Vishay Intertechnology 近日重磅推出其新型PTCES系列表面贴装浪涌限流PTC热敏电阻。该系列器件以其高达340J的能量吸收能力与1200 VDC的电压处理能力，为汽车和工业应用的设计工程师带来了提升基板效率、降低系统总成本的革新解决方案。器件采用紧凑封装，最高能量吸收能力达340 J，最高电压处理能力达1200 VDC，可提高汽车和工业应用的基板效率并降低成本。日前发布的PTC热敏电阻的能量吸收能力比竞品器件高260 %，设计人员可减少电路中使用的元件数量，从而节省基板空间，降低总成本。此外，PTCES系列器件的最大电压处理能力比竞品器件高20 %，可满足更广泛的设计要求。新系列热敏电阻主要用于各种限流和过载保护，包括AC/DC和DC/DC转换器、DC-Link、抛负载、紧急放电电路、车载充电器（OBC）和电池充电设备以及电机驱动器。这些应用下，器件具有自我保护功能，可承受超过100 000次浪涌功率循环，抗冲击和抗振动能力符合AEC-Q200标准，无需使用强力胶固定。PTCES系列钛酸钡热敏电阻由焊接的均质陶瓷PTC芯块组成，采用符合UL 94 V-0标准的自熄、耐洗塑料外壳封装，绝缘电压高达3 kVAC。器件厚度为9.6mm，符合RoHS标准，无卤素，可采用自动贴片加工，降低加工成本。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2025/11/19 9:22:18
CGH40180PP是一款无与伦比的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。CGH40180PP从28伏轨道运行，为各种射频和微波应用提供了一种通用的宽带解决方案。GaN HEMT具有高效率、高增益和宽带能力，使CGH40180PP成为线性和压缩放大器电路的理想选择。晶体管采用4引脚法兰封装。特征•工作频率高达2.5 GHz•1.0 GHz时20 dB小信号增益•2.0 GHz时15 dB小信号增益•220 W典型PSAT•PSAT的效率为70%•28V操作应用•双向私人电台•宽带放大器•蜂窝基础设施•测试仪器•适用于OFDM、W-CDMA、EDGE、CDMA波形的A类、AB类放大器如有型号需求及选型，可最直接联系兆亿微波电子元器件采购商城。
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2025/11/18 10:53:14
CGH40120F是一款无与伦比的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。CGH40120F从28伏轨道运行，为各种射频和微波应用提供了一种通用的宽带解决方案。GaN HEMT具有高效率、高增益和宽带能力，使CGH40120F成为线性和压缩放大器电路的理想选择。晶体管采用法兰封装。特征•工作频率高达2.5 GHz•1.0 GHz时20 dB小信号增益•2.0 GHz时15 dB小信号增益•120 W典型PSAT•PSAT的效率为70%•28V操作应用•双向私人收音机•宽带放大器•蜂窝基础设施•测试仪器•适用于OFDM、W-CDMA、EDGE、CDMA波形的A类、AB类线性放大器如有型号需求及选型，可直接联系兆亿微波电子元器件采购商城。
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2025/11/18 10:46:29
CG2H40045是一款无与伦比的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。CG2H40045从28伏轨道运行，为各种射频和微波应用提供了一种通用的宽带解决方案。GaN HEMT具有高效率、高增益和宽带能力，使CG2H40045成为线性和压缩放大器电路的理想选择。晶体管有法兰和药丸包装。特征•工作频率高达4 GHz•2.0 GHz时18 dB小信号增益•4.0 GHz时14 dB小信号增益•55 W典型PSAT•PSAT的效率为60%•28V操作应用•双向私人电台•宽带放大器•蜂窝基础设施•测试仪器•适用于OFDM、W-CDMA、EDGE、CDMA波形的A类、AB类线性放大器如有型号需求及选型，可直接联系兆亿微波电子元器件采购商城。
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2025/11/18 10:40:25
CGH40025是MACOM一款无与伦比的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。CGH40025从28伏轨道运行，为各种射频和微波应用提供了一种通用的宽带解决方案。GaN HEMT具有高效率、高增益和宽带能力，使CGH40025成为线性和压缩放大器电路的理想选择。晶体管有拧紧法兰封装和焊接药丸封装两种。特征•工作频率高达6 GHz•2.0 GHz时15 dB小信号增益•4.0 GHz时的13 dB小信号增益•30 W典型PSAT•PSAT的效率为62%•28V操作应用•双向私人电台•宽带放大器•蜂窝基础设施•测试仪器•适用于OFDM、W-CDMA、EDGE、CDMA波形的A类、AB类放大器如有型号采购需求及选型，可直接联系兆亿微波电子元器件采购商城。
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2025/11/18 10:35:40
CG2H40010是MACOM一款无与伦比的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。CG2H40010从28伏轨道运行，为各种射频和微波应用提供了一种通用的宽带解决方案。GaN HEMT具有高效率、高增益和宽带能力，使CG2H40010成为线性和压缩放大器电路的理想选择。该晶体管有拧紧、法兰和焊接、药丸封装两种。特征•工作频率高达8 GHz•2.0 GHz时18 dB小信号增益•4.0 GHz时16 dB小信号增益•17 W典型PSAT•PSAT的效率为70%•28V操作应用•双向私人电台•宽带放大器•蜂窝基础设施•测试仪器•适用于OFDM、W-CDMA、EDGE、CDMA波形的A类、AB类线性放大器如有产品型号需求及选型，可直接联系兆亿微波电子元器件采购商城。
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2025/11/18 10:27:59
CGH40010是一款无与伦比的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。CGH40010在28伏轨道上运行，为各种射频和微波应用提供了一种通用的宽带解决方案。GaN HEMT具有高效率、高增益和宽带能力，使CGH40010成为线性和压缩放大器电路的理想选择。晶体管有压下式、法兰式和焊下式两种封装。特征•工作频率高达6 GHz•2.0 GHz时16 dB小信号增益•4.0 GHz时14 dB小信号增益•13W典型PSAT•PSAT的效率为65%•28V操作应用•双向私人电台•宽带放大器•蜂窝基础设施•测试仪器•适用于OFDM、W-CDMA、EDGE、CDMA波形的A类、AB类线性放大器如有型号及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件采购商城。
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2025/11/18 10:21:24
Microchip Technology（微芯科技公司）正式发布模型语境协议（MCP）服务器，这一创新平台将彻底改变工程师获取产品数据的方式。通过将经过验证的Microchip产品信息直接集成到主流AI工具和开发环境中，该解决方案显著提升了设计效率与决策准确性。技术架构：标准化接口与可信数据流MCP服务器基于可流式传输的HTTP标准构建，能够为各类AI客户端提供上下文感知的JSON编码响应。这一架构专门针对Copilots、AI聊天机器人、集成开发环境和企业AI智能体等应用场景优化，确保用户能够在熟悉的开发环境中直接获取最新的产品数据。该服务器的核心价值在于其数据源的可靠性与实时性。系统直接对接Microchip官方数据库，提供包括产品规格、数据手册、库存状态、价格及交货周期在内的全方位信息。这种直接连接方式消除了传统信息检索中可能存在的版本滞后或数据不一致问题，为设计决策提供了坚实的数据基础。应用场景：从设计到采购的全流程优化在实际应用中，工程师只需通过简单的对话式查询，即可快速获取所需的产品信息。例如，在设计阶段，开发者可以直接在IDE中询问特定微控制器的技术参数；在采购规划环节，可以实时获取元器件的库存情况和交货时间。这种无缝的信息集成大幅减少了传统设计流程中频繁切换工具和手动查询的时间消耗。Microchip首席运营官Rich Simoncic强调：“我们通过在开发者常用的AI平台中实现对已验证产品信息的即时访问，进一步消除技术壁垒，使采用Microchip解决方案进行设计变得更加便捷。”这一举措体现了公司对AI赋能工具开发的持续投入。生态价值：加速创新与数字化转型MCP服务器的推出标志着元器件供应商在数字化转型道路上迈出了重要一步。通过将权威产品信息直接嵌入开发者的工作流，Microchip不仅提升了自身产品的易用性，更为整个电子设计生态系统的效率优化做出了贡献。...
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2025/11/18 10:01:18
美光科技近日宣布其车用UFS 4.1存储解决方案已开始向全球客户提供认证样品，标志着智能汽车存储技术迈入新阶段。这款基于第九代3D NAND技术的产品不仅实现了4.2GB/s的传输带宽，更为下一代智能汽车的AI工作负载、高级驾驶辅助系统和沉浸式座舱体验提供了关键的存储支持。美光企业副总裁暨汽车和嵌入式产品事业部总经理 Kris Baxter 表示：“随着汽车行业迈向更高程度的自动化及更智能的车内体验，可靠的高性能存储已成为支撑下一代智能汽车的基础。美光车用 UFS 4.1 致力于提供卓越的安全性、可靠性和性能，助力汽车行业推动智能出行升级，在端侧充分释放 AI 潜力。”车载存储的性能飞跃随着车辆逐步演变为智能平台，自动驾驶、智能座舱及实时 AI 应用等功能均需足够的带宽，才能实现上电后快速启动、即时访问并切换用于生成式 AI 交互的大语言模型，同时记录海量传感器数据。美光 UFS 4.1 等高性能存储解决方案，正是从源头加速实现这一智能交互的关键。美光 UFS 4.1 具备以下特性：超快速读写性能：UFS 4.1 的高带宽可提升顺序读取速率，满足 AI 对快速数据访问的需求。增强的写入速率有助于 ADAS 模型加速记录各类数据，提升环境感知和决策算法的执行效率。UFS 4.1 的高读取性能可支持车内生成式 AI 模型的快速切换，以提供丰富座舱体验。这使系统设计人员可在降低内存需求的同时存储多个模型，并在确保低延迟用户体验的同时优化成本。快速启动：凭借美光 G9 技术及专有固件，UFS 4.1 设备的启动速度提升 30%，系统启动速度提高 18%[2]，使智能系统在上电瞬间快速上线，从而提供即时响应的座舱体验。超高耐用性：UFS 4.1 在单层单元模式下可实现高达 100,000 次编程/擦除（P/E）循环，三层单元模式下实现 3,000 次 P/E 循环，从而为汽车长期运行...
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2025/11/18 9:56:09
Bourns最新推出的SRF1709共模扼流圈，凭借其3.5 mH高电感值与2.5 A额定电流的强大组合，为消费电子和工业设备提供了一款高效的电磁干扰抑制解决方案。Bourns SRF1709共模扼流圈的电流额定值为2.5A，电感额定值为3.5mH，以及工作温度范围为-40°C至+85°C。SRF1709扼流圈具有铁氧体环形芯体、低辐射和高电感的特点，能够抑制流入或流出系统的电磁干扰 (EMI)。其他特点包括高托盘密度，可降低CO2 排放；耐腐蚀构造，使用寿命长；符合欧盟94/62/EC标准。Bourns SRF1709共模扼流圈适用于消费电子、工业和其他电子应用中的电源线噪声抑制。特征高托盘密度，降低CO2 排放环保物流包装耐腐蚀，使用寿命长低能耗应用噪声抑制消费电子产品工业电子免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2025/11/18 9:42:44
全球AI芯片战火已烧向最前沿的制造环节。摩根士丹证券最新报告指出，英伟达、AMD等AI巨头，连同电动车霸主特斯拉，正集体争抢台积电3nm产能，导致该制程出现供不应求局面，台积电已启动紧急扩产计划。产能告急，月产能紧急上调2万片大摩预估，台积电将在年底前把3nm月产能额外扩充2万片，达11–12万片，高于市场预期；到2026年将进一步增至14–15万片。为此，台积电明年资本支出可能从原计划的430亿美元上调至480–500亿美元。AI五强齐抢产能，特斯拉已布局3nm AI芯片大摩大中华区半导体主管詹家鸿透露，除英伟达、AMD、世芯等客户外，台积电与旗下创意正共同为特斯拉的AI5芯片提供3nm设计与生产服务。他强调，当前AI芯片供应瓶颈已从CoWoS封装转移至前段晶圆制造与ABF基板（特别是T-Glass）短缺。扩产面临空间限制，2026年产能布局明朗此次扩产也面临无尘室资源紧张问题——因部分资源已转向2nm研发，3nm扩产仅能依赖现有厂房。2026年的产能提升将来自两部分：亚利桑那州第二期工厂约2万片，以及中国台湾4/5nm产线转换约1万片。此外，台积电可能将22/28nm产线从Fab15转移至欧洲新厂。若计划落地，以“每千片3nm月产能需3亿美元”估算，2026年资本支出将攀升至480–500亿美元。2nm订单已在路上，特斯拉AI6芯片年贡献预计20亿美元詹家鸿进一步透露，特斯拉下一代AI6芯片将采用台积电2nm制程，预计每年带来约20亿美元代工收入。他持续看好台积电、创意、世芯等企业，维持台积电“优于大盘”评级与1688元新台币目标价，并列为“首选”标的。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2025/11/18 9:38:18
ADI(亚德诺)MAX1763x 系列是集成 MOSFET 的高效、高压同步降压型 DC-DC 转换器，输入电压范围 3 V 至 36 V。MAX17636/MAX17638/MAX17639 分别可连续输出 6 A、8 A、10 A；MAX17639 峰值电流可达 12 A。输出电压可调范围 0.6 V 至 0.9 × Vin，全范围内置补偿，无需外部补偿网络。–40 °C 至 +150 °C 温度范围内，反馈电压调节精度 ±1.2 %。控制方式采用峰值电流模式控制：内部跨导误差放大器在内部节点产生积分误差电压，通过 PWM 比较器、高边电流检测放大器和斜坡补偿发生器共同设定占空比。每个时钟上升沿高边 MOSFET 导通，直至达到所需占空比、最大占空比或触发峰值电流限制。高边导通期间电感电流上升储能并向输出供电；剩余周期高边关断、低边导通，电感释放能量继续向输出供电。功能引脚MODE/SYNC：可设定强制 PWM 或频率调制 (SFM) 模式，也可同步外部时钟。EN/UVLO：可编程输入欠压锁定，控制转换器启停。SS：软启动，抑制启动浪涌电流。RESET/TJ：既可做电源好/复位指示，也可直接读取芯片结温，无需理论估算，提升电源可靠性。时序特性具有极低的最小导通时间与最小关断时间，在既定开关频率下仍能保持更宽的输入电压范围。模式选择与外部时钟同步（MODE/SYNC）MAX1763x 支持 PWM 与 SFM 两种工作模式，具体由 MODE/SYNC 引脚电平决定：引脚接地（）：强制恒定频率 PWM 模式，所有负载下频率不变。引脚浮空（ V）：轻载时自动进入 SFM（跳频）模式。芯片支持“在线”模式切换：MODE/SYNC 状态改变后，等待 40 µs（典型值），再根据 40 µs 结束时的引脚电平正式切换模式。...
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2025/11/17 10:45:38
保护功能ADPL40505A 线性稳压器通过限流与热关断电路，对过载状况实现全面保护。若输出短路到地，输出电容沿短路路径放电后，输出电流被限制在 700 mA（典型值）。此时芯片迅速升温，当结温达到 +165 °C 时，热保护电路关闭输出管；冷却至 +150 °C 后自动恢复稳压。若故障持续，输出将在 +150 °C～+165 °C 之间周期性开关。不建议在故障状态或结温高于 +125 °C 下长期工作，以免降低长期可靠性。在压差（dropout）模式下，电流限值触发点为 850 mA（典型值），一旦触发即降至 700 mA 并保持限流。反向电流/反向电压保护当输出电压高于输入电压时，ADPL40505A 提供反向电流保护。内部反向电压检测器一旦检测到 IN 低于 OUT，立即关闭稳压器并断开功率管的体二极管通路，防止任何反向电流。反向电流会流经体二极管，增加功耗并影响长期可靠性，尤其在大电流场合。若系统过热导致芯片温度异常升高，同样会触发热保护。主动放电当 EN 引脚拉低时，ADPL40505A 在 OUT 与 GND 之间接入 800 Ω 电阻，对输出电容进行快速放电，可显著缩短放电时间，简化系统电源时序管理。欠压锁定 (UVLO)ADPL40505A 的 UVLO 电路对输入电压跌落响应迅速；一旦母线电压低于 UVLO 下降阈值，输出立即关闭。本地输入电容可在大多数应用中防止瞬态掉电。上电时，当 VIN 超过 UVLO 上升阈值后，器件进入就绪状态并开始 VOUT 软启动，确保输出电压平稳上升并顺利进入稳压。为避免进入 dropout，VOUT 软启动斜率应不高于 VIN 上升斜率。某些 VIN 瞬变可能使稳压器跌入 dropout；当 VIN 重新上升、器件退出 dropout 时，输出可能出现过冲。通过使用 Ena...
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2025/11/17 10:41:14
ADPL40505A是一款5.5V PMOS线性稳压器，可提供高达500mA的负载电流。该调节器在线路、负载和温度变化时保持±2%的输出精度。该设备具有低功耗操作模式，消耗电源的静态电流非常低。在低功耗模式下，该设备可以提供高达20mA的负载电流，空载静态电流为20μa。稳压器支持1.7V至5.5V的宽输入电源范围。输出电压可以调节到0.8V至5.0V范围内的值。ADPL40505A上的输出电压可以使用两个外部反馈电阻器进行调节。调节器完全由内部电路保护，可提供可编程的涌入电流限制、输出过电流限制、反向电流限制和热过载保护，防止损坏。操作模式ADPL40505A具有低功率和高功率操作模式。根据MODE引脚的状态选择模式。无论mode引脚的状态如何，设备在启动过程中将始终处于高功率模式。软启动完成后，设备将读取MODE引脚的状态，并在需要时调整操作模式。低功耗操作模式如果mode引脚被拉低，ADPL40505A将进入低功率模式。在这种模式下，该设备消耗20uA的电流，可以提供高达20mA的电流。高功率操作模式如果mode引脚被拉高，ADPL40505A将进入高功率模式。在这种模式下，该设备消耗350uA的电流，可以提供高达500mA的电流。模式转换从低功率模式转换到高功率模式将调整内部调节点，从而导致输出端的瞬态偏移。偏移是负载电流和温度的函数，在低功率模式（20mA）和升高的管芯温度下，最大负载电流为最大。为了尽量减少MODE转换时的输出电压瞬态偏移，建议将负载电流保持在1mA或以下。主机需要50us的稳定时间才能施加高功率模式下支持的负载电流。当主机准备将设备重新置于低功耗模式时，主机必须在将mode引脚驱动为低之前，将低功耗模式下支持的负载电流耐受水平降低80us。同样，MODE引脚从高到低的转换会导致输出端的瞬态偏移。在稳定期间，负载电流必须保持恒定，之后可...
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2025/11/17 10:33:09
ADPL40505A是ADI(亚德诺)一款5.5V、P沟道金属氧化物半导体（PMOS）低压差（LDO）线性稳压器，可提供高达500mA的负载电流。ADPL40505A具有低功耗操作模式，消耗电源的静态电流非常低。调节器完全由内部电路保护，可提供可编程的涌入电流限制、输出过电流限制、反向电流限制和热过载保护，防止损坏。ADPL40505A具有800Ω主动放电功能，可快速对输出电容器放电。ADPL40505A通过使用两个外部反馈电阻器，提供了在0.8V至5.0V范围内可调输出电压的增强灵活性。ADPL40505A采用8针、2mm x 2mm薄双扁平无引线（TDFN）封装。特征•1.7V至5.5V输入电源范围•0.8V至5.0V输出电压范围•最大输出电流500mA•500mA负载时最大压降为120mV（3.6VIN）•低功耗模式下的20µA空载电源电流•正常模式下350µA电源电流••45µVRMS输出噪声，10Hz至100kHz•10kHz、250mA负载电流和300mV输入输出电压分离时的60dB电源抑制比•过载、线路和温度变化时直流精度为±2%•OUT处800Ω的主动放电•稳定，输出电容为2µF（最小有效）•可编程软启动率•过电流和过热保护•反向电流保护•电源正常输出•2mm x 2mm，8针TDFN封装•-40°C至+125°C工作温度应用•移动电话•数码相机和音频设备•便携式和电池供电设备如有型号及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件采购商城。
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2025/11/17 10:18:32
RHP50000-CSL是一款ADI(亚德诺)非常小、低噪声的单片降压DC/DC转换器，能够从2.25V到5.5V的输入电源提供高达12.5A的输出电流。该设备采用Silent Switcher 2架构，内置热环旁路电容器，在高达5MHz的开关频率下实现低EMI和高效率。对于具有更高功率要求的系统，多相并行转换器很容易实现。RHP50000-CSL采用恒定频率、峰值电流模式控制架构，实现快速瞬态响应。500mV参考允许低电压输出。100%占空比操作可实现低损耗。其他功能包括输出处于调节状态时的电源良好信号、精度启用阈值、输出过压保护、热关断、温度监测器、时钟同步、模式选择和输出短路保护。该器件采用紧凑的18引脚3mm×3mm LQFN封装。特征无单粒子闩锁（SEL）效应：在 Vin ≤ 3.6 V、重离子LET 高达 47 MeV·cm²/mg 条件下仍无闩锁总电离剂量（TID）耐受：≥ 30 krad(Si)Silent Switcher 2 架构：超低 EMI 辐射高效率：集成 4.5 mΩ NMOS 与 16 mΩ PMOS宽带宽、快速瞬态响应过载时允许电感饱和，器件安全无损输入电压范围：2.25 V – 5.5 V输出电压范围：0.5 V – Vin输出电压精度：±1%（远程取样）最短导通时间：35 ns可编程开关频率：最高 5 MHz关断电流：1 μA输出电压软启动，支持跟踪启动Power Good 指示输出芯片温度监测可配置多相并联（强制连续模式）3 mm × 3 mm LQFN 增强散热封装应用支持航空航天应用一个制造、组装和测试现场晶圆扩散批次可追溯性辐射监测器单事件锁定（SEL）总电离剂量（TID）金（Au）端子表面处理排气特性如有型号及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件采购商城。
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2025/11/17 10:10:34
ADPM12160是一款ADI(亚德诺)高功率四分之一砖DC-DC转换器，在半负载时可提供高达98%的效率。ADPM12160是一款非隔离式转换器，可提供完全稳压的12V输出，连续功率水平为1600W，峰值功率能力在有限时间内高达2400W。特征•电气•40V至60V输入电压范围•12V全稳压输出电压•热设计功率高达1600W•峰值功率高达2400W•半负载时峰值效率高达98%•完全保护：OTP、输入UVLO和OVLO、输入OCP、输出OVP、输出OCP和SCP•无最低负载要求•耦合电感器的快速负载瞬态响应•远程开/关（REM）的可选逻辑•PMBus™配置•事件数据记录器（黑匣子）•有源均流并联运行•非隔离•机械•行业标准四分之一砖占地面积：58.4mm×36.8mm×15.1mm（2.30英寸×1.45英寸×0.59英寸）•可选引脚长度：2.79mm、3.70mm或4.32mm•安全和认证•IEC/UL/EN/CSA 62368-1•符合RoHS欧盟指令2011/65/EU和（EU）2015/863•ISO 9001、TL 9000、ISO 14001、ISO 45001认证的制造工厂应用•分布式电源架构•无线网络•接入和光网络设备•企业网络•集成电路（DSP、FPGA和ASIC）和微处理器驱动的应用如有型号及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件采购商城。
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2025/11/17 10:09:02
ADM1273 是ADI(亚德诺)一款热插拔控制器，可在不断电的背板上实现线路板的带电插拔。芯片内部集成 12 位 ADC，通过 PMBus 接口即可回读电流、电压与功率信息。器件最高可承受 120 V 电压，配合 TVS 等保护器件，能够轻松应对高压系统中常见的 100 V 以上浪涌与瞬变。负载电流 ILOAD 通过内部电流检测放大器测量：放大器检测 SENSE+ 与 SENSE– 引脚之间采样电阻上的压降。芯片默认电流限制阈值为 30 mV，若需降低，可利用 VCAP 稳压输出到 ISET 引脚的分压电阻网络进行调整；还可在 ISET 与 Vin（或 Vout）之间再并一颗电阻，使电流限值随母线电压反向变化，从而实现近似恒功率限制。ADM1273 通过控制功率路径中外接 N 沟道 MOSFET 的栅极电压，将采样电阻上的压降（即负载电流）维持在预设最大值以下。芯片在限流的同时，监控并限制通过 MOSFET 的能量，以保护外置 FET。启动阶段与故障阶段可分别设置不同的能量阈值：启动时由 ESTART 引脚外接元件决定，故障时由 EFAULT 引脚外接元件决定。启动浪涌电流被压得很低，关注的是 SOA 曲线中低电流区；而故障电流可能大得多。控制器利用 MOSFET 的漏-源电压 VDS 来设定 EFAULT/ESTART 引脚的电流曲线，从而限定允许传输的能量，确保 MOSFET 始终工作在 SOA 安全区内。如需控制输出电压爬升速率，可在 DVDT 引脚外加电容。发生短路时，内置快速过流检测器在数百纳秒内响应，驱动栅极关断；1.5 A 下拉电流源保证关断迅速，随后 50 µs 内恢复栅极控制，最大限度减小线路阶跃或浪涌带来的扰动。过压 (OV) 与欠压 (UV) 保护通过 UVH、UVL 和 OV 引脚的外部分压电阻设定；UV 采用双引脚结构，可独立精确设定上...
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2025/11/17 9:56:25