TDK公司宣布推出了Micronas HAL 13xy系列，该系列是一种工厂可编程霍尔效应开关传感器，专为汽车和工业应用的速度和方向检测设计。利用TDK-Micronas经过验证的3D HAL技术，HAL 13xy采用三个正交霍尔元素（X、Y、Z）排列在像素单元中，提供90°相距（正交信号），本质上不受磁极间距和气隙影响。该设计允许同时测量两个磁场元件，为制造商在传感器和磁铁布置上提供最大灵活性。HAL 13xy系列凭借其坚固的设计和多样化输出，实现了平稳的运动控制、高安全标准和提升用户舒适度。并且提供两个独立的开漏输出，可配置为正交速度/速度或速度/方向信号。这种灵活的输出配置支持在需要精确、可靠且节省空间的传感技术的应用中实现紧凑型电动机控制。其工作范围为-40°C至170°C，支持从3.0V到24V的宽广供电电压范围，并具备强有力的保护特性，包括40V负载倾卸的稳健性、-18V反向电压保护以及短路/热保护。能够在电源电压和温度变化中保持恒定的开关点，确保在高强度环境中稳定的性能。它符合汽车电子AEC-Q100标准，并根据ISO和IEC要求提供高电磁兼容韧性。HAL 13xy系列采用紧凑型5针SOT23封装、高静电阻稳健性（最高可达4 kV HBM）和可配置的传感轴，HAL 13xy系列为工程师提供了一种多功能且经济高效的解决方案，用于空间有限的汽车和工业应用中精确的电机控制和位置检测。在汽车领域方面，HAL 13xy系列可用于座椅轨道电机、天窗驱动、尾门电机、气门位置、方向柱电机、转向次数感应以及具防夹功能的窗户升降器等应用。其主要应用体现在：座带电机天窗电机尾门电机阀门位置转向柱电机转向次数感测具防夹功能功能的窗户升降器免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品...
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2026/5/29 9:51:31
Qorvo宣布推出一系列新的射频交换机，旨在简化多频段无线电架构。随着5G无线电扩展以支持更宽的带宽和更多频段，包括如FR3等新兴频谱，设计师面临着在保持隔离性和信号完整性而不增加体积、损耗和复杂性的方面面临越来越多的挑战。该系列频段覆盖50 MHz至10 GHz，减少了元件数量，提升了信号完整性，并使5G基础设施、工业、无人机和测试应用的射频系统设计更加高效。Qorvo基础设施业务总经理Debbie Gibson说。“设计师不再依赖级联交换架构来实现高隔离。我们在单一设备中实现这种性能，跨越非常宽的带宽，”这种方法减少了插入损耗，保持信号线性，简化了设计，从而提升数字预失真（DPD）反馈等应用中的接收器性能。这一系列新设备射频交换机构成了一个统一的交换平台，支持高隔离和通用路由。通过将切换功能整合到更少的组件中，工程师可以降低物料清单的复杂性，简化布局，并加快跨多个应用的开发。Qorvo的新QPC6144是一款SP4T宽带交换机，单设备中可提供超过65 dB的隔离。作为补充，QPC6122（SP2T）和QPC6188（SP4T）提供50 MHz至10 GHz的宽带吸收切换，实现单平台射频路由。这些设备减少元件数量，简化设计，同时保持低插入损耗和宽带宽强线性，用于校准路径、一般信号路由和多频段运行。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/5/29 9:46:16
伴随着AI工作负载加速，向AI工厂的转变推动了前所未有的机架级功率密度。这一转型的核心是NVIDIA MGX™，一种开放模块化架构，能够实现更快的系统设计、提升可扩展性和下一代AI基础设施的快速部署。ADI(亚德诺)作为MGX生态系统的重要成员，正与NVIDIA携手推动这一转型，提供支持日益严苛AI工厂部署所需的电力技术。向800伏直流转型：实现AI工厂规模化随着AI工厂不断追求更高性能，传统的48伏架构已无法满足现代GPU集群的电力需求。为了保持性能扩展，基于MGX的AI工厂正在转向800伏直流机架级架构，这减少了电流和电力损失，实现了更紧凑的分电配置，并支持针对兆瓦级机架的可扩展设计。这种电力架构的转变为未来NVIDIA平台奠定了基础，在这些平台的持续性能提升直接依赖于电力传输效率。ADI：为MGX系统启用800伏直流电力 ADI正在扩大其在电力保护、控制和遥测领域的领导地位，以支持下一代AI基础设施。基于数十年的创新，ADI正在开发高压热插拔和直流直流解决方案，能够实现：高级计算平台的高密度集成高压环境下的快速、准确保护用于系统优化和预测性维护的高级遥测免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/5/29 9:41:49
CMD244是宽带GaAs MMIC分布式放大器芯片，工作频率从DC到24GHz。放大器提供18dB的增益，相应的输出1dB压缩点为+25dBm，10GHz时的噪声系数为2.5dB。CMD244采用50欧姆匹配设计，无需进行射频端口匹配。CMD244提供完全钝化，以提高可靠性和防潮性。这种放大器是高成本混合放大器的完美替代品。具备特点•超宽带性能•正增益斜率•高输出功率•低噪音系数•封装尺寸小CMD244的背面是RF接地。芯片连接应使用导电和导热环氧树脂或共晶连接完成。高频设备应遵循标准装配程序。半导体的顶面应与相邻的射频传输线平齐，射频去耦电容器应放置在芯片上的直流连接附近。
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2026/5/28 16:34:25
CMD249是宽带GaAs MMIC分布式功率放大器芯片，工作频率从DC到20 GHz。放大器在10 GHz下提供大于12 dB的增益，相应的输出1 dB压缩点为+30 dBm，输出IP3为38 dBm。CMD249采用50欧姆匹配设计，无需进行射频端口匹配。CMD249提供完全钝化，以提高可靠性和防潮性。主要特点•超宽带性能•高线性•高输出功率•出色的回波损耗•封装尺寸小装配指南：CMD304的背面是RF接地。芯片连接应仅使用导电和导热环氧树脂完成。不建议使用共晶连接。高频设备应遵循标准装配程序。半导体的顶面应与相邻的射频传输线平齐，射频去耦电容器应放置在芯片上的直流连接附近。RF连接应尽可能短，以减少键合线的电感效应。强烈建议使用0.8密耳的热超声楔键合，因为环高度将最小化。如图所示，射频输入和输出需要双键合线。半导体厚度为100um，应通过管芯侧面或使用定制夹头进行处理。不要直接接触芯片表面，因为这会损坏单片电路。小心轻放。
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2026/5/28 16:06:55
CMD304是一款超宽带砷化镓（GaAs）微波集成电路（MMIC）分布式驱动放大器芯片，工作频率范围为直流至67吉赫兹（GHz）。该放大器在30吉赫兹时提供9.5分贝（dB）的增益，相应的噪声系数为3分贝，输出1分贝压缩点为+11分贝毫瓦（dBm）。CMD304采用50欧姆匹配设计，无需射频（RF）端口匹配。主要特点超宽带性能平坦增益响应低噪声系数低功耗封装尺寸：1350um x1150um 装配指南CMD304的背面是RF接地。芯片连接应仅使用导电和导热环氧树脂完成。不建议使用共晶连接。高频设备应遵循标准装配程序。半导体的顶面应与相邻的射频传输线平齐，射频去耦电容器应放置在芯片上的直流连接附近。RF连接应尽可能短，以减少键合线的电感效应。强烈建议使用0.8密耳的热超声楔键合，因为环高度将最小化。如图所示，射频输入和输出需要双键合线。半导体厚度为100微米，应通过管芯侧面或使用定制夹头进行处理。不要直接接触芯片表面，因为这会损坏单片电路。小心轻放。
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2026/5/28 15:58:58
Qorvo的QPA1027是一款封装的高功率s波段放大器，采用Qorvo生产的0.25 um GaN-on-SiC高压工艺（QGaN25HV）制造。QPA1027覆盖2.8-3.5 GHz，提供60 W的饱和输出功率和22 dB的大信号增益，同时实现55%的功率附加效率。QPA1027封装在带有铜桨的塑料包覆成型QFN中，易于操作，具有良好的热性能。因此，QPA1027具有偏置灵活性，允许用户改变电压以实现最佳系统性能，同时保持高可靠性。QPA1027与50欧姆相匹配，两个I/O端口上都有集成的直流阻断帽。QPA1027具有高性能、良好的热特性以及易于处理和系统集成的特点，是雷达和卫星通信系统的理想选择。无铅，符合RoHS标准。主要特点频率范围：2.8-3.5 GHzPSAT（PIN=26 dBm）：48 dBmPAE（PIN=26 dBm）：55%小信号增益：31dB偏置：脉冲VD=50 V，IDQ=300 mA，VG=-2.7 V典型值。封装尺寸：6.0 x 6.0 x 0.85毫米主要应用S波段雷达卫星通信可焊性符合最新版J-STD-020标准，无铅焊料，260°C。请勿将封装盖暴露在 280°C的温度下
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2026/5/28 15:53:37
Qorvo的QPA2962是在Qorvo QGaN15 GaN-on-SiC工艺上制造的宽带功率放大器。QPA2962的工作频率为2至20 GHz，在22 V漏极偏压下提供10 W的饱和功率、13 dB的大信号增益和22%的功率附加效率。RF端口匹配50Ω，包括集成隔直电容器和RF扼流圈。QPA2962采用5 x 5 mm气腔层压封装，为设计人员提供了一种方便的SMT兼容器件，在减小尺寸和成本的同时，提供了宽带功率、增益和效率的宝贵组合。QPA2962非常适合军事和商业市场的宽带通信系统、电子战、测试仪器和雷达应用。QPA2962无铅，符合RoHS标准。主要特点：•频率范围：2-20GHz•PSAT（PIN=27 dBm）：40 dBm•PAE（PIN=27 dBm）：22%•功率增益（PIN=27 dBm）：13 dBm•小信号增益：19 dB•偏压：VD=22 V，IDQ=1680 mA•封装尺寸：5.0 x 5.0 x 1.455毫米应用•通信系统•电子战•雷达•测试设备
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2026/5/28 15:47:39
Qorvo的QPA1011D是一款X波段高功率MMIC放大器，采用Qorvo生产的0.15um GaN on SiC工艺（QGaN15）制造。QPA1011D的工作频率为7.9-11 GHz，通常提供25 W的饱和输出功率，功率附加效率为37%，大信号增益为20 dB。宽带性能的这种组合提供了设计者所寻求的灵活性，以提高系统性能，同时减小尺寸和成本。QPA1011D还可以支持各种操作条件，以最好地支持系统要求。凭借良好的热性能，它可以支持一系列偏置电压，并且在CW和脉冲操作下都表现良好。QPA1011D与50Ω匹配，两个RF I/O端口上都集成了隔直电容器，简化了系统集成。宽带性能和操作灵活性使其能够支持卫星通信和数据链路，以及军事和商业雷达系统。QPA1011D在晶圆上进行了100%的直流和射频测试，以确保符合电气规范。无铅，符合RoHS标准。特征频率范围：7.9-11 GHz输出：PIN=25 dBm时为45 dBmPAE:25 dBm时为37%大信号增益：PIN=25 dBm时为20 dB小信号增益：26 dB集成功率检测器偏压：VD=24 V，IDQ=1200 mA，VG=−2.0 V典型值脉冲VD：脉宽=100µS，直流=10%芯片尺寸：2.75 x 3.12 x 0.10毫米应用卫星通信数据链接军用和商用雷达脉冲操作评估板（EVB）布局组件注：PCB是多层的1.所有4种金属厚度均为0.5盎司2.上芯1为罗杰斯4003C，厚度为8密耳3.下芯2为370HR，6密耳厚4.Pre-Preg是一种环氧涂层玻璃纤维布5.成品PCB总厚度为25±3密耳6.该EVB使用铜制PCB，在高功耗长脉冲和/或CW条件下实现最佳热管理
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2026/5/28 15:33:24
Qorvo的QPA2211是在Qorvo 0.15um GaN-on-SiC工艺（QGaN15）上制造的Ka波段功率放大器。其工作频率为27.5至31 GHz，实现了5 W的线性功率，互调失真产物低于-25 dBc，小信号增益为24 dB。饱和输出功率大于10W，相关功率附加效率为25%。QPA2211采用10引脚15 x 15 mm螺栓固定封装，带铜底座，可实现卓越的热管理。为了简化系统集成，QPA2211与50欧姆完全匹配，两个I/O端口上都集成了直流阻断帽。QPA2211非常适合支持卫星通信和5G基础设施。无铅，符合RoHS标准。主要特点•频率范围：27.5–31 GHz•PSAT（PIN=24 dBm）：41 dBm•PAE（PIN=24 dBm）：25%•功率增益（PIN=24 dBm）：17 dB•小信号增益：24 dB•IMD3（POUT=34 dBm/音）：-25 dBc•偏压：VD=22 V，IDQ=280 mA•封装尺寸：15.2 x 15.2 x 3.5毫米•封装底座为纯铜，提供卓越的热管理应用•5G基础设施•卫星通信可焊性元件引线应手动焊接，且封装不能采用传统的回流焊工艺。建议使用免清洗焊料，以避免焊接后进行清洗。
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2026/5/28 15:25:26
Qorvo的TGA2962是在Qorvo QGaN15 GaN-on-SiC工艺上制造的宽带功率放大器。TGA2962的工作频率为2至20 GHz，在22 V漏极偏压下提供10 W的饱和功率、13 dB的大信号增益和22%的功率附加效率。RF端口匹配50个Ω,包括集成的隔直电容器和RF扼流圈。宽带功率、增益和效率的这种组合为系统设计者提供了提高系统性能的灵活性，同时减小了尺寸和成本。TGA2962非常适合军事和商业市场的宽带通信系统、电子战、测试仪器和雷达应用。在晶圆上进行了100%的直流和射频测试，以确保符合电气规范。无铅，符合RoHS标准。主要特点：•频率范围：2 – 20 GHz•PSAT（PIN=27 dBm）：40 dBm•PAE（PIN=27 dBm）：22%•功率增益（PIN=27 dBm）：13 dB•小信号增益：20 dB•偏压：VD=22 V，IDQ=1680 mA•封装尺寸：3.24 x 3.24 x 0.10毫米主要应用•通信系统•电子战•雷达•测试设备可焊性仅使用AuSn（80/20）焊料，且暴露于300°C以上温度的时间最长不得超过3至4分钟。
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2026/5/28 15:18:04
Qorvo的TGA2222是一款宽带功率放大器MMIC，采用Qorvo生产的0.15 um GaN on SiC工艺（QGaN15）制造。覆盖32 – 38 在GHz频段，TGA2222提供了40 dBm（10 W）的饱和输出功率和16 dB的大信号增益，同时实现了22%的功率附加效率。TGA2222采用平衡架构，以最大限度地降低对负载变化的性能敏感性。其RF端口直流耦合到地，以获得最佳的ESD性能。TGA2222在两个RF端口上都有隔直电容器，与50欧姆相匹配。TGA2222可以支持各种操作条件，包括CW操作，使其非常适合商业和军事系统。无铅，符合RoHS标准。主要特点•频率范围：32–38 GHz•PSAT（PIN=24 dBm）：40 dBm•PAE（PIN=24 dBm）：22%•功率增益（PIN=24 dBm）：16 dB•小信号增益：25 dB•偏压（脉冲）：VD=26 V，IDQ=640 mA•偏压（CW）：VD=24 V，IDQ=640 mA•封装尺寸：3.43 x 2.65 x 0.05毫米应用•通讯•雷达•卫星通信•EW•空间通信•点对点通信装配说明部件放置和粘合剂连接装配注意事项：•真空铅笔和/或真空夹头是首选的拾取方法。•放置过程中必须避免空气桥。•在自动放置过程中，力冲击至关重要。回流工艺装配说明：•使用AuSn（80/20）焊料，并限制暴露在300℃以上的温度下 最高30秒。•应使用具有还原气氛的合金站或传送炉。•不要使用任何类型的焊剂。•热膨胀系数匹配对于长期可靠性至关重要。•设备必须存放在干燥的氮气环境中。互连工艺装配注意事项：•热超声球键合是首选的互连技术。•力、时间和超声波是关键参数。•不应使用铝线。•焊盘尺寸较小的设备应使用0.0007英寸的导线进行连接。
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2026/5/28 15:08:05
Qorvo的TGA2622-SM是一款封装的高功率X波段放大器，采用Qorvo生产的0.25um GaN on SiC工艺制造。工作频率为9-10GHz，TGA2622-SM通常产生35W的饱和输出功率，功率附加效率大于42%，大信号增益为27.5dB。TGA2622-SM封装在一个7x7mm的气腔、基于层压板的QFN中。两个射频端口都是内部直流阻断的，并匹配到50欧姆，实现了简单的系统集成。TGA2622-SM非常适合脉冲应用，它提供了卓越的功率、PAE和增益性能，可以节省现有平台的成本，同时支持未来系统的开发。主要特点•频率范围：9-10 GHz•PSAT：45.5 dBm@PIN=18 dBm•PAE:42%@PIN=18 dBm•功率增益：27.5 dB@PIN=18 dBm•偏压：VD=28 V，IDQ=290 mA（脉冲VD：PW=100 us，DC=10%）•封装尺寸：7 x 7 x 1.64毫米应用•气象和海洋雷达
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2026/5/28 15:02:15
Qorvo的QPA1006D是一款宽带功率放大器MMIC，采用Qorvo生产的0.15 um GaN on SiC工艺（QGaN15）制造。覆盖10.7-12.7 GHzQPA1006D提供35瓦的饱和输出功率和17 dB的大信号增益，同时实现39%的功率附加效率。QPA1006D射频输入端口直流接地，可实现最佳ESD性能。QPA1006D射频端口具有隔直电容器，匹配50欧姆。QPA1006D可以支持各种操作条件，包括CW操作，使其非常适合商业和军事系统。无铅，符合RoHS标准。主要特点：•频率范围：10.7-12.7 GHz•PSAT（PIN=29 dBm）：46 dBm•PAE（PIN=29 dBm）：39%•功率增益（PIN=29 dBm）：17 dB•小信号增益：21.5 dB•偏压：VD=20 V，IDQ=1200 mA•封装尺寸：6.09 x 4.24 x 0.10毫米应用•卫星通信•雷达•点对点通信装配说明部件放置和粘合剂连接装配注意事项：• 真空吸笔和/或真空吸盘是首选的拾取方法。•放置过程中必须避免空气桥。•在自动放置过程中，力冲击至关重要。回流工艺装配说明：•使用AuSn（80/20）焊料，并限制暴露在300℃以上的温度下 最高30秒。•应使用具有还原气氛的合金站或传送炉。•不要使用任何类型的焊剂。•热膨胀系数匹配对于长期可靠性至关重要。•设备必须存放在干燥的氮气环境中。互连工艺装配注意事项：•热超声球键合是首选的互连技术。•力、时间和超声波是关键参数。•不应使用铝线。•焊盘尺寸较小的设备应使用0.0007英寸的导线进行连接。
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2026/5/28 14:56:48
CMD184是一个4.5 W宽带GaN MMIC功率放大器芯片，工作频率为0.5至20 GHz。放大器提供大于13 dB的增益，相应的输出1 dB压缩点为+34.5 dBm，饱和输出功率为+36.5 dBm。CMD184采用50欧姆匹配设计，无需进行射频端口匹配。CMD184提供完全钝化，以提高可靠性和防潮性。具备的特征•超宽带性能•高输出功率•高增益•高线性装配指南CMD184的背面是RF接地。建议使用共晶芯片连接。高频设备应遵循标准装配程序。半导体的顶面应与相邻的射频传输线平齐，射频去耦电容器应放置在芯片上的直流连接附近。RF连接应尽可能短，以减少键合线的电感效应。强烈建议使用0.8密耳的热超声楔键合，因为环高度将最小化。如图所示，射频输入和输出需要双键合线。半导体厚度为100微米，应通过管芯侧面或使用定制夹头进行处理。不要直接接触芯片表面，因为这会损坏单片电路。小心轻放。偏置和操作CMD184由正漏极电源、正栅极电源和负栅极电源偏置。 开启程序：1.施加栅极电压Vgg1，并将其设置为足以夹断漏极电流的电压（-8V）2.施加漏极电压Vdd并设置为+28V3.施加栅极电压Vgg2并设置为+10V4.增加Vgg1（负向减小）以实现700mA的漏极电流关闭程序：1.关断栅极电压Vgg22.关闭漏极电压Vdd3.关断栅极电压Vgg1RF功率可以在任何时候施加。
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2026/5/28 14:50:33
Vishay 扩展其IHXL径向孔式电感系列，新增四款新器件，旨在以更低成本实现性能提升。采用新型铁合金芯材，较前一代器件降低芯损20%，同时降低温度上升，汽车级IHXL1500VZ-3A和IHXL-2000VZ-3A以及商用IHXL1500VZ-31和IHXL-2000VZ-31，具备+155°C的高温运行，并具备优异的电磁兼容性（EMC），适用于高达209安培的滤波应用。Vishay Dale设备将作为高电流输入滤波器、直流/直流转换器和电池充电系统中的直流链路滤波器，汽车、工业和太阳能和风能应用中的无刷直流电机（BLDC）以及差动模和升压功率因数校正（PFC）扼流器。这些电感的价格低于上一代IHXL系列器件，将改进的铁芯损耗与最高达10 μH的高电感相结合，从而实现更高的阻抗，从而实现更好的滤波和更强的开关变换器中的纹波电流控制。IHXL1500VZ-3A、IHXL1500VZ-31、IHXL-2000VZ-3A 和 IHXL-2000VZ-31 采用磁屏蔽结构，采用压制粉末机身，能容纳杂散磁通，减少与周围元件的耦合，并最大化电磁作用，相较于传统带线器件内部线圈暴露。这种压制粉末铁结构还具有低内部热阻——减少热点并提升主动冷却性能——而平坦的表面便于外部散热片的安装。电感器内部粗铜导体支持1500（38.1毫米×38.1毫米×21.89毫米）和2000（50.8毫米×50.8毫米×21.7毫米）机壳尺寸中55安培至209安培的广泛负载。其软饱和芯材通过避免硬饱和，确保在多种负载条件下——包括高瞬态电流尖峰时——的电感稳定。符合RoHS标准、无卤素及Vishay Green、IHXL1500VZ-3A、IHXL1500VZ-31、IHXL-2000VZ-3A和IHXL-2000VZ-31，具有高抗热冲击、防潮和机械冲击能...
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2026/5/28 11:38:27
CMD262是一款5 W的GaN MMIC功率放大器芯片，非常适合需要高功率和高线性度的Ka波段通信系统。该器件的增益超过24 dB，相应的输出1 dB压缩点为+37 dBm，饱和输出功率为+38 dBm，功率附加效率为29%。CMD262采用50欧姆匹配设计，无需外部直流隔直电容和射频端口匹配。CMD262具有完全钝化功能，可提高可靠性和防潮性能。特征•高功率•高线性•卓越的效率•尺寸：2720 um x 1520 um偏置和操作CMD262由正漏极电源和负栅极电源偏置。当漏极电压设置为+28 V时，性能得到优化。标称栅极电压为-4 V。开启程序：1.施加栅极电压Vgg并设置为-6V2.施加漏极电压Vdd并设置为+28V3.增加Vgg（负向减小）以实现350mA的漏极电流关闭程序：1.关闭漏极电压Vdd2.关断栅极电压VggRF功率可以在任何时候施加。CMD262其功能框图如下：
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2026/5/27 16:03:42
Qorvo的QPA3069是一款封装式高功率S波段放大器，采用Qorvo的0.25微米硅碳氮化镓（SiC）上氮化镓（GaN）工艺（QGaN25）制造。QPA3069覆盖2.7至3.5吉赫兹（GHz）频段，可提供50分贝毫瓦（dBm）的饱和输出功率和25分贝的大信号增益，同时实现53%的功率附加效率。QPA3069采用7毫米x7毫米的48针塑料包覆成型封装。它能够支持多种工作条件，以最大限度地满足系统需求。凭借良好的热性能，它能够支持一定范围的偏置电压。QPA3069 MMIC在两个射频端口上均配备了隔直电容，且这些电容与50欧姆相匹配。QPA3069非常适用于军用雷达系统。无铅且符合RoHS标准。特征•频率范围：2.7-3.5 GHz•PSAT（PIN=25 dBm）：50 dBm•PAE（PIN=25 dBm）：53%•功率增益（PIN=25 dBm）：25 dB•偏置：VD=30V，IDQ=300mA，PIN=25dBm•封装尺寸：7.00 x 7.00 x 0.85毫米应用•雷达QPA3069其功能框图如下：
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2026/5/27 15:59:08