ADPL83200控制外部P沟道MOSFET，以创建近乎理想的二极管功能，用于电源切换或负载共享。这允许高效地对多个电源进行or'，以延长电池寿命和降低自热。导通时，金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）两端的电压降通常为20mV。对于配备壁式适配器或其他辅助电源的应用，当连接辅助电源时，负载会自动与电池断开连接。两个或多个ADPL83200可以互连，以允许多个电池之间的负载共享或从单个充电器为多个电池充电。宽的电源工作范围支持串联一到六个锂离子电池。低静态电流（典型值为11μA）与负载电流无关。栅极驱动器包括用于MOSFET保护的内部电压钳。当检测到辅助电源时，STAT引脚可用于启用辅助P沟道MOSFET电源开关。该引脚也可用于向微控制器指示辅助电源已连接。控制（CTL）输入使用户能够强制关闭主MOSFET并将STAT引脚设置为低电平。ADPL83200采用薄型（1mm）ThinSOT封装。特征极低损耗替代电源或二极管最小外部组件直流电源之间的自动切换简化多个电池的负载共享低静态电流：11µA3V至28V AC/DC适配器电压范围2.5V至28V蓄电池电压范围蓄电池反向保护驱动几乎任何尺寸的MOSFET，满足广泛的电流需求MOSFET栅极保护夹手动控制输入薄型（1mm）ThinSOT™封装应用蜂窝电话笔记本电脑和手持电脑数码相机USB供电的外围设备不间断电源逻辑控制电源开关如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件采购商城。
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2025/11/26 10:47:47
ADPM12160 是一款高功率四分之一砖型 DC-DC 转换器，在半负载下可提供高达 98% 的效率。是一款非隔离式转换器，可提供 12V 全稳压输出，持续功率为 1600W，在短时间内峰值功率可达 2400W。特征电气40V 至 60V 输入电压范围12V 全稳压输出电压热设计功率高达 1600W峰值功率高达 2400 瓦半负荷下峰值效率高达 98%。全面保护：OTP、输入欠压锁定 (UVLO) 和过压锁定 (OVLO)、输入过流保护 (OCP)、输出过压保护 (OVP)、输出过流保护 (OCP) 和短路保护 (SCP)。无最低负载要求耦合电感器实现快速负载瞬态响应远程开/关（REM）可选逻辑PMBus™ 配置事件数据记录仪（黑匣子）并联运行与主动电流共享非隔离机械的行业标准四分之一砖尺寸：58.4 毫米 × 36.8 毫米 × 15.1 毫米（2.30 英寸 × 1.45 英寸 × 0.59 英寸）可选引脚长度：2.79 毫米、3.70 毫米或 4.32 毫米安全与认证IEC/UL/EN/CSA 62368-1符合欧盟 RoHS 指令 2011/65/EU 和(EU)2015/863通过 ISO 9001、TL 9000、ISO 14001、ISO 45001 认证的制造工厂应用分布式电源架构无线网络接入和光网络设备企业网络最新一代集成电路（DSP、FPGA 和 ASIC）及微处理器驱动的应用如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件采购商城。
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2025/11/26 10:41:16
使用LTC3637时，必须注意不要超过绝对最大额定值部分中规定的任何额定值。然而，作为额外的保护措施，LTC3637具有超温停机功能。如果结温达到约180°C，LTC3637将进入热关断模式。电源开关将关闭，SW节点将变为高阻抗。零件冷却到160°C以下后，将重新启动。未对超温水平进行生产测试。LTC3637还实现了保护功能，当输入电压不在编程工作范围内时，该功能会禁止切换。通过使用从输入电源到地的电阻分压器，RUN和OVLO引脚可以作为精确的输入电源电压监测器。当RUN引脚降至1.1V以下或OVLO引脚升至1.21V以上时，开关被禁用，这可以配置为将开关限制在特定范围的输入电源电压。将RUN引脚拉到700mV以下会强制低静态电流关机（3µa）。此外，如果输入电压降至典型的3.5V以下（最大3.7V），内部欠压检测器将禁用开关。当开关被禁用时，LTC3637可以安全地维持高达80V绝对最大额定值的输入电压。输入电源欠压或过压事件会触发软启动重置，从而从输入电源瞬态中恢复正常。如有型号采购及选型需求，可知直接联系兆亿微波采购商城。
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2025/11/26 10:22:02
LTC3637是一款高效率降压DC/DC稳压器，集成内部高端电源开关，功耗仅12μA DC，空载时可保持稳定的输出电压。LTC3637可提供高达1A的负载电流，并具有可编程峰值电流限值，从而提供了一种简单的方法来优化效率、减少输出纹波和元件尺寸。LTC3637结合了突发工作(Burst Mode®)模式、集成电源开关、低静态电流和可编程峰值电流限值特性，可在各种负载电流范围内提供高效率。LTC3637具有4V至76V的宽输入范围和可编程过压闭锁功能，是一款适合调节各种电源的鲁棒稳压器。此外，LTC3637具有精确的运行阈值和软启动特性，确保控制电源系统在任何环境下启动都能得到良好的控制。LTC3637采用散热增强型3mm × 5mm DFN和MSE16两种封装。特征宽工作输入电压范围：4V至76V内部350mΩ功率MOSFET无需补偿最大输出电流可调100mA至1A低压差操作：100%占空比低静态电流：12µA宽输出范围：0.8V至VIN0.8V±1%反馈电压参考精确的RUN引脚阈值内部和外部软启动可编程1.8V、3.3V、5V或可调输出所需外部组件很少可编程输入过压锁定薄型（0.75mm）3mm×5mm DFN和热增强MSE16封装AEC-Q100符合汽车应用标准应用工业控制用品医疗器械分布式电力系统便携式仪器电池供电设备汽车航空电子设备如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件采购商城，
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2025/11/26 10:05:52
LT3970是一款可调频率单片降压开关稳压器，可接受高达40V的输入电压范围，并且仅消耗2.5μA的静态电流。裸片上包含一个高效开关、环流二极管、升压二极管以及必要的振荡器、控制和逻辑电路。在典型应用中，低纹波突发模式可在低输出电流时保持高效率，同时使输出纹波保持在5mV以下。使用电流模式拓朴以实现快速瞬态响应和良好的环路稳定性。环流二极管限流值可提供针对短路输出和过压条件的保护。提供具有准确阈值的使能引脚，可产生0.7μA的低关断电流。当VOUT达到已编程输出电压的90% 时，将会指示电源正常标记。LT3970采用小型10引脚MSOP和3mm × 2mm DFN封装。特征低纹波突发模式®操作12VIN至3.3VOUT时的2.5µA IQ输出纹波宽输入电压范围：4.2V至40V工作电压可调开关频率：200kHz至2.2MHz集成升压和捕获二极管350mA输出电流固定输出电压：3.3V、3.42V、5V，12VIN时IQ为1.8µA精确的1V启用引脚阈值低关断电流：IQ=0.7µA内部检测限值捕获二极管电流电源良好标记输出电压：1.21V至25V内部补偿小型10针MSOP和（3mm×2mm）DFN封装AEC-Q100符合汽车应用标准应用汽车电池法规便携式产品电源工业用品如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件采购商城。
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2025/11/26 9:53:25
ADPA1105 是一款氮化镓（GaN）功率放大器，可输出 46 dBm（40 W）的脉冲功率。该器件由两个级联增益级组成，其简化架构如图基本框图所示。ADPA1105 的射频输入（RFIN）和射频输出（RFOUT）端口均为单端结构，并带有直流隔离。这些端口在 0.9 GHz 至 1.6 GHz 的工作频率范围内，标称阻抗为 50 Ω。因此，ADPA1105 可直接插入 50 Ω 系统，无需外部阻抗匹配元件或交流耦合电容。施加在 VoDi 和 Vopz 引脚上的脉冲偏置电压分别用于偏置第一和第二增益级的漏极（必须使用单一的公共电源电压）。施加在 VGGi 和 VGcz 引脚上的负直流电压分别用于偏置第一和第二增益级的栅极，以控制每级的漏极电流（必须使用单一的公共栅极电压）。推荐的直流偏置条件下，在输入功率为 19 dBm 时，ADPA1105 在 1.5 GHz 下的典型脉冲射频输出功率为 46 dBm，功率附加效率（PAE）为 60%。部分射频输出信号通过定向耦合器耦合至一个二极管，用于检测射频输出功率。当该二极管被直流偏置时，它会对射频功率进行整流，并将射频功率以直流电压的形式输出到 VDET 引脚，供测量使用。一个对称的二极管电路（未耦合至射频输出）在 VREF 引脚输出一个直流电压，用作温度补偿的参考。通过计算 VREF 与 VDET 之间的差值，可获得一个与射频输出功率成比例、且具有温度补偿特性的信号。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件采购商城。
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2025/11/26 9:49:10
HMC7545是一款单向、四通道、与协议和数据速率无关的异步信号调理器，设计用于工作频率高达14.2 Gbps的中短程光学模块、线路卡和背板应用。各通道提供可编程的输入均衡、LOS和接收机检测、自动输出静噪、可编程输出摆幅和输出去加重性能。 .HMC7545的所有高速差分输入和输出采用电流模式逻辑(CML)，片内50欧姆端接至正电源，可采用直流或交流耦合。该器件采用2.5 V或3.5 V单电源供电，各通道的典型功耗小于80 mW。HMC7545采用36引脚、4 mm × 7 mm LFCSP封装，工作温度范围为-40℃至+85°C。特征具有高达18dB均衡的连续时间线性均衡器（CTLE）具有可编程阈值和滞后的信号丢失（LOS）检测驱动器性能可编程差分摆动：400 mV p-p差分至900 mV p-p差值可编程驱动器输出，具有高达12 dB的去加重功能自动电动怠速和接收器检测输出极性反转和自动输出静噪单电源（2.5V或3.3V）低功耗操作：每通道80 mW每通道断电选项灵活的配置接口：针带、2线接口或EEPROM应用QSFP+直连式有源铜模块10 Gb、40 Gb以太网和OTN线路卡10 Gb、40 Gb背板驱动器8 Gb、16 Gb光纤通道和InfiniBand®EDR线卡和背板驱动器8 Gb、10 Gb、16 Gb有源光学模块8 Gb、10 Gb、16 Gb有源铜缆组件1.5 Gb、3 Gb、6 Gb、12 Gb SAS/SATAPCIe 1.x、2.0、3.0宽带和自动测试和测量如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件采购商城。
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2025/11/26 9:41:49
联发科正式发布旗舰座舱芯片天玑座舱P1 Ultra，采用4nm制程工艺，实现能效比与性能的完美平衡。该芯片CPU算力高达175K DMIPS，GPU图形算力达1800 GFLOPS并支持硬件级光追技术，NPU AI算力更达23 TOPS，三位一体的强劲算力为智能座舱体验树立全新标杆。制程突破：4nm工艺赋能极致性能联发科正式发布旗舰座舱芯片天玑座舱P1 Ultra，采用4nm制程工艺，实现能效比与性能的完美平衡。该芯片CPU算力高达175K DMIPS，GPU图形算力达1800 GFLOPS并支持硬件级光追技术，NPU AI算力更达23 TOPS，三位一体的强劲算力为智能座舱体验树立全新标杆。AI革新：端侧大模型落地座舱场景天玑座舱P1 Ultra整合Armv9架构，内建高性能AI计算单元和轻量化生成式AI引擎，成功实现70亿参数大语言模型在端侧的流畅运行。芯片支持多种主流大模型及Stable Diffusion等AI绘图功能，赋能3D图形界面语音助手、多屏互动、驾驶警觉性监测等创新应用。通过端侧AI处理，既保障了数据安全，又实现了更低延迟、更快响应的用户体验。集成设计：全栈方案加速产品上市芯片采用高度集成设计，将智能座舱、T-BOX、联接模块等关键组件整合为一体化方案。平台内置调制解调器，支持5G T-BOX、双频Wi-Fi、蓝牙和GNSS全球导航系统，搭载旗舰级HDR ISP影像处理器，具备AI降噪、AI 3A等智能影像优化技术。同时支持360度环视、行车记录和座舱内监测功能，为行车安全提供全方位保障。沉浸体验：多屏互动与影音升级天玑座舱P1 Ultra支持最高6屏并发显示，结合MediaTek MiraVision显示增强技术，实现4K 60帧超高清视频播放与录制。影院级画质配合环绕立体声音效，将智能座舱转变为移动娱乐空间，为驾乘者带来沉浸式影音体验。产业展望：开启&...
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2025/11/26 9:36:09
Mini-Circuits的HPCJ-20-43+是一款3300至4000 MHz的LTCC定向耦合器，支持多种应用。该模型提供0.09 dB的典型主线损耗、20 dB的耦合和30 dB的定向耦合器方向性。它可处理高达50 W的射频输入功率，并提供-55至+125°C的宽工作温度范围。该耦合器采用0.125英寸x 0.2英寸x 0.047英寸的小外形尺寸，非常适合密集的PCB布局，并且由于寄生效应导致的性能变化最小。特征高输入功率处理，最大50 W典型的主线损耗。0.09分贝典型的耦合。20分贝方向性，典型。30分贝小尺寸：0.125英寸x 0.2英寸x 0.047应用5G Sub6、MIMO、n78无线基础设施系统微波回程无线电系统雷达系统卫星通信如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件采购商城。
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2025/11/25 11:21:37
EQY-8-123+是一种宽带吸收增益斜率均衡器，采用高度可靠和可重复的GaAs MMIC IPD工艺制造。该型号工作在直流至12 GHz范围内，由于其吸收设计，在整个频带内实现了出色的线性斜率，同时保持了出色的回波损耗。该型号采用紧凑的1.5x1.5 mm封装，是测试与测量、卫星通信以及雷达、电子战和ECM防御系统等广泛应用中密集电路布局的理想选择。特征宽带，直流至12 GHz工作频带内的线性正斜率出色的回波损耗，典型值为17 dB。1.5x1.5 mm，6引线QFN型封装应用测试和测量设备卫星通信雷达、电子战和电子对抗防御系统如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件采购商城。
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2025/11/25 11:14:52
AD7730 可被编程为在斩波模式（chop mode）或非斩波模式（nonchop mode）下运行。斩波模式可用于交流激励或直流激励的应用中：在直流激励应用中是可选的，但在交流激励应用中必须启用斩波模式。这些选项将在后续章节中详细讨论。斩波模式的优势在于更低的漂移和更好的抗噪声性能，但在给定的 -3 dB 频率和输出数据速率下，其噪声会比非斩波模式高约 20%。预计大多数使用 AD7730 的称重系统用户将选择斩波模式，以利用其出色的漂移性能和抗噪声能力。下表列出了该器件在斩波与非斩波模式下，在所有输入范围内的噪声性能，并给出了几种输出速率的示例。稳定时间（settling time）指的是输出值完全稳定到新值所需的时间。输出噪声（CHP = 1，即斩波模式）该模式为器件的主要工作模式。表 I 列出了在斩波模式下（滤波器寄存器中的 CHP 位设为 1），使用 4.9152 MHz 主时钟频率时，AD7730 在一些典型输出更新速率与 -3 dB 频率下的输出 RMS 噪声值。这些数据为典型值，是在差分模拟输入电压为 0 V 时测得的。输出更新速率通过滤波器寄存器中的 SFO 到 SF11 位进行选择。表 II 则列出了在相同输出更新速率下的输出峰-峰分辨率（以计数为单位）。括号中的数字为等效的峰-峰分辨率（以位为单位），并四舍五入到最接近的 0.5 LSB。请注意，表 II 中的数据并非基于 RMS 噪声计算，而是基于峰-峰噪声，并表示在六西格玛（six-sigma）范围内不会出现码值闪烁（code flicker）的分辨率。这些数据适用于双极输入范围。当器件工作在单极模式时，其输出噪声与对应的双极输入范围相同，因此表 I 中的数据不变，但表 II 中的数据会发生变化。若要计算单极输入范围下的峰-峰分辨率（以计数为单位），只需将表 II 中的计数除以 2；若以位为单位，...
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2025/11/25 11:07:05
AD7730L是一款适合称重和压力测量应用的完整模拟前端，可直接接受来自传感器的低电平信号，并输出串行数字。输入信号作用于一个以模拟调制器为基础的专有可编程增益前端。调制器输出由低通可编程数字滤波器处理，滤波器截止、输出速率和建立时间可通过编程进行调整。该器件具有两个缓冲差分可编程增益模拟输入和一个差分基准电压输入，采用+5 V单电源供电。它接受四种单极性模拟输入范围：0 mV至+10 mV、+20 mV、+40 mV和+80 mV，以及四种双极性范围：±10 mV、±20 mV、±40 mV和±80 mV。该器件可直接实现的峰－峰值分辨率为1/110,000，还拥有一个片内6位DAC，因此不需要TARE电压，同时还提供用于同步电桥交流激励的时钟信号。该器件上的串行接口可配置用于三线式操作，并且与微控制器和数字信号处理器兼容。AD7730L包含自校准和系统校准选项，失调漂移小于5 nV/°C，增益漂移小于3 ppm/°C。该器件提供24引脚SOIC和24引脚TSSOP两种封装，它是AD7730的低功耗版本（功耗约为AD7730的1/3）。特征230000计数的分辨率（峰对峰）偏移漂移：5 nV/C增益漂移：2ppm/C线路频率抑制：150 dB缓冲差分输入可编程滤波器截止指定用于随时间漂移在1 V至5 V的参考电压下工作应用磅秤压力测量如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2025/11/25 10:58:02
三级保护机制应对短路和过载情况负载电流通过SENSE引脚和电阻Rs进行监测。SENSE设有三个不同的阈值电压：50mV：用于定时断路器功能；70mV：用于模拟电流限制环路；200mV：用于快速前馈比较器，在发生严重短路时限制峰值电流。如果由于输出过载，Rs上的电压降超过50mV，TIMER将以40μA的电流向CT充电。当CT电压充至3V时，LTC4214将关闭输出。如果在CT达到3V之前过载消失，且SENSE检测到的电压低于50mV，CT将以5μA的电流缓慢放电。这样，LTC4214的断路器功能可对低占空比过载做出响应，并考虑MOSFET升温快、降温慢的热特性。更高过载由模拟电流限制环路处理如果Rs上的电压降达到70mV，电流限制环路将介入，通过调节MOSFET的栅极电压，将输出电流维持在70mV/Rs的恒定值。在电流限制模式下，VOUT通常会上升，从而增加MOSFET的功耗。如果VOUT4.2V（即VPRNCL），可通过在VOUT与DRAIN之间连接外部电阻RP，加快TIMER电容的充电速度，从而缩短故障定时时间。此时，TIMER的上拉电流将增加8×IPRN。注意：由于此时SENSE50mV，TIMER仍在为CT充电，最终将导致LTC4214关闭输出。低阻抗短路故障可能引发极高电流变化率（slewrate）在这种情况下，电流过冲不可避免。一个阈值为200mV的快速SENSE比较器可检测到过冲，并迅速将GATE拉低，其响应速度远快于较慢的电流限制环路。随后，70mV/Rs的电流限制环路接管，继续调节电流如前所述。与此同时，TIMER继续运行，当CT达到3V时，LTC4214将关闭输出。当CT达到3V时：LTC4214-1：锁断（latchoff），仅维持5μA的上拉电流；LTC4214-2：进入关机冷却周期，之后自动重试。对于LTC4214-1，可通过以下方式重置...
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2025/11/25 10:55:52
LTC4214负电压热插拔(HotSwap™)控制器允许在带电背板上安全地进行电路板的插拔操作。输出电流受控于三个电流限制级：一个定时电路断路器、主动电流限制功能电路和一个负责在最坏灾难性故障情况下限制峰值电流的快速正向通路。可调的欠压和过压检测器在输入电源超过期望的工作范围时将负载断接。LTC4214可控制范围从接近0V至–16V的负电源。一个多功能定时器负责延迟初始启动并控制电路断路器的响应时间。当检测到过大的MOSFET漏极电压时该响应时间将加速，从而把MOSFET保持在其安全工作区(SOA)之内。一个可调软起动电路用于控制启动时的MOSFET浪涌电流。一个电源良好状态输出可在启动时使能电源模块，或在电路断路器跳变的情况下停用电源模块。LTC4214-1电路断路器故障超时之后执行锁断操作。LTC4214-2则在故障之后执行自动重试操作。LTC4214采用10引脚MSOP封装。特征•允许在带电背板上安全地进行电路板的插拔操作•可控制0V至–16V的电源•可调的模拟电流限制和电路断路器定时器•快速响应时间可限制峰值故障电流•可调的软起动电流限制•具漏极电压加速响应的可调定时器•可调的欠压/过压保护•LTC4214-1：在发生故障后执行锁断操作•LTC4214-2：在发生故障之后执行自动重试操作•采用10引脚MSOP封装应用•热板插入•电子断路器•负电源控制•中心办公室切换•高可用性服务器•磁盘阵列•光网络/交换•ECL如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2025/11/25 10:28:31
供电要求ADRF5549 需要向以下引脚提供正电源电压：VDD1-ChA、VDD2-ChA、VDD1-ChB、VDD2-ChB 和 SWVDD-ChAB。请在电源线上使用旁路电容以滤除噪声，并在 BP-Chx 和 PD-ChAB 数字控制引脚上串联 300Ω 电阻，以防止毛刺和过流。信号路径选择当 SWCTRL-ChAB 设置为高电平时，ADRF5549 进入发射模式。此时，若将射频信号输入到 ANT-ChA 和 ANT-ChB，信号路径将分别连接为：ANT-ChA → TERM-ChAANT-ChB → TERM-ChB当 SWCTRL-ChAB 设置为低电平时，ADRF5549 进入接收模式。此时，若将射频信号输入到 ANT-ChA 和 ANT-ChB，信号路径将分别连接为：ANT-ChA → RxOUT-ChAANT-ChB → RxOUT-ChB接收模式下的工作方式在接收模式下，ADRF5549 支持以下四种状态（见表6）：高增益模式低增益模式断电高隔离模式断电低隔离模式模式选择逻辑当 PD-ChAB 为低电平时，LNA 上电，用户可选择：高增益模式：将 BP-ChA 或 BP-ChB 设为低电平低增益模式：将 BP-ChA 或 BP-ChB 设为高电平当 PD-ChAB 为高电平时，芯片进入断电模式，用户可选择：断电高隔离模式：将 BP-ChA 或 BP-ChB 设为低电平断电低隔离模式：将 BP-ChA 或 BP-ChB 设为高电平上电时序要正确上电 ADRF5549，请按以下顺序操作：将 GND 接地给 VDD1-ChA、VDD2-ChA、VDD1-ChB、VDD2-ChB 和 SWVDD-ChAB 上电给 SWCTRL-ChAB 上电给 PD-ChAB 上电给 BP-ChA 和 BP-ChB 上电将射频输入信号接入 ANT-ChA 和 ANT-ChB断电时，...
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2025/11/25 10:24:22
ADRF5549双通道集成式 RF 前端多芯片模块的引脚说明引脚编号引脚名称描述1, 2, 4, 7, 9~11, 14~16, 21, 23, 28, 30, 35~37, 40GND地。接口电路见图3。3ANT-ChA通道A的射频输入。5SWCTRL-ChAB通道A与B开关的控制电压。接口电路见图7。6SWVDD-ChAB通道A与B开关的供电电压。接口电路见图7。8ANT-ChB通道B的射频输入。12TERM-ChB终端输出。该引脚为通道B的发射路径。13, 18, 19, 25, 32, 33, 38NIC未内部连接。建议将这些引脚连接至PCB的射频地。17VDD1-ChB通道B第一级LNA的供电电压。接口电路见图5。20VDD2-ChB通道B第二级LNA的供电电压。接口电路见图5。22RxOUT-ChB射频输出。该引脚为通道B的接收路径。接口电路见图4。24BP-ChB旁路通道B的第二级LNA。接口电路见图6。26PD-ChAB关闭通道A与B所有LNA级。接口电路见图6。27BP-ChA旁路通道A的第二级LNA。接口电路见图6。29RxOUT-ChA射频输出。该引脚为通道A的接收路径。接口电路见图4。31VDD2-ChA通道A第二级LNA的供电电压。接口电路见图5。34VDD1-ChA通道A第一级LNA的供电电压。接口电路见图5。39TERM-ChA终端输出。该引脚为通道A的发射路径。EPADExposed Pad裸露焊盘。必须连接至射频地或直流地。
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2025/11/25 10:18:30
ADRF5549是一款双通道集成式RF前端多芯片模块，专为工作频率为1.8GHz至2.8GHz的时分双工(TDD)应用而设计。ADRF5549采用双通道配置，包含级联两级低噪声放大器(LNA)和高功率硅单刀双掷(SPDT)开关。在高增益模式下，级联两级LNA和开关提供1.4dB的低噪声指数(NF)和35dB的高增益以及32dBm（典型值）的输出三阶交调截点(OIP3)。在低增益模式下，两级LNA的一级处于旁路模式，在35mA的较低电流下提供17dB的增益。在关断模式下，LNA将关闭，器件流耗为12mA。在发射过程中，当RF输入连接到端电极引脚（TERM-ChA或TERM-ChB）时，该开关提供0.6dB的低插入损耗，并处理40dBm的长期演进(LTE)全生命周期平均值（9dB峰值/平均值比(PAR)），以及43dBm的9dBPARLTE单事件（特征•集成式双通道RF前端•2级LNA和高功率SPDT开关•片内偏置和匹配•单电源供电•增益•高增益模式：2.3GHz时为35dB（典型值）•低增益模式：2.3GHz时为17dB（典型值）•低噪声指数•高增益模式：2.3GHz时为1.4dB（典型值）•低增益模式：2.3GHz时为1.4dB（典型值）•高隔离•RxOUT-ChA和RxOUT-ChB之间：50dB（典型值）•TERM-ChA和TERM-ChB之间：62dB（典型值）应用无线基础设施TDD大规模多输入多输出（MIMO）和有源天线系统基于TDD的通信系统如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件商城。
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2025/11/25 10:13:11
ADM810监控电路用于监控微处理器系统中的电源电压，可在上电、关断和掉电情况下提供复位输出。上电时，内部定时器使复位保持置位状态240ms。这样，微处理器会保持复位状态，直到电源达到稳定状态。即使VCC低至1V，RESET输出仍然可以工作。ADM810可提供高电平有效复位信号(RESET)，还有一个推挽输出级。共提供7种复位阈值选项。复位比较器具有内置干扰抑制特性，能够不受VCC上的快速瞬变影响。ADM810提供3引脚SOT-23和SC70两种封装，功耗仅17µA，适合低功耗便携式设备使用。特征•整个温度范围内保证特性•低功耗(17µA)•精密电压监控器：提供2.5V、3V、3.3V、5V选项应用微处理器系统计算机控制器智能仪表如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件采购商城。
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2025/11/25 10:07:52