HMC349AMS8G 开关芯片需要在 VDD 引脚施加正电源电压。建议在电源线上使用旁路电容，以最小化射频耦合。HMC349AMS8G 在射频公共端口（RFC）和射频投掷端口（RF1 和 RF2）内部已匹配至 50 Ω；因此无需外部匹配元件。所有射频端口均为直流耦合，需要在射频端口处使用隔直电容。该设计是双向的；射频输入信号可施加到 RFC 端口，而射频投掷端口（RF1 或 RF2）作为输出，反之亦然。HMC349AMS8G 内部集成了一个驱动器来执行逻辑功能，为用户提供简化的控制接口。该驱动器具有两个数字控制输入引脚：CTRL 和 EN。当 EN 引脚为逻辑低电平时，RF1 至 RFC 路径处于插入损耗（导通）状态，RF2 至 RFC 路径处于隔离（关断）状态，反之亦然，具体取决于施加到 CTRL 引脚的逻辑电平。插入损耗路径（例如 RF1 至 RFC）在投掷端口（例如 RF1）和公共端口（RFC）之间双向传输射频信号的性能相同。隔离路径（例如 RF2 至 RFC）在插入损耗路径与端接至内部 50 Ω 电阻的投掷端口（例如 RF2）之间提供高损耗隔离。当 EN 引脚为逻辑高电平时，无论 CTRL 引脚的逻辑状态如何，RF1 至 RFC 路径和 RF2 至 RFC 路径均处于隔离状态。RF1 和 RF2 端口端接至内部 50 Ω 电阻，而 RFC 变为开路反射状态。理想的上电顺序如下：连接 GND。给 VDD 上电。给数字控制输入上电。逻辑控制输入的相对顺序不重要。但是，如果在 VDD 电源上电之前给数字控制输入上电，可能会无意中产生正向偏置并损坏内部 ESD 保护结构。施加射频输入信号。该设计是双向的；射频输入信号可施加到 RFC 端口，而射频投掷端口作为输出，反之亦然。所有射频端口都通过内部电阻与 VDD 直流耦合；因此，需要在射频端口处使用隔直电容。
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2026/1/29 14:09:02
HMC984LP4E 功率放大器的主要目标应用是与 HMC983LP5E 配合使用，如下图所示。这两个组件共同构成一个高性能、低噪声、超低杂散发射的小数N分频频率合成器。将这两个组件分开是为了最大化它们之间的隔离度，并最小化所有锁相环(PLL)中存在的共模失真和调制副产物。精心的IC设计和两个组件之间增加的隔离度，最终实现了高性能、高光谱效率的锁相环，具有极低的杂散发射。HMC984LP4E 是一款高性能低噪声鉴相器和电荷泵。它由以下主要功能模块组成：参考/晶体缓冲器参考路径'R'分频器差分相位/频率检测器5V电荷泵两个锁定检测电路串行端口接口
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2026/1/29 14:03:55
SGM42408Q 由 8 个相同的低侧驱动器组成，并集成串联保护功能。该器件提供多种保护特性，包括开路检测、有源钳位电路、过流保护和过热关断。该器件符合 AEC-Q100 Grade 1 标准 (Automotive Electronics Council (AEC) standard Q100 Grade 1)，适用于汽车电子应用。SGM42408Q 采用绿色 TSSOP-24（带裸露焊盘）封装。具备的特征符合 AEC-Q100 汽车应用标准器件温度等级 1TA = -40℃ 至 +125℃8 通道低侧开关，用于驱动阻性、感性负载16 位 SPI，用于诊断和控制 (1)输出钳位电压：56V（典型值）支持 SPI 模式或 DIR 模式电流限制：1.2A/通道（典型值）有效钳位能量：TJ = +25℃ 时为 90mJ导通电阻：570mΩ（典型值）保护和特性：开路检测 (OL)过流保护 (OCP)有效钳位电路过热关断 (TSD)采用绿色 TSSOP-24（裸露焊盘）封装应用驱动阻性、感性负载
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2026/1/29 13:46:05
LTM4613 是一款独立的非隔离式开关模式 DC/DC 电源。它可以提供 8A 的直流输出电流，且仅需极少的外部输入和输出电容。该模块通过一个外部电阻，可在 3.3VDC 至 15VDC 的宽输入电压范围内，将输出电压精确编程为 0.6V 至 5V。典型应用电路如图下图所示。LTM4613 集成了恒定导通时间电流模式稳压器、超低 RDS(ON) 的 FET（具有快速开关速度）以及集成的肖特基二极管。在 12V 输出、满载条件下，典型开关频率为 600kHz。凭借电流模式控制和内部反馈环路补偿，LTM4613 模块在各种工作条件和宽泛的输出电容范围内（包括全陶瓷输出电容）均具有足够的稳定裕度和良好的瞬态响应性能。电流模式控制提供逐周期快速电流限制。此外，当 VFB 下降时，在过流条件下提供折返电流限制。内部过压和欠压比较器在输出反馈电压偏离调节点 ±10% 范围时，将开漏 PGOOD 输出拉低。此外，在过压条件下，内部上管 FET M1 被关断，下管 FET M2 被导通并保持，直到过压条件清除。输入滤波和噪声消除电路可减少噪声耦合到输入和输出，并确保电磁干扰（EMI）符合 EN55022 B 类标准（参见下图）。将 RUN 引脚拉低至 1V 以下会强制控制器进入关断状态，关闭 M1 和 M2。在轻载条件下，可通过将 FCB 引脚设置为高于 0.6V 来启用非连续导通模式（DCM）工作，以实现比连续导通模式（CCM）更高的效率。当 DRVCC 引脚连接到 INTVCC 时，内部集成的 5V 线性稳压器为内部栅极驱动器供电。如果在 DRVCC 引脚上施加 5V 外部偏置电源，则由于减少了内部线性稳压器的功率损耗，效率将得到提高。这在较高的输入电压范围内尤为明显。MPGM、MARG0 和 MARG1 引脚用于支持电压裕量调节，其中裕量百分比由 MPGM 引脚编程，而 ...
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2026/1/28 13:17:26
ADL5561 是一款低噪声、低功耗的全差分放大器/ADC 驱动器，采用 3.3 V 电源供电。它提供三种增益选项（6 dB、12 dB 和 15.5 dB），无需外部电阻，并具有宽带宽特性：6 dB 时为 2.6 GHz，12 dB 时为 2.3 GHz，15.5 dB 时为 2.1 GHz。差分输入阻抗在 6 dB 时为 400 Ω，12 dB 时为 200 Ω，15.5 dB 时为 133 Ω。差分输出阻抗为 10 Ω，输出共模调节电压范围为 1.25 V 至 1.85 V。基本结构图ADL5561 由一个全差分放大器组成，内部集成了反馈和前馈电阻。每个输入端的两个前馈电阻使这款引脚可编程放大器可配置为三种不同的增益设置：6 dB、12 dB 和 15.5 dB。该放大器设计用于提供高差分开环增益和输出共模电路，使用户能够通过 VCOM 引脚改变共模电压。该放大器设计用于在频率高达并超过 300 MHz 时提供卓越的低失真性能，同时具备低噪声和低功耗特性。在 3.3 V 电源供电、40 mA 工作电流下实现了低失真和低噪声。ADL5561 在输入/输出耦合方面非常灵活。它可以在指定的输入和输出共模电平内进行交流耦合或直流耦合。器件的输入可配置为单端或差分模式，且失真性能相似。由于输入和输出之间存在内部连接，为获得最佳失真性能，输出共模电压应保持在 1.25 V 和 1.85 V 之间。对于直流耦合输入，为获得最佳失真性能，输入共模电压应在 1 V 和 2.3 V 之间。该器件已使用 2 V p-p 输入至 200 Ω 负载进行特征化测试。如果输入采用交流耦合，当不使用外部电路时，输入和输出共模电压均设置为 VCC/2。ADL5561 提供由 VCOM 设置的输出共模电压，允许直接驱动 ADC 而无需外部元件（如变压器或交流耦合电容），前提是放大器的 VCOM 在 AD...
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2026/1/28 11:56:15
一、概述ADL5561是一款专为RF和IF优化的高性能差分放大器。该放大器在宽频范围内提供2.1 nV/√Hz的低噪声以及出色的失真性能，从而使其成为驱动8-16位高速ADC的理想选择。ADL5561可以通过引脚设置提供三种可选增益，分别为6db、12db和15.5db。采用单端配置时，其增益分别降到5.6db、11.1db和14.1db。采用一个外部串联输入电阻可以灵活地扩展设置放大器的增益，实现从0到15.5dB之间的任何增益。ADL5561的典型静态电流为40mA，而在禁用时消耗的电流小于3mA，输入和输出间具有出色的隔离性能。该器件的宽带性能和低失真性能得到了优化，再加上其增益可调，使其可用于低失真、低噪声和低功耗特性非常关键的通用IF和宽带应用中。通过优化，实现了压摆率、带宽和宽带失真性能的较佳组合，从而能够驱动范围很广的A/D转换器，并特别适合于驱动混频器、PIN二极管衰减器、SAW滤波器以及多单元的分立器件。ADL5561采用ADI公司的高速SiGe工艺制造，封装为3 mm×3 mm、16引脚的LFCSP紧凑型封装，工作温度范围为−40°C～+85°C。二、具备的特征−3 dB带宽为2.9 GHz（AV=6 dB）低电源电流：40mA引脚可带增益调节：6 dB、12 dB、15.5 dB差分或单端输入到差分输出低噪声输入级：AV=12 dB时为2.1 nV/√Hz RTI低宽带失真（AV=6dB）10 MHz：−94 dBc HD2，−87 dBc HD370 MHz：−98 dBc HD2，−87 dBc HD3140 MHz：−95 dBc HD2，−87 dBc HD3250 MHz：−80 dBc HD2，−73 dBc HD3250 MHz中心处的IMD3为-86 dBc转换速率：9.8 V/ns2ns的快速稳定和3ns...
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2026/1/28 11:52:15
ARM Cortex-M4F 处理器内核Tiva™ C 系列的所有成员，包括 TM4C129ENCPDT 微控制器，均采用 ARM Cortex-M 处理器内核设计。ARM Cortex-M 处理器为核心提供了一个高性能、低成本的解决方案平台，满足最小存储器实现、减少引脚数量和低功耗的需求，同时提供卓越的计算性能和出色的系统中断响应。处理器内核针对小封装嵌入式应用优化的 32 位 ARM Cortex-M4F 架构120 MHz 工作频率；150 DMIPS 性能卓越的处理性能结合快速中断处理Thumb-2 混合 16/32 位指令集，在紧凑的存储器尺寸下实现 32 位 ARM 内核的高性能，通常与 8 位和 16 位器件相关的存储器容量仅为几千字节，适用于微控制器级应用单周期乘法指令和硬件除法原子位操作（位绑定），实现最大存储器利用率和简化的外设控制非对齐数据访问，使数据能够高效地打包存储到存储器中符合 IEEE754 标准的单精度浮点单元（FPU）16 位 SIMD 矢量处理单元快速代码执行允许使用较慢的处理器时钟或增加休眠模式时间哈佛架构特征：指令和数据使用独立的总线高效的处理器内核、系统和存储器硬件除法和面向快速数字信号处理的乘累加运算用于信号处理的饱和运算确定性、高性能的中断处理，适用于时序关键型应用存储器保护单元（MPU），为受保护的操作系统功能提供特权模式增强的系统调试功能，具有广泛的断点和跟踪能力串行线调试（SWD）和串行线跟踪减少了调试和跟踪所需的引脚数量从 ARM7™ 处理器家族迁移，以实现更好的性能和能效针对特定频率下单周期 Flash 存储器使用进行优化；集成休眠模式实现超低功耗系统定时器（SysTick）ARM Cortex-M4F 包含一个集成系统定时器 SysTick。SysTick 提供一个简单的 24 位写清零、递减、零环绕计数器，具有灵活...
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2026/1/28 11:45:26
电流限制和热过载保护ADP7118 通过电流和热过载保护电路，防止因过度功耗而造成损坏。ADP7118 的设计是在输出负载达到 360 mA（典型值）时进入电流限制状态。当输出负载超过 360 mA 时，输出电压将会降低，以保持恒定的电流限制。芯片还内置了热过载保护功能，将结温限制在最高 150°C（典型值）。在极端条件下（即高环境温度和/或高功耗），当结温开始升至 150°C 以上时，输出将被关闭，输出电流降至零。当结温回落至 135°C 以下时，输出重新开启，输出电流恢复到工作值。考虑 VOUT 对地发生短路的情况。起初，ADP7118 限制电流，使得仅有 360 mA 流入短路点。如果芯片结点的自热足以使温度升至 150°C 以上，热关断功能将激活，关闭输出并将输出电流降至零。随着结温冷却并降至 135°C 以下，输出重新开启并再次传导 360 mA 电流，导致结温再次上升到 150°C 以上。这种在 135°C 和 150°C 之间的热振荡会引起 360 mA 和 0 mA 之间的电流振荡，只要输出端存在短路，这种现象就会持续下去。电流和热限制保护可在意外过载条件下保护器件。为了确保可靠运行，必须对外部限制器件功耗，使结温不超过 125°C。
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2026/1/28 11:38:16
Mini-Circuits的ZLSS-V26G+悬浮基板带状线滤波器具有低插入损耗、宽阻带、良好的功率处理和温度稳定性、紧凑的外形和坚固的结构，非常适合恶劣的工作环境，是ECM、ECCM、ELINT和超宽带接收器等宽带仪器和系统的理想选择。该技术可以实现低通、高通、带通、双工器和多路复用器设计，通带、阻带高达50GHz，阻带宽度大于6倍截止频率。具备的特征低通带插入损耗，典型值1 dB。高抑制，典型值80 dB。阻带更宽，高达50 GHz因此常被应用于5G应用中，现如今5G的普及，因此该型号在生活中应用也会越来越多。
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2026/1/28 11:16:23
Mini-Circuits的HPCJ-03-422+型号是一款LTCC 3 dB、90°混合分路器/合路器，工作频率为3200至4200 MHz，支持各种应用。该模型在3dB以上提供0.14dB的典型平均插入损耗，26dB的典型隔离，用作分路器时可处理高达50W的RF输入功率。这种正交混合器具有优化的相位和振幅不平衡特性，可在-55至+125°C的宽温度范围内运行。该单元采用0.2英寸x 0.125英寸x 0.079英寸的小尺寸，非常适合密集的PCB布局，并且由于寄生效应而表现出最小的性能变化。具备哪些特征？高输入功率处理，最大50W低插入损耗，典型值为0.14 dB。高隔离，典型值26dB。微型尺寸，2012包装LTCC工艺因此常被应用于：无线基础设施NR中频带5G基站C波段上行链路/下行链路的卫星通信测试与测量雷达系统附图：功能框图
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2026/1/28 11:04:47
HKCA-4011A+是一款高增益、功率倍增的混合放大器，在各种偏置条件下进行了优化，以提高功率效率和客户灵活性。HKCA-4011A+非常适合用于DOCSIS®4.0节点应用程序。直流电流可以从外部调节，以在一系列输出电平上获得最佳的失真性能与功耗。HKCA-4011A+采用行业标准SOT115J封装。具备的特征是什么？高射频输出高增益极低失真瞬态和浪涌保护VDD:+24V可配置直流电流行业标准8引脚SOT115J模块封装，带偏置调节常见应用分析108 MHz至1794 MHz有线电视（CATV）基础设施放大器系统远程物理层（PHY）FDX、扩展频谱、统一节点符合DOCSIS®3.1和4.0标准附图：功能框图
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2026/1/28 11:02:21
Mini-Circuits的HFHKI-2000+是一种微型低温共烧陶瓷（LTCC）高通滤波器，通带为2.1至9.5 GHz，支持各种应用。由于其坚固的单片结构，该型号在宽带上提供了0.7 dB的典型插入损耗。该滤波器采用1008陶瓷小尺寸封装，是密集信号链PCB布局的理想选择，可以补充MMIC的尺寸和性能。LTCC制造工艺确保射频性能变化最小，同时提供非常适合高湿度和高温极端环境的产品。那么什么是LTCC制造工艺呢？LTCC（低温共烧陶瓷）制造工艺是一种用于生产高密度三维电子基板和集成模块的关键技术，其核心在于将陶瓷材料与金属导体在相对较低的温度下共烧成型。HFHKI-2000+高通滤波器都具备哪些特征？典型低插入损耗。0.7分贝典型通带回波损耗。18分贝阻带抑制，典型。72分贝1008表面安装占地面积功率处理：6 W屏蔽结构
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2026/1/28 10:54:20
Mini-Circuits的HFHKI-3500+是一种微型低温共烧陶瓷（LTCC）高通滤波器，通带为3.9至12.5 GHz，支持各种应用。由于其坚固的单片结构，该型号在宽带上提供了0.9 dB的典型插入损耗。该滤波器采用1008陶瓷小尺寸封装，是密集信号链PCB布局的理想选择，可以补充MMIC的尺寸和性能。LTCC制造工艺确保了最小的射频性能变化，同时提供了一种非常适合高湿度和高温极端环境的产品。具备的特征？典型低插入损耗。0.9分贝典型通带回波损耗。13分贝阻带抑制，典型。67分贝1008表面安装占地面积功率处理：6 W屏蔽结构常见的应用？5G基站雷达、电子战、电子对抗防御系统测试和测量设备电信和宽带无线系统点到点链路通过上述信息可以了解到HFHKI-3500+高通滤波器的低插入损耗性以及应用范围，从而可以有效的对其进行选型、调配、使用。
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2026/1/28 10:48:37
Mini-Circuits的HFHKI-4600+是一种微型低温共烧陶瓷（LTCC）高通滤波器，通带为5至15.5 GHz，支持各种应用。由于其坚固的单片结构，该型号在宽带上提供了1.4 dB的典型插入损耗。该滤波器采用1008陶瓷小尺寸封装，是密集信号链PCB布局的理想选择，可以补充MMIC的尺寸和性能。LTCC制造工艺确保了最小的射频性能变化，同时提供了一种非常适合高湿度和高温极端环境的产品。具备什么特征？典型低插入损耗。1.4分贝通带回波损耗，类型10dB阻带抑制，典型。67分贝1008表面安装占地面积功率处理：6 W屏蔽结构常被应用在哪？5G基站雷达、电子战、电子对抗防御系统测试和测量设备电信和宽带无线系统点到点链路上述就是关于HFHKI-4600+陶瓷高通滤波器的定义、特征及应用，通过了解可以发现HFHKI-4600+的滤波范围适用生活中的大部分应用中，例如手机、雷达、无线网络等。
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2026/1/28 10:40:54
Mini-Circuits的HFHKI-2700+是一种微型低温共烧陶瓷（LTCC）高通滤波器，通带为3至11 GHz，支持各种应用。由于其坚固的单片结构，该型号在宽带上提供了0.8 dB的典型插入损耗。该滤波器采用1008陶瓷小尺寸封装，是密集信号链PCB布局的理想选择，可以补充MMIC的尺寸和性能。LTCC制造工艺确保了最小的射频性能变化，同时提供了一种非常适合高湿度和高温极端环境的产品。HFHKI-2700+高通滤波器具备哪些特征？典型低插入损耗。0.8分贝典型通带回波损耗。15分贝阻带抑制，典型。70分贝1008表面安装占地面积功率处理：6 W屏蔽结构因此该滤波器型号常被应用于5G基站、雷达、电子战、电子对抗防御系统、测试和测量设备、电信和宽带无线系统以及点到点链路中，并在其中发挥着不可或缺的力量。附图：典型频率响应
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2026/1/28 10:34:47
Mini-Circuits的TCW-4300+是一款高性能陶瓷RF平衡-不平衡变压器，阻抗比为1:2，针对2.15至4.3 GHz进行了优化，这是无线基础设施、卫星通信上行链路和5G sub-6 GHz系统的关键范围。它专为精度而设计，具有低插入损耗、出色的相位平衡和最小的幅度变化，确保在要求苛刻的射频链中具有卓越的信号完整性。凭借4W射频功率处理和输入输出之间的直流隔离，它支持有源元件的偏置灵活性。TCW2-4300+基于LTCC技术，采用坚固的0603陶瓷封装，将紧凑的尺寸与恶劣环境下的卓越可靠性相结合。TCW-4300+射频变压器都具备什么特征？微小尺寸，0603低成本次级直流馈电能力坚固的LTCC结构因此常被应用于无线基础设施5G，低于6 GHz频段、小型蜂窝、中继器和基站模块以及卫星与航空航天等应用领域中。附图：典型性能图
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2026/1/28 10:32:54
EQY-9-123+是一种宽带吸收增益斜率均衡器，采用高度可靠和可重复的GaAs MMIC IPD工艺制造。该型号工作在直流至12 GHz范围内，由于其吸收设计，在整个频带内实现了出色的线性斜率，同时保持了出色的回波损耗。该型号采用紧凑的1.5x1.5 mm封装，是测试与测量、卫星通信、雷达、电子战和ECM防御系统等广泛应用中密集电路布局的理想选择。EQY-9-123+都具备哪些特征？宽带，直流至12 GHz工作频带内的线性正斜率出色的回波损耗，典型值为16dB。1.5x1.5 mm，6引线QFN型封装因此，常被应用于测试和测量设备、卫星通信、雷达、电子战和电子对抗防御系统等领域中。附图：功能图（俯视图）
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2026/1/28 10:24:10
ZX60-5123LN+与ZX60-5153LN+是Mini-Circuits近期新推出的同轴低噪声放大器型号，下面就一块简单了解一下吧！ZX60-5123LN+Mini Circuits的ZX60-5123LN+是一款低噪声放大器，采用MCL自己的基于pHEMT的放大器PMA3-5123+，在5.5至12.5 GHz的整个频率范围内性能。该设计在80mA的单个+6V电源上运行，采用坚固、紧凑的一体式外壳（0.74英寸x 0.75英寸x 0.46英寸），带有集成SMA母连接器，使其成为苛刻操作条件和拥挤系统布局的理想选择。具备的特征低噪声系数，典型值1.4 dB。出色的增益平坦度，典型值为±0.6 dB。高输出IP3，+29.5 dBm典型值。 高输出P1dB，+17.0 dBm典型值。 内部电压调节和反向电压保护PMA3-5123的理想评估模块+ZX60-5153LN+Mini Circuits的ZX60-5153LN+是一款低噪声放大器，采用MCL自己的基于pHEMT的放大器PMA3-5153+，在5.5至15.5 GHz的整个频率范围内性能。该设计在90 mA的单+9 V电源下运行，采用坚固紧凑的一体式外壳（0.74“x 0.75”x 0.46“），带有集成SMA母连接器，使其成为苛刻操作条件和拥挤系统布局的理想选择。具备的特征低噪声系数，典型值1.5 dB。出色的增益平坦度，典型值为±0.8 dB。超过5.5至14.5 GHz高输出IP3，+28.0 dBm典型值。高输出P1dB，+18.0 dBm典型值。内部电压调节和反向电压保护
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2026/1/28 10:15:21