Bourns宣布发布Model FLP1004N089D4、FLP1606N078D6、FLP1606N355D6、FLP1608N250D6、FLP2009N025D8、FLP2009N086D8、FLP2009N091D8、FLP2009N092D8和FLP2009N141L3 LTCC（低温共烧陶瓷）低通滤波器，这些九款型号旨在解决尺寸限制和频率选择性滤波无线通信设计的需求。FLP系列采用LTCC多层陶瓷结构，将被动元件集成为紧凑的单片元件，支持从直流到3800 MHz的工作频率，同时能在-40°C至+85°C的温度范围内运行。随着无线通信设备持续跨越多个频段和应用环境，设计者常面临在不牺牲滤波性能的前提下缩小电路尺寸的挑战。将多个无源元件集成到单一LTCC结构中有助于减少板块空间需求，同时简化射频电路布局。FLP系列满足这些需求，支持亚GHz物联网设备、LTE基础设施和终端、GNSS应用以及5G系统。紧凑的整体结构还为微电子无线通信设计提供了可靠的方法，适用于不同环境条件。该系列型号的电气规格LTCC系列低通滤波器的特性低温共烧陶瓷（LTCC）多层陶瓷结构——将被动元件集成为单一整体结构，有助于减少元件数量和板材空间多种封装尺寸的紧凑形态——支持空间受限的无线通信设计工作频率范围从直流到3800 MHz——涵盖多个具有特定型号滤波特性的无线通信频段符合RoHS标准* - 符合全球环境法规应用物联网设备（FLP1004N089D4、FLP1606N078D6、FLP2009N086D8、FLP2009N092D8、FLP2009N091D8、FLP2009N025D8和FLP2009N141L3）——支持紧凑型连接设备的无线连接和通信功能GNSS应用（FLP2009N141L3）——为基于卫星的定位和导航接收器提供过滤5G系统（FLP1606N35...
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2026/8/13 14:19:06
Bourns宣布发布其定制MAG-3002410功率电感器的工程样品。该高性能电感器专为双向三电平三相碳化硅（SiC）有源前端（AFE）逆变器和PFC应用而设计，将低剖面机械设计与超低直流电阻（DCR）相结合，有助于在AFE和PFC级实现高达98.6%的峰值功率转换效率。MAG-3002410针对要求苛刻的高压系统进行了优化，能够实现高效的电力转换，非常适合电动汽车充电基础设施、可再生能源转换器、储能系统和工业电力转换设备，扩展了Bourns为TIDA-01606平台开发的定制磁性解决方案的优势。特性专为TIDA-01606 11 kW T型逆变器和PFC设计，针对TI的11 kW逆变器和功率因数校正参考设计进行了优化。低剖面设计-具有紧凑、节省空间的外形，适用于高密度应用超低DCR-最大限度地减少电阻损失，以提高效率并减少热量产生高效的功率转换性能-支持高效的能量传输，减少运行过程中的功率损失适用于高压应用-设计用于在高压系统中可靠运行符合RoHS标准*-符合限制有害物质的环境标准应用程序中央逆变器-将可再生能源的高功率直流电转换为适用于大型电站的电网兼容交流电直流快速充电站-将高功率直流电直接输送到电动汽车电池进行快速充电电动汽车充电站电源模块-在电动汽车充电器内提供受控、高效的电源转换和调节燃料电池逆变器-将燃料电池直流输出转换为可用的交流电，用于系统或电网集成高压直流（HVDC）电力传输-实现高效的长距离、大容量电力传输，同时减少损耗固态变压器（SST）-提供电压转换，具有增强的控制和智能电网功能免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/8/13 14:13:13
Bourns宣布发布CFG-A系列宽端子金属箔电流感应电阻，提供0508和0612两种规格。额定功率最高为2瓦，电阻范围为1–30 mΩ，CFG-A系列符合AEC-Q200标准，设计用于汽车电力电子、电机驱动及其他需要精确、热稳定电流测量的高可靠性应用。汽车电气化——涵盖12伏到48伏轻度混合动力架构及更高范围——在同时压缩可用电路板空间的同时，提高了电流感测精度的要求。OEM厂商正将AEC-Q200认证的被动元件列为标准，紧凑型ECU和电源模块的设计者面临着在不扩大PCB占地的情况下管理热点的压力日益增加。CFG-A系列通过其金属箔感应元件、宽端子结构和汽车级认证直接满足这些需求。 与传统厚膜电流感应电阻相比，CFG-A的金属箔元件在持续负载下提供了更低的TCR和更好的稳定性。宽端子几何降低了电阻元件到PCB的热阻，减少局部加热并改善长期漂移性能——在产品生命周期内稳定电流测量的应用中具有可测量优势。设计特征与关键能力金属箔感应元件——提供低电阻值、优异稳定性和低漂移，适合精密电流测量宽端子结构——通过将热量分散到更大的焊盘面积，降低热阻和机械应力，提升功率承受能力和板级可靠性符合AEC-Q200标准——符合汽车可靠性标准，包括高温暴露、热循环（1000次循环）、偏置湿度（1000小时）和工作寿命（70°C下1000小时），电阻变化≤±1%低TCR——≥5 mΩ（依赖型号）可降至±50 ppm/°C，保持-55°C至+155°C工作区间的测量精度功率额定功率最高可达2瓦——0612英尺，额定功率为2瓦，温度为70°C;0508 额定功率可达 1.5 瓦，使得在空间受限设计中实现更高的电流感测或减少并联计数宽范围——1 - 10 mΩ（CFG0508A）和1 - 30 mΩ（CFG0612A），公差...
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2026/8/13 14:07:57
兆易创新GigaDevice宣布正式推出GD32H77R高性能32位微控制器，该款芯片是面向伺服驱动与机器人关节控制场景深度定制优化的专用MCU。GD32H77R系列芯片搭载600MHz主频Arm® Cortex®‑M7内核，配备可与CPU同频工作的640KB紧耦合内存（TCM），集成EtherCAT®从站控制器与多规格工业编码器接口，采用9mm×9mm BGA169紧凑封装精准适配机器人关节内部有限空间，可广泛应用于人形机器人关节模组、伺服驱动器、VFD变频调速、3D打印与数控设备、工业网关及多传感器融合系统。GD32H77R以高算力兼顾低动态功耗，一体化实时通信，超高集成度与小型化封装，完备运动控制外设的多重优势，为智能运动控制领域提供了一颗兼具算力与能效的“芯”选择。搭载600MHz Arm® Cortex® M7超高性能内核，支持双精度浮点运算，内置三角函数加速器TMU，有效提升电机控制运算效率。芯片配置了640KB大容量与CPU同频运行的TCM紧耦合内存，运算代码可实现零等待读取，1.2MB片上共享SRAM，2MB高速可执行Flash以及3.5MB存储Flash。这套为高性能电机运算量身打造的硬件架构能够让超高速内核与超高速内存时刻匹配，彻底释放芯片澎湃算力。即便面对高频中断、多任务并行调度等强实时控制任务，GD32H77R系列MCU依旧能保障指令响应精准确定、算法执行高速稳定，从容承载复杂控制算法与海量高频数据处理需求，为高端伺服设备与各类高要求嵌入式场景筑牢硬核算力根基。除此之外，GD32H77R系列芯片支持1.7V~3.6V工作电压范围，搭载三种可灵活配置的节能模式。芯片采用功耗设计，动态功耗表现优异，大幅度减少芯片自发热，结合系统级热管理技术，可为高环温工业运动控制场景提供更高能...
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2026/8/13 13:55:39
AMD宣布与牛津大学签署一份谅解备忘录（MOU），以支持英国开放式学习与发现实验室（BOLD）开展的开放式学术前沿人工智能研究。BOLD 是由牛津大学领导的英国人工智能研究实验室，汇聚了牛津大学、伦敦大学学院和帝国理工学院的研究人员。该谅解备忘录聚焦于BOLD对基础人工智能领域突破性发现的研究。AMD与BOLD研究人员计划共同探索涵盖计算访问、软件优化、科研协作和开源开发的各项举措。BOLD 研究人员预计将开展超越反向传播、多智能体系统和自适应物理人工智能的模型训练实验。作为谅解备忘录的一部分，AMD将为BOLD研究人员提供多达500万磅的计算资源。支持将通过AMD维护的基础设施、云服务提供商、公共部门合作伙伴及硬件贡献提供。支持将涵盖分阶段的研究项目，第一阶段聚焦广泛的探索性实验，后续阶段则深化特定研究方向并验证最有前景的想法。AMD将与BOLD的AI技术栈研究人员合作，探索利用AMD开放软件生态系统优化AI工作负载的新方法。MOU项目将建立在允许许可的开源项目（如AMD ROCm™软件）基础上，这与BOLD对开放科学的承诺高度契合。AMD将帮助BOLD研究人员发布研究软件、基准测试、评估工具及其他成果，同时向更广泛的开源社区贡献性能改进和新功能。通过这项集体工作，AMD、牛津大学、伦敦大学学院和伦敦帝国理工学院旨在扩大计算技术的可及性，支持雄心勃勃的开放研究，并帮助强化英国的人工智能研究生态系统。该谅解备忘录建立在AMD与英国顶尖机构合作的基础上，包括剑桥大学关于Zenith超级计算机和Sovereign AI创新实验室，以及伦敦帝国理工学院在AI和高性能计算研究方面的合作。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/8/13 13:49:59
在电子电路设计和调试过程中，电容器的电容量通常需要根据具体需求进行调整。可变电容器正是为满足这种需求而设计的元件，它能够通过机械或电子方式改变电容量，从而实现对电路性能的精准调节。可变电容器的基本结构与原理电容器的电容值由以下公式决定：其中，C \) 是电容值，A \) 是两个极板的有效重叠面积，可变电容器通过调节上述参数中的一项或多项，实现电容值的变化。主要方法包括：1. 改变极板的重叠面积这是最常见的调节方式。典型的机械式可变电容器由固定极板和可旋转的极板组成，旋转时两个极板的重叠面积发生变化，从而改变电容值。例如：旋转式空气可变电容器：转动转子极板，使其部分或全部进入定子极板区域，改变重叠面积，电容量随之线性变化。滑动式结构：极板通过滑动调整重叠面积，改变电容值。2. 改变极板间距离少数可变电容器通过调整极板间的间距来改变电容。增加极板距离，电容减小；反之，电容增大。然而，由于极板距离微小且固定，这种方式不如改变面积常见。3. 改变介电常数部分电子可变电容器采用变介电常数技术，通过改变介质材料的物理特性（如温度、电场强度）来调整电容值。例如：压电材料调节热敏介质调节但这类应用较为特殊，主要用于精密调节。可变电容器的主要类型及应用机械式可变电容器空气间隙旋转式变容二极管结构简单，应用于无线电调谐电路。多极板结构通过多个重叠极板组合，实现较大调节范围。电子可变电容器变容二极管利用PN结电容随反向偏压变化的特性，实现电容量调节，广泛用于自动调谐电路。数字可变电容器通过开关电容阵列及数字控制，实现离散步进调节。应用实例无线电调谐调节谐振回路，实现频率选择。滤波器和振荡器可调电容器允许灵活调整滤波带宽和振荡频率。自动电路匹配结合传感器自动反馈调整电容，实现最佳工作状态。
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2026/8/12 14:06:43
多层陶瓷电容器（简称MLCC）是电子元器件中应用最广泛的一种电容器，广泛用于各种电子设备和工业产品中。它因体积小、容量大、性能稳定且制造成本低而深受工程师青睐。多层陶瓷电容器的定义多层陶瓷电容器是一种以陶瓷材料为介质，内部包含多层金属电极，通过烧结工艺叠加而成的电容器。其设计理念是通过增加内部层数，使电容量在体积不变的情况下大幅度提升，因此同尺寸下的电容量远大于单层陶瓷电容器。多层陶瓷电容器的结构多层陶瓷电容器主要由以下几个部分组成：陶瓷介质层采用高介电常数的陶瓷材料作为绝缘介质，层与层之间隔开，保证电容的绝缘与稳定性。根据陶瓷材料的不同，性能也有所差异，常见材料如钛酸钡等。内部电极电极通常采用银、镍或银镍合金等导电金属，交替排列嵌入陶瓷介质层中，形成多个电容单元的串并联结构。电极的布局与叠加层数直接影响电容器的电容量。外部端子多层陶瓷电容器的两端覆盖有金属端帽，作为连接电极与外部电路的接口，通过焊接方式实现表面贴装或插件连接。封装材料外部包覆环氧树脂等保护层，提高器件的机械强度和环境适应性。多层陶瓷电容器的工作原理多层陶瓷电容器的基本电容形成于交替排列的内部电极之间，介质层隔开电极使其不发生电气连接。其工作原理可归纳为以下几点：电容形成每对相邻电极之间，借助陶瓷介质形成一个电容单元。由于多个电容单元叠加，整体容量为各单元电容的并联之和，显著提高电容量。电场分布交错排列的电极在介质层之间形成均匀电场，有效利用材料介质极限，防止击穿风险。频率响应多层结构使得MLCC具有良好的高频性能，适合滤波、旁路、耦合等各种应用。温度和电压特性陶瓷介质材料决定了电容器的温度稳定性和电压特性。根据所用陶瓷材料不同，MLCC可以分为温度稳定型（如C0G/NP0）和高介电常数型（如X7R、Y5V）等多种类型。
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2026/8/12 14:03:17
薄膜电容器作为现代电子工业中重要的无源元件之一，因其优良的电气性能和稳定性，在多个领域得到了广泛应用。薄膜电容器的结构薄膜电容器主要采用聚合物薄膜作为电介质，配合金属薄膜或金属箔作为电极，通过层压、卷绕或堆叠等工艺制成。其典型结构包括以下几个部分：电介质薄膜一般采用聚丙烯（PP）、聚酯（PET）、聚苯硫醚（PPS）等高分子薄膜，具有介电强度高、绝缘性能优异和低介电损耗等特性。电极层通常是铝、锌、银等金属薄层，通过真空蒸镀或涂覆工艺形成。电极层与薄膜紧密结合，确保良好的导电性和稳定性。结构形式根据制造工艺不同，薄膜电容器包括卷绕型和层压型两大类。卷绕型电容器紧凑，适合高容量应用；层压型电容器体积较小，适合高频电路。封装和保护层薄膜电容器外部通常包覆环氧树脂或塑料壳体，提供机械保护和绝缘性能，增加使用安全性。薄膜电容器的主要特点低介电损耗和优良的自愈性能，有效延长电容器寿命。宽温度范围内工作稳定，适合高温环境。高绝缘阻抗和低漏电流，保障电路稳定。良好的频率特性，适合高频应用。薄膜电容器的主要应用领域分析1. 电力电子领域薄膜电容器广泛用于逆变器、变频器和无功补偿装置中，承担能量存储和滤波功能。其高耐压和高频特性确保电力设备高效、稳定运行，减少能量损耗。2. 工业自动化与控制系统在工业自动化控制系统中，薄膜电容器用于信号滤波、去耦及电能质量改善。其优良的绝缘性和电气性能，保证复杂控制系统的精确与可靠。3. 汽车电子汽车电子系统对元器件的可靠性和耐高温性能要求高，薄膜电容器的耐热性和抗振动性能使其成为车载电路中的理想选择，用于发动机控制单元、电动助力转向和安全气囊系统中。4. 消费电子产品薄膜电容器在电视机、音响设备、电脑等消费电子产品中，主要承担信号耦合和滤波任务，确保产品工作稳定、信号清晰。5. 医疗设备和航空航天领域这些领域对电容器的性能和可靠性要求极高。薄膜电容器以其稳定的...
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2026/8/12 14:00:10
贴片陶瓷电容器（简称SMD陶瓷电容器）是现代电子产品中最常用的无源元件之一。它具有体积小、性能稳定和制造工艺成熟等优点，广泛应用于各种消费电子、通信设备和工业控制系统中。贴片陶瓷电容器的结构简介贴片陶瓷电容器主要由陶瓷介质层和内外电极组成。其核心是以高介电常数的陶瓷材料作为介电介质，内电极采用金属浆料，层层叠加烧结形成多层结构。外部通过金属层与电路板上的焊盘连接，实现表面贴装。由于其结构紧凑，适合自动化贴装，非常适合现代微型化的电子产品。分类贴片陶瓷电容器根据陶瓷介质材料的不同，可以分为两大类：温补型（C0G/NP0）介电常数变化极小，温度稳定性好，适合高频和高精度应用。高介电常数型（X7R、Y5V等）容量较大，但温度稳定性和电压稳定性较差，适合一般滤波和旁路场合。此外，根据封装尺寸大小不同，贴片陶瓷电容器的型号也有所不同，常见的封装有0402、0603、0805、1206等。主要特点体积小、重量轻适合现代电子设备的小型化需求。高频特性优良低损耗，适用于射频滤波和高频振荡电路。容量范围宽从几皮法(pF)到几微法(μF)，满足不同电路需求。耐温性能好适用温度范围宽，部分型号工作温度可达125℃以上。自动化贴装方便提高生产效率，降低组装成本。典型应用贴片陶瓷电容器应用极其广泛，主要包括：滤波和旁路在电源线路中抑制噪声，改善电路稳定性。耦合与去耦在信号电路中实现信号的传递和隔离。谐振和定时电路用于振荡器与谐振器件中，控制频率和时间参数。射频和高频电路由于其优良的高频特性，被广泛应用于无线通信设备。注意事项在使用贴片陶瓷电容器时，应注意避免过高电压和机械应力，防止电容器破裂或性能下降。此外，不同材质的陶瓷电容器在温度、频率和电压上的表现差异较大，选型时需根据具体的电路需求合理选择型号和参数。
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2026/8/12 13:58:37
瓷介电容器是一种以陶瓷材料作为介质的电容器，因其优良的电气性能和机械稳定性，在电子和电力领域得到广泛应用。特别是在电力系统中，瓷介电容器凭借其高耐压、良好的绝缘性能和抗高温特性，成为关键的元件之一。瓷介电容器的特点瓷介电容器采用陶瓷作为介电材料，具有以下显著特点：高耐压能力陶瓷介质能够承受较高电压，适合高压应用环境。温度稳定性强其电容量随温度变化极小，适应电力系统复杂多变的工作条件。抗潮湿和绝缘性能好陶瓷材料不易受潮，保证长期工作中的绝缘安全。寿命长，机械性能优异抗震动、耐机械冲击能力强，减少维护成本。瓷介电容器在电力领域的主要应用电力滤波与整流电路在电力电子设备如变频器、整流柜中，瓷介电容器作为滤波元件，平滑电流，抑制谐波，提升电能质量，保护电力系统稳定运行。电力变压器保护瓷介电容器用作避雷器和浪涌保护装置中的元件，吸收瞬时过电压，防止设备损坏，保障供电安全。电能计量仪表在电表和其他测量仪器中，瓷介电容器用于信号耦合和滤波，保证测量准确性和信号稳定性。动力设备启动电路许多电机和启动器采用瓷介电容器作为启动和运转电容，提高启动效率和动力性能。无功功率补偿装置通过并联瓷介电容器组，能够有效补偿无功功率，提高电网功率因数，降低输电损耗。瓷介电容器的优势在电力领域的体现高电压适应性瓷介电容器能够承受电力系统中的高工作电压，保证设备安全运行。稳定的电气性能在频繁的电压和温度变化环境下，依然保持良好的电容值和损耗特性，保证电力设备的正常工作。抗环境干扰能力强能够抵御震动、冲击和湿度，适用于各种严苛电力现场环境。
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2026/8/12 13:57:01
固态电解电容器是一种采用固态电解质材料替代传统液态或糊状电解质的新型电容器。固态电解电容器的优点长寿命和高可靠性由于采用固态电解质，避免了液态电解质易挥发、干涸的问题，极大地延长了电容器的使用寿命，提高了可靠性，适合在高温、高湿等恶劣环境中工作。低等效串联电阻（ESR）固态电解电容器的等效串联电阻较低，能够降低电路中的能量损耗和发热，提高电源转换效率，有利于高频应用。优异的频率特性由于固态电解质的稳定性和低阻特性，固态电解电容器在高频条件下表现出更好的性能，适用于开关电源、滤波等电路。耐振动冲击性能好固态结构使电容器内部电解质稳定，不易受机械振动或冲击造成损伤，增强了产品的机械可靠性。环保安全固态电解电容器不含液态腐蚀性电解质，降低了泄漏风险，更安全环保。固态电解电容器的缺点成本较高由于制造工艺复杂，材料成本较传统液态电解电容器高，导致固态电解电容器价格较贵，限制了某些低成本电子产品的应用。容量范围有限固态电解电容器的最大容量通常较液态电解电容器小，对于需要超大容量的应用可能不够理想。温度稳定性有限虽然固态电解质耐高温性能强，但在极高温环境下（如超过125℃），某些固态电解电容器的性能可能下降。容值偏差较大固态电解电容器的容值公差相对较宽，电容精度较低，不适合作为高精度滤波或定时元件使用。总结来说，固态电解电容器凭借长寿命、低ESR和高频性能优异等优势，已经成为现代电子设计中不可或缺的重要元件，特别是在高性能电源和工业电子领域有广泛应用。然而，其较高的成本和容量限制也是设计时需要考虑的因素。
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2026/8/12 13:55:26
钽电解电容器是一种常见的电子元器件，广泛应用于各种电子设备中。它以钽金属为阳极材料，利用电解质形成电容器的介质，从而实现电能的储存与释放。钽电解电容器的基本原理钽电解电容器由钽粉末制成的阳极、电解质和阴极组成。钽具有优异的耐腐蚀性和高稳定性，能够形成一层极薄且均匀的氧化膜作为电介质。当施加电压时，电容器在钽阳极和电解质之间储存电荷，实现电容功能。相比其它类型电容器，钽电解电容器的容量密度较高，体积较小，性能稳定。钽电解电容器的作用钽电解电容器主要起以下作用：滤波与去耦在电源电路中，钽电解电容器能平滑电压波动，滤除电源噪声，保证电路工作稳定。能量存储它能够暂时储存电能，在需要时快速释放，支持电路瞬态响应。信号耦合和旁路在信号处理电路中，用于信号的交叉和阻隔直流分量，提高信号质量。定时与振荡配合电阻器使用，用于产生特定的时间延迟或振荡频率。钽电解电容器的应用钽电解电容器因其高容量、可靠性和小体积的特点，广泛应用于多个领域：消费电子智能手机、平板电脑、笔记本电脑等设备内部电源管理，确保设备稳定运行。通信设备用于调节电源稳定性，提高信号处理质量。汽车电子车载控制系统、电源滤波等，增强系统的抗干扰能力。医疗仪器提供稳定电源支持，保证仪器的精确和可靠性能。工业控制用于自动化设备中的滤波和能量存储，改善系统运行性能。
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2026/8/12 13:51:21
Vishay推出了一系列新的交流线路额定陶瓷盘安全电容，采用Y1级300伏交流电和1500伏直流电容。Vishay BCcomponents 专为工业环境中的EMI/RFI抑制和滤波而设计，SMDY1...与前一代器件相比，S系列电路板空间需求降低了多达40%，从而实现产品微型化。新推出的单层电容器非常适合工业电机驱动、焊接设备、逆变器、UPS、轨道电源、暖通空调系统和LED驱动器。它们也将应用于智能家居自动化系统;计算机开关电源和交流/直流转换器;包括洗衣机和冰箱在内的消费电器;以及汽车充电站。对于这些应用，设备符合IEC 60384-14标准，并获得UL、CSA、VDE、ENEC和CQC认证。其Y1等级使其能够桥接双层或加固绝缘，同时支持根据IEC标准附录H，用于最高1500伏直流的直流网络。虽然行业标准的绝缘电阻和工作温度范围分别为6000兆瓦和-40°C至+125°C，但SMDY1......S系列电容性能提升，绝缘电阻≥10,000 MΩ，工作温度范围为-55°C至+125°C。 为确保最高可靠性，设备经过严格的100%生产测试。每个组件都经过全面的线路末端测试，包括涵盖交流电压、电容、耗散因子、绝缘电阻及最终目视检查的五点验证协议。SMDY1的表面贴装设计......S系列支持通过回流焊接工艺进行拣选和安装，省去了穿孔元件所需的手工焊接步骤，简化了制造过程并降低了生产成本。该电容器符合RoHS标准且无卤素，由铜镀/镀银陶瓷盘组成，并采用符合UL 94 V-0标准的耐燃环氧树脂封装。这些设备有A型（10 pF至680 pF）和B型（1000 pF至1500 pF）两种机壳尺寸。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除...
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2026/8/12 11:43:39
TDK宣布推出TDK-Lambda DDSM 120瓦和240瓦可编程直流直流转换器。这些产品具有宽广的输入输出电压范围，且采用隔离设计。DDSM系列还通过Modbus通过USB通过PowerCMC控制与监控中心提供远程控制和实时监控。此外，数字显示屏显示设备设置、系统警报和状态信息，且可通过前面板上的三个按钮手动操作。DDSM系列开发时，旨在提供宽转换比。其多种应用包括在长电缆长度下提升电压稳定性、提供更高（升压）电压以支持系统负载、为以太网供电（PoE）需求提供独立隔离电压，以及支持需要特殊工作电压的负载。宽广的输入和输出范围有助于库存管理，减少库存多个零件号的需求。DDSM转换器可接受标称12至48 V输入（最大10.8至52.8 V），输出范围为5至55 V（最大4.7至57 V）。标准运行时的运行效率可达93.0%，这在待机模式下减少了内部热损耗并节省了能源。120瓦型号的额定输出电流为5安培，240瓦型号为10安培。前面板可接收24 V/1 A直流-OK信号。DDSM尺寸为宽40.0毫米，深116.6毫米，高115.0毫米，重量仅500克。安全认证依据IEC/EN/UL/CSA 61010-1、61010-2-201和IEC/EN/UL/CSA，62368-1（第3版）。该系列符合CE / UKCA认证，符合低压、EMC和RoHS欧盟指令及英国法规。这些型号符合EN 55032-B辐射和导电排放标准以及EN 61000-6抗干扰标准。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/8/12 11:38:53
Microchip发布了PolarFire® FPGA以太网传感器桥2.0版，这是一款体积更小、面向量产的标准化传感器集成板，采用NVIDIA全息传感器桥（HSB）技术。Rev 2.0 支持HSB的主板体积小了60%，支持摄像头数量的两倍，支持USB-C供电以便简化机架部署，且价格低于第一代。这些改进使设计师能够用可扩展、节能的10Gb以太网架构取代复杂的多接口传感器连接，从而降低整体系统成本和物料清单复杂性。这些优势对于由NVIDIA Jetson和IGX等NVIDIA边缘计算平台驱动的AI驱动的医疗、工业和类人机器人应用至关重要。该设计基于PolarFire FPGA技术，支持最多四台摄像头，配备兼容NVIDIA Jetson的摄像头接口，并集成了板载光学延迟测量电路。这有助于实现从传感器捕获到人工智能推断的端到端延迟验证，使用NVIDIA延迟分析工具实现。该板配备了FPGA夹层卡（FMC）扩展接口，支持未来功能扩展，并支持包括MIPI® CSI-2®、I²C®、UART和GPIO等接口。灵活的设计支持多种传感器和视频接口，如SLVS-EC™ 2.0、12G-SDI、HDMI®和DisplayPort™，无需重新设计核心平台。标准的PMOD连接器进一步增强了系统的可扩展性。Microchip FPGA 业务部门副总裁 Shakeel Peera 表示：“开发者希望花时间打造高价值的边缘 AI 应用，而不是拼接专有的传感器接口。”“以低功耗PolarFire FPGA技术为核心，这款第二代以太网传感器桥以大幅缩小的形态，提供了节能、安全的基础，帮助团队更快地从开发到边缘AI系统的部署。”利用 PolarFire FPGA 的能效、安全性和可靠性，支持 HSB 的板块在紧凑且耗电有限的边缘环境中，通过以太网实现实时...
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2026/8/12 11:35:20
双向触发二极管（也称作双向触发二极管，简称DB系列）是一种具有双向导通特性的半导体器件，主要用于浪涌电流保护、电路钳制、浪涌抑制等场景。常见型号有DB3和DB4，它们在电子电路中得到广泛应用。双向触发二极管的基本介绍双向触发二极管是一种结构类似于晶闸管的器件，能够在正向和反向电压达到一定触发电压时导通，其主要作用是对电路提供过压保护。当电压超过其触发值，DB二极管迅速导通，以防止电路元件受到高电压冲击的损害。DB4与DB3的主要区别DB4和DB3在功能上大致相同，都是用来承担过电压保护任务，但它们的关键区别体现在以下几个方面：1. 触发电压DB3: 触发电压约为90V至110V。DB4: 触发电压约为120V至150V。这表示DB4比DB3能承受的电压更高，适用于电压稍高的保护场合。2. 最大持续工作电压虽然两者都是浪涌保护器件，但DB4通常设计用于更高电压等级的电路。3. 保护电压范围DB3适用于电源电压较低或需要较低触发电压的保护电路，而DB4则适合电压更高的环境，提供更高的触发阈值。4. 应用场合不同DB3常用于低压电源开关保护、微电子设备防浪涌保护等。DB4适合更高电压的工业电源保护、电机控制、电源适配器等领域。选用建议在选择DB3或DB4时，应根据实际电路中的电压等级和保护需求确定：如果电路工作电压在100V以下，且需较低触发电压器件，推荐使用DB3。如果电路电压较高，尤其介于120V至150V范围内，或需更高触发电压保护，推荐选用DB4。同时还应留意器件的最大浪涌电流和响应速度，确保满足电路稳定和保护要求。总结来说，DB3和DB4双向触发二极管主要区别在于触发电压的不同，DB4的触发电压高于DB3，更适用于较高电压环境的浪涌保护。
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2026/8/11 13:52:51
气敏电阻是一种能够检测环境中气体浓度变化并通过电阻值变化表现出来的传感器元件。它在环境监测、安全防护以及工业自动化等多个领域都有广泛应用。气敏电阻的核心工作原理气敏电阻的核心是具有气体敏感特性的半导体材料，通常为金属氧化物（如二氧化锡SnO₂、氧化锌ZnO等）。当气敏电阻暴露于特定气体环境中时，气体分子与半导体表面发生化学反应或物理吸附，导致材料表面载流子浓度发生变化，从而使电阻值发生明显改变。其工作流程主要包括以下几个步骤：气体吸附目标气体分子吸附在传感材料表面，改变表面的电子状态。载流子变化吸附的气体与表面氧化物发生反应，释放或捕获电子，使载流子浓度增加或减少。电阻改变载流子浓度变化引起半导体材料导电性能变化，表现为电阻值的升高或降低。信号读取通过测量气敏电阻的阻值变化，判断气体浓度的变化情况。不同气体对气敏电阻的影响不同，传感器可以针对特定气体进行选择性设计。气敏电阻的主要应用1. 环境气体检测气敏电阻广泛用于检测空气中的有害气体，例如二氧化碳、一氧化碳、甲烷、氨气等，帮助监控环境质量，预防污染。2. 家庭和工业安全在厨房燃气泄漏报警、工业生产安全监测中，气敏电阻能快速检测可燃气体和有害气体浓度，及时发出警报，保障人员和设备安全。3. 智能家居设备智能空气净化器、新风系统中，气敏电阻用来监测室内空气质量，根据气体浓度自动调整净化强度。4. 污染源监管气敏电阻用于工业废气监控和环境保护领域，帮助企业和政府部门实时掌握气体排放状况。5. 医疗领域部分气敏电阻应用于呼气分析，辅助疾病诊断，如检测呼出气体中的挥发性有机物。总结来说，气敏电阻通过检测气体与半导体材料的相互作用，利用电阻变化实现对气体浓度的感知，是一种重要且高效的气体传感元件。
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2026/8/11 13:46:01
磁敏电阻是一种能够响应外部磁场变化而改变自身电阻的电子元件。它被广泛应用于磁场传感、位置检测、速度测量等领域。磁敏电阻的基本工作原理磁敏电阻是一种半导体器件，其电阻值会随着外部磁场的强度和方向发生变化。这是因为磁场会影响器件内部载流子的运动轨迹和速度，进而改变材料的电导率。具体来说，当磁场施加到磁敏电阻上时，电子在半导体材料中运动路径受到洛伦兹力的影响，产生偏转，导致电流通路发生变化，从而引起电阻的变化。磁场强度与电阻的关系磁敏电阻的电阻值通常与磁场强度呈一定的函数关系，常见的规律包括：线性关系：在较低磁场强度范围内，电阻值与磁场强度近似成线性关系，即磁场强度越大，电阻变化越明显。非线性关系：随着磁场强度增大，电阻变化趋于饱和，关系曲线进入非线性区域，电阻值的变化逐渐减缓。正磁阻效应：多数磁敏电阻电阻随磁场强度增强而增大，这就是所谓的正磁阻效应。负磁阻效应：某些特殊材料或结构的磁敏电阻可能存在电阻随磁场增强而减小的负磁阻现象。总结一般特点：当磁场强度为零时，磁敏电阻的阻值处于基准状态。随磁场强度增加，电阻值发生变化，大小和变化方向取决于器件材料和结构。应用中的注意点工作范围磁敏电阻的有效测量范围受限于其线性响应区，超出此范围会导致读数不准确。温度影响温度变化会影响半导体载流子浓度，因此在使用中应考虑温度对电阻值的影响，或采用补偿措施。灵敏度选择根据实际应用需要选择合适灵敏度的磁敏电阻，以确保测量精度和响应速度。总结来说，磁敏电阻通过检测磁场强度引起的电阻变化，实现磁场的感知和测量。
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2026/8/11 11:54:09