Mini Circuits的MSP2TA系列是超可靠、坚固耐用的负载吸收故障安全型SP2T开关，采用先断后合的配置，提供超长的开关寿命。该设备由+12VDC供电，具有典型的20毫秒的开关速度、0.25dB的插入损耗和80dB的高隔离。MSP2TA系列适用于各种应用，包括自动测试设备的切换和冗余切换。
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2023/1/10 13:57:09
Mini Circuits的MSP4TA-18+是一种超可靠、坚固耐用的负载吸收故障安全型SP4T开关，采用先断后合的配置，提供超长的开关寿命。该设备由+24V DC供电，具有典型的20毫秒的开关速度、0.2dB的插入损耗和90dB的高隔离。MSP4TA-18+适合用于广泛的应用，包括自动测试设备的切换和冗余切换。
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2023/1/10 13:55:21
Mini Circuits的MSP8TA-12D+是一种超可靠、坚固耐用的吸收式故障安全SP8T开关，采用先断后合的配置。其专利开关设计由极少数无摩擦移动部件组成可重复和最佳性能。该设备由+24V DC供电，典型开关速度为20毫秒、0.4dB的插入损耗和90dB的高隔离。MSP8TA-12D+适用于广泛的应用，包括自动测试设备的切换和冗余切换。
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2023/1/10 13:49:02
ZYSWA-2-50DR+是一款优秀的通用SPDT固态吸收RF开关。用它ZYSWA-2-50DR+具有宽频率范围、快速20ns切换时间和出色的射频性能，是一款是Mini Circuits传统交换机型号ZYSWA-2-50DR+的绝佳替代品。参考应用注释AN-80-019了解更多详情。更小的尺寸和更宽的带宽使该交换机成为几个射频应用和系统。
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2023/1/10 13:44:00
特征•自动测试设备（ATE）•可靠的“睡眠时间”切换•微波无线电的冗余切换•低压运行，12V•低插入损耗，典型值为0.25 dB。•高隔离，典型值80 dB。•高功率处理，10W•超可靠•先断后合配置•反射式故障保护开关•受美国专利5272458保护；6,414,577;6,650,210; 7,633,361; 7,843,289
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2023/1/10 13:42:30
ZASW-2-50DRA+是一款出色的高隔离固态SPDT反射式RF开关。以其广泛的ZASW-2-50DRA+是一款性能卓越的取代Mini Circuits的传统交换机型号ZASW-2-50DR+。更多信息，请参考应用注释AN-80-020细节。宽带宽、高隔离度和快速切换特性使该交换机成为一种多功能交换机多种射频应用和系统的选择。
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2023/1/10 13:38:41
JSW2-33DR-75+是一款高功率反射式SPDT RF开关，输出端口处于关闭状态，反射式短路状态该开关采用绝缘体上硅工艺制造，提供非常高的IP3（典型值为55 dBm）内置CMOS驱动器和负电压发生器，全部封装在2x2mm的小封装中它可以在宽带上工作并适合于狭小的空间。
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2023/1/10 13:34:52
LTC®4357 是一款正高电压理想二极管控制器，用于驱动一个外部 N 沟道 MOSFET 以取代一个肖特基二极管。当在二极管“或”和高电流二极管应用中使用时，LTC4357 能够降低功耗、热耗散、电压损失并缩减 PC 板面积。LTC4357 能够很容易地对电源进行“或”操作，以提高总体系统可靠性。在二极管“或”应用中，LTC4357 用于控制 MOSFET 两端的正向电压降，以确保从一条路径至另一条路径的平滑电流转移而没有振荡现象。在电源发生故障或短路的情况下，快速关断操作可较大限度地减小反向电流瞬变。
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2023/1/10 13:32:54
Mini Circuits的MSW2-50+是一种反射型GaAs MESFET SPDT MMIC开关，支持广泛的将应用从DC切换到5000MHz。该型号提供高隔离和超快切换5ns上升/下降时间。它采用GaAs MESFET工艺生产，采用3x3mm QFN封装额定MSL1。
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2023/1/10 13:31:59
Mini Circuits的M3SWA2-63DRC+是一种MMIC SPDT吸收式开关，具有内部驱动器，专为从DC到6GHz的宽带操作，支持许多需要纳秒切换的应用在宽的频率范围内。该模型提供了良好的隔离和高线性3x3mm 12L包装。
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2023/1/10 13:30:07
M3SW-2-50DRA+是具有内部驱动器的高隔离快速切换反射型GaAs PHEMT SPDT开关。它在运行在+5V和-5V电源下，具有单个TLL兼容控制端口封装在3.25mm x 3.25mm的8引脚封装中。 高隔离，典型值48 dB。y高输入IP3，+47.3 dBm（典型值）。y低插入损耗，典型值0.6 dB。y快速上升/下降时间，典型值为3.3 ns/4.6 ns。y微小尺寸，3.25 x 3.25 x 0.9毫米
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2023/1/10 13:27:25
JSW6-33DR+是一款高功率反射式SP6T RF开关，在关闭状态下具有反射式短通输出端口。采用绝缘体上硅工艺制造，具有非常高的IP3、内置CMOS驱动器和负极电压发生器。其小巧的2x2mm、14引线外壳可在狭小空间和密集环境中实现宽带性能PCB布局。
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2023/1/10 13:25:12
Mini Circuits的JSW2-63VHDRP+是带有内部CMOS驱动器的反射对称MMIC SPDT开关设计用于5至6000MHz的宽带操作。该型号提供敢达2.5W的功率处理具有低插入损耗、高动态范围和快速切换速度的微型2x2mm 12导联MCLP包裹JSW2-63VHDRP+在单个正电源电压下工作，电流消耗低仅120µA。采用绝缘体上硅工艺生产，提供高水平的ESD保护和优异的重复性。该模型的开关逻辑将控制电压从COM切换到RF1，并且COM到RF2，控制电压处于高状态。也可提供替代型号（JSW2-63VHDRG+）为方便起见，具有相反的切换逻辑。
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2023/1/10 13:23:25
LTC®4357 是一款正高电压理想二极管控制器，用于驱动一个外部 N 沟道 MOSFET 以取代一个肖特基二极管。当在二极管“或”和高电流二极管应用中使用时，LTC4357 能够降低功耗、热耗散、电压损失并缩减 PC 板面积。LTC4357 能够很容易地对电源进行“或”操作，以提高总体系统可靠性。在二极管“或”应用中，LTC4357 用于控制 MOSFET 两端的正向电压降，以确保从一条路径至另一条路径的平滑电流转移而没有振荡现象。在电源发生故障或短路的情况下，快速关断操作可较大限度地减小反向电流瞬变。应用N+1 冗余电源高可用性系统AdvancedTCA 系统电信基础设施汽车系统
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2023/1/10 13:18:53
Mini Circuits的JSW2-63VHDRG+是一种带有内部CMOS的反射对称MMIC SPDT开关该驱动器设计用于5至6000MHz的宽带操作。该型号提供高达2.5W，具有低插入损耗、高动态范围和快速切换速度，采用2x2mm 12引线MCLP包裹JSW2-63VHDRG+在单个正电源电压下工作，电流消耗低仅120µA。采用绝缘体上硅工艺生产，提供高水平的ESD保护和优异的重复性。该模型的开关逻辑将控制电压从COM切换到RF2COM到RF1，控制电压处于高状态。也可提供替代型号（JSW2-63VHDRP+）为方便起见，具有相反的切换逻辑。
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2023/1/10 13:17:17
CSWA2-63DR+是50Ω 专为无线应用设计的高隔离、吸收SPDT射频开关，覆盖具有低插入损耗的500至6000MHz的宽频率范围。在非吸收模式下，开关可用降至0.3MHz。也可用于75Ω 系统在0.3-3000 MHz以上。CSWA2-63DR+在单个电源电压范围为+3V至+5V。该单元包括一个内部CMOS驱动器。CSWA2-63DR+交换机它采用了一个小型密封封装，4mm x 4mm x 1.2mm。预计MTBF为373年外壳温度85°C。该开关能够满足MIL对严重泄漏、细微泄漏、热冲击、振动、加速度、机械冲击和HTOL。如果需要，可以进行测试。
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2023/1/10 11:57:20
HMC754S8GE是一款GaAs/InGaP HBT双通道增益模块MMIC SMT放大器，工作频率范围为DC至1 GHz。 该多功能产品包含采用8引脚塑料SOIC-8单封装的两个增益模块，与采用推挽配置结构的两个放大器配合使用，同时使用外部巴伦以抵消二阶非线性并改善IP2性能。 在此配置中，HMC754S8G提供高增益，极低失真和简单外部匹配性能。 该高线性度放大器采用单正电源供电时功耗仅为160mA。应用CATV /宽带基础设施测试和测量设备线路放大器和光纤节点用户端设备
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2023/1/9 15:23:45
HMC773A是一款通用型双平衡混频器，采用无引脚、RoHS兼容型LCC封装，可用作6 GHz至26 GHz范围内的上变频器或下变频器。此混频器无需外部元件或匹配电路。HMC773A采用经过优化的巴伦结构，提供出色的LO至RF及LO至IF抑制性能。该混频器采用13 dBm或以上的LO驱动电平工作，具备出色的性能。HMC773A无需线焊，可以使用表贴制造技术。应用点对点无线电点对多点无线电和甚小孔径终端(VSAT)测试设备和传感器军用最终用途
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2023/1/9 15:22:29