应用信息一：电流输出型 DAC 接口AD694 可方便地与电流输出 DAC（如 AD566A）连接，构成数字量→4-20 mA 接口，见下图。AD694 为 DAC 提供所需基准电压和缓冲放大器，仅需简单连线即可完成。AD694 的 10 V 基准给 AD566 做参考。缓冲放大器利用 DAC 内部电阻将满量程电流转换成 +10 V，因此 AD694 被设为 10 V 满量程输入。10 pF 电容用于补偿 DAC 的 25 pF 输出电容。可选 100 Ω 微调电阻（RTRIM）可校准满量程；若无需校准可用 50 Ω，精度典型值 ±1 LSB，且不影响 4 mA 零点。接地管理：AD694 的 9、3 脚与 AD566 的 3、7 脚连线尽量短，并单点接至 AD694 5 脚附近的星形地；AD566 的 12 脚功率地必须单独引到星形地。4-20 mA 输出（11 脚）需有返回功率地的路径，具体可接功率地或 15 V 电源，视负载大小与功耗而定。应用信息二：单电源数字→4-20 mA 接口仅用 15 V 单电源即可实现 12 位数字输入→4-20 mA 输出。DAC 工作于“电压开关模式”：当 DAC 基准 2.5 V 时，输出电压 0-VREF 与数字码成正比。AD694 基准设为 2 V，输入级设 2 V 满量程；输入缓冲器隔离 DAC 电压输出。全量程数字码对应 20 mA，全零码对应 4 mA。AD694 基准负载随码值变化，电路响应速度受基准动态特性限制。AD7541A 的电源应紧贴 15 V；若 VS 明显低于 15 V，DAC 微分非线性会恶化。某些应用希望 4-20 mA 输出具有 ±5 % 的超量程能力，即 DAC 全范围对应 3.2-20.8 mA。实现方法：在缓冲放大器外加 1.1 倍增益，把 AD694 跨度扩大 10 % → 1...
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2026/1/23 11:06:42
AD9788直接上变频调制器应用信息低通滤波器直接上变频架构越来越多地被用于基站发射机。附图展示了如何利用ADI器件构建该系统：采用AD9788 TxDAC®与ADL5375组合。AD9788为双通道集成DAC，增益/失调温度漂移仅±2% FSR与±0.001% FSR，可最大限度减小信号链路误差。本振(LO)由ADF4351提供；低通滤波器使用ADIsimPLL™设计，信道间隔200 kHz，闭环带宽35 kHz。ADL5375的LO端口可由ADF4351的互补RFoutA±输出差分驱动，性能优于单端驱动，并省去单端转差分的Balun。该配置下，LO典型积分相位噪声(100 Hz–5 MHz)为0.61° rms。ADL5375接受-6 dBm至+6 dBm的LO功率；ADF4351可软件设置每路输出-4 dBm至+5 dBm，方便取得最佳LO电平。RF输出设计为驱动50 Ω负载，但必须交流耦合(见附图)。当I、Q输入为2 V p-p正交信号时，ADL5375调制器输出功率约2 dBm。附图：
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2026/1/23 10:54:30
中国北京（2026年1月22日）—— 半导体器件供应商兆易创新GigaDevice宣布，正式推出新一代GD32H7系列超高性能MCU，包含GD32H789/779系列超高性能通用MCU，以及集成EtherCAT®从站控制器GD32H78E/77E超高实时性系列MCU，该系列产品基于Arm® Cortex®-M7内核，主频高达750MHz，配备高速大容量内存架构及640KB可与CPU同频运行紧耦合内存（TCM），实现了高性能、低动态功耗与高速通信的有机统一。该系列微控制器可适用伺服控制、变频驱动、数字电源、便携电子产品，智能家居以及消防等领域。性能铁三角：750MHz内核、高速存储与零等待访问GD32H78E/77E、GD32H789/779系列MCU均基于性能强悍的Cortex®-M7内核，主频高达750MHz。该系列芯片拥有超高存储配置，最高可支持2MB Execution Flash与8MB Storage Flash，并搭载1.2MB的SRAM，更特别配备高达640KB大容量紧耦合内存（TCM），实现CPU同频运行，指令与数据的零等待执行。无论是高实时任务、复杂算法还是密集型数据处理，这一革新架构可让算力持续释放，系统响应更快、执行更稳。灵活存储与强大扩展接口该系列MCU在外部存储与扩展连接方面展现出高度灵活性，配备2个OSPI接口支持高达200MHz时钟频率与双倍数据速率（DTR）模式，可高效直连PSRAM、HyperRAM、NAND Flash及NOR Flash等多种外部存储器，实现高速数据交换。同时，GD32H78E/77E、GD32H789/779系列微控制器均集成16/32位EXMC模块，进一步扩展了连接能力，可支持直接对接外部SDRAM与FPGA，不仅大幅提升了系统内存容量与数据处理带宽，也为复杂系统集成与定制化硬...
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2026/1/23 10:34:50
2026年1月21日——为了满足高压电源管理应用的严苛需求，Microchip Technology今日宣布推出其600V门极驱动器系列，包含12款设备，提供半桥、高侧/低侧和三相驱动配置。基于Microchip的电源管理解决方案，这些高压栅极驱动器旨在促进工业和消费应用的电机控制和功率转换系统的开发。600V栅极驱动器实现快速切换和高效性能，电流驱动选择范围从600 mA到4.5A。它们支持3.3V逻辑，实现与微控制器的无缝集成。这些栅驱动器设计具有增强的抗噪能力、施密特触发输入和内部死区以保护MOSFET，能够在高噪声环境中实现可靠的性能。为了实现全面的系统解决方案，Microchip的电机控制和功率转换产品可以与公司的MCU和MOSFET一起使用。这些门极驱动力支持工业系统电气化、可再生能源增长以及对紧凑高效电机控制解决方案需求的增长等行业趋势。Microchip模拟电源与接口部门副总裁Rudy Jaramillo表示：“Microchip的600V栅极驱动器为我们的客户提供了应对复杂电机控制和功率转换挑战所需的可靠性和效率。”“这些设备帮助工程师更快、更有信心地将电力系统推向市场。”免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/1/23 10:08:16
TDK株式会社于近期被评为科睿唯安2026年度全球百强创新机构，其在影响力以及独特性方面获得了极高的评价。这是 TDK 第十二次、也是连续第九年荣登榜单。自2012年以来，科睿唯安全球百强创新机构通过衡量产生专利并促进增长的创意文化，确定处于全球创新领域顶峰的公司。科睿唯安基于严谨的研究，利用源自德温特世界专利索引（DWPI）和全球专利数据进行专有分析，来衡量专利的影响力、成功率、独特性和投资力度以及其他相关因素。“这是我们第十二次、也是连续第九年入选科睿唯安全球百强创新机构，对此我们倍感荣幸，”TDK株式会社执行董事、首席技术官桥山秀一说。“在TDK集团于2025年3月财年开始的中期计划中，有一个重要的主题就是发展TDK独有的‘铁氧体之树’，即强化未来将成为财务资本来源的‘未财务资本’。知识产权是我们‘未财务资本’的重要组成部分，TDK会将知识产权相关活动纳入其整体管理及业务战略之中。TDK集团不仅积极推动集团内部的合作，也积极拓展跨行业、跨领域的合作。为了快速响应日益复杂和精密的技术需求，我们将继续致力于为客户和社会提供所需的新技术和解决方案。”桥山补充道。TDK 集团实施“赋能和透明”的知识产权治理方针，实行尊重各国和地区实际情况和特点的分散式知识产权管理。知识产权活动不仅仅局限于权利的获取，还与管理和业务战略紧密相连，旨在通过合同优化、市场与技术分析以及与包括投资者在内的利益相关方的互动，将知识产权投资直接转化为业务价值的创造。TDK将在各地区积累的多样化最佳实践在全球范围内共享和推广，利用知识产权情报和网络提升组织的技术能力，推动业务增长。作为一家全球性企业，TDK将继续最大化区域优势，实现可持续增长。2025年，TDK发布了若干行业前沿的创新成果：自旋光电探测器（Spin Photo Detector），这是全球首款光自旋电子转换元件，它结合了光学、电子和磁性元...
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2026/1/23 10:04:13
TDK宣布推出Tronics AXO315®T1高温MEMS加速度计，进一步扩展其高性能MEMS惯性传感器产品线。该传感器具备±14g输入范围，配备数字接口，适用于最高工作温度达+175°C的钻井测量应用。继2025年6月推出首款适用于+150°C油气环境的数字MEMS加速度计Tronics AXO315T0后，此次新品发布标志着TDK在温度适应性领域迈出新步伐。该产品进一步巩固了公司在极端环境精准井下导航领域的高可靠性MEMS惯性传感器。AXO315T1采用TDK独特的闭环架构，该架构已在多款Tronics传感器中得到验证。相较于传统开环MEMS加速度计，该架构可将振动整流误差降低10倍。该器件作为石英加速度计的替代方案，在恶劣温度和振动条件下为定向钻井工具提供倾角测量功能，兼具成本效益、数字化特性及低体积、重量和功耗优势。在+175°C环境下可实现超过1000小时的使用寿命，为新一代随钻测井工具铺平道路，满足复杂非常规钻井作业的精度与生产力要求。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/1/23 9:57:18
安全注意事项LTM4636 在 VIN 与 VOUT 之间未提供电气隔离，且内部无熔断器。如需保护，应在每路输入端串接一只“慢断”型保险丝，其额定电流取最大输入电流的两倍，以防止灾难性故障。当内部顶层 MOSFET 发生短路失效时，关断信号无法消除过压，底层 MOSFET 会持续导通试图保护负载。此时输入电源将通过失效的顶层管和持续导通的底层管向地注入极大电流，可能导致严重发热与 PCB 损坏。因此应选用保险丝或断路器作为二级保护，把故障电流限制在安全范围。LTM4636 具备前文所述的增强型过温保护布局检查清单 / 示例LTM4636 高度集成，使 PCB 布局非常简单，但仍需遵循以下要点以获得最佳电气与热性能：为大电流路径（VIN、GND、VOUT）保留大面积铜箔，可减小传导损耗与热应力。将高频陶瓷输入、输出电容尽量靠近 VIN、GND、VOUT 引脚放置，以抑制高频噪声。在器件正下方布置独立的地电源层。为降低过孔传导损耗并减小模块热应力，请用多个过孔连接顶层与其他电源层。不要在焊盘正中央直接打未塞孔的过孔；若必须打，应做树脂塞孔或电镀覆盖。在信号引脚处放置测试点，便于调试。为与信号引脚相连的外围器件设置独立 SGND 铜区，并在器件下方单点连接 SGND 与功率地。多颗并联时，把 COMP 与 VFB 引脚用内电层就近短接在一起。用 RsNUB、CsNUB（2.2 Ω、2200 pF）吸收开关节点振铃。下图给出了推荐的布局范例。
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2026/1/22 11:57:01
突发模式（Burst Mode）LTM4636 支持突发模式：根据负载需求间歇开关功率 MOSFET，降低静态电流。若应用要求在极轻载时效率最高，可将 MODE_PLLIN 引脚浮空使能该模式。突发期间，即使 COMPA 电压显示较低，电感峰值电流仍被设定为正常最大值的约 30%。当电感平均电流超过负载需求，COMPA 电压下降；一旦低于 0.5 V，突发比较器翻转，内部休眠信号变高，关断两只功率 MOSFET。休眠模式下，部分内部电路被关闭，静态电流降低，负载电流由输出电容提供。当输出电压跌落、COMPA 电压回升，休眠信号变低，LTM4636 恢复正常工作，下一个振荡周期再次导通顶侧 MOSFET，循环重复。脉冲跳跃模式若希望在中间负载时兼顾低输出纹波与较高效率，可将 MODE_PLLIN 接 INTVCC 进入脉冲跳跃模式。轻载时内部电流比较器可能连续数个周期保持翻转，从而跳过若干开关周期。该模式纹波低于突发模式，且工作频率更高。强制连续模式若应用更关注固定频率、最低输出纹波而非轻载效率，可将 MODE_PLLIN 接地启用强制连续模式。此时轻载允许电感电流反向，COMPA 全程控制电流比较器阈值，每个振荡脉冲均导通顶侧 MOSFET。启动阶段该模式被禁止，直至输出电压稳定后才允许电流反向。
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2026/1/22 11:52:13
一、定义LTM4636 是一款 40 A 降压型 μModule（电源模块）开关稳压器，采用堆叠电感兼做散热器，可在小封装内实现更快散热、更低温升。裸露的电感允许来自任意方向的气流直接带走热量。在 12 V 输入、1 V 输出、40 A 负载、200 LFM 风冷条件下，LTM4636 仅比环境温度高 40 °C 即可输出 40 W 满载功率；环境温度 83 °C 时仍可满功率运行，110 °C 时支持半功率 20 W。效率表现：12 V 输入、1 V 输出时，分别输出 15 A、30 A、40 A 电流，效率分别为 92 %、90 %、88 %。该 μModule 支持并联均流，四颗并联可输出 160 W，仅 40 °C 温升，效率仍达 88 %（12 V 输入、1 V 输出、400 LFM）。LTM4636 采用 16 mm × 16 mm × 7.07 mm BGA 封装。二、具备的特征堆叠电感器充当散热器宽输入电压范围：4.7V至15V0.6V至3.3V输出电压范围线路、负载和温度（-40°C至125°C）上的总直流输出电压误差为±1.3%用于精确调节的差分遥感放大器电流模式控制/快速瞬态响应频率同步并联均流（高达240A）内部或外部补偿40A时效率为88%（12VIN，1VUT）过电流折叠保护16mm×16mm×7.07mm BGA封装三、常见的应用电信服务器和网络设备工业设备和医疗系统
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2026/1/22 11:45:23
AD7693 是一款快速、低功耗、单电源、高精度 16 位 模数转换器ADC，采用逐次逼近架构。芯片最高采样速率 500 kSPS，两次转换之间自动进入掉电模式；当采样率 1 kSPS 时典型功耗仅 40 μW，极适合电池供电应用。片内集成采样-保持电路，无流水线延迟或latency，特别适用于多路复用通道系统。工作电压 4.5 V–5.5 V，数字接口可接 1.8 V–5 V 任意逻辑系列，10 引脚 MSOP 封装。与 16 位 AD7687/AD7688 及 18 位 AD7690/AD7691 引脚完全兼容。转换器工作原理AD7693 是基于电荷再分配 DAC 的逐次逼近 ADC。上图为其简化原理图：电容 DAC 由两组各 16 只二进制加权电容构成，分别接至比较器两个输入端。电容阵列连接比较器输入的一端通过 SW+、SW- 接地，所有独立开关接至模拟输入端，于是电容阵列充当采样电容，在 IN+ 与 IN- 端获取模拟信号。转换阶段当采样结束且 CNV 变高后，转换开始：先断开 SW+、SW-；电容阵列脱离输入端并接地，于是采样结束时 IN+ 与 IN- 之间的差分电压被施加到比较器输入，使比较器失衡。控制逻辑按二进制权重（VREF/2、VREF/4 … VREF/32768）依次将电容阵列各单元在 GND 与 REF 之间切换，从 MSB 开始逐步使比较器重新平衡。过程结束后返回采样阶段，控制逻辑产生 ADC 输出码及忙标志。由于片内自带转换时钟，转换过程无需外部串行时钟 SCK。
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2026/1/22 11:42:02
一、定义AD7693 是一款 16 位逐次逼近型模数转换器（ADC），采用单电源 VDD 供电。芯片集成低功耗、高速、无失码的 16 位采样 ADC，内置转换时钟和多功能串行接口。基准电压 VREF 由外部提供，最高可设至 VDD。在 CNV 上升沿，器件对 IN+ 与 IN– 引脚之间的电压差进行采样；两引脚电压以 VREF/2 为中心，反相摆动于 0 V 与 VREF 之间。功耗与吞吐速率成线性关系。通过 SDI 输入，兼容 SPI 的串行接口支持在单根 3 线总线上级联多颗 ADC，并可提供可选的忙状态指示。芯片使用独立的 VIO 供电，可与 1.8 V、2.5 V、3 V 或 5 V 逻辑兼容。AD7693 采用 10 引脚 MSOP 封装，工作温度范围 −40 °C 至 +85 °C。二、具备的特征• 16位分辨率、无失码• 吞吐速率：500 kSPS• INL/DNL：典型值±0.25 LSB，最大值±0.5 LSB（FSR的±8 ppm）• 动态范围：96.5 dB• 信纳比(SINAD)：96 dB(1kHz)• 总谐波失真(THD)：-120 dB(1 kHz)• 真差分模拟输入范围：±VREF 0 V至 VREF（两个输入上的VREF均可高达VDD）三、常见应用电池供电设备数据采集地震数据采集系统数字视频管理系统仪器仪表医疗器械
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2026/1/22 11:36:41
ADMV4680 是一款 Ku 频段半双工波束成形芯片。芯片集成单端口网络接口（收发共用）、四路功分器（收发各一）以及收发切换开关，用于隔离发射与接收通路。中央数字控制器可逐通道调节增益与相位。在四通道配置下，接收通路将四路相位调整后的信号合并至公共 RF 端口。发射模式下，四通道芯片把公共 RF 端口的信号分配至四个天线端口，并对每路增益/相位进行独立调整；收发信号可与其他波束成形芯片叠加，构成完整相控阵天线。ADMV4680 在四个输出端各集成功率检测器，可单独关断以节省功耗；片内温度传感器精度优于 ±10 °C。接收模式：在 12.7 GHz、25 °C 条件下，含片外输入匹配网络的典型噪声系数为 1.9 dB，典型功耗 78 mW。发射模式：典型输出 1 dB 压缩点 9.5 dBm，典型功耗 108 mW。增益与相位可编程，支持 6 位/8 位相位分辨率，最少需 72 个 SPI 时钟周期完成配置。具备的特征4通道T/RSPI控制和单引脚T/R控制最多32个波束形成器芯片的通用SPI总线集成功率检测器倒装芯片设计3.19mm×2.49mm模具尺寸因此常被应用于10 GHz至15 GHz卫星通信系统中。附：ADMV4680功能图
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2026/1/22 11:31:08
ADRF5040是一款通用、宽带高隔离度、非反射式单刀四掷(SP4T)开关，采用LFCSP表贴封装。该开关频率范围为9 kHz至12.0 GHz，具有高隔离度和低插入损耗。其操作原理如下：ADRF5040 需在 VPP 引脚施加正电源电压，在 VSS 引脚施加负电源电压。建议在电源线上加旁路电容，以减小 RF 耦合。器件通过两个数字控制电压（分别加在 V1 和 V2 引脚）进行切换。为改善 RF 信号隔离，建议在这两条数字信号线上加小值旁路电容。ADRF5040 在 RF 输入端口（RFC）和四个 RF 输出端口（RF1～RF4）内部已匹配至 50 Ω，无需外部匹配元件。RF1～RF4 引脚为直流耦合，因此各 RF 路径必须加直流隔直电容。设计为双向，输入与输出可互换。ADRF5040 无需特殊上电时序，VPP 与 VSS 的相对上电顺序无关紧要。但 V1、V2 控制信号只能在 VPP 上电之后施加，以防止内部 ESD 保护电路正偏损坏。待器件电源稳定后再开启 RF 信号。
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2026/1/22 11:29:14
差分输入网络当差分 CVBS 视频信号接入 ADV7182 的 AIN 引脚时，请使用上图所示的输入网络。建议将该输入网络尽可能靠近 ADV7182 的 AIN 引脚放置。差分视频传输通过发送两路互补的 CVBS 信号实现，与单端传输相比具有多项显著优势：天然抑制小信号与大信号噪声改善 EMI 性能能够吸收地弹干扰电阻 R1 为差分 CVBS 输入线提供射频终端匹配：伪差分 CVBS 输入时，R1 建议取 75 Ω全差分 CVBS 输入时，R1 建议取 150 Ω1.3 kΩ 与 430 Ω 电阻构成分压器，增益为 0.25，在衰减输入模拟视频幅度的同时，把 ADV7182 的输入共模范围扩展至最高 4 V（峰峰值）。注意：ADV7182 内部放大器会恢复信号幅度，因此信噪比性能不受影响。100 nF 交流耦合电容在信号进入 ADV7182 模拟输入引脚前去除直流偏置；片内钳位电路在信号送入 ADC 前将其直流偏置恢复至最优电平。1.3 kΩ、430 Ω 电阻与 100 nF 电容的组合还可在“对电池短路”（STB）事件中限制流入 ADV7182 的电流。为获得最佳性能，1.3 kΩ 与 430 Ω 电阻应严格匹配：所有对应电阻需采用相同且尽可能低的阻值容差。
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2026/1/22 11:23:23
标准清晰度视频处理器概览ADV7182 能够解码大量基带视频信号，支持复合（单端与差分）、S-Video 和分量格式。视频处理器支持的标准包括：PAL B/D/I/G/H、PAL 60、PAL M、PAL N、PAL Nc、NTSC M/J、NTSC 4.43，以及 SECAM B/D/G/K/L。芯片可自动检测视频制式并相应处理。ADV7182 内置五行超自适应 2D 梳状滤波器，在解码复合视频时可实现优异的色度/亮度分离。该高自适应滤波器无需用户干预，即可根据视频制式和信号质量自动调整处理模式。用户还可通过芯片调节亮度、对比度、饱和度及色调。ADV7182 采用专利 ADLLT™（自适应数字行锁跟踪）算法，可跟踪 VCR 等源产生的变化行长度。ADLLT 使其能够解码 VCR、调谐器输出、VCD 机及摄像机等低质量或噪声源信号。ADV7182 包含色度瞬态增强（CTI）处理器，可锐化色度过渡边沿，使垂直过渡更加清晰。ACE（自动对比度增强）算法通过自动调整对比度级别来提升画面细节：可在不使亮区过曝的前提下提高暗部对比度，这对需分辨阴影区域物体的车载应用尤为实用。8 位→6 位抖动降位功能便于驱动标准 6 位 LCD 屏。视频处理器支持多种 VBI 数据业务：隐藏字幕（CCAP）、宽屏信令（WSS）、复制生成管理系统（CGMS）以及全球标准图文电视（WST）数据切片。相关信息以辅助数据包（ANC）形式通过 8 位视频输出端口传输。ADV7182 通过 Macrovision 完整认证，检测电路可识别并上报 I/II/III 级保护。解码器对所有 Macrovision 信号输入均具备完全鲁棒性。
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2026/1/22 11:15:02
ADV7182 可自动检测并将符合全球 NTSC、PAL 和 SECAM 标准的标准模拟基带视频信号转换为 4:2:2 分量视频数据流。该视频数据流兼容 8 位 ITU-R BT.656 接口标准。外部 HS、VS 和 FIELD 信号可为 LCD 控制器及其他视频 ASIC 提供时序基准。其精确的 10 位模数转换可为消费应用提供专业级视频性能，实现真正的 8 位数据分辨率。模拟视频输入端支持单端、伪差分和全差分复合视频信号，以及 S-Video 和 YPbPr 分量信号，可兼容广泛的消费类和汽车视频源。ADV7182 配合外部分压电阻可提供 4 V 的共模输入范围，从而消除视频线路上存在的大信号共模瞬变。无需外部放大电路即可实现高达 80 dB 的共模抑制（CMR）。片内 AGC 与钳位恢复电路可将输入视频信号的峰峰值放大至 ADV7182 模拟输入引脚所需的 1.0 V；也可被旁路以使用手动设置。标准交流耦合电容即可保护 ADV7182 免受“对电池短路”（STB）事件的损害。ADV7182 通过两线串行双向端口（兼容 I²C）进行配置，采用 1.8 V CMOS 工艺制造。单芯片 CMOS 结构在确保更高功能集成度的同时降低了功耗。器件采用节省空间的 LFCSP 表面贴装、RoHS 兼容封装。提供汽车级版本（−40 °C 至 +105 °C），适用于汽车应用；亦有工业级版本（−40 °C 至 +85 °C），适用于工业场景。ADV7182 是一款多功能单芯片多制式视频解码器，可自动识别 PAL、NTSC 和 SECAM 标准的复合、S-Video 和分量视频信号，支持单端或差分复合信号输入，特别适合车载应用。它将上述模拟视频格式转换为 8 位 ITU-R BT.656 数字视频流，可无缝连接各类 MPEG 编码器、编...
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2026/1/22 11:10:52
过载恢复与许多 IC 电源稳压器一样，LT1965 具备安全工作区保护功能。该保护机制会随着输入-输出电压差的增大而降低电流限制，从而确保功率晶体管在所有输入-输出电压条件下都工作于安全区域内。这种保护设计可在器件击穿前的所有输入-输出电压条件下提供一定的输出电流。当首次上电时，随着输入电压上升，输出电压会跟随输入电压，使稳压器能够在重负载条件下启动。在启动过程中，由于输入电压逐渐升高，输入与输出之间的电压差较小，稳压器因此能够提供较大的输出电流。在高输入电压条件下，可能会出现一个问题：当输出短路被移除后，输出电压无法恢复。其他稳压器（如 LT1083/LT1084/LT1085 系列）也存在这一现象，因此并非 LT1965 独有。该问题通常发生在输入电压较高、输出电压较低且负载较重的情况下。常见情形包括：短路刚被移除后，或在输入电压已建立后再将关断引脚拉高。此时，负载线可能与输出电流曲线在两个点相交。若发生这种情况，稳压器将存在两个稳定的输出工作点。由于这种“双交点”现象，可能需要将输入电源完全关闭至零电压，再重新上电，才能使输出恢复正常。
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2026/1/22 11:01:56
保护功能LT1965 稳压器集成了多种保护功能，使其非常适合用于电池供电的电路。除了单片稳压器常见的保护功能（如电流限制和热关断）外，该器件还能防止反向输入电压、反向输出电压以及输出对输入的反向电压。电流限制保护和热过载保护可在输出电流过载时保护器件。为确保正常工作，请勿超过最大额定结温：LT1965E 和 LT1965I 为 125°C，LT1965H 为 150°C。该器件的输入端可承受高达 22V 的反向电压。LT1965 会将电流限制在 1mA 以下（通常小于 300μA），且输出端不会出现负电压。该器件可保护自身及其负载，防止因电池反接而损坏。如果 LT1965 的输出被拉至地以下，器件不会损坏。若输入端开路或接地，输出可被拉低至地以下 22V。对于固定电压版本，输出会表现为一个大电阻（通常为 5kΩ 或更高），将电流限制在通常小于 300μA。对于可调版本，输出表现为开路，不会有电流从输出流出；但设定输出电压的分压电阻会有电流流出（但受到限制）。如果输入由电压源供电，LT1965 会通过关闭输出来实现自我保护。LT1965 的可调版本在 ADJ 引脚被拉至地以上或以下 9V 时不会损坏。若输入开路或接地，当 ADJ 引脚被拉至地以下时，其表现类似于一个与约 1.5kΩ 电阻串联的二极管；当被拉至地以上时，表现类似于一个与二极管串联的大电阻（ADJ 引脚电压在 3V 以下时通常为 5kΩ，3V 至 9V 时为 1.5kΩ）。如果输出被拉高，ADJ 引脚的输入电流必须限制在 5mA 以下。例如，当输出被强制拉高至 20V 时，需通过电阻分压器将 1.20V 基准电压调节为 1.5V 输出。此时，分压器上端电阻必须选取合适，使得当 ADJ 引脚电压为 9V 时，流入 ADJ 引脚的电流小于 5mA。输出与 ADJ 引脚之间的电压差为 11V，除以最...
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2026/1/22 10:56:37