KRYTAR公司的3 dB 90度混合耦合器具有多种功能，包括在广泛的商业和军事应用中使用的放大器、开关电路和天线波束形成网络中分离和组合信号。这些90度混合电路用于需要将功率平衡分配到两条相隔90度的传输线的电路中。这些混合耦合器在这些频带内的许多应用中提供了简单的解决方案，包括电子战（EW）、商用无线、卫星通信、雷达、信号监测和测量、天线波束形成以及EMC测试环境。对于许多空间受限的情况，这些KRYTAR耦合器的紧凑尺寸是理想的。这些耦合器也可以按照军用规格制造。 KRYTAR的新型90度混合耦合器3014320型提供了1.4至32.0 GHz的卓越超宽带多功能性，具有出色的相位和振幅匹配。典型规格包括3 dB联轴器；振幅不平衡：±1.55 dB；相位不平衡度为±12度；隔离度12 dB；最大VSWR:1.90；插入损耗 此外，3014320型的输入额定功率平均为20 W，峰值为3 kW。混合耦合器配有行业标准SMA内螺纹连接器。紧凑的包装尺寸仅为2.62英寸（长）x 1.00英寸（宽）x 0.40英寸（高），重量仅为2盎司。工作温度为-54°至+85°C。该耦合器通常有库存至30天，ARO。
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2022/10/12 14:02:27
KRYTAR公司的3 dB 90度混合耦合器具有多种功能，包括在广泛的商业和军事应用中使用的放大器、开关电路和天线波束形成网络中分离和组合信号。这些90度混合电路用于需要将功率平衡分配到两条相隔90度的传输线的电路中。这些混合耦合器在这些频带内的许多应用中提供了简单的解决方案，包括电子战（EW）、商用无线、卫星通信、雷达、信号监测和测量、天线波束形成以及EMC测试环境。对于许多空间受限的情况，这些KRYTAR耦合器的紧凑尺寸是理想的。这些耦合器也可以按照军用规格制造。 KRYTAR的新型90度混合耦合器3100400K型可提供10.0至40.0 GHz的卓越宽带多功能性，具有出色的相位和振幅匹配。典型规格包括3 dB联轴器；振幅不平衡：±0.7 dB；相位不平衡度为±10度；隔离度12 dB；最大VSWR:1.80；插入损耗 此外，3100400K型的输入额定功率平均为20 W，峰值为3 kW。混合耦合器配有行业标准2.92 mm（K）内螺纹接头。这款小巧的套装尺寸仅为1.00英寸（长）x 0.62英寸（宽）x 0.50英寸（高），重量仅为0.8盎司。工作温度为-54°至+85°C。该耦合器通常有库存至30天，ARO。
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2022/10/12 14:00:46
KRYTAR公司的3 dB 90度混合耦合器具有多种功能，包括在广泛的商业和军事应用中使用的放大器、开关电路和天线波束形成网络中分离和组合信号。这些90度混合电路用于需要将功率平衡分配到两条相隔90度的传输线的电路中。这些混合耦合器在这些频带内的许多应用中提供了简单的解决方案，包括电子战（EW）、商用无线、卫星通信、雷达、信号监测和测量、天线波束形成以及EMC测试环境。对于许多空间受限的情况，这些KRYTAR耦合器的紧凑尺寸是理想的。这些耦合器也可以按照军用规格制造。 KRYTAR的新型90度混合耦合器，型号3040440，在4.0至44.0 GHz范围内提供卓越的超宽带多功能性，具有出色的相位和振幅匹配。典型规格包括3 dB联轴器；振幅不平衡：±1.2 dB；相位不平衡度为±12度；隔离度13 dB（4-30 GHz），并且>；8分贝（30-44千兆赫）；最大驻波比：1.65（4-30 GHz）和1.90（30-44 GHz）；插入损耗 此外，3040440型的输入额定功率平均为20 W，峰值为3 kW。混合耦合器配有行业标准的2.4毫米阴接头。这款小巧的套装尺寸仅为1.99英寸（长）x 0.80英寸（宽）x 0.42英寸（高），重量仅为1.5盎司。工作温度为-54°至+85°C。该耦合器通常有库存至30天，ARO。 技术规格 型号 3040440 最小频率（GHz）4. 最大频率（GHz）44 振幅不平衡（dB）± 1.2 相位不平衡（度）±12 隔离度（d...
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2022/10/12 13:58:05
KRYTAR公司的3 dB 90度混合耦合器具有多种功能，包括在广泛的商业和军事应用中使用的放大器、开关电路和天线波束形成网络中分离和组合信号。 KRYTAR 90度混合动力车用于需要将功率平衡分配到两条相隔90度的传输线的电路中。3 dB、90度混频通常被称为正交混频，因为应用于任何输入的信号都会产生两个相同振幅的信号，这两个信号都是象限信号（彼此相隔90度）。输出端的信号衰减了三分贝（3 dB），并且彼此相差90度。 随着超宽带微波系统的日益使用，以及包括mmWave在内的新兴无线通信系统，产生了对具有紧密输出振幅和相位跟踪的90度宽带混频器的需求。KRYTAR 90度混合耦合器在这些频带内的许多应用中提供简单的解决方案，包括电子战（EW）、商用无线、5G和5G NR（新无线电）、Wi-Fi 6和Wi-Fi 6E、SATCOM、雷达、信号监测和测量、天线波束形成和EMC测试环境。 这些KRYTAR耦合器的紧凑尺寸非常适合处理空间有限的情况。耦合器也可以按照军用规格制造。
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2022/10/12 13:54:59
芝加哥2022年10月4日讯 - Littelfuse公司 （纳斯达克股票代码：LFUS）是一家致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力的公司。现宣布推出新的电子保险丝保护集成电路产品线，该系列将包括四种多功能电路保护器件。 电子保险丝保护集成电路采用了创新设计，可提供广泛的电源输入范围（3.3V至28V）和集成保护。 除过压保护外，该系列电子保险丝还能防止过流、短路、浪涌电流、反向电流和过热事件，并具有实时诊断功能——所有功能全部在一个芯片中实现。 电子保险丝保护集成电路是用于各类消费电子产品和数据通信接口的理想选择，包括： ● 蓝牙耳机 ● 可穿戴设备 ● 平板电脑 ● 充电线 ● 电池设备 ● 适配器供电设备 ● 网络设备 ● 个人电脑/笔记本电脑 ● 数据通信电源系统 ● 风扇电源控制 ● HDD和SSD存储驱动器 ● 工业12V/24功率输入/输出 “电子保险丝保护集成电路将强大的电路保护、传感和控制集成在一个芯片中，为当今的电子设计师提供了极大的灵活性。”Littelfuse保护半导体业...
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2022/10/12 10:05:53
基础半导体器件领域的高性能生产专家Nexperia今天宣布推出其快速扩展的铜夹片FlatPower (CFP)封装二极管系列的最新产品，主要应用于工业和汽车领域。此最新产品含有32个平面肖特基二极管以及8个超快速恢复整流二极管，均封装在CFP15B中。包含通用型号和符合AEC-Q101车规标准的带Q的器件。通过将多种版本的器件推向市场，Nexperia强调了其扩大产能、加快向体积更小和热优化的封装过渡的承诺。让工程师仅从一家供应商即可获取市场上最为广泛的CFP封装二极管产品组合。 这些新平面肖特基二极管的工作范围为30-100 V和3-15 A。针对低正向电压优化的版本(VF)（包括 PMEG100V080ELPE/-Q）可在防反应用中提供低导通损耗和高效率，实现经济高效的DC-DC转换器。这些二极管件还有低漏电流版本，配备超低反向电流和出色的高温工作性能，可提供优异的稳健性，防止热失控。8个200 V单通道快恢复整流二极管（PNE200xxEPE/-Q系列）携带4-10 A的平均正向电流(IF)，并补充了Nexperia现有的双通道快恢复整流二极管。 使用此体积更小、功率密度更高的CFP15B封装来替代DPAK或SMB/C封装，不仅可保持同等水平的电气性能，还能最多节省60%的电路板空间。这种耐用的封装设计可延长二极管件的工作时间并提高板级可靠性。其优化的引脚间距可确保焊点均匀分布，提高自动光学检测(AOI)性能。此解决方案尤其适用于依赖先进高密度设计的现代化的ADAS、EV、LED照明或ECU应用。
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2022/10/12 10:04:09
BMS电池管理系统一般包含以下几个部分：电压采样、电流采样、充放电控制、硬件过流保护、SOC算法、对外的通信接口等。本案例中SOC算法和通信接口，由RA2L1（R7FA2L1A93CFL）完成，其余部分由AFE（Analog Front End）模拟前端芯片ISL489206或ISL489204（14串）完成。 考虑到主机端的通信，需要兼容CAN、Uart、I2C、SMBus等多种通信协议，所以MCU部分采用了RA2L1系列带CAN控制器的MCU。另外，电池在实际使用中，因某些原因（比如修复Bug），电池包固件需要在线升级功能，电池在升级固件过程中，为了预防电池包升级失败变成”砖头”，电池包的MCU需要有固件备份功能，所以Flash要选择128K或者256K（成本没压力的建议直接上256K）。 BMS的MCU除了与主机通信外，还需要与AFE芯片通信（I2C）接口，所以需要至少2路I2C通信，另外驱动LED指示灯（电池剩余容量指示），需要5个I/O，开关机按键及一些其它的控制逻辑（模拟量采集）等，综合考虑MCU封装至少选择48Pin或者64Pin，部分移动储能类电池，可能需要带LCD驱动的MCU（工业级温度，是基于安全性考虑）。 AFE部分选择了瑞萨的集成高边N-FET驱动的模拟前端，该系列产品具有高精度电压电流ADC和硬件过流保护及内部均衡功能。RA MCU通过I2C与ISL489206通信，进行电压采样，电流采样及均衡控制，温度和LED指示灯控制。 整个方案的供电部分（主要是给RA MCU供电），有两种选择，一种是通过外挂晶体管，进行降压，好处是成本低，坏处是会有功率损耗发热，本案例采用的是这种办法。另外一种是外挂一颗高输入电压的LDO，比如ISL6719（...
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2022/10/11 11:00:45
Bourns 全球知名电子组件领导制造供货商，今天宣布扩展其CSM2F系列电源分流电阻组合，增加12个新系列。这些新系列的特点是铆接通孔金属传感针，满足了在大电流应用中对电压传感点精确定位的日益增长的需求。 新型分流电阻为电池管理系统、大电流工业控制和电动汽车充电站提供高可靠性、高性价比的解决方案。 2022年10月10日，美国柏恩 Bourns 全球知名电子组件领导制造供货商，今天宣布扩展其CSM2F系列电源分流电阻组合，增加12个新系列。这些新系列的特点是铆接通孔金属传感针，满足了在大电流应用中对电压传感点精确定位的日益增长的需求。 Bourns?Model CSM2F系列并联电阻家族的这些最新产品采用本公司的电子束焊接电阻技术设计，支持高达50瓦的大功率设计，连续电流高达1414安培。此外，这些新系列由金属合金电阻元件构成，提供低至0.25 μ V/K的热电动势。 可在两个或三个镀锡铜引脚选项，新型号CSM2F系列附加的传感引脚提供了第三个引脚选项，连接到电路的接地端。三引脚设计有助于减少传感误差，通过携带接地电流从传感电路单独的路径，以获得更高的测量精度。新的Bourns?Model CSM2F系列并联电阻家族扩展还具有广泛的电阻范围，从25?Ω到200?Ω，以及在20°C到60°C温度范围内的低±50 PPM/℃TCR。为设计师提供额外的灵活性，新系列提供三种不同的表面处理，以满足不同的客户环境和焊接需求，并有四种包装尺寸:6918,8518,7036和8536(公制)。 Bourns?型号CSM2F高功率分流电阻现已上市，全系列并符合RoHS *和无卤**。
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2022/10/11 10:58:17
宾夕法尼亚、MALVERN — 2022年10月11日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出四款采用TO-220 FullPAK 2L全隔离封装的新型FRED Pt? 第五代600 V Hyperfast恢复整流器---12 A VS-E5TW1206FP-N3和VS-E5TX1206FP-N3以及15 A VS-E5TW1506FP-N3 和VS-E5TX1506FP-N3。该系列的整流器反向恢复性能达到业界先进水平，提高中频逆变器和软硬开关或谐振电路的效率。 Vishay Semiconductors日前发布的器件反向恢复电荷（Qrr）低于前代解决方案 60 %，同时恢复损耗降低 90 %。此外，与最接近的竞品相比，整流器反向恢复能量（Erec）提高10 %，软恢复有助于降低 EMI，在整个工作温度范围内更稳定地运行，从而提高热性能。 通过最新推出第5代600 V FRED Pt 系列整流器，Vishay将高端Si技术的优势扩展到不同的电路拓扑结构，包括传统和无桥功率因数校正（PFC）前端配置。器件可用作工业应用 AC/DC 和DC/DC 功率级输出和 PFC 整流器，适用于空调、非车载充电器、照明、混合太阳能逆变器和UPS，在不影响性能的情况下保证系统可靠性和稳定性。 VS-E5TW1206FP-N3、VS-E5TX1206FP-N3、VS-E5TW1506FP-N3和 VS-E5TX1506FP-N3 有X型和新的W型两种速度类型。对于高达100k Hz的CCM模式和 350K Hz 低di/dt的谐振电路来说，W型整流器的优点是Qrr低，X型整流器的优势在于正向电压低。器件符合RoHS标准，无卤素，工作温度达+175 ...
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2022/10/11 10:54:50
Mini-circuits TCM2-33X+ 射频变压器功能： ·宽带30至3000 MHz。 ·平衡传输线。 ·极佳的回波损耗。 ·可水洗。 ·受美国专利8，576，037保护。 Mini-circuits TCM2-33X+ 射频变压器应用： ·PCS。 ·宽带推挽放大器。 ·蜂窝 TCM2-33X+ TCM2-33X+ 价格，Mini-circuits TCM2-33X+ 射频变压器，原厂原装，现货库存，兆亿微波专注Mini-circuits射频微波器件，提供原厂技术支持！
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2022/10/10 16:50:29
HMC349ALP4CE 是一款工作频率范围为 100 MHz 至 4 GHz 的砷化镓 (GaAs) 单刀双掷 (SPDT) 开关。 HMC349ALP4CE 具有隔离度高 (62 dB)、插入损耗低 (1.0 dB)、输入 IP3 高 (53 dBm) 和输入 P1dB 高 (34 dBm) 等特性，因此适用于无线基础设施应用。 HMC349ALP4CE 使用电压为 3 V 至 5 V 的单一正电源工作，并且提供一个与 CMOS/TTL 兼容的控制接口。 HMC349ALP4CE 采用符合 RoHS 指令的 16 引脚 4 mm × 4 mm 引线框芯片尺寸级封装 (LFCSP)。 应用 无线基础设施 移动无线电 测试设备
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2022/10/10 16:47:55
Mini-Circuits HFCN-1600+ 高通滤波器功能特点： ·低成本。 ·体积小。 ·7个部分。 ·温度稳定。 ·密封密封。 ·LTCC建设。 ·出色的功率处理，7W。 Mini-Circuits HFCN-1600+ 高通滤波器应用典型： ·次谐波抑制。 ·发射机/接收机。 ·实验室使用 Mini-Circuits HFCN-1600+ 高通滤波器最高操作温度： 工作温度-55°C至100°C。 储存温度-55°C至100°C。 射频功率输入*最大7W。在25°C时 *通带额定值，在100°C环境下线性降至3W。 如果超过这些限制中的任何一个，可能会发生永久性损坏。
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2022/10/10 16:46:45
HMC985ALP4KE是一款吸收式电压可变衰减器(VVA)，工作范围为10 - 40 GHz，非常适合必须利用模拟DC控制信号来控制超过40 dB动态范围的RF信号电平。它集成了由两个模拟电压Vctl1和Vctl2控制的分流型衰减器。该衰减器通过第一衰减级Vctl1在-5V至0 V电压范围内的变化实现优质线性度性能，Vctl2固定在-5V。第二衰减级的控制电压Vctl2应在-5V至0V电压范围内变化，Vctl1固定在0V。如果Vctl1和Vctl2引脚连接在一起，仅需稍微降低输入IP3性能便可实现全模拟衰减范围。具体应用包括微波点对点和VSAT无线电中的AGC电路和多增益级温度补偿。应用点对点无线电VSAT无线电测试仪器仪表微波传感器军事、ECM和雷达
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2022/10/10 16:44:07
Minicircuits ADC-10-4+ 耦合器功能特点： ·宽带，5-1000 MHz。 ·主线损耗低，0.8分贝类型。 ·高方向性，40dB类型。 ·可水洗。 ·受美国专利6,133,525和6,140,887保护 Minicircuits ADC-10-4+ 耦合器应用典型： ·通信。 ·有线电视 Minicircuits ADC-10-4+ 耦合器操作温度： 工作温度-40°C至85°C。 储存温度-55°C至100°C 如果超过这些限制中的任何一个，可能会发生永久性损坏。
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2022/10/10 16:41:56
HMC849ALP4CE是一款高隔离非反射DC至6 GHz GaAs pHEMT SPDT开关，采用低成本无引脚表贴封装。 该开关非常适合蜂窝/WiMAX/4G基础设施应用，实现高达60 dB的隔离、0.8 dB的低插入损耗和+52 dBm的输入IP3。 在最高5 - 6 GHz WiMAX频段内，该器件具有很高的功率处理能力，另外提供+31 dBm的P1dB压缩点性能。 片内电路可在极低直流电流下实现0/+3V或0/+5V单正电压控制。 使能输入(EN)设为逻辑高电平可将该开关置于“全关”状态。应用蜂窝/4G基础设施WiMAX、WiBro与固定无线汽车远程信息系统移动无线电测试设备
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2022/10/10 16:38:32
ADPA7009CHIP 是一款砷化镓 (GaAs) 假晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT) 微波单片集成电路 (MMIC) 29 dBm 饱和输出功率 (0.5 W) 分布式功率放大器，工作频率为 20 GHz 至 54 GHz。该放大器提供 19.5 dB 的增益， 1 dB 的压缩 (P1dB) 时的输出功率为 28.5 dBm， 在 24 GHz 至 36 GHz 时，输出三阶交调 (IP3) 的典型值为 35 dBm 。ADPA7009CHIP 工作时需要 5 V 的电源电压 (VDD) 输送 750 mA 的电流，其输入和输出内部匹配到 50 Ω ，便于集成到多芯片模块 (MCM) 中。所有数据均由通过最小长度为 0.076 毫米（3 密耳）的 0.076 毫米（3 密耳）带状键合连接的 RFIN 和 RFOUT 焊盘获得。应用军用和航空航天测试仪器仪表卫星通信
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2022/10/10 16:36:04
电磁流量计是20世纪50~60年代随着电子技术的发展而兴起的新型流量测量仪表，由于其无阻流件等特点，在测量领域得到广泛应用。持续的技术进步要求不断提高解决方案的集成度，技术型授权代理商Excelpoint世健的工程师Nathan Xiao借助ADI的放大器、模数转换器，进行了可实现高分辨率、低噪声的工业电磁流量计模拟前端电路的实测。 电磁流量计工作原理 电磁流量计的工作原理基于法拉第电磁感应定律。根据法拉第定律，当导电流体流经传感器的磁场时，电极之间就会产生与体积流量成正比的电动势，其方向与流向和磁场垂直。电动势幅度可表示为：E = kBDv 其中，V表示导电流体的运动速度；B表示磁场强度；D 为测量管的内径；E表示电极两端测得的电压；k为常数。B、D和k均为固定值，也可以进行校准，从而等式简化为：E ∝ V。 图1 电磁流量计工作原理 传感器线圈励磁频率通常使用1/25、1/16、1/10、1/8、1/4、1/2 of 50Hz/60Hz工频。 传感器输出特性 - 在250mA励磁电流激励下，传感器灵敏度通常是150~200微伏每（米/秒） - 常见流速测量范围0.01米/秒~15米/秒，1500:1信号动态范围 - 传感器输出为双极性差分信号，从微伏到若干毫伏 - 输出共模电压从几百毫伏到几伏 - 需要放大数百倍到千倍来配合模数转换器输入范围 - 电极输出阻抗从几十欧到几十兆欧 图2为DN50管径、316不锈钢...
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2022/10/10 11:48:02
据韩媒报道，在日前举办的行业活动上，IDC韩国副总裁Kim Su-gyeom预计，存储半导体市场的下行周期将持续到2025年。 Kim Su-gyeom表示，今年的市场需求较最初预期更为糟糕，预计来年三季度DRAM和NAND市场都将出现暂时反弹，不过需求增速预期将分别从此前17%、30%下修至10%、19%，其后市场将再度逐步下行，总体规模萎缩，直至2026年后迎来拐点。 Tech Insights研究员Jeongdong Choi在同一活动上分享了其对存储半导体技术趋势的判断，他指出，三星电子的DRAM技术之前领先于其他竞争对手，但从2020年1z（15nm 级）DRAM开始，三家主要存储半导体公司的技术几乎达到同步，“随着DRAM密度不断提升的尝试，2025年将开发1c（11~12nm）DRAM，2029年左右我们将进入个位数nm级DRAM时代。” 关于NAND，Choi表示各大厂商正在开发400-500层堆叠产品，800层堆叠技术将在8-9年内发展。因此，必须引入先进的封装工艺技术。
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2022/10/9 15:08:24