针对高压场景下对电源体积、绝缘性能和稳定性的严苛要求,金升阳在成熟产品基础上迭代创新,全新推出QA-R4 系列栅极驱动器专用 DC/DC 模块电源,以小体积、高绝缘、强可靠三大核心优势,为工业及新能源领域提供更卓越的供电解决方案。产品优势作为新一代驱动电源的标杆产品,QA-R4 系列在性能与设计上实现了多重突破,全面提升产品竞争力。1、超高绝缘性能输入 - 输出隔离电压高达5000VAC,满足加强绝缘标准;支持2000VDC 长期绝缘,完美适配1700V 高压系统,安全余量更充足。2、低隔离电容 & 强带载能力采用低隔离电容设计,显著优化系统 EMC 性能;可支持最大680μF 容性负载,确保大功率 IGBT/SiC 模块栅极驱动过程电压稳定、无跌落。3、小体积表贴封装采用 SMD 表贴式封装,体积较前代缩减 30%,布局更灵活,支持自动化生产,同时提升产品防潮性能。4、高可靠工业级品质可耐受1000 次温度冲击,满足AEC-Q100测试要求;内置自恢复短路保护,快速响应负载异常,降低系统故障风险,保障设备长期稳定运行。典型应用产品广泛适用于光伏逆变器、电机驱动、充电桩、智能电网、工业控制、轨道交通、变频家电等工业及新能源高压应用场景。产品特点● 小体积SMD封装● 超小隔离电容3pF( typ.)● 满足加强绝缘,隔离电压5.0kVA,局部放电2kV● CMTI200 kV/µs● 效率高达86%● 工作温度范围: -40℃ to +105℃● 可持续短路保护● 额定功率2W,最大功率2.4W
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2026/3/13 11:27:15
TPS799 低压差(LDO)稳压器结合了众多射频与精密模拟应用所需的高性能,同时具备超低静态电流。其高电源抑制比(PSRR)由高增益、宽带宽误差环路提供,即使在极低压差(VIN – VOUT)条件下仍能保持良好的电源抑制能力。该电子元器件设有噪声抑制引脚,用于旁路由带隙基准源产生的噪声,从而进一步提升 PSRR;同时,快速启动电路可在上电时迅速为该电容充电。高性能与低接地电流的结合,也使该器件成为便携式应用的理想选择。本器件具备热保护和过流保护功能,并完全规定工作温度范围为 –40°C 至 +125°C。TPS799 还通过 EN 使能引脚实现浪涌电流保护、软启动及输出过冲检测功能。当使用 EN 引脚启动器件时,限流保护立即生效,限制流入器件的浪涌电流。若输出电压超出标称值 5%,下拉电阻会将电压拉回正常工作范围。具备的特征• 带有使能 (EN) 引脚的 200mA 低压降稳压器• 提供了多个输出电压版本:– 1.2 V 至 4.5 V 固定输出– 1.20 V 至 6.5 V 可调节输出• 带有 EN 切换的涌入电流保护• 低 IQ:40μA• 高 PSRR:– 1kHz 时为 66dB– 10kHz 时为 51dB• 与一个低 ESR、2μF(典型值)输出电容一同工作时保持稳定• 出色的负载和线路瞬态响应• 整体精度(负载、线路和温度)为 2%• 超低压降:100mV• 封装:– 5 凸点,薄型,0.97mm × 1.34mm DSBGA– 5 引脚 SOT-23-THIN– 6 引脚 WSON
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2026/3/12 13:36:50
提升 PSRR 与噪声性能的电路板布局建议为改善电源抑制比(PSRR)、输出噪声及瞬态响应等性能,德州仪器(TI)建议在设计电路板时,为输入电压 VIN 和输出电压 VOUT 分别设置独立的接地平面,并且每个接地平面仅通过器件的 GND 引脚连接。此外,旁路电容的接地端应直接连接至器件的 GND 引脚。热考虑因素当结温升高至约 160°C 时,热保护电路将关闭输出,使器件冷却;当结温降至约 140°C 时,输出电路重新启用。根据功耗、热阻和环境温度的不同,热保护电路可能会反复启停。这种循环限制了稳压器的耗散功率,从而防止其因过热而损坏。任何导致热保护电路激活的趋势,均表明存在过大的功耗或散热不足的问题。为确保可靠运行,结温最高不应超过 125°C。为估算完整设计(含散热器)的安全裕量,应在最恶劣负载和信号条件下提高环境温度,直至触发热保护。为保证可靠性,热保护应在特定应用预期的最大环境温度基础上至少高出 35°C 时才触发。此配置在最坏情况下的结温为 125°C(对应最高预期环境温度与最大负载)。TPS7A80电子元器件的内部热保护电路旨在防止过载条件,但并非用于替代适当的散热措施。持续让 TPS7A80 进入热关断状态会降低器件可靠性。
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2026/3/12 13:34:48
一、压差电压TPS7A80 采用 PMOS 调整管以实现低压差。当输入输出电压差(VIN – VOUT)小于压差电压(VDO)时,PMOS 器件工作在线性区,其输入至输出的电阻即为该 PMOS 调整管的导通电阻 RDS(ON)。由于 PMOS 器件在压差状态下的行为类似于一个电阻,因此 VDO 会随输出电流近似成比例变化。与所有线性稳压器一样,随着 (VIN – VOUT) 接近压差值,电源抑制比(PSRR)和瞬态响应性能将下降。此效应在下列图片中有所展示。二、最小负载TPS7A80 在无输出负载条件下仍能保持稳定且表现良好。传统 PMOS LDO 稳压器在极轻负载下常因环路增益降低而出现问题。TPS7A80 采用创新的低电流模式电路,在极低或零负载条件下提升环路增益,从而改善从零电流开始的输出电压调节性能。三、输入与输出电容要求虽然输入电容并非稳定性所必需,但良好的模拟设计实践建议在靠近稳压器的输入电源端连接一个 0.1μF 至 1μF、等效串联电阻(ESR)较低的电容。该电容可抵消感性输入源的影响,并改善瞬态响应、噪声抑制及纹波抑制能力。若预期存在大幅值、快速上升沿的负载瞬变,或器件距离电源数英寸远,则可能需要更大容量的电容。如果源阻抗不够低,也可能需要 0.1μF 输入电容以确保稳定性。TPS7A80 电子元器件设计为可与标准陶瓷电容配合使用,电容值需 ≥ 4.7 μF。这些器件在评估时使用的是额定电压 10V、容差 ±10%、X5R 材质、尺寸 0805(2 mm × 1.25 mm)的 4.7μF 陶瓷电容。强烈推荐选用 X5R- 和 X7R-type 电容,因其容值和 ESR 随温度变化最小。最大 ESR 应小于 1 Ω。TPS7A80 实现了创新的内部补偿电路,无需跨接反馈电阻 R2 的外部反馈电容即可保证稳定性。请勿为本器件添加反馈电容。...
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2026/3/12 13:30:22
TPS7A80 系列器件属于新一代 LDO(低压差线性稳压器)家族,采用创新电路设计,即使在极低压差(VIN – VOUT)条件下,也能实现宽带宽和高环路增益,从而在超过 1MHz 的频率范围内提供极高的电源抑制比(PSRR)。通过在 NR 引脚连接一个噪声抑制电容(CNR),并在 BYPASS 引脚连接一个旁路电容(CBYPASS),可进一步降低由带隙基准源产生的噪声,从而提升整体 PSRR 性能;同时,快速启动电路可对噪声抑制电容进行预充电。该系列稳压器电子元器件支持低于带隙基准的输出电压、具备电流限制与热保护功能,并完全规定工作温度范围为 –40°C 至 +125°C。具备的特征• 具有使能功能的低压降 1A 稳压器• 可调节输出电压:0.8V 至 6V• 固定输出电压:0.8V 至 6V• 宽带宽高 PSRR:– 1kHz 时为 63dB– 100kHz 时为 57dB– 1MHz 时为 38dB• 低噪音:(14 × VOUT ) μVRMS 典型值(100Hz 至100kHz)• 与 4.7µF 陶瓷电容器一起工作时保持稳定• 出色的负载/线路瞬态响应• 总体精度 3%(在负载/线路/温度范围内)• 过流和过热保护• 极低压降:1A 时的典型值为 170mV• 3mm × 3mm VSON-8 DRB 封装常见应用• 电信基础设施• 音频• 高速接口(I/F)(锁相环路(PLL)/压控振荡器(VCO))
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2026/3/12 13:23:40
TUSB564 电子元件会监测物理层状态,包括接收端终端、电气空闲(Electrical Idle)、LFPS 信号以及 SuperSpeed 信令速率,以判断 USB3.1 接口的当前状态。根据 USB3.1 接口的状态,当 USB3.1 功能启用时(CTL0 = H 或 CTLSEL0 = 1b1),TUSB564 可处于四种主要工作模式之一:Disconnect(断开)、U2/U3、U1 和 U0。Disconnect 模式 是指 TUSB564 尚未在上游端口(UFP)或下游端口(DFP)检测到远端接收端终端的状态。该模式是四种模式中功耗最低的一种。TUSB564 将保持在此模式,直到在 UFP 和 DFP 两端均检测到远端接收端终端为止。一旦检测到远端终端,TUSB564 立即退出此模式并进入 U0 模式。在 U0 模式 下,TUSB564 会对从 UFP 和 DFP 接收到的所有流量进行重驱动。U0 是所有 USB3.1 模式中功耗最高的模式。TUSB564 将在 U0 模式下持续运行,直至在 UFP 和 DFP 两端同时检测到电气空闲;此时,它将立即切换至 U1 模式。U1 模式 是介于 U0 模式与 U2/U3 模式之间的中间状态。在 U1 模式下,UFP 和 DFP 的接收端终端仍保持使能,且发射端的直流共模电压得以维持。U1 模式的功耗与 U0 模式相近。接下来,在 Disconnect 模式之后,U2/U3 模式 是次低功耗状态。在此模式下,TUSB564 会周期性地执行远端接收端检测。若在任何一端(UFP 或 DFP)未检测到远端接收端终端,则 TUSB564 将离开 U2/U3 模式并返回 Disconnect 模式。此外,它还会监控有效的 LFPS 信号;一旦检测到有效 LFPS,TUSB564 立即跳转至 U0 模式。在 U2/U3 模式下,接...
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2026/3/12 13:19:25
TUSB564 是一款符合 VESA 标准的 USB Type-C Alt Mode 重驱动开关,支持上游端口数据速率高达 8.1 Gbps。该器件采用第五代 USB 重驱动技术,用于在 USB Type-C 标准下实现 UFP(上游Facing Port)引脚分配 C 和 D。TUSB564 提供多级接收均衡功能,以补偿电缆和 PCB 走线损耗;若无此均衡,当 USB 3.1 Gen 1 或 DisplayPort 1.4 信号穿越 PCB 或电缆时,将引发码间干扰(ISI)。该器件需 3.3V 电源供电,工作温度范围为商业级至工业级。对于 sink(接收端)应用,TUSB564 可使系统同时通过 USB 3.1 Gen 1 与 DisplayPort 1.4 HBR3 的发射器合规性测试及接收器抖动容限测试。重驱动器通过对输入数据施加均衡来恢复信号,补偿信道损耗,并以高差分电压重新输出信号。每个通道均配备可选增益设置的接收均衡器,其设定应基于连接至 TUSB564 各通道的插入损耗量。各通道的独立均衡控制可通过 EQ[1:0]、SSEQ[1:0] 和 DPEQ[1:0] 引脚进行配置。TUSB564 采用先进的状态机架构,使其对主机和设备透明。上电后,TUSB564 会周期性地在 TX 对上执行接收器检测。若检测到 USB 3.1 接收器,则启用 RX 终端,TUSB564 即进入重驱动就绪状态。该器件超低功耗架构在 3.3V 电源下运行,性能得到增强。自动 LFPS 去加重控制进一步确保系统满足 USB 3.1 合规性要求。
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2026/3/12 11:57:18
低输入电压应用LTM4623 电子元件模块设有独立的 SVIN 引脚,使其适用于低至 2.375V 的输入电压应用。SVIN 引脚为整个控制电路的唯一供电输入端,而 VIN 引脚则是直接连接至顶部 MOSFET 漏极的主功率输入端。在大多数 VIN 4V 的应用中,可将 SVIN 直接与 VIN 短接。若需增强抗噪能力,可在 SVIN 与 VIN 之间串联一个可选滤波网络:由一个电阻(1Ω 至 10Ω)和一个 0.1μF 旁路电容组成(参见下图)。若遵循良好的 PCB 布局规范,此滤波器通常并非必需。在低输入电压应用(2.375V 至 4V)中,应将 SVIN 连接至高于 4V 的外部电压源,并搭配一个 1μF 局部旁路电容使用。下图展示了一个低输入电压应用的示例。请注意:SVIN 电压不得低于 VOUT 电压。预偏置输出启动某些应用场景要求电源在输出电容已存在预偏置电压的情况下启动。此时,理想情况是启动过程中不放电该预偏置电压。LTM4623 可安全地向带有预偏置电压的输出端上电,且不会对其放电。LTM4623 通过强制进入断续导通模式(DCM)运行,直至 TRACK/SS 引脚电压达到 0.6V 参考电压,从而实现上述功能。此举可防止在预偏置输出启动期间开启底部栅极(BG),避免对输出端造成放电。请勿以高于 INTVCC(3.3V)的电压或高于反馈电阻(RFB)所设定输出电压的电压来预偏置 LTM4623。
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2026/3/12 11:23:21
LTM4623 是一款独立的非隔离式开关模式 DC/DC 电源模块电子元件。它仅需少量外部输入和输出电容,即可提供高达 3A 的直流输出电流。该模块通过一个外部电阻,可在 4V 至 20V 输入电压范围内,将输出电压从 0.6V 精确调节至 5.5V。若在 SVIN 引脚施加高于 4V 的外部偏置电源,则该模块最低可支持 2.375V 的输入电压。典型应用电路如下图所示。LTM4623 内部集成了恒定导通时间谷值电流模式控制器、功率 MOSFET、电感器及其他必要的分立元件。默认开关频率为 1MHz。当输出电压介于 3.3V 至 5.5V 之间时,需在 FREQ 与 SGND 引脚间连接一个外部 162kΩ 电阻,以将工作频率提升至 2MHz,从而优化电感电流纹波。对于对开关噪声敏感的应用,可通过外部电阻调整开关频率;此外,μModule 稳压器还可外部同步至时钟信号,精度可达设定频率的 ±30%。凭借电流模式控制与内部反馈环路补偿,LTM4623 模块具备充足的稳定性裕度及优异的瞬态响应性能,即使搭配全陶瓷输出电容也能稳定工作。电流模式控制提供逐周快速限流功能。在过流条件下(表现为 VFB 下降),折叠式限流机制会将电感谷值电流降低至原始值的约 40%。内部输出过压与欠压比较器会在输出电压偏离稳压点 ±10% 范围时,拉低开漏 PGOOD 输出引脚电平。除启动阶段 TRACK 引脚 ramp 上升至 0.6V 期间外,连续运行在过压(OV)或欠压(UV)条件下将被强制禁止。此外,为保护内部功率 MOSFET 免受瞬态电压尖峰损害,LTM4623 持续监测 VIN 引脚是否出现过压情况。当 VIN 超过 23.5V 时,稳压器暂停运行,关断两个功率 MOSFET;一旦 VIN 降至 21.5V 以下,稳压器立即恢复正常运行。值得注意的是,退出过压状态后,...
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2026/3/12 11:15:08
TPL820 是一款高性能、低压差线性稳压器系列。该系列支持最高 42-V 输入电压和 180-mA 输出电流,具有低静态电流和高电源抑制比(PSRR)。TPL820 系列在搭配 2.2-μF 至 22-μF 输出电容时稳定工作,推荐使用 4.7-μF 陶瓷电容。TPL820 系列在 100 Hz 频率下具备高达 73 dB 的高 PSRR,这一特性使其非常适用于对前级电源噪声敏感的精密应用。其仅 2-μA 的超低静态电流,使该系列成为电池供电便携式设备的理想选择。内置的限流与热过载保护电路可显著提升重载条件下的可靠性。TPL820 系列电子元器件提供从 3.0 V 至 5 V 的固定输出电压选项,在整个工作条件下电压精度为 ±2%。该系列保证在结温范围 –40°C 至 +125°C 内正常工作。具备的特征•宽输入电压范围:3.6 V至42 V•固定输出:3 V、3.3 V和5 V•室温下输出精度为±1%•超低静态电流:2µA•最大输出电流:180 mA•低压差电压:50 mA时为200 mV•高电源抑制比:100 Hz时为73 dB•电流限制和热保护•稳定的2.2-μF至22-μF低ESR陶瓷电容器•软启动限制启用期间的输入电流浪涌•热关机保护•结温范围:-40°C至+125°C•封装:SOT89-3、SOT23-5、SOT23-1、SOT223-3
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2026/3/12 11:05:01
瑞萨电子宣布,由Altium提供技术支持的智能模型化平台“Renesas 365”正式全面上市:该平台可将元器件与解决方案查找、模型化系统开发,以及早期概念验证集成于统一平台。Renesas 365是基于云端环境构建的平台,致力于通过开放生态系统大规模实现芯片与系统深度融合。在现代嵌入式设计中,工程师常面临工作流程脱节、手动查找元器件,以及系统级认知有限等问题。Renesas 365将嵌入式软件文件、数据手册和应用说明等此前相互独立的工具整合至一个精简的云端管理的平台上,有效解决了这些问题。借助Renesas 365,工程团队可以协同探索架构、并行开发软硬件,并基于实时洞察做出系统级设计决策。自相关概念发布以来,瑞萨现已推出Renesas 365的第一阶段版本,集成超过550款型号的RA系列微控制器(MCU)——业界Arm®架构MCU产品系列,并配套提供完整开发工具。借助模型化的评估与优化技术,工程师如今可将Renesas 365作为一个智能设计环境:它能根据完整的系统需求,主动辅助筛选合适的MCU。工程师无需再逐一地筛选数据手册,而是基于引脚使用情况、外设、时序、功耗,以及元器件与系统构建模块的匹配程度获得引导式推荐方案。这意味着,工程师原本需要花费一小时来查阅数据手册和工具需求的任务,如今几分钟内即可完成,可大幅缩短评估时间。这种系统级智能可加速设计融合,最大限度减少后续返工,同时支持更强大、高效且具成本效益的嵌入式设计,提升产品上市速度。Gaurang Shah, Vice President and General Manager of Embedded Processing at Renesas表示:“Renesas 365的全面上市,标志着瑞萨数字化愿景关键里程碑的达成。通过推出支持早期开发的智能设计环境第一阶段版本,我们也同时为下一阶段产品奠定了基础...
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2026/3/12 10:39:22
2026年3月11日,Bourns Magnetics产品线推出SRN3010BTA系列半屏蔽功率电感器的扩展。 新型SRN3010BTA-330M的电感值为33µH,采用半屏蔽结构和焊接引线,可提高产品可靠性。SRN3010BTA系列的工作温度范围为-55°C至+125°C,符合AEC-Q200标准,为汽车级产品。该系列非常适合需要更高电感器可靠性的消费、工业和电信应用中的汽车系统、DC-DC转换器和电源。特征半屏蔽结构最大轮廓1mm通过焊接引线提高了产品的可靠性符合AEC-Q200标准符合RoHS标准*且无卤素**应用汽车系统驾驶员辅助信息娱乐照明DC-DC转换器电源消费电子免责声明:本文为转载文章,转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息,版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题,请联系小编进行删除。
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2026/3/12 10:31:36
差分数据传输差分数据传输用于在长距离和嘈杂环境中可靠地高速传输数据。差分传输可消除因地电位偏移和以共模电压形式出现在线路上的噪声信号所造成的影响。由电子工业协会(EIA)批准的两项主要标准规定了差分数据传输所用收发器的电气特性:RS-422 标准:支持高达 10 Mbps 的数据速率,线路长度可达 4000 英尺。单个驱动器可驱动一条最多连接 10 个接收器的传输线。RS-485 标准:专为真正的多点通信而设计。该标准满足或超越 RS-422 的所有要求,并允许多个驱动器和接收器连接到同一条总线上。其扩展的共模范围定义为 –7 V 至 +12 V。RS-422 与 RS-485 最显著的区别在于:根据 RS-485 标准,驱动器可以被禁用,从而允许将多个驱动器连接到同一条线上——但同一时间只能启用一个驱动器。此外,RS-485 标准还包含额外规范,以确保在线路争用时设备的安全性。电缆与数据速率(CABLE AND DATA RATE)RS-485 通信首选的传输介质是双绞线。双绞线倾向于抵消共模噪声,同时也能抵消因流经每根导线的电流所产生的磁场,从而降低线对的有效电感。ADM3485E 应用说明ADM3485E 专为多点传输线上的双向数据通信而设计。下图展示了一个典型的多点传输网络应用示例。在同一时刻,仅允许一个驱动器发送数据,但可同时启用多个接收器。如同任何传输线一样,重要的是要尽量减少反射。可通过在传输线两端接入阻值等于线路特征阻抗的终端电阻来实现这一点。从主干线引出的支线长度也必须尽可能短。正确端接的传输线对驱动器而言表现为纯电阻性负载。
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2026/3/11 14:29:27
精心设计的电路板布局可最大化系统性能。从增益设置电阻到 R_G 引脚的走线应尽可能短,以最小化寄生电感。为确保最精确的输出,REF 引脚的走线要么连接至 AD8221 的本地地(如下图所示),要么连接至一个相对于 AD8221 本地地参考的电压。共模抑制AD8221 电子元器件在宽频率范围内具有高共模抑制比(CMRR)的一个优势是:它对干扰(如线路噪声及其相关谐波)具有更强的抗扰能力,优于典型的仪表放大器。通常,这类放大器在 200 Hz 时 CMRR 开始下降;为此常需使用共模滤波器进行补偿。而 AD8221 能在更宽的频率范围内有效抑制共模信号,从而减少对滤波的需求。良好的布局有助于维持 AD8221 在整个频率范围内的高 CMRR。输入源的阻抗和电容应紧密匹配。此外,源端电阻和电容应尽可能靠近输入引脚放置。接地AD8221 的输出电压是相对于参考端子(REF)的电位建立的。应注意将 REF 引脚正确连接至适当的本地地。在混合信号环境中,低电平模拟信号需要与嘈杂的数字环境隔离。许多 ADC 器件设有独立的模拟地和数字地引脚。虽然将两地统一接到单一地平面上较为方便,但流经地线和 PCB 板的电流可能引起数百毫伏的误差。因此,应采用独立的模拟地和数字地回路,以尽量减少从敏感节点流向系统地的大电流。下列图片则展示了示例布局。
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2026/3/11 14:17:58
AD8221 是一款基于经典三运放拓扑结构的单片仪表放大器。输入晶体管 Q1 和 Q2 被偏置在固定电流下,因此任何差分输入信号都会迫使 A1 和 A2 的输出电压相应变化。施加到输入端的信号会在 R_G、R1 和 R2 中产生电流,从而使 A1 和 A2 的输出提供正确的电压。从拓扑结构上看,Q1、A1、R1 和 Q2、A2、R2 可视为精密电流反馈放大器。放大后的差分和共模信号被送入一个差分放大器,该放大器抑制共模电压并放大差分电压。此差分放大器采用了创新设计,从而实现低输出失调电压以及极低的输出失调电压漂移。激光修调电阻允许实现高精度增益误差(通常小于 20 ppm)和超过 90 dB 的共模抑制比(CMRR,G = 1)。采用超β输入晶体管和 I_B 补偿方案,AD8221 提供极高的输入阻抗、极低的 I_B、极低的 I_B 漂移、极低的 I_OS、极低的输入偏置电流噪声,以及仅 8 nV/√Hz 的超低电压噪声。AD8221 电子元件的传递函数为:G=1+ (49.4kΩ/RG)用户可通过单个标准电阻轻松且精确地设置增益。由于输入放大器采用电流反馈架构,AD8221 的增益带宽积随增益增加而增大,从而形成一个不会因高增益时预期带宽损失而受影响的系统——这与电压反馈架构不同。为了即使在低输入电平下也能保持精度,对 AD8221 的设计和布局给予了特别关注,使其性能满足最严苛的应用需求。独特的引脚配置使 AD8221 能够满足 CMRR 规格:在 G = 1 时为 80 dB @ 10 kHz,在 G = 1000 时为 110 dB @ 1 kHz。如下图所示的平衡引脚布局减少了过去曾 adversely 影响 CMRR 性能的寄生参数。此外,新引脚布局简化了电路板布线,因为相关走线被集中在一起。例如,增益设置电阻引脚紧邻输入端,参考引脚则靠近输出端。
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2026/3/11 14:12:11
上述图片分别展示了在 5V、8V 和 12V 输入电压下的功耗曲线。这些功耗曲线可配合下述图片中的负载电流降额曲线使用,以计算在不同散热条件和气流环境下 LTM4633 的近似结到环境热阻 θJA。功耗曲线是在室温下测得的,并乘以 1.4 的系数以反映结温为 125°C 时的情况。该系数的由来是:当结温从 25°C 升至 150°C 时,稳压器的功耗约增加 50%;因此,在 125°C 温差范围内(即 150°C - 25°C),每摄氏度功耗增加约 0.4%。由于最大允许结温 125°C 与室温 25°C 之差为 100°C,故总功耗增幅为 100 × 0.4% = 40%,对应乘数 1.4。降额曲线以输出电流为纵轴、环境温度为横轴绘制,起始点为 30A 输出电流、40°C 环境温度。此 30A 值源于三个通道均工作在 10A 时的并联状态,便于热测试标准化。当三通道并联工作时,输出电压设定为 1.0V 或 1.8V。其中,通道 1 和通道 2 设计支持最高 1.8V 输出;另两条降额曲线则展示通道 1 和通道 2 各输出 1.8V @ 10A(合计 20A),同时通道 3 输出 5V @ 10A 且随环境温度升高而逐步降额的情形。此举旨在关联不同输出功率配置下的热阻数值,以便用户根据实际输出需求对 LTM4633 模块进行合理降额。对于特定输出电压和电流组合,其功耗值取自相应曲线,并乘以 1.4 以换算至 125°C 结温下的功耗。热模型数据来源于温控腔室内带/不带气流的多种温度测量结果,并结合热仿真分析得出。监测结温的同时,同步记录有无气流条件下的环境温度变化,并将环境温度变化引起的功耗增量纳入降额曲线中。在降低输出电流或功率的同时,通过提高环境温度,...
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2026/3/11 13:50:36
LTM4633 μModule(微模块)稳压器 将三个完整的 10A 开关模式 DC/DC 转换器集成于一个小型封装内。该封装内部已包含开关控制器、功率 MOSFET、电感器及绝大多数支持元件。LTM4633 电子元器件的三个稳压器可在以下输入电压范围内工作:单路供电:4.7V 至 16V;或带外部 5V 偏置时:2.375V 至 16V。输出电压范围如下:VOUT1 和 VOUT2:0.8V 至 1.8V;VOUT3:0.8V 至 5.5V。每个输出电压均由一个外部电阻设定。高开关频率与电流模式架构相结合,使器件在不牺牲稳定性的前提下,对输入电压波动和负载瞬变具备极快的响应能力。该器件支持以下功能:频率同步;VOUT1 与 VOUT2 的多相并联运行;软启动;输出电压跟踪 —— 用于电源轨时序控制。故障保护功能包括:过压保护;过流保护;温度监控。该电源模块采用节省空间、增强散热的 15mm × 15mm × 5.01mm BGA 封装。LTM4633 符合 RoHS 标准,并提供无铅表面处理。
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2026/3/11 13:38:00
HMC689LP4(E) 是一款高动态范围、无源 MMIX(混频器)芯片,集成低噪声放大器(LO 放大器),采用 4×4 mm SMT QFN 封装,工作频率覆盖 2.0 – 2.7 GHz。在 3G 和 4G GSM/CDMA 应用中,HMC689LP4(E) 下变频性能优异,输入三阶截点(IP3)高达 +32 dBm,且仅需 0 dBm 的本振(LO)驱动功率。当输入 1 dB 压缩点为 +23 dBm 时,RF 端口可接受宽范围的输入信号电平。典型转换损耗为 7.5 dB。该器件的直流至 800 MHz 中频(IF)频率响应可满足 GSM/CDMA 发射或接收频段规划要求。HMC689LP4(E) 与 HMC688LP4(E) 引脚兼容 —— 后者是一款 2.0 – 2.7 GHz 混频器,内置 LO 放大器,专为低边本振(Low Side LO)应用优化设计。具备的特征高输入IP3:+32 dBm低转换损耗:7.5 dB低LO驱动:0 dBm针对高端LO输入进行了优化上转换和下转换应用程序24引脚4x4mm SMT封装:16mm²常见应用HMC689LP4(E)非常适合:•蜂窝/3G和LTE/WiMAX/4G•基站和中继器•GSM、CDMA和OFDM•发射器和接收器
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2026/3/11 13:27:08