南京米乐为微电子科技股份有限公司（简称“米乐为”）专注于微波/毫米波射频芯片及系统解决方案的研发与设计，其压控振荡器（VCO）芯片的型号及产品介绍主要如下：MWV2004、MWV2005、MWV2003Q、MWV2008、MWV2003MWV2004MWV2004 是一款集成输出缓冲 Buffer 的压控振荡器（VCO）单片，支持 7 GHz 至 12.5 GHz 的输出频率范围。Vtune 端口接受 0 至 +10 V 的模拟调谐电压。本款芯片采用+5 V单电源供电，电流为 49 mA。MWV2005MWV2005 是一款集成输出2分频和4分频功能的压控振荡器（VCO）单片，支持 10.6GHz 至 13.6GHz 的输出频率范围。Vtune端口接受 0 至 +10V 的模拟调谐电压，电流为150mA。MWV2003QMWV2003Q 是一款集成输出缓冲 Buffer 的压控振荡器（VCO），支持 8.1 GHz 至 14.2 GHz 的输出频率范围。Vtune端口接受 0 至 +10 V 的模拟调谐电压。本款芯片采用 +5 V 单电源供电，电流仅 46 mA。MWV2008MWV2008 是一款集成输出 2 分频功能的压控振荡器（VCO）单片，支持 14 GHz 至 17 GHz 的输出频率范围。Vtune 端口接受 0 至 +10V 的调谐电压，电流为 105 mA。MWV2003MWV2003 是一款集成输出缓冲Buffer的压控振荡器（VCO）单片，支持 8GHz 至 14.3GHz 的输出频率范围。Vtune端口接受 0 至 +10V 的模拟调 谐电压。本款芯片采用+5V单电源供电，电流仅 42mA。如有米乐为型号需求及其它品牌需求及选型，可直接联系兆亿微波电子元器件采购商城。
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2025/11/20 14:45:19
南京米乐为微电子科技股份有限公司（简称“米乐为”）专注于微波/毫米波射频芯片及系统解决方案的研发与设计，其压控振荡器（VCO）芯片的型号及产品介绍主要如下：MWV2000QMWV2000Q 是一款集成输出缓冲 Buffer 的压控振荡器（VCO），支持 4 GHz 至 7 GHz 的输出频率范围。Vtune 端口接受 0 至 +10 V 的模拟调谐电压。本款芯片采用 +5 V 单电源供电，电流仅 44 mA。MWV2001MWV2001 是一款集成输出缓冲 Buffer 的压控振荡器（VCO）单片，支持 5 GHz 至 8.9 GHz 的输出频率范围。Vtune端口接受 0 至 +10 V 的模拟调谐电压。本款芯片采用 +5 V 单电源供电，电流仅 45 mA。MWV2000MWV2000 是一款集成输出缓冲Buffer的压控振荡器（VCO）单片，支持 3.9 GHz 至 6.9 GHz 的输出频率范围。Vtune 端口接受 0 至 +10 V 的模拟调谐电压。本款芯片采用 +5 V 单电源供电，电流仅 44 mA。MWV2011MWV2011 是一款集成输出缓冲Buffer和主副路输出的压控振荡器（VCO）单片，支持 6.1 GHz 至 8 GHz 的输出频率范围。Vtune 端口接受 0 至 3.3 V 的调谐电压，电流为 50 mA。MWV2009MWV2009 是一款集成输出 2 分频功能的压控振荡器（VCO）单片，支持 7.9 GHz 至 8.9 GHz 的输出频率范围。Vtune 端口接受 0 至 +3.3 V 的调谐电压，电流为 90 mA。MWV2001QMWV2001Q 是一款集成输出缓冲Buffer的压控振荡器（VCO），支持 5GHz 至 9GHz 的输出频率范围。Vtune端口接受 0 至 +10V 的模拟调谐电压。本款芯片采用+5V单电源供电，电流...
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2025/11/20 14:44:24
南京米乐为微电子科技股份有限公司（简称“米乐为”）专注于微波/毫米波射频芯片及系统解决方案的研发与设计，其混频器芯片的型号及产品介绍主要如下：MWM2042A&B、MWM2009A&B、MWM2037A&B、MWM2036A&B、MWM2039A&B、MWM2022A&B、MWM2032A&B、MWM2043A&B、MWM1018MWM2042A&BMWM2042A&B 是一款互为镜像的混频器，射频和本振频率范围覆盖 2-6 GHz，中频输出频率覆盖 DC-2 GHz，上变频损耗典型值 6 dB，LO-RF 隔离度 50 dB，LO-IF 隔离度 45 dB。具有低插损、高隔离、高杂散抑制。MWM2009A&BMWM2009A&B 是一款双平衡混频器，本款产品能够实现射频 3 GHz-10 GHz 的变频功能，中频频率覆盖 DC-3.5 GHz，带内变频损耗 8 dB。MWM2037A&BMWM2037A&B 是一款互为镜像、自带驱动的双平衡混频器芯片，能够实现信号链路中，信号上下变频功能，其射频和本振频率覆盖 4-14 GHz，中频频率覆盖 DC-5 GHz，具有低插损、高隔离、高输入 P-1、回波损耗优的特点，可满足X波段各种射频组件小型化的应用。MWM2036A&BMWM2036A&B 是一款互为镜像的宽带混频器芯片，射频和本振频率覆盖 2-26 GHz，中频频率覆盖 DC-8 GHz，典型插入损耗为 10 dB，本振/射频隔离为 55 dB，本振/中频隔离为 28 dB，射频/中频隔离为 35 dB， 本振端口含隔直电容（其他端口无），可满足各种宽带系统的应用。MWM2039A&BMWM2039A&B 是一款互为镜像并自带驱...
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2025/11/20 14:36:13
南京米乐为微电子科技股份有限公司（简称“米乐为”）专注于微波/毫米波射频芯片及系统解决方案的研发与设计，其混频器芯片的型号及产品介绍主要如下：MWM2016Q、MWM2026Q、MWM2008Q、MWM2002Q、MWM2021Q、MWM2005、MWM2025、MWM2004MWM2016QMWM2016Q 是一款宽带高隔离度下变频混频器，由高线性度双平衡混频器、限幅 LO 缓冲放大器和偏置电路构成。高本振工作时，射频率范围为 0.7-1.1 GHz，中频频率范围为0.001–0.5 GHz，具有隔离度高、变频损耗低等优良特性。MWM2026QMWM2026Q 是一款低频宽带混频器，由高线性度双平衡混频器和巴伦电路构成。射频和本振频率范围均为 80 - 2500 MHz，中频输出频率在 DC – 1000 MHz 之间。MWM2008QMWM2008Q 是一款宽带高隔离度下变频混频器，由高线性度双平衡混频器、高速限幅 LO缓冲放大器、RF 线性放大器和偏置电路构成。射频和本振频率范围均为 400-2700 MHz，中频输出频率可在 0.1-1000 MHz 之间。MWM2002QMWM2002Q 是一款窄带高线性无源上变频混频器，采用 QFN4×4 封装，射频频率范围为 2.5-2.7 GHz，中频输出频率在 1.2 GHz±100 MHz 之间，具有高 RF-LO 隔离度、IF-LO 隔离度和高输入三阶交调抑制。MWM2021QMWM2021Q 是一款窄带高线性无源上变频混频器，采用 QFN4×4 封装，射频频率范围为 2.5-2.7 GHz，中频输出频率在 1.2 GHz±100 MHz 之间，具有高 LO-RF 隔离度、LO-IF 隔离度和高输入三阶交调抑制。MWM2005MWM2005 是一款有源混频器，能够实现上下变频功能...
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2025/11/20 14:30:47
ADRF5050是一款非反射式SP4T开关，采用绝缘硅(SOI)工艺制造。ADRF5050的工作频率范围为100MHz至20GHz，具有低于1.20dB的插入损耗以及高于47dB的隔离性能。对于直通路径，该器件具有33dBm的射频输入功率处理能力。ADRF5050采用+3.3V和−3.3V双电源供电。该器件还可以采用单正电源电压(VDD)供电，同时负电源引脚(VSS)接地。单电源工作条件需要较低的工作功率，同时保持出色的小信号性能（参见数据手册中的表2）。ADRF5050采用兼容互补金属氧化物半导体(CMOS)和低压晶体管对晶体管逻辑(LVTTL)的控件。该器件具有使能和逻辑选择控制特性，可分别提供全部关断状态和端口镜像功能。ADRF5050与ADRF5042和ADRF5043引脚兼容。ADRF5050采用符合RoHS标准的24引脚、3mm×3mm、基板栅格阵列(LGA)封装，工作温度范围为−40°C至+105°C。特征•超宽带频率范围：100MHz至20GHz•非反射式50Ω设计•低插入损耗•0.9dB（典型值）至6GHz•1.00dB（典型值）至12GHz•1.20dB（典型值）至20GHz•RFx和RFx之间高隔离度•54dB（典型值）至6GHz•50dB（典型值）至12GHz•47dB（典型值）至20GHz•高输入线性度•P0.1dB：34dBm（典型值）•IP3：55dBm（典型值）应用•测试仪器仪表•军用无线电、雷达和电子对抗(ECM)•微波无线电和甚小孔径终端(VSAT)如有型号及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件采购商城。
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2025/11/20 14:05:09
Abracon推出的ABM14系列超微型石英晶体，以仅1.0×0.8毫米的行业封装，提供了兼具高稳定性与高精度的时钟解决方案，成为空间敏感型应用的理想心脏。产品特性•超微型AT切型石英晶体•高稳定性•低镀层负载值•低功耗•符合REACH法规应用场景•可穿戴设备•无线模块•蓝牙•助听器•低功耗MCU免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2025/11/20 13:57:12
兆易创新GigaDevice近期宣布推出新一代双电压高性能xSPINORFlash——GD25NX系列。该系列采用1.8V核心电压与1.2VI/O电压设计，可直接连接1.2VSoC，无需外部电平转换器，显著降低系统功耗并优化BOM成本。作为继GD25NF与GD25NE系列之后的第三代双电压供电产品，GD25NX系列延续了兆易创新在双电压供电领域的技术积累。该产品系列兼具高速数据传输能力与高可靠性，广泛适用于可穿戴设备、数据中心、边缘AI及汽车电子等对稳定性、响应速度、能效比要求严苛的应用场景。GD25NX系列SPINORFlash支持八通道SPI模式，最高时钟频率为STR200MHz，DTR200MHz，实现高达400MB/s数据吞吐量。该系列的写入时间典型值为0.12ms，扇区擦除时间为27ms，其与常规1.8V八通道Flash相比，写入速度提升30%，擦除速度提升10%。为保障数据可靠性，GD25NX系列集成ECC算法与CRC校验功能，有效增强数据完整性并延长产品使用寿命。同时，该系列支持DQS功能，为高速系统设计提供完整信号保障，满足数据中心和汽车电子等高稳定性应用需求。依托创新的1.2VI/O接口架构，GD25NX系列在实现卓越性能的同时，也具备出色的低功耗表现。其读取电流在八通道STR200MHz模式下低至16mA，在八通道DTR200MHz模式下低至24mA；与常规的1.8V八通道SPINORFlash产品相比，GD25NX系列的1.2VI/O接口设计可将读功耗降低50%，在确保高速运行的同时显著提升系统能效，为功耗敏感型应用提供更具竞争力的解决方案。“GD25NX系列的诞生开创了低电压与高性能兼具的SPINORFlash新格局”兆易创新副总裁、存储事业部总经理苏如伟表示，“其设计紧贴主流SoC对低电压接口的需求，为客户带来了更高的集成度与更低的BOM成本。未来...
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2025/11/20 13:49:01
从全球主要股指表现来看，市场情绪谨慎乐观，但科技股内部出现分化。美国三大股指中，道琼斯工业指数微涨0.34%，标普500指数基本持平（+0.08%），而以科技股为主的纳斯达克指数则下跌0.45%。欧洲市场表现强劲，法国CAC40指数大涨2.77%，德国DAX指数也上涨了1.30%。亚洲市场则涨跌不一，韩国综合指数上涨1.46%，而台湾加权指数下跌0.92%。尤为引人注目的是，作为全球半导体行业晴雨表的费城半导体指数上周下跌了1.96%，这预示着芯片板块正面临一些特定的压力。三星内存芯片价格飙升60%上周，一则重磅消息引爆了全球芯片市场。据知情人士透露，存储巨头三星电子在本月已将部分内存芯片的价格较9月份大幅上调，最高涨幅达到惊人的60%。具体来看，芯片分销商Fusion Worldwide的总裁透露，三星32GB DDR5内存芯片的合同价从9月的149美元跃升至239美元。此外，16GB和128GB的DDR5芯片价格也上涨了约50%，其他容量芯片亦有30%以上的涨幅。这一轮迅猛的涨价潮，凸显出存储芯片市场供需关系正在发生剧烈变化，可能预示着新一轮“超级周期”的开启。在全球芯片产业格局重塑的背景下，地缘政治因素持续产生影响。美国出口管制出现微调：美国商务部工业与安全局（BIS）决定，将其“出口管制50%穿透性规则”暂停实施一年。同时，将艾睿电子在中国大陆和香港的两家关联公司从实体清单中移除。这一举动为复杂的全球供应链带来了一丝不确定性中的缓和。设备商遭遇逆风：受美国出口限制收紧的影响，全球芯片设备制造商应用材料公司预计明年在华支出将减少，导致其股价一度下挫。这反映出地缘政治紧张对产业链上游企业的直接冲击。不过，分析师也指出，应用材料对中国市场的依赖度已有所下降，其长期增长前景依然被看好。巨头加紧全球布局：与此同时，国际半导体巨头正加紧全球合作与布局。荷兰光刻机霸主阿斯麦（AS...
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2025/11/20 13:39:32
近日，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司宣布，在奥地利格拉茨正式成立一个超宽带（UWB）应用实验室。该实验室由英飞凌与奥地利研究机构Silicon Austria Labs（SAL） 联合创建，旨在汇聚全球智慧，共同推动UWB这一前沿无线通信技术的边界，为汽车、工业、物联网和消费电子市场孵化更具竞争力的创新解决方案。战略布局：从技术整合到生态引领此次实验室的成立，是英飞凌在UWB领域长期战略布局的关键一步。英飞凌在2023年收购了UWB技术先锋3db Access股份公司，夯实了其技术根基。紧接着，在2025年5月，英飞凌又宣布加入FiRa®联盟董事会，这一举动充分彰显了其致力于塑造全球UWB技术未来发展与标准化的决心。新实验室将依托英飞凌成熟的连接性产品组合，致力于加速创新成果向客户价值的转化。它不仅仅是一个研究机构，更是一个连接国际客户、顶尖研究机构与技术合作伙伴的核心枢纽，通过将前沿学术研究与 rigorous 的实际测试相结合，确保技术能够快速、有效地应用于现实场景。实验室能力：为未来应用构建测试基石作为英飞凌首个专为UWB技术量身打造的创新设施，格拉茨实验室专注于灵活高效的测试。实验室配备了动作捕捉系统、自动化机器人等尖端设备，能够构建精准且可复现的测试环境，全面支持从小型物联网设备到整车系统等各类解决方案的研发验证。此外，该实验室的专业技术与英飞凌现有的Wi-Fi、Bluetooth®及NFC解决方案形成了完美的互补效应，共同构成了一个强大而全面的安全互联产品组合，能够满足市场对安全、精准定位与感知日益增长的需求。英飞凌在格拉茨开启UWB应用实验室，不仅是其强化在全球UWB技术领域领导地位的重要里程碑，更是为整个物联网与汽车产业注入了新的创新动能。通过深耕技术、构建生态并积极参与标准制定，英飞凌正携手合作伙伴，共同开启一...
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2025/11/20 13:34:43
华为已正式宣布，将于11月25日推出新一代旗舰手机Mate 80系列。据悉，该系列不仅将搭载全新麒麟9030芯片与鸿蒙6操作系统，在外观上全系回归直屏设计并集成3D人脸识别与侧边指纹。更引人瞩目的是，供应链消息指出，Mate 80系列有望采用最高20GB的国产定制化大内存，此举在全球存储芯片涨价的背景下尤显战略深意。产品核心特性：性能、系统与交互革新芯片性能：搭载新一代麒麟9030处理器，其具体参数能否在发布会上正式公开，成为业界首要焦点。●操作系统：全球首发鸿蒙6.0，预计在分布式体验与AI能力上实现重大跨越。●外观交互：全系采用直屏设计，融合3D人脸识别与侧边指纹技术，兼顾美观与实用。突破性技术亮点：定制化20GB国产内存本次Mate 80系列最受关注的技术亮点之一，在于其可能搭载的定制化内存方案。●非主流规格：并未盲目跟风行业24GB配置，而是选择了专为Mate 80硬件与鸿蒙系统深度优化的20GB版本。●深度调校优势：这种定制化路径意味着内存与处理器、操作系统之间能实现更深层次的协同，有望在同样容量下释放更高性能与能效。●国产化突破：采用国产内存芯片，标志着华为在核心元器件自主可控的供应链布局上再下一城。目前，华为Mate 80系列已经上架华为官方商城开始预订，该系列的存储规格也正式确认。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2025/11/20 13:24:02
PAC52400 属于 Qorvo 品牌的功能齐全的 Power Application Controller®（PAC）系列，专为控制和驱动下一代智能能源家电、设备与装置而高度优化。该系列应用控制器将 50 MHz Arm® Cortex®-M0 32 位微处理器内核，与 Qorvo 专有且已申请专利的 Multi-Mode Power Manager™（多模式电源管理器）、Configurable Analog Front End™（可配置模拟前端）以及 Application Specific Power Drivers™（专用功率驱动器）集成于一体，构成基于微处理器的最紧凑的电源及通用应用系统，覆盖数字电源到电机控制等多种场景。PAC52400 微控制器主要特性：最高 32 kB 嵌入式 Flash 与 8 kB SRAM高速 10 位 1 µs ADC，带双自动采样序列器5 V / 3.3 V 兼容 I/O灵活时钟源、定时器多功能 14 通道 PWM 引擎多种串行接口Multi-Mode Power Manager（MMPM）提供简单电源拓扑的电源管理方案，内部集成线性稳压器，为模拟和数字模块供电。Application Specific Power Drivers（ASPD）是针对不同控制应用（半桥、H 桥、三相、智能功率模块 IPM 及通用驱动）设计的中压功率驱动器。Configurable Analog Front End（CAFE）包含差分/单端可编程增益放大器、比较器、数模转换器及可编程互联 I/O，可用于多路模拟输入信号的采样、反馈放大与传感器监测。凭借上述模块与微处理器，PAC52400 可在最高 44 V 的直流供电范围内，实现电源管理、驱动、反馈与控制的紧凑型一体化解决方案。应用•电动工具（最高24V）•1...
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2025/11/19 10:44:18
QPB3810是一个集成的2级GaN-Doherty功率放大器模块，带有偏置控制器，专为m-MIMO应用而设计，设备输出端具有8W RMS。集成偏置控制器在工厂编程，以设置Doherty功率放大器模块的最佳偏置点。控制器包括温度传感器，并根据温度调节偏差。控制器还包括用于快速TDD切换的使能引脚。QPB3810采用紧凑的12mm x 8mm SMT封装。这比传统的分立元件解决方案占地面积小得多，需要最少的外部电路。特征•工作频率范围：3.4-3.8 GHz•工作漏极电压：+48V•12.0 x 8.0 mm SMT封装应用•5G m-MIMO无线基础设施•通用无线系统•基于TDD的架构如有型号及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件采购商城。
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2025/11/19 10:40:01
ACT85611 是一款高集成度、可多重配置的高性能电源管理芯片（PMIC），内置断电保护（PLP）功能。芯片集成：4 路高效率 Buck 降压转换器– 3 路每路最大 4 A– 1 路最大 2 A– 输出电压最低可调至 0.6 V1 路 12 V Boost 升压转换器1 路专为芯片内部栅极驱动和偏置供电优化的 Buck 转换器断电保护（PLP）可在输入掉电时提供备用储能电源。内置高压 Boost 把储能电容电压抬升，以减小电容体积；再由内置 Buck 把储能电压稳压成固定输出，维持系统持续运行。芯片集成背靠背 eFuse MOSFET，实现输入/输出双向隔离，并支持热插拔与浪涌电流控制。ACT85611 可编程设定储能电容电压，从而优化电容尺寸与备电时长。内置 ADC 与健康监测功能，为系统提供额外保护，提升可靠性，并可在储能电容老化、能量不足时提前报警。ADC 实时监测输入电压、输出电压、储能电压、eFuse 电流及芯片结温。同步 Buck 结构最大限度把储能电容能量释放给系统。高压 Buck 采用 Qorvo 专利的恒定导通时间（COT）控制架构，具备以下特点：高效率，开关频率可编程支持高降压比，最低输出 0.6 V可在极低占空比下稳定工作在给定输入/输出电压的工作点附近，稳压器近似恒频运行；负载变化时，仍保持连续导通模式（CCM）下的近似恒频。轻载自动降频，进入断续模式（DCM），从而在全负载范围维持高效率。输出电感可根据应用灵活选择：注重瞬态响应 → 选小电感注重高效率 → 选大电感据此再选定最佳开关频率，综合权衡效率、动态响应、电感尺寸、电流等级、峰值纹波与输出纹波。所有开关转换器均采用 Qorvo 专有内部补偿，可在宽电感值与开关频率范围内稳定工作，方便用户平衡各项性能指标。此外，ACT85611 还集成一路 Boost 升压转换器：输入电压范围 2.5 V...
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2025/11/19 10:33:09
QPG6200L采用Qorvo的ConcurrentConnect™技术，以真正并行的方式支持Matter（通过线程）、Zigbee和Bluetooth®低功耗的最新标准。低功耗QPG6200L支持Matter，同时支持现有的Zigbee网络，而无需在延迟和链路性能方面进行权衡。它具有ConcurrentConnect™技术：多信道功能允许在不同信道上运行多达3个IEEE 802.15.4 PAN，从而在单独的信道上启用Zigbee和Matter，确保射频性能。蓝牙低功耗和IEEE 802.15.4的天线分集可提高有效范围和抗干扰性。多无线电功能允许通过蓝牙低功耗和IEEE 802.15.4协议连续扫描传入数据包，没有可观察的盲点。特征•多标准MatterTM、Thread、Zigbee和Bluetooth®低功耗SoC•采用ConcurrentConnectTM技术，实现卓越的射频性能：•多通道同时支持Zigbee+Matter•天线分集使范围加倍•多无线电可同时进行BLE扫描和物质处理应用•互联照明•智能传感器•可穿戴设备•网关如有型号及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件采购商城。
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2025/11/19 10:27:41
Qorvo QPF4702是为Wi-Fi 7（802.11be）系统设计的集成前端模块（FEM）。紧凑的外形和集成匹配最大限度地减少了应用程序中的布局面积。性能侧重于优化电源电压范围内的PA效率，以最大限度地降低功耗，使使用数字预失真的系统能够实现RF链的最高线性输出功率和前沿吞吐量。这是在极宽的带宽内完成的，可在UNII 1-8（5.1至7.1 GHz）的所有信道中运行。提供多模RX以确保在覆盖距离内保持高吞吐量。提供了一个具有RF输出的耦合器以及一个宽范围、恒定斜率电压对数功率检测器，用于应用反馈。QPF4702将5-7GHz功率放大器（PA）、单极双掷开关（SP2T）和可旁路多模低噪声放大器（LNA）集成到一个设备中。特征•PSAT=+29 dBm•纠正了DEVM1•POUT=+18 dBm MCS13 EHT320-43 dB动态EVM•POUT=+20 dBm MCS13 EHT160-43 dB动态EVM•POUT=+21 dBm MCS13 EHT320-38 dB动态EVM•POUT=+22 dBm MCS9 EHT80-35 dB动态EVM•POUT=+24 dBm MCS0 HT/HE20频谱掩模合规性•直流功率=0.68 W，+18 dBm•30 dB Tx增益•1.7/3 dB噪声系数•Rx路径上的2.4 GHz抑制大于25 dB•集成射频耦合器和直流对数功率检测器应用•接入点•无线路由器•住宅网关•客户驻地设备•物联网如有型号及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件采购商城。
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2025/11/19 10:25:43
Qorvo QPF4609是为Wi-Fi 7（802.11be）系统设计的集成前端模块（FEM）。小尺寸和集成匹配最大限度地减少了应用程序中的布局面积。性能侧重于优化5V电源电压的PA，以最大限度地降低功耗，使使用数字预失真的系统能够实现RF链的最高线性输出功率和前沿吞吐量。这是在从UNII5-8（5.925至7.125 GHz）的所有信道中实现宽带操作的。集成了一个具有RF输出的耦合器，用于DPD反馈训练。为了功率控制，提供了一个宽范围、恒斜率电压对数功率检测器用于应用反馈。QPF4609将6 GHz功率放大器（PA）、单极双掷开关（SP2T）、耦合器结构和可旁路低噪声放大器（LNA）集成到一个设备中。特征•POUT=+21 dBm MCS13 EHT320-43 dB动态EVM•POUT=+22 dBm MCS11 EHT320-38 dB动态EVM•POUT=+23 dBm MCS9 VHT80-35 dB动态EVM•POUT=+26 dBm MCS0 HT20频谱掩模合规性•针对+5 V操作进行了优化•32 dB Tx增益•1.8 dB噪声系数•16 dB Rx增益和6.5 dB旁路损耗•集成射频耦合器•集成直流对数功率检测器应用•接入点•无线路由器•机顶盒•客户驻地设备•物联网如有型号及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件采购商城。
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2025/11/19 10:11:27
Qorvo QPF4509是为Wi-Fi 7（802.11be）系统设计的集成前端模块（FEM）。小尺寸和集成匹配最大限度地减少了应用程序中的布局面积。性能侧重于优化5V电源电压的PA，以最大限度地降低功耗，使使用数字预失真的系统能够实现RF链的最高线性输出功率和前沿吞吐量。这是在从UNII1-4（5.170到5.895 GHz）的所有信道中实现宽带操作的。集成了一个具有RF输出的耦合器，用于DPD反馈训练。为了功率控制，提供了一个宽范围、恒斜率电压对数功率检测器用于应用反馈。QPF4509将6 GHz功率放大器（PA）、单极双掷开关（SP2T）、耦合器结构和可旁路低噪声放大器（LNA）集成到一个设备中。特征•POUT=+12 dBm MCS13 EHT160-47 dB动态EVM•POUT=+20.5 dBm MCS11 EHT160-43 dB动态EVM•POUT=+23 dBm MCS9 VHT80-35 dB动态EVM•POUT=+26 dBm MCS0 HT20频谱掩模合规性•针对+5 V操作进行了优化•29 dB Tx增益•1.8 dB噪声系数•15 dB Rx增益和7 dB旁路损耗•集成射频耦合器•集成直流对数功率检测器应用•接入点•无线路由器•机顶盒•客户驻地设备•物联网如有型号及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件采购商城。
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2025/11/19 10:00:22
Qorvo®QPF4557是为Wi-Fi 7（802.11be）系统设计的集成前端模块（FEM）。小尺寸和集成匹配最大限度地减少了应用程序中的布局面积。 性能侧重于优化5V电源电压的PA，以最大限度地降低功耗，使使用数字预失真的系统能够实现RF链的最高线性输出功率和前沿吞吐量。这是在从UNII1-3（5.125至5.925 GHz）的所有信道中实现宽带操作的。集成了一个具有RF输出的耦合器，用于DPD反馈训练。为了功率控制，提供了一个宽范围、恒斜率电压对数功率检测器用于应用反馈。QPF4557将5 GHz功率放大器（PA）、单极双掷开关（SP2T）、耦合器结构和可旁路低噪声放大器（LNA）集成到一个设备中。特征•5170–5895兆赫•PSAT=+32 dBm•针对+5 V操作进行了优化•直流功率=24 dBm时为1.7 W•33 dB Tx增益•1.6 dB噪声系数•14.5 dB Rx增益和7 dB旁路损耗•Rx路径上的25 dB 2.4 GHz抑制•集成射频耦合器和直流对数功率检测器应用•接入点•无线路由器•住宅网关•客户驻地设备•物联网如有型号及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件采购商城。
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2025/11/19 9:55:51