LM5175 是一款同步四开关降压-升压 DC/DC 控制器，能够将输出电压稳定在输入电压、高于输入电压或者低于输入电压的某一电压值上。LM5175 具有 3.5V 至 42V 的宽输入电压范围（最大值为 60V），支持各类应用。 LM5175 在降压和升压工作模式下均采用电流模式控制，以提供出色的负载和线路调节性能。开关频率可通过外部电阻进行编程，并且可与外部时钟信号同步。 该器件还 具有 可编程的软启动功能，并且提供 诸如 逐周期电流限制、输入欠压锁定 (UVLO)、输出过压保护 (OVP) 和热关断等各类保护特性。此外，LM5175 特有 可选择的连续导通模式 (CCM) 或断续导通模式 (DCM)、可选平均输入或输出电流限制、可降低峰值电磁干扰 (EMI) 的可选扩展频谱、以及应对持续过载情况的可选断续模式保护。特点• 单电感降压-升压控制器，用于升压/降压 DC/DC 转换• 宽 VIN 范围：3.5V 至 42V，最大值为 60V• 灵活的 VOUT 范围：0.8V 至 55V• VOUT 短路保护• 高效降压-升压转换• 可调开关频率• 可选频率同步和抖动• 集成 2A 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 栅极驱动器• 逐周期电流限制和可选断续模式引脚图
浏览次数：
7
2024/3/6 11:26:05
LM3478是一种用于开关稳压器的通用低压侧N沟道MOSFET控制器。它适用于需要低侧MOSFET的拓扑结构，如升压、反激、SEPIC等。此外，LM3478可以在极高的开关频率下工作，以减小整体解决方案的尺寸。LM3478的开关频率可以通过使用单个外部电阻器调节到100kHz和1MHz之间的任何值。除了逐周期电流限制外，电流模式控制还提供了优越的带宽和瞬态响应。输出电流可以通过单个外部电阻器进行编程。LM3478具有内置功能，如热关机、短路保护、过电压保护等。节能关机模式可将总电源电流降至5µA，并允许电源排序。内部软启动限制启动时的涌入电流。特点•8引脚VSSOP-8和SOIC-8封装•具有1-A峰值电流能力的内部推挽式驱动器•电流限制和热停堆•通过电容器和电阻器优化的频率补偿•内部软启动•当前模式操作•带滞后的欠压锁定引脚图
浏览次数：
7
2024/3/6 11:16:46
LM2901器件包含四个独立的电压比较器，这些比较器可在宽电压范围内由单电源供电。这些器件也可以由双电源供电，只要两个电源之间的电压差处于 2V 至 36V 的范围之内且 VCC 比输入共模电压至少高 +1.5V 以上即可。漏极电流不受电源电压的影响。可将输出连接到其它集电极开路输出，以实现有线 AND 关联。LM2901、LM2901AV 和 LM2901V 器件的额定工作温度范围是 –40°C 至 125°C。特点• 独立于电源电压的低电源电流 消耗：0.8mA（典型值）• 低输入偏置电流：25nA（典型值）• 低输入失调电流：3nA（典型值）(LM139)• 低输入失调电压：2mV（典型值）• 共模输入电压范围 包括接地• 差分输入电压范围等于最大额定电源电压：±36V• 低输出饱和电压• 输出与 TTL、MOS 和 CMOS 兼容引脚图
浏览次数：
9
2024/3/6 11:13:01
该电路由四个独立的高增益运算放大器（运算放大器）组成，它们采用内部频率补偿，专门为汽车和工业控制系统设计。该设备通过单一电源在宽电压范围内运行。分体式电源操作也是可能的，并且低功率电源电流消耗取决于电源电压大小。特点•宽增益带宽：1.3 MHz•输入共模电压范围包括负轨•大电压增益：100 dB•每个放大器的电源电流：375µA•低输入偏置电流：20 nA•低输入偏移电流：2 nA•电源范围广：•单电源：3 V至30 V•双电源：±1.5 V至±15 V引脚图
浏览次数：
5
2024/3/6 11:02:54
LM431是一款3端可调并联调节器，可确保整个工作温度范围内的温度稳定性。只需选择两个用作分压网络的外部电阻器，即可将输出电压设置在大于2.5V（VREF）至36V的任何电平。由于其开关特性，该器件是许多齐纳二极管应用的绝佳替代品。LM431有节省空间的SOIC-8、SOT-23和TO-92封装。特点•平均温度系数50 ppm/°C•在全温度范围内运行时的温度补偿•可编程输出电压•快速开机响应•低输出噪音•低动态输出阻抗•可提供节省空间的SOIC-8、SOT-23和TO-92封装引脚图
浏览次数：
6
2024/3/6 10:59:02
LM4871是一款单声道桥接音频功率放大器，能够将3W的连续平均功率传输到3Ω 当由5V电源供电时，THD小于10%的负载（见注释）。为了在便携式应用中节省电源，当VDD施加到shutdown引脚时，LM4871的微电源关闭模式（IQ=0.6µA，典型值）被激活。Boomer音频功率放大器专门设计用于提供高功率、高保真度的音频输出。它们几乎不需要外部组件，并且在2.0V到5.5V的低电源电压下工作。由于LM4871不需要输出耦合电容器、自举电容器或缓冲网络，因此它非常适合于需要最小体积和重量的低功率便携式系统。LM4871的附加功能包括热关机保护、单位增益稳定性和外部增益设置。注：已正确安装在电路板上的LM4871LD可将3W输出到3Ω （THD为10%时）。特点•WSON、VSSOP、SOIC或PDIP封装•外部增益配置能力•引脚与LM4861兼容关键规范•10%THD+N时的PO，1kHz•LM4871LD:3Ω , 4.Ω 荷载；3W（典型值），2.5 W（典型）•所有其他LM4871包装：8Ω 负载1.5 W（典型值）引脚图
浏览次数：
7
2024/3/5 16:16:45
LM2575器件通过方便地提供集成电路中降压（buck）开关调节器所需的所有有源功能，大大简化了开关电源的设计。LM2575可接受宽输入电压范围和可调输出版本，具有集成开关，能够提供1A的负载电流，具有出色的线路和负载调节功能。该设备还提供内部频率补偿、固定频率振荡器、逐周期电流限制和热关闭。此外，可通过外部ON/OFF引脚进行手动停机。LM2575代表了流行的三端线性调节器的优越替代品。由于其高效率，它显著减小了散热器的尺寸，并且在许多情况下，不需要散热器。LM2575经过优化，可与多家不同制造商提供的标准系列电感器一起使用，它只需最少添加四到六个外部组件即可运行，大大简化了开关模式电源的设计。特点•规定的1-A输出电流•宽输入电压范围4.75 V至40 V•使用现成的标准电感器•52 kHz（典型）固定频率内部振荡器•具有50µA（典型）待机电流的TTL关断能力引脚图
浏览次数：
11
2024/3/5 16:08:23
LM3915是一种单片集成电路，可感应模拟电压电平并驱动十个LED、LCD或真空荧光显示器，提供对数3dB/步进analog显示。一个引脚将显示从条形图更改为移动点显示。LED电流驱动是可调节和可编程的，无需限流电阻器。整个显示系统可以在低至3V或高至25V的单一电源下工作。特点3 dB/步，30 dB范围驱动LED、LCD或真空荧光灯用户可从外部选择条形或点状显示模式可扩展到90 dB的显示器1.2V至12V的内部参考电压在3V至25V的单一电源下运行输入操作接地输出电流可编程为1 mA至30 mA输入可承受±35V，无损坏或错误输出输出是电流调节的，开路集电极直接驱动TTL或CMOS引脚图
浏览次数：
109
2024/3/5 16:03:14
全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo®（纳斯达克代码：QRVO）近日宣布推出四款采用紧凑型 E1B 封装的 1200V 碳化硅（SiC）模块，其中两款为半桥配置，两款为全桥配置，导通电阻 RDS(on) 最低为 9.4mΩ。全新的高效率 SiC 模块非常适合电动汽车充电站、储能、工业电源和太阳能等应用。Qorvo SiC 电源产品线市场总监 Ramanan Natarajan 表示：“该全新系列中的模块可以取代多达四个分立式 SiC FET，从而简化热机械设计和装配。我们的共源共栅技术还支持以更高的开关频率运行，通过使用更小的外部元件进一步缩小解决方案的尺寸。这些模块的高效率特性可以简化电源设计流程，让我们的客户能够专注做好单一模块的设计、布局、组装、特性分析和认证，无需应对多个分立式元件。”以 9.4mΩ 导通电阻的 UHB100SC12E1BC3N 为代表的这四款 SiC 模块均采用 Qorvo 独特的共源共栅配置，最大限度地降低了导通电阻和开关损耗，从而能够极大地提升效率，这一优势在软开关应用中尤为显著。另外，银烧结芯片贴装将热阻降至 0.23°C/W；与带“SC”的产品型号中的叠层芯片结构相结合，其功率循环性能比市场同类 SiC 电源模块高出 2 倍。得益于以上特性，这些高度集成的 SiC 电源模块不仅易于使用，而且具有卓越的热性能、高功率密度和高可靠性。下表概述了 Qorvo 全新的 1200V SiC 模块系列：Qorvo 功能强大的设计工具套件（例如 FET-Jet Calculator 和 QSPICE™ 软件）有助于产品选择和性能仿真。Qorvo SiC 模块系列已在美国加利福尼亚州长滩会议中心举行的国际电力电子应用展览会（APEC）上进行了首次亮相。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本...
浏览次数：
15
2024/3/5 15:49:29
三菱电机集团近日（2024年2月27日）宣布，将于2月28日开始提供其新型6.5W硅射频（RF）高功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）样品，用于商用手持式双向无线电（对讲机）的射频高功率放大器。该型号采用3.6V单节锂离子电池，可实现业界先端的6.5W输出功率，有望扩大商用无线电设备的通信范围并降低功耗。随着3.6V锂离子电池在智能手机中的日益普及，商业无线电行业也期望以比传统7.2V电池更低的成本开发出更高功率的产品。但到目前为止，3.6V电池的使用导致商用无线电放大器的输出功率降低，因此在与智能手机相比需要更高输出的商用无线电放大器市场中，一直在等待能够提高3.6V电池输出功率的MOSFET。为此，三菱电机现已开发出一种高功率硅MOSFET（RD06LUS2），可为工作电压为3.6V的商用无线电提供无与伦比的功率输出和高漏极效率*1。此外，内置两个MOSFET芯片的封装可以节省商用无线电印刷电路板上的空间，有助于降低组装成本。产品特点行业先端的6.5W输出功率，有助于扩展无线电通信范围. 通过针对3.6V工作电压优化的结构降低导通电阻，提高了功率密度。. 内置两个MOSFET芯片的封装为3.6V无线电实现了无与伦比的6.5W输出功率。. 与现有型号*2相比，输出功率的增加将通信范围扩大了27%。行业先端的65%漏极效率，实现低功耗. 针对3.6V工作电压的优化，实现65%漏极效率。. 漏极效率的提高可降低无线电功耗，从而延长运行时间。双MOSFET封装，可节省空间并降低组装成本. 与两个单芯片产品相比，带有两个MOSFET芯片的新型封装可减少33%的空间。. 兼容表面贴装技术（SMT），可降低封装组装成本。环保意识本产品符合RoHS*3指令2011/65/EU和（EU）2015/863。*1：从电池电源到射频功率输出的转换效率*2：三菱电机现有的4W 射频高...
浏览次数：
10
2024/3/5 15:27:10
据台媒Digitimes报道，存储价格涨势近期明显走扬，农历春节假期导致市场观望气氛浓厚，DRAM及NAN Wafer现货市场价格涨势较为趋缓，涨幅呈现收敛。存储业界认为，3月市场价格仍将延续上涨行情，DDR4/LPDDR4价格可望逐月调涨。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
浏览次数：
10
2024/3/5 15:09:57
7805是一款常用的三端正电压稳压器，其引脚图和参数如下：引脚图：7805的引脚布局类似于普通的三极管，具有三个管脚，分别是：输入端（Vin）：连接整流器输出的正电压。接地端（GND）：公共地，也就是负极。输出端（Vout）：提供稳定的正5V电压。参数：封装形式：常见的封装形式为TO-220。输入电压：不超过36V。输出电压：通常在4.75V到5.25V之间。输入输出压差：至少保持2V的压差。输出电流：最大输出电流为1.5A。精度：一般精度可达到0.04以上。7805的电路应用中，可以通过电阻（如R1和R2）来调节输出电压，使其在5V到12V的范围内连续可调节。例如，一个简单的7805电路中，R1和R2的值可以设置为220Ω和680Ω，以调节输出电压。此外，7805的最大输入电压为35V，而其稳压范围可以在5V到12V之间实现输出电压的连续可调节。
浏览次数：
20
2024/3/1 16:50:39
SS34是一种硅基P-N结二极管，其主要参数包括：最大反向电压（VRRM）。最高40V。最大正向电流（IF(AV)）。最大3A。最大正向电压降（VF）。在3A电流下为0.55V。最大反向电流（IR）。最大0.5mA。最大浪涌电流（IFSM）。最大100A。工作温度范围。从-55°C到+125°C。封装类型。SMC或DO-214AB。针脚数。通常为2个。表面安装器件。是表面安装的。此外，SS34二极管通常用于小电流电路中，如电调应用，用于电路的瞬间整流。
浏览次数：
14
2024/3/1 16:47:56
整流桥MB10F是一种高效率整流器件,常用于电源转换、电路整流和电能采集等应用。它具有稳定的电压转换特性和较低的功耗,适用于各种电子设备和系统。整流桥MB10F的参数如下：型号：MB10F封装：MBF-4最大重复峰值反向电压(VRRM)：1000V最大平均正向整流输出电流(IF)：1.0A峰值正向浪涌电流(IFSM)：35A每个元件的典型热阻(ReJA)：85℃/W工作结和储存温度范围(TJ, TSTG)：-55 to +150℃最大瞬时正向压降(VF)：1V最大直流反向电流(IR)：5uA
浏览次数：
148
2024/3/1 16:43:52
S8050是一种常见的NPN型硅三极管，其参数主要包括：集电极-基极电压（Vcbo）。最大值为40V。集电极-发射极电压（Vceo）。最大值为25V。发射极-基极电压（Vebo）。最大值为6V。集电极电流（Ic）。最大值为1.5A。总功耗（Ptot）。最大值为625mW。电流增益（hFE）。在100mA时为120至400。转换速度。最大值为300MHz。工作温度范围。-55℃至150℃。丝印。J3Y。此外，S8050的管脚排列顺序通常为E、B、C或E、C、B。这些参数决定了三极管的安全工作范围和使用条件，反映了三极管的放大能力和承受电流的能力。
浏览次数：
17
2024/3/1 16:37:04
2024年2月27日--智能电源和智能感知技术的企业安森美onsemi，宣布推出采用了新的场截止第 7 代 (FS7) 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 技术的1200V SPM31 智能功率模块 (IPM)。与市场上其他领先的解决方案相比， SPM31 IPM 能效更高、尺寸更小、功率密度更高，因而总体系统成本更低。由于这些IPM集成了优化的IGBT，实现了更高效率，因此非常适合三相变频驱动应用，如热泵、商用暖通空调（HVAC）系统以及工业泵和风扇。据估计，全球温室气体排放量约有26%来自于运行中的住宅和商业建筑，其中供暖、制冷和建筑物供电等间接排放量约占18%。SPM31 IPM 通过调节三相电机供电的频率和电压来控制热泵和空调系统中变频压缩机和风扇的功率流，以实现出色效率。例如，安森美采用 FS7 技术的 25A SPM31 与上一代产品相比，功率损耗降低达 10%，功率密度提高达 9%。在电气化趋势和更高的能效要求下，这些模块助力制造商大幅改进供暖和制冷系统设计，同时提高能效。安森美的 SPM31 IPM 系列产品采用FS7技术，具备更佳的性能，实现高能效和更低能耗，进一步减少了全球的有害排放。这些高度集成的模块含栅极驱动 IC、多种模块内置保护功能及FS7 IGBT，实现优异的热性能，且支持15A至35A的宽广电流范围。SPM31 FS7 IGBT IPM的功率密度超高，是节省贴装空间、提高性能预期、同时缩短开发时间的理想解决方案。此外，SPM31 IPM 还具有以下优势：栅极驱动和保护控件低损耗、具有抗短路能力的IGBT每一相有IGBT 半桥负端，以支持各种控制算法内置欠压保护 (UVP)内置自举二极管和电阻器内置高速高压集成电路单接地电源免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编...
浏览次数：
10
2024/3/1 16:20:55
意法半导体（下文为ST）的功率MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。这些驱动器具有集成的高压半桥、单个和多个低压栅极驱动器，非常适合各种应用。在确保安全控制方面，STGAP系列隔离栅极驱动器作为优选解决方案，在输入部分和被驱动的MOSFET或IGBT之间提供电气隔离，确保无缝集成和优质性能。选择正确的栅极驱动器对于实现最佳功率转换效率非常重要。随着SiC 技术得到广泛采用，对可靠安全的控制解决方案的需求比以往任何时候都更高，而ST的STGAP 系列电气隔离栅极驱动器在此成为必不可缺的一环。STGAP2SICS系列针对SiC MOSFET 的安全控制进行了专门优化，并可在高达1200V的高压下工作，使其成为节能型电源系统、驱动器和控制装置的绝佳选择。从工业电动汽车充电系统到太阳能、感应加热和汽车 OBC DC-DC，STGAP2SICS系列可简化设计、节省空间并增强稳健性和可靠性。STGAP2SICSA 是一款符合汽车AEC-Q100 标准的单通道栅极驱动器，优化控制SiC MOSFET，其采用了节省空间的窄体 SO-8封装 (相关型号：STGAP2SICSAN)和宽体 SO-8W 封装(相关型号：STGAP2SICSA)，通过精确PWM控制提供强大的性能。STGAP2SICSA 在栅极驱动通道和低压控制之间具有电气隔离，可在高达1700V (SO-8) 和 1200V (SO-8W) 的电压工作。其小于45ns 的输入到输出传播时间可确保高PWM 精度，并凭借±100V/ns的共模瞬态抗扰度(CMTI) 实现可靠的开关。内置保护包括欠压锁定(UVLO)，防止SiC电源开关在低效率或不安全条件下运行，以及热关断，如果检测到结温过高，则将两个驱动器输出调低。STGAP2SICSA 具有带米勒钳位功能的单输出配置。单输出增...
浏览次数：
12
2024/3/1 16:16:47
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出五款采用改良设计的INT-A-PAK封装新型半桥IGBT功率模块---VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N。这些新型器件采用Vishay的Trench IGBT技术制造，为设计人员提供两种业内技术选件—低VCE(ON) 或低Eoff —降低运输、能源及工业应用大电流逆变级导通或开关损耗。日前发布的半桥器件使用节能效果优于市场上其他器件的Trench IGBT，与具有超软反向恢复特性的第四代FRED Pt®反并联二极管封装在一起。模块小型INT-A-PAK封装采用新型栅极引脚布局，与34 mm工业标准封装100%兼容，可采用机械插接方式更换。这款工业级器件可用于各种应用的电源逆变器，包括铁路设备；发电、配电和储电系统；焊接设备；电机驱动器和机器人。为降低TIG焊机输出级导通损耗，VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S和VS-GT200TS065S在+125 °C，额定电流下，集电极至发射极电压仅为 ≤ 1.07 V。VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N适用于高频电源应用，开关损耗极低，+125 °C，额定电流下，Eoff仅为1.0 mJ。模块符合RoHS标准，集电极至发射极电压为650 V，集电极连续电流为100 A至200 A，结到外壳的热阻极低。器件通过UL E78996认证，可直接安装散热片，EMI小，减少了对吸收电路的要求。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
浏览次数：
11
2024/3/1 16:14:00