻抗匹配电路，这也意味着多个 HMC903LP3E 放大器可以背靠背级联，而无需外部匹配电路。输入和输出阻抗对温度和电源电压的变化具有足够的稳定性，因此无需进行阻抗匹配补偿。请注意，为确保稳定工作，必须为 GND 引脚和封装底部裸露焊盘提供极低电感的接地连接。为了获得 HMC903LP3E 的最佳性能并防止器件损坏，请勿超过绝对最大额定值。
浏览次数：
0
2026/1/27 9:30:56
一、概述HMC976LP3E 是一款基于 BiCMOS 工艺的超低噪声线性稳压器。其在 0.1 MHz 至 10 MHz 频段内具有极高的电源抑制比（PSRR），可有效抑制前级开关稳压器或其他电源产生的噪声。该稳压器的输出电压非常适合用于频率生成子系统，包括 Hittite 公司广泛的集成 VCO 的 PLL 系列产品。输出电压可通过外接一只电阻调至低于默认值；若将 HV 引脚接地，则输出可设定为 5 V。芯片支持通过 TTL 兼容的使能输入端进行关断。HMC976LP3E 采用 3 mm × 3 mm 的 QFN 表面贴装封装。二、具备的特征高输出电流：400mA低压差：400mA输出时为300mV，VR3V超低噪声：10 kHz时为3nV/√Hz，1 kHz时为6nV/√于Hz高电源抑制比（PSRR）：1 kHz时-60 dB，1 MHz时-30 dB可调电压输出：VR 1.8至5V，400mA设计用于低ESR陶瓷电容器低功耗电流：1µA热防护16引脚3x3mm SMT封装：9mm²三、常见的应用•测试仪器•军用无线电、雷达和ECM•基站基础设施•超低噪声频率生成•分数-N合成器电源•微波VCO电源•混合信号电路电源•低噪声基带电路电源四、功能图
浏览次数：
0
2026/1/27 9:22:21