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瑞萨电子推出全新旗舰级32位微控制器(MCU)RX74M和RX74N。两款产品的运行频率最高可达600MHz,是RX家族中首批采用22nm工艺并集成嵌入式MRAM的产品。与240MHz的上一代产品RX72M和RX72N相比,两款新品的性能均提升至两倍以上。RX74M面向工业自动化和工厂自动化设备,例如交流驱动器、工业机器人和可编程逻辑控制器(PLC);RX74N则面向包括智能电表、功率调节器以及暖通空调(HVAC)系统在内的广泛工业设备。22nm工艺与MRAM实现高速实时处理随着工业系统日益复杂,在网络中同步连接众多节点的同时实现稳定、高速运行的需求不断增长。RX74M和RX74N采用22nm工艺,集成600MHz RXv3e内核、1MB(兆字节)MRAM(磁阻随机存取存储器)、256KB(千字节)零等待状态TCM(紧耦合存储器)以及1.5MB SRAM,即使面对频繁中断和分支的工作负载,也能实现快速、低抖动的实时处理。与传统嵌入式闪存不同,MRAM写入数据前无需先执行擦除操作,因此可加快代码和数据更新、缩短编程时间并减少系统停机时间,从而提升需要频繁保存参数和日志或更新数据的应用的响应速支持包括EtherCAT、以太网TSN和CAN FD在内的主流工业网络市场对跨多种工业以太网标准实现无缝连接的需求日益增长,但以往支持多种协议通常需要使用多个器件。RX74M将EtherCAT从站控制器、支持TSN的千兆以太网交换机和CAN FD集成于单颗芯片中。这些功能使其能够在单颗芯片上支持EtherCAT、PROFINET和EtherNet/IP等主流工业网络,包括通过TSN实现确定性通信,以及支持以前几代产品无法实现的EtherNet/IP DLR(设备级环网)等冗余网络配置。因此,该器件可提供面向工业物联网(IIoT)的工业网络基础,将现场设备与上层系统连接起来。免责声明:本文为...
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2026/10/27 15:24:42
Bourns®PTVS03-450E-H型是一种高压单向TVS二极管,专为直流母线箝位应用而设计。该设备根据IEC 61000-4-5(8/20µs)浪涌要求提供450V的重复隔离电压和300A的峰值电流额定值,从而能够保护高压直流电力系统免受瞬态过电压事件的影响。该模型针对新兴的800 VDC配电架构进行了优化,包括人工智能部署和机架保护应用,在这些应用中,可靠的浪涌保护和系统正常运行时间至关重要。紧凑的表面贴装DFN封装支持空间受限的设计,同时提供强大的浪涌处理性能。该设备符合RoHS标准,可在-55至+150°C的结温范围内运行。功能300 A,8/20μs浪涌能力单向电视表面贴装封装符合RoHS标准应用程序直流母线保护800 VDC配电架构,包括AI部署和机架保护固态高压开关免责声明:本文为转载文章,转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息,版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题,请联系小编进行删除。
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2026/10/27 15:15:04
Ampleon宣布推出B10H24N70D,这是一款70 W两级Doherty MMIC驱动器,适用于2300 MHz至2400 MHz的4G和5G宏基站。它基于Ampleon的50 V LDMOS技术,在紧凑的封装中结合了高增益、出色的线性度和高驱动器效率以及50Ω的输入和输出阻抗。B10H24N70D提供超过30dB的功率增益和20%的效率,峰值输出功率为70W。通过将两级Doherty放大器集成到单个设备中,B10H24N70D降低了外部匹配要求、组件数量和RF阵容复杂性。这有助于工程团队缩短开发时间,并创建具有一致、可重复性能的紧凑型无线电设计。独立的载波和峰值偏置控制使设计人员能够针对不同的系统和信号要求优化性能。集成ESD保护支持稳健的处理和可靠的实施。50Ω的输入和输出阻抗简化了射频链集成,而7 mm×7 mm LGA封装支持空间受限的高密度无线电设计。B10H24N70D扩展了Ampleon的紧凑型高压驱动器系列,适用于主要的4G和5G频段。其他型号包括B10H0608N40D、B10H0710N40D、B10H16N40D、B40H1822N60D和B10H27N70D。免责声明:本文为转载文章,转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息,版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题,请联系小编进行删除。
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2026/10/26 16:40:04
Bourns®SM91522AL型BMS变压器是一种单通道功能绝缘电池管理系统(BMS)信号变压器,带有集成共模扼流圈,用于BMS通信电路中的噪声抑制和隔离。其低矮的设计,只有3.5毫米高,适用于紧凑、集成的BMS设计和薄电池组。该型号符合AEC-Q200标准,为汽车级。功能低轮廓3.5毫米高引脚自动终止高压:4300 VDC工作电压:1000VDC单通道集成扼流圈应用混合动力和电动动力系统中的电池管理系统(BMS)带电池管理系统的储能电池组免责声明:本文为转载文章,转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息,版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题,请联系小编进行删除。
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2026/10/26 16:35:51
针对工业现场无零线场景下单相取电困难、三相导轨电源成本偏高的行业痛点,金升阳正式推出LM-26B系列超小型新工业标准金属机壳式电源,产品功率覆盖100-350W,包含LM100-26B24、LM200-26B24、LM350-26B24三款型号。系列支持380V输入、平板式机壳结构设计,以高性价比定位直击工业降本需求,为纺织机械、数控机床、工业机械臂等工业场景提供可靠供电方案。具备的优势:宽范围输入,适配无零线场景全系列支持 320-528VAC 交流输入与 450-750VDC 直流输入,覆盖380V/480V工业线电压范围,可从三相电网取两根相线,以线电压380V/480V供电,无需布置零线,解决工业现场单相取电困难的痛点,适配无零线、三相电压应用的工业设备。多重防护高可靠设计,适配宽温高海拔场景全系列工作温度为-40℃ to +85℃,支持5000m高海拔应用,满足工业现场高温差、高海拔场景的环境需求。全系列内置输出短路、过流、过压多重保护机制,LM350-26B24额外配备过温保护,设计满足UL/IEC/EN62368、GB4943等认证标准,MTBF超30万小时,全系列提供3年质保,保障设备长期稳定运行。高性价比平板方案,满足终端降本需求采用1U高度外形,金属机壳设计,结构紧凑,自带端子盖提升现场接线安全性。相较于同功率段三相/两相输入导轨电源,该系列产品在三相应用场景下价格同比大幅下降,满足终端系统降本增效的发展趋势。电气性能稳定,适配工业场景该系列提供100W、200W、350W三种功率,24V额定输出(可调范围:22.8V-27.6V);100W/200W效率88%,350W效率86%,具备低待机功耗、高可靠性等特点。产品EMC满足工业级标准,传导与辐射骚扰满足CISPR32/EN55032 CLASS A等级,LM100-26B24额外满足谐波电流Clas...
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2026/10/26 16:19:18
Microchip 宣布推出LX-820耐辐射石英振荡器,以扩展其L系列计时设备,该振荡器专为低地球轨道(LEO)和其他太空应用而设计。L系列产品组合为卫星开发商提供了广泛的振荡器架构可供选择,每种架构都具有不同的频率稳定性、相位噪声、功率和尺寸,可满足不同的任务要求。L系列位于商用现货(COTS)振荡器和传统高可靠性航天产品之间,将商用或军用级组件与生产检验、电气和热分析以及混合制造相结合。L系列振荡器作为完整的功能设备通过了总电离剂量(TID)和单事件闭锁(SEL)测试,辐射耐受性高达50 krad,SEL测试高达40 MeV·cm²/mg。此外,大多数L系列产品还使用扫频石英来减少辐射引起的频率漂移。L系列OCXO采用坚固的结构和四点晶体安装,旨在在发射和预期任务中幸存下来。L系列旨在解决卫星开发商面临的两个持续挑战,有助于缓解供应链限制,同时减轻预算压力。许多适用于太空环境的定时解决方案延长了交付周期,并带来了巨大的采购成本。L系列旨在提供更容易获得的替代方案,有许多配置可供现货或交付周期不到20周。此外,L系列振荡器可以通过减少对组件谱系、文件要求和检查开销的需求来降低总体项目成本,这些通常与传统的高可靠性空间级定时产品相关。新型LX-820采用紧凑的3.2mm×2.5mm表面贴装封装,设计用于在-55°C至125°C的宽温度范围内运行。该坚固耐用的设备设计符合MIL-PRF-55310 B级标准,性能为±100ppm。此外,LX-820支持1.25 MHz至135 MHz的CMOS输出频率和100 MHz至250 MHz的低压差分信号(LVDS)输出频率。现代卫星系统依靠高度精确的定时参考来支持通信、导航、地球观测、测绘和新兴的月球任务。由于这些应用可能有不同的时序要求,Microchip的L系列包括晶...
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2026/10/26 16:14:09
TDK推出专为高压工况下的可靠温度测量而打造的M704系列与M705系列产品,进一步扩充了其NTC温度传感器产品组合。其中M704系列的额定电压最高达4000 V (AC),M705系列的额定电压则为2500 V (AC)。两款元件均采用探针式设计,可在各种严苛应用中实现安全、精确的温度监测,比如数据中心的不间断电源 (UPS) 及PSU系统、充电桩、光伏逆变器等。这些元件兼具电气稳定性与装配便捷性,可助力设计人员实现安全、高效的系统运行。两款传感器的R25值(25℃条件下的电阻值)均为10 kΩ,B25/100常数(在25℃至100℃之间的B平均值)为3988 K (±1%),电阻公差为 ±2%。其中M704系列的工作温度范围为-40 °C至+125 °C,采用紧凑型塑料外壳,引脚间距为3.5 mm,支持PCB板自动化集成和快速组装;M705系列的工作温度上限可达+180 °C,安装在金属板的热时间常数低至约6.2秒,热响应速度快,并且采用金属环形接片实现了优异的热耦合性能,可通过螺钉灵活安装到各类机械接口。通过此次产品组合的扩展,TDK为高压应用带来了稳定耐用、适配性强的专用温度传感解决方案,满足高压系统对安全性、可靠性与安装高效性的严苛要求。主要特点和优势易于安装M704适用于电压高达4000 V (AC) 应用M704支持PCB板自动化组装M705采用金属接片实现优异的热耦合性能M705的最高工作温度达+ 180 °C主要应用适用于以下工业场景中的温度测量:数据中心的不间断电源 (UPS) 及PSU系统充电桩光伏逆变器电力电子器件免责声明:本文为转载文章,转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息,版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题,请联系小编进行删除。
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2026/10/26 16:03:24
TDK重磅推出紧凑型B3201*A5/B5/C5系列Y1安规电容器。该系列金属化聚丙烯 (MKP) 薄膜电容器专为严苛汽车和工业应用中的EMI抑制而设计,额定交流电压为500 V,额定直流电压高达1500 V,最高工作温度为+125 °C(高温时候需降额使用)。其尺寸紧凑,可节省占板空间,同时满足AEC-Q200 Rev. E标准,能在严苛工况下长期可靠运行。典型应用包括:电动汽车 (xEV) 的电力电子器件、车载充电器 (OBC)、电动汽车 (EV) 充电基础设施、工业驱动器、电源、可再生能源变换器以及储能系统。该系列元件涵盖0.47 nF至33 nF的容值范围,有15 mm和22.5 mm两种引线脚间距可供选择,其中较小的B32012型号最小尺寸仅为5.0 × 10.5 × 18.0 mm,而B32013型号则具有最大的电容值 (33 nF)。紧凑尺寸可节省占板空间,方便开发人员在空间受限的PCB板上实现可靠的线对地滤波;平行引脚设计支持传统插件安装。这些元件包装可选散装、编带盒包装和编带卷盘包装。当工作温度不超过+110 °C时,电容器可分别在500 V (AC) 和1500 V (DC) 的电压条件下持续运行。而一旦工作温度超过+110 °C(但不得超过+125 °C),工作电压必须按照温度每升高1℃降低1.5%的比例降额使用。在+110 °C至+125 °C的高温区间内,元件的工作时间最长为1000小时。B3201*A5/B5/C5系列专为湿热环境应用而设计,已通过严格的温湿度负载试验 (THB),即在+85 °C、85% RH和500 V (AC) 条件下持续运行500小时。元件采用具有自愈性的MKP结构,可确保在电应力条件下可靠运行,并且塑壳和密封的环氧树脂都满足UL 9...
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2026/10/26 15:57:10
英飞凌科技宣布深化与NVIDIA的合作,共同推动面向AI数据中心800 VDC电源架构的发展。此次于NVIDIA柏林GTC开发者大会期间发布的合作,聚焦于高压中间总线转换器(IBC)。IBC是AI数据中心供电链路中最关键、技术要求也最严苛的电源转换环节之一。凭借优异的性能优势,英飞凌氮化镓(GaN)技术正成为这一应用场景的重要选择。此次合作建立在双方自2025年5月首次宣布、并于同年10月进一步深化的合作成果基础之上,此前的合作重点围绕实现可维护、支持热插拔的800 VDC服务器机架。随着AI工作负载带来的巨大功耗增长,数据中心已开始采用中间总线架构。中间总线转换器将为加速卡供电的主总线电压降至较低电压,使后续电源级能高效产生AI处理器所需、电压控制精准的核心电源与负载点(PoL)电源。这种多级转换方式有助于降低配电损耗,同时满足电路板空间、散热限制及持续运行时间方面的严格要求。随着AI基础设施规模扩大,800 VDC正逐步进入AI数据中心的供电架构体系,与现行的交流(AC)及低压直流(DC)架构并行,为高密度算力部署提供更高效的电力分配方案。氮化镓非常适合满足这些应用需求。与硅相比,GaN功率器件能以更低的损耗实现更快的开关速度,使IBC的开关频率最高可达1 MHz。这使得磁性器件与无源器件的尺寸得以大幅缩小,直接提升功率密度并降低电路板高度;对机柜空间日趋紧张的AI数据中心而言,这是一项关键优势。同时,GaN的低导通损耗与低开关损耗有助于实现行业的转换效率,即使单机柜功率持续向兆瓦级攀升,也能有效控制电能转换损耗与发热量,减轻散热负担。这些特性使氮化镓成为目前能同时满足IBC对功率密度、效率及快速瞬态响应要求的首选半导体技术。英飞凌凭借多年来在GaN开发和制造领域的实力,确立了这项技术优势。结合PSoC™ Control C3与 EiceDRIVER™产品系列,英飞凌已...
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2026/10/26 15:48:16
W25Q32JV(32M位)串行闪存为空间、引脚和电源有限的系统提供了一种存储解决方案。25Q系列提供了远远超出普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适用于将代码阴影转移到RAM,直接从双/四SPI(XIP)执行代码,并存储语音、文本和数据。该设备在2.7V至3.6V的电源下运行,断电时电流消耗低至1µA。W25Q32JV阵列被组织成16384个可编程页面,每个页面256字节。一次最多可以编程256个字节。页面可以按16组(4KB扇区擦除)、128组(32KB块擦除)、256组(64K块擦除)或整个芯片(芯片擦除)进行擦除。W25Q32JV分别具有1024个可擦除扇区和64个可擦除块。4KB的小扇区为需要数据和参数存储的应用程序提供了更大的灵活性。W25Q32JV支持标准串行外围接口(SPI)、高性能双/四路输出以及双/四线I/O SPI:串行时钟、芯片选择、串行数据I/O 0(DI)、I/O 1(DO)、I/O 2和I/O 3。支持高达133MHz的SPI时钟频率,在使用快速读取双/四I/O指令时,双I/O的等效时钟速率为266MHz(133MHz x 2),四I/O的等效频率为532MHz(133MHzx 4)。这些传输速率可以优于标准异步8位和16位并行闪存。此外,该设备支持JEDEC标准制造商和设备ID以及SFDP寄存器、64位唯一序列号和三个256字节的安全寄存器。
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2026/10/16 11:49:21
TPS7A84 是一款低噪声 (4.4 µVRMS)、低压降 (LDO) 线性稳压器,可提供 3A 负载电流,其最高压降仅为 180mV。该器件的输出电压可通过引脚在 0.8V 至 3.95V 的范围内进行编程并可通过外部电阻分压器在 0.8V 至 5.0V 范围内进行调节。TPS7A84 将低噪声 (4.4µVRMS)、高 PSRR 和高输出电流能力融为一体,非常适合为高速通信、视频、医疗或测试和测量应用中的噪声敏感型组件供电。TPS7A84 的高性能可限制电源生成的相位噪声和时钟抖动,非常适合为高性能串行器和解串器 (SerDes)、模数转换器 (ADC)、数模转换器 (DAC) 以及射频 (RF) 组件供电。RF 放大器尤其受益于该器件的高性能和 5.0V 输出性能。对于需要以低输入电压、低输出 (LILO) 电压运行的数字负载 [如特定用途集成电路 (ASIC)、现场可编程门阵列 (FPGA) 以及数字信号处理器 (DSP)],TPS7A84 优异的精度特性(负载和温度范围内的精度为 0.75%)、远程感测、出色的瞬态性能以及软启动功能可确保最优系统性能。具备的特性• 低压降:3 A 时为 180 mV(最大值)• 整个线路、负载和温度范围内为 1%(最高)精度• 输出电压噪声:• 输出电压为 0.8V 时,噪声为 4.4µVRMS• 输出电压为 5.0V 时,噪声为 7.7µVRMS• 输入电压范围:• 无偏置:1.4V 至 6.5V• 有偏置:1.1V 至 6.5V• ANY-OUT™ 工作电压:• 输出电压范围:0.8V 至 3.95V• 可调节工作电压:• 输出电压范围:0.8 V 至 5.0 V• 电源纹波抑制:• 500kHz 时为 40dB• 出色的负载瞬态响应• 可调软启动浪涌控制• 开漏电源正常 (PG) 输...
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2026/10/16 11:45:27
AMC3330 是一款具有完全集成的隔离式直流/直流转换器的精密隔离式放大器,能实现器件低侧的单电源运行。该增强型电容隔离层通过了 VDE V 0884-11 和 UL1577 标准认证,将以不同共模电压电平运行的系统各部分隔开,并保护低压域免受损坏。AMC3330 的输入针对直接连接高阻抗电压信号源(例如电阻分压器网络)的情况进行了优化,以感应高压信号。集成式隔离直流/直流转换器可测量非接地信号,并使该器件成为嘈杂空间受限应用的独特解决方案。器件性能出色,支持进行精确的电压监控和控制。AMC3330 的集成直流/直流转换器故障检测和诊断输出引脚可简化系统级设计和诊断。AMC3330 的额定工作温度范围为 -40°C 至 +125°C。具备的特性如下:• 3.3V 或 5V 单电源运行,具有集成直流/直流转换器• ±1V 输入电压范围,针对具有高输入阻抗的电压测量进行了优化• 固定增益:2.0• 低直流误差:• 增益误差:±0.2%(最大值)• 增益漂移:±45ppm/°C(最大值)• 失调电压误差:±0.3mV(最大值)• 温漂±4µV/°C(最大值)• 非线性度:±0.02%(最大值)可用于以下应用的隔离式电压感应:– 电机驱动器– 光电逆变器– 电力输送系统– 电表– 保护继电器
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2026/10/16 11:34:33
CAT24C64是一个64Kb CMOS串行EEPROM设备,内部组织为8192个字,每个字8位。它具有一个32字节的页面写入缓冲区,支持标准(100 kHz)、快速(400 kHz)和快速加(1 MHz)I²C协议。外部地址引脚可以在同一总线上寻址多达八个CAT24C64设备。功能支持标准、快速和Fast Plus I²C协议1.7 V至5.5 V电源电压范围32字节页面写入缓冲区整个内存的硬件写保护I²C总线输入上的施密特触发器和噪声抑制滤波器(SCL和SDA)低功耗CMOS技术1000000个程序/擦除周期工业和扩展温度范围SOIC、TSSOP、UDFN 8焊盘和超薄WLCSP 4泵封装该设备无铅、无卤素/BFR,符合RoHS标准
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2026/10/16 11:31:29
LT1936 是一款电流模式 PWM 降压型 DC/DC 转换器,具有一个内部 1.9A 电源开关,采用纤巧的耐热性能增强型 8 引脚 MSOP 封装。下述是关于其BOOST引脚注意事项。电容器C3和二极管D2用于产生高于输入电压的升压电压。在大多数情况下,0.22μF电容器和快速开关二极管(如1N4148或1N914)工作良好。图3显示了两种布置升压电路的方法。图3为了获得最佳效率,BOOST引脚必须至少比SW引脚高2.3V。对于3V及以上的输出,标准电路(图3a)是最好的。对于2.8V至3V之间的输出,使用0.47μF电容器和肖特基二极管。对于较低的输出电压,升压二极管可以连接到输入端(图3b),或连接到大于2.8V的另一个电源。图3a中的电路效率更高,因为BOOST引脚电流来自较低的电压。还必须确保不超过BOOST引脚的最大额定电压。2.5V输出是一种特殊情况。这是一种流行的输出电压,将升压电路连接到输出的优点是电路将接受最大36V的输入电压,而不是20V(由于boost引脚额定值)。然而,在低环境温度下,2.5V勉强足以支持增压驱动级。因此,从2.5V输出为BOOST引脚供电时,需要特别小心并对操作进行一些限制。通过使用1μF升压电容器和良好的低压降肖特基二极管(如ON Semi MBR0540),将升压电路中的电压损失降至最低。由于所需的升压电压在低温下会增加,因此当环境温度为-45°C时,电路将仅提供1A的输出电流,在0°C时增加到1.2A。此外,在低温下启动升压电路的最小输入电压较高。LT1936应用的最小工作电压受到欠压锁定(~3.45V)和上述最大占空比的限制。为了正确启动,最小输入电压也受到升压电路的限制。如果输入电压缓慢斜坡上升,或者在输出已经处于调节状态时用其SHDN引脚打开LT1936,则升压电容器可能没有完全...
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2026/10/16 11:25:37
LT1936是一款电流模式PWM降压DC/DC转换器,内置1.9A电源开关,封装在一个微型、热增强的8引脚MSOP中。3.6V至36V的宽输入范围使LT1936适用于调节各种来源的电源,包括汽车电池、24V工业电源和未经调节的壁式适配器。其高工作频率允许使用小型、低成本的电感器和陶瓷电容器,从而产生低、可预测的输出纹波。逐周期电流限制、频率折返和热关断可防止输出短路,软启动可消除启动过程中的输入电流浪涌。瞬态响应可以通过使用外部补偿组件来优化,或者可以通过使用内部补偿来最小化电路板空间。低电流(<2µA)关机模式使电池供电系统的电源管理变得容易。特性宽输入范围:3.6V至36V全输入范围短路保护1.9A保证最小开关电流5V,1.4A,10V至36V输入3.3V,1.4A,7V至36V输入1.2A时为5V,从6.3V到36V输入4.5V至36V输入,1.2A时为3.3V输出可调节至1.20V500kHz固定频率运行软启动使用小型陶瓷电容器内部或外部补偿低关断电流:<2µA热增强型8导联MSOP封装应用汽车电池法规工业控制用品
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2026/10/16 11:21:27
TC7660是行业标准TC7660电荷泵电压转换器的引脚兼容替代品。它仅使用两个低成本电容器将+1.5V至+10V的输入转换为相应的-1.5V至-10V的输出,消除了电感器及其相关的成本、尺寸和EMI。车载振荡器以10kHz的标称频率运行。通过将外部电容器从OSC连接到地(引脚1打开),可以在10kHz以下运行(用于较低的电源电流应用)。TC7660提供8引脚DIP和8引脚SOIC封装,适用于商业和扩展温度范围。具备的特性•将+5V逻辑电源转换为±5V系统•高效电压转换:99.9%•卓越的电源效率:98%•低电源:80µA@5VIN•成本低,易于使用——只需要两个外部电容器•RS232负电源•改进的ESD保护:高达3kV•高压操作不需要Dx二极管应用•RS-232负极电源•+5V到±5V电源的简单转换•电压倍增VOUT=±n V+•数据采集系统和仪器的负电源
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2026/10/16 11:16:43
Elektrobit是一家全球汽车软件专家,与Microchip宣布合作,旨在简化并加速使用Microchip汽车平台的汽车制造商和供应商的基于AUTOSAR的软件开发。随着汽车行业向软件定义车辆转型,OEM厂商和一级供应商面临越来越大的压力,必须缩短开发周期,同时保持安全性、质量和灵活性。通过将Microchip的汽车硬件平台与Elektrobit的AUTOSAR软件、工具和自动化能力结合,两家公司正帮助客户更快、更高效地建立生产准备的软件基础。此次合作为客户提供基于Elektrobit市场验证EB treso组合的预集成AUTOSAR微控制器抽象层(MCAL)软件,帮助开发团队更快启动,同时降低软件集成复杂度和项目风险。该综合解决方案使开发者能够更快地专注于应用开发和车辆差异化,而非基础性的软件集成。Microchip授权、内存产品及智能计算业务部门高级企业副总裁Mark Reiten表示:“通过将Microchip汽车平台与Elektrobit的AUTOSAR专业知识和工具整合,我们正在帮助客户简化开发并加速下一代汽车架构的采用。”“我们携手合作,使开发者更容易从平台评估过渡到生产部署。”作为统一自动化优先方法的一部分,Elektrobit 应用集成即代码,将可重复的经典 AUTOSAR 集成工作转化为可重用、可执行的逻辑,使团队能够通过自动化更快地交付并扩展容量。这支持先进的工作流程自动化,并为未来AI辅助软件配置和开发流程奠定基础。此次合作还扩大了对日益增长的微芯片汽车平台的支持。Elektrobit 成功支持 Microchip SAMA5 系列微处理器上的 EB tresos AutoCore OS 和 EB tresos AutoCore 通用模块,使该解决方案可立即被客户采纳,随着合作发展,预计将支持更多平台。免责声明:本文为转载文章,转载此文目的在于传递...
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2026/10/16 11:01:34
英飞凌面向服务器ODM与OEM厂商,推出了一款27 kW三相供电单元(PSU)解决方案。该参考设计符合OCP ORV3规范与AI服务器机架架构要求,进一步扩展了英飞凌AI服务器供电的全面产品组合。该解决方案可帮助开发人员缩短产品上市时间,同时提升机架功率密度、效率与散热性能。该设计集成英飞凌的多款器件,包含 650V CoolSiC™和CoolMOS™ MOSFET、EiceDRIVER™栅极驱动器、XENSIV™电流传感器以及PSOC™微控制器。在 480 VAC输入电压、50%负载条件下,该解决方案可实现超过98%的峰值转换效率。这款参考设计采用五电平ANPC PFC拓扑和三电平LLC转换器,功率密度可达116 W/in³,而ORV3的最低要求为94 W/in³。集成的能量缓冲器可在电网短时扰动期间提供20毫秒的维持时间。它还能在GPU负载快速变化时稳定线电压,无需单独配置电容备用单元(CBU)。集成的平面磁结构,可实现紧凑、模块化、可扩展的高频变压器设计。PFC和LLC级均采用数字控制,可快速响应AI负载的高动态瞬态变化。集成在PSOC™ Control C3高性能产品线微控制器中的可编程电源控制加速器(PPCA)支持精确的电流和电压调节,并能够快速响应。该参考设计支持311至528 VAC三相输入电压范围,适用于全球多种电网标准。在大部分负载工作区间内,该设计输入电流总谐波畸变率(iTHD)低,功率因数高于0.99。该设计的工作环境温度范围为-5℃至45℃。免责声明:本文为转载文章,转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息,版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题,请联系小编进行删除。
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