Qorvo的TGA2622-SM是一款封装的高功率X波段放大器，采用Qorvo生产的0.25um GaN on SiC工艺制造。工作频率为9-10GHz，TGA2622-SM通常产生35W的饱和输出功率，功率附加效率大于42%，大信号增益为27.5dB。TGA2622-SM封装在一个7x7mm的气腔、基于层压板的QFN中。两个射频端口都是内部直流阻断的，并匹配到50欧姆，实现了简单的系统集成。TGA2622-SM非常适合脉冲应用，它提供了卓越的功率、PAE和增益性能，可以节省现有平台的成本，同时支持未来系统的开发。主要特点•频率范围：9-10 GHz•PSAT：45.5 dBm@PIN=18 dBm•PAE:42%@PIN=18 dBm•功率增益：27.5 dB@PIN=18 dBm•偏压：VD=28 V，IDQ=290 mA（脉冲VD：PW=100 us，DC=10%）•封装尺寸：7 x 7 x 1.64毫米应用•气象和海洋雷达
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2026/5/28 15:02:15
Qorvo的QPA1006D是一款宽带功率放大器MMIC，采用Qorvo生产的0.15 um GaN on SiC工艺（QGaN15）制造。覆盖10.7-12.7 GHzQPA1006D提供>35瓦的饱和输出功率和>17 dB的大信号增益，同时实现>39%的功率附加效率。QPA1006D射频输入端口直流接地，可实现最佳ESD性能。QPA1006D射频端口具有隔直电容器，匹配50欧姆。QPA1006D可以支持各种操作条件，包括CW操作，使其非常适合商业和军事系统。无铅，符合RoHS标准。主要特点：•频率范围：10.7-12.7 GHz•PSAT（PIN=29 dBm）：>46 dBm•PAE（PIN=29 dBm）：>39%•功率增益（PIN=29 dBm）：>17 dB•小信号增益：>21.5 dB•偏压：VD=20 V，IDQ=1200 mA•封装尺寸：6.09 x 4.24 x 0.10毫米应用•卫星通信•雷达•点对点通信装配说明部件放置和粘合剂连接装配注意事项：• 真空吸笔和/或真空吸盘是首选的拾取方法。•放置过程中必须避免空气桥。•在自动放置过程中，力冲击至关重要。回流工艺装配说明：•使用AuSn（80/20）焊料，并限制暴露在300℃以上的温度下 最高30秒。•应使用具有还原气氛的合金站或传送炉。•不要使用任何类型的焊剂。•热膨胀系数匹配对于长期可靠性至关重要。•设备必须存放在干燥的氮气环境中。互连工艺装配注意事项：•热超声球键合是首选的互连技术。•力、时间和超声波是关键参数。•不应使用铝线。•焊盘尺寸较小的设备应使用0.0007英寸的导线进行连接。
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2026/5/28 14:56:48
CMD184是一个4.5 W宽带GaN MMIC功率放大器芯片，工作频率为0.5至20 GHz。放大器提供大于13 dB的增益，相应的输出1 dB压缩点为+34.5 dBm，饱和输出功率为+36.5 dBm。CMD184采用50欧姆匹配设计，无需进行射频端口匹配。CMD184提供完全钝化，以提高可靠性和防潮性。具备的特征•超宽带性能•高输出功率•高增益•高线性装配指南CMD184的背面是RF接地。建议使用共晶芯片连接。高频设备应遵循标准装配程序。半导体的顶面应与相邻的射频传输线平齐，射频去耦电容器应放置在芯片上的直流连接附近。RF连接应尽可能短，以减少键合线的电感效应。强烈建议使用0.8密耳的热超声楔键合，因为环高度将最小化。如图所示，射频输入和输出需要双键合线。半导体厚度为100微米，应通过管芯侧面或使用定制夹头进行处理。不要直接接触芯片表面，因为这会损坏单片电路。小心轻放。偏置和操作CMD184由正漏极电源、正栅极电源和负栅极电源偏置。 开启程序：1.施加栅极电压Vgg1，并将其设置为足以夹断漏极电流的电压（~-8V）2.施加漏极电压Vdd并设置为+28V3.施加栅极电压Vgg2并设置为+10V4.增加Vgg1（负向减小）以实现700mA的漏极电流关闭程序：1.关断栅极电压Vgg22.关闭漏极电压Vdd3.关断栅极电压Vgg1RF功率可以在任何时候施加。
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2026/5/28 14:50:33
Vishay 扩展其IHXL径向孔式电感系列，新增四款新器件，旨在以更低成本实现性能提升。采用新型铁合金芯材，较前一代器件降低芯损20%，同时降低温度上升，汽车级IHXL1500VZ-3A和IHXL-2000VZ-3A以及商用IHXL1500VZ-31和IHXL-2000VZ-31，具备+155°C的高温运行，并具备优异的电磁兼容性（EMC），适用于高达209安培的滤波应用。Vishay Dale设备将作为高电流输入滤波器、直流/直流转换器和电池充电系统中的直流链路滤波器，汽车、工业和太阳能和风能应用中的无刷直流电机（BLDC）以及差动模和升压功率因数校正（PFC）扼流器。这些电感的价格低于上一代IHXL系列器件，将改进的铁芯损耗与最高达10 μH的高电感相结合，从而实现更高的阻抗，从而实现更好的滤波和更强的开关变换器中的纹波电流控制。IHXL1500VZ-3A、IHXL1500VZ-31、IHXL-2000VZ-3A 和 IHXL-2000VZ-31 采用磁屏蔽结构，采用压制粉末机身，能容纳杂散磁通，减少与周围元件的耦合，并最大化电磁作用，相较于传统带线器件内部线圈暴露。这种压制粉末铁结构还具有低内部热阻——减少热点并提升主动冷却性能——而平坦的表面便于外部散热片的安装。电感器内部粗铜导体支持1500（38.1毫米×38.1毫米×21.89毫米）和2000（50.8毫米×50.8毫米×21.7毫米）机壳尺寸中55安培至209安培的广泛负载。其软饱和芯材通过避免硬饱和，确保在多种负载条件下——包括高瞬态电流尖峰时——的电感稳定。符合RoHS标准、无卤素及Vishay Green、IHXL1500VZ-3A、IHXL1500VZ-31、IHXL-2000VZ-3A和IHXL-2000VZ-31，具有高抗热冲击、防潮和机械冲击能...
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2026/5/28 11:38:27
CMD262是一款5 W的GaN MMIC功率放大器芯片，非常适合需要高功率和高线性度的Ka波段通信系统。该器件的增益超过24 dB，相应的输出1 dB压缩点为+37 dBm，饱和输出功率为+38 dBm，功率附加效率为29%。CMD262采用50欧姆匹配设计，无需外部直流隔直电容和射频端口匹配。CMD262具有完全钝化功能，可提高可靠性和防潮性能。特征•高功率•高线性•卓越的效率•尺寸：2720 um x 1520 um偏置和操作CMD262由正漏极电源和负栅极电源偏置。当漏极电压设置为+28 V时，性能得到优化。标称栅极电压为-4 V。开启程序：1.施加栅极电压Vgg并设置为-6V2.施加漏极电压Vdd并设置为+28V3.增加Vgg（负向减小）以实现350mA的漏极电流关闭程序：1.关闭漏极电压Vdd2.关断栅极电压VggRF功率可以在任何时候施加。CMD262其功能框图如下：
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2026/5/27 16:03:42
Qorvo的QPA3069是一款封装式高功率S波段放大器，采用Qorvo的0.25微米硅碳氮化镓（SiC）上氮化镓（GaN）工艺（QGaN25）制造。QPA3069覆盖2.7至3.5吉赫兹（GHz）频段，可提供50分贝毫瓦（dBm）的饱和输出功率和25分贝的大信号增益，同时实现53%的功率附加效率。QPA3069采用7毫米x7毫米的48针塑料包覆成型封装。它能够支持多种工作条件，以最大限度地满足系统需求。凭借良好的热性能，它能够支持一定范围的偏置电压。QPA3069 MMIC在两个射频端口上均配备了隔直电容，且这些电容与50欧姆相匹配。QPA3069非常适用于军用雷达系统。无铅且符合RoHS标准。特征•频率范围：2.7-3.5 GHz•PSAT（PIN=25 dBm）：>50 dBm•PAE（PIN=25 dBm）：>53%•功率增益（PIN=25 dBm）：>25 dB•偏置：VD=30V，IDQ=300mA，PIN=25dBm•封装尺寸：7.00 x 7.00 x 0.85毫米应用•雷达QPA3069其功能框图如下：
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2026/5/27 15:59:08
Qorvo的QPA0708T是一款功率放大器，采用Qorvo的0.15微米硅碳氮化镓（QGaN15）工艺制造，并安装在高导热性标签上。该放大器工作频率在7.9至8.4吉赫兹之间，可实现36分贝的小信号增益、32瓦的线性功率和-25分贝的互调失真产物，饱和输出功率为72瓦，功率附加效率为49.3%。QPA0708T非常适合支持卫星通信。为了简化系统集成，QPA0708T与50欧姆完全匹配，射频输入端口直流短路，射频输出端口集成有直流阻断电容。QPA0708T芯片在晶圆上进行100%直流和射频测试，以确保符合电气规格。无铅且符合RoHS标准。特征•频率范围：7.9-8.4 GHz•PSAT（PIN=18 dBm）：48.6 dBm•PAE（PIN=18 dBm）：49.3%•功率增益（PIN=18 dBm）：30.6 dB•IMD3（42 dBm/音）：-25 dBc•小信号增益：36 dB•偏压：VD=26 V，IDQ=904 mA•封装尺寸：5.817毫米x 6.172毫米x 0.254毫米应用•卫星通信QPA0708T其功能框图如下：
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2026/5/27 15:54:58
Qorvo的QPA2212D是一款Ka波段功率放大器，采用Qorvo的0.15微米硅碳氮化镓（QGaN15）工艺制造。该设备工作频率在27.5至31吉赫兹之间，可实现10瓦的线性功率，互调失真产物为-25分贝，小信号增益为22分贝。饱和输出功率为25瓦，功率附加效率为25%。QPA2212D非常适合支持卫星通信和5G基础设施。为了简化系统集成，QPA2212D在两个输入/输出端口上均集成了隔直电容，从而与50欧姆完全匹配。QPA2212D在晶圆上经过100%的直流和射频测试，以确保符合电气规格。无铅且符合RoHS标准。特征•频率范围：27.5–31 GHz•PSAT（PIN=25 dBm）：>43.4 dBm•PAE（PIN=25 dBm）：>25%•功率增益（PIN=25 dBm）：>18.4 dB•IMD3（37 dBm/音）：<-25 dBc•小信号增益：22 dB•偏压：VD=22 V，IDQ=460 mA•封装尺寸：3.630 x 4.792 x 0.050毫米应用•5G基础设施•卫星通信QPA2212D其功能框图如下：
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2026/5/27 15:52:27
Qorvo的QPA3055P是一款封装式高功率S波段放大器，采用Qorvo的0.25微米硅碳氮化镓（SiC）上氮化镓（GaN）生产工艺（QGaN25）制造。QPA3055P的工作频率范围为2.9至3.5吉赫兹，可提供100瓦的饱和输出功率和25分贝的大信号增益，同时实现53%的功率附加效率。QPA3055P采用10引脚、15.2 x 15.2毫米的螺栓固定封装，并采用铜基板以实现卓越的热管理。它能够支持多种工作条件，以最大限度地满足系统需求。凭借良好的热性能，它能够支持各种偏置电压，并在短脉冲和长脉冲操作下均表现良好。QPA3055P MMIC的两个射频端口上均装有隔直电容，且与50欧姆阻抗匹配。QPA3055P非常适用于商用和军用雷达系统。符合RoHS标准。特征•频率范围：2.9-3.5 GHz•PSAT（PIN=25 dBm）：50 dBm•PAE（PIN=25 dBm）：>53%•功率增益（PIN=25 dBm）：25 dB•偏置：VD=30V，IDQ=300mA，PIN=25dBm•备用偏置：VD=30 V，IDQ=1500 mA，PIN=22 dBm•脉宽=15ms，直流=30%，脉宽=100us，直流=10%•包装尺寸：15.2 x 15.2 x 3.5毫米应用•雷达QPA3055P其功能框图如下：
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2026/5/27 15:30:18
Qorvo的QPA2640T是一款高功率MMIC放大器，采用Qorvo的0.15微米GaN on SiC生产工艺（QGaN15）制造，并安装在高导热性接片上。QPA2640T工作频率为20-40 GHz，可提供8 W的饱和输出功率，具有12 dB的大信号增益和12%的功率附加效率。为了简化系统集成，QPA2640T在两个输入/输出端口上均集成了隔直电容，从而实现了与50欧姆的完全匹配。QPA2640T非常适合支持商业和军事市场中的通信和雷达应用。QPA2640T在晶圆上经过100%的直流和射频测试，以确保符合电气规格。无铅且符合RoHS标准特征•频率范围：20-40GHz•PSAT（PIN=27 dBm）：39 dBm•PAE（PIN=27 dBm）：12%•功率增益（PIN=27 dBm）：12 dB•小信号增益：22 dB•回波损耗：>7 dB•偏压：VD=18 V，IDQ=2040 mA，VG≈-2.3 V典型值。•尺寸：3.58 x 6.05 x 0.33毫米应用•通讯•雷达•点对点无线电•电子战QPA2640T其功能框图如下：
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2026/5/27 15:27:38
Qorvo的QPM2239是一款封装式大功率Ku波段放大器模块，采用Qorvo的0.15微米硅碳氮化镓（SiC）上氮化镓（GaN）生产工艺（QGaN15）制造。QPM2239的工作频率范围为13至15.5吉赫兹，可提供80瓦的饱和输出功率和29分贝的小信号增益，同时实现超过25%的功率附加效率。QPM2239采用10引脚、19.05 x 19.05毫米的螺栓固定封装，底部为铜基，以实现卓越的热管理。它能够支持各种工作条件，以最佳地满足系统需求。凭借良好的热性能，它能够支持一系列偏置电压，并且在连续波（CW）工作状态下表现良好。QPM2239在两个射频端口上均装有隔直电容，且这些电容与50欧姆阻抗匹配。非常适合支持商业和军事市场中的通信和雷达应用，且符合RoHS标准。特征•频率范围：13-15.5 GHz•PSAT（PIN=25 dBm）：49 dBm•PAE（PIN=25 dBm）：>25%•IM3（POUT/音调=38 dBm）：-22 dBc•小信号增益：29 dB•偏压：CW，VD=+28 V，IDQ=800 mA，VG=-2.5 V典型值。•包装尺寸：19.05 x 19.05 x 4.5毫米应用•商用甚小口径终端•军用卫星通信•数据链路•雷达QPM2239其功能框图如下：
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2026/5/27 15:24:45
QPD1034是一款1700 W（P3dB）全匹配的GaN射频模块，工作频率范围为0.96至1.215 GHz，供电电压为65 V。该模块采用SiC基GaN HEMT技术，非常适合IFF、航空电子设备和测试仪器。该模块支持脉冲操作。特征•工作频率：0.96至1.215 GHz•工作电压：65 V•线性增益：19.4 dB（1）•输出功率（P3dB）：1734 W（1）•排水效率（P3dB）：61.6%（1）•脉冲操作•托盘EVB尺寸：4.250英寸x 2.235英寸x 0.640英寸应用•DME雷达•敌我识别应答机•航空电子设备QPD1034其功能框图如下：
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2026/5/27 15:20:13
Qorvo的QPM1021是一款采用Qorvo量产的0.15微米硅碳氮化镓（GaN on SiC）工艺制造的封装式高功率放大器。QPM1021的工作频率为10-12吉赫兹，可提供100瓦（50分贝毫瓦）的饱和输出功率，具有20分贝的大信号增益和超过32%的功率附加效率。QPM1021采用10引脚、19.05 x 19.05毫米的螺栓固定封装，配有纯铜基座，以实现卓越的热管理。两个射频端口内部均已进行直流阻断处理，并匹配至50欧姆，便于系统集成。QPM1021非常适合商用和军用雷达系统、卫星通信系统以及数据链路。符合RoHS标准。特征•频率范围：10-12 GHz•PSAT：>50 dBm（PIN=28 dBm）•PAE:>32%（PIN=28 dBm）•大信号增益：>20 dB（PIN=28 dBm）•小信号增益：>26 dB•偏压：VD=28 V，IDQ=2.0 A•包装尺寸：19.05 x 19.05 x 4.52毫米•脉冲操作下的性能应用•雷达•电子战QPM1021其功能框图如下：
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2026/5/27 14:45:31
QPB0220J是一款基于GaN MMIC技术的固态驱动放大器，工作范围为2-18 GHz，饱和输出功率为39.1 dBm（8瓦）。其紧凑的尺寸和重量使其能够用于驱动电子战和雷达应用中微波高功率发射机中的多个Spatium功率放大器。平面多级驱动模块，适用于在2-18 GHz频段运行的现有Spatium平台。该模块配备可变衰减器和温度传感器，可补偿工作温度范围内的增益变化。门偏置和可变衰减器的设置可通过非易失性I2C数字电位器进行数字编程。射频输入和输出通过SMA连接器实现。直流和控制接口通过微型D-Sub连接器提供。特征•频率范围：2 – 18 GHz•饱和输出功率：39.1 dBm（PIN=14 dBm）•固态MMIC可靠性•即时开启（无预热）应用•空间驱动放大器QPB0220J其功能框图如下：
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2026/5/27 14:40:47
QPB3238J是一款固态驱动放大器，工作频率范围为32-38 GHz，饱和输出功率可达42 dBm（15瓦）。其紧凑的尺寸和重量使其非常适合在32-38 GHz频段驱动Qorvo的Spatium SSPA，适用于电子战、雷达和军事通信应用。QPB3238J包含一个直流使能功能，可用于对放大器的射频输出进行脉冲调制。在空白（禁用）模式下，放大器的电流降至接近0A，从而降低了噪声和功耗。射频输入和输出通过WR28波导连接实现。直流电源和控制/监控接口通过微型D-Sub连接器提供。特征•频率范围：32 – 38 GHz•饱和输出功率：43 dBm（PIN=5 dBm，脉冲）•饱和输出功率：42 dBm（PIN=5 dBm，CW）•固态MMIC可靠性•即时开启（无预热）•空白模式•快速直流脉冲应用•TWTA更换•电子战•雷达•通讯QPB3238J其功能框图如下：
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2026/5/27 14:36:37
TDK公司宣布其Micronas快速霍尔传感器位置传感器系列新增HAL 3025。继HAL 3020和HAL 3021成功发布后，HAL 3025扩展了产品组合，配备了单芯片传感器，该传感器符合严格的ISO 26262 ASIL D要求，并专为下一代X线控电机控制应用设计。HAL 3025通过TDK-Micronas的SixSense技术评估垂直磁场分量，测量完整的360°旋转角，这一方法与HAL 3021同样采用。通过根据ISO 114528抑制外部直流和交流磁场的杂散，传感器支持紧凑型电机设计，使电力电子元件靠近传感元件。它还消除了昂贵的磁性屏蔽或超大目标磁铁的需求，使设计师在电机布局设计上拥有更大自由度，降低了整体系统成本。一个简单的两极铁氧体磁铁，轴端配置就足够了。HAL 3025 设计为 SEooC ASIL D 准备，实现单芯片故障保护架构，相比多芯片方法降低了系统复杂度、材料清单和板块空间。该设备集成了多种片上安全监控功能，以最大化诊断覆盖并减少对ECU的外部监控需求。结果是：更早更广泛的故障检测，更简单的系统诊断，以及对安全启动和运行时运行的更高信心。该传感器专为高性能电机控制设计，支持转速高达60,000转/分钟的应用。模拟信号路径确保了快速响应时间和高输出带宽，这对现代电动动力系统和安全关键执行器至关重要。利用HAL 3025的差分或单端正弦余弦模拟输出，外部微控制器或电子控制单元（ECU）可以高分辨率计算绝对角位置。设备的非易失性存储器允许通过传感器的输出引脚编程关键信号路径参数，如正弦/余弦增益、偏移、正交性、0角和磁信号带宽。这消除了对额外编程引脚的需求，并为设计者提供了最大的线路校准灵活性。为确保在恶劣环境中的长期可靠性，该传感器的工作温度范围为-40°C至170°C，并采用紧凑型SOIC8 SMD封装。与HAL 3...
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2026/5/27 14:16:23
Mini-Circuits的ZC4PD-18263-S+是一款超宽带四路0˚分路器/合路器，覆盖范围从18 GHz到26.5 GHz，支持包括K波段、仪器仪表等在内的广泛应用。该型号作为分频器可提供20W的功率处理能力，并在整个工作频率范围内具有极低的插入损耗，从而最大限度地减少了功率损耗，并实现了从输入到输出的优异信号功率传输。ZC4PD-18263-S+封装在一个尺寸为1.00 x 2.04 x 0.5英寸的机箱中。 特性•超宽带，18000至26500 MHz•插入损耗低，典型值为1.1 dB。•低振幅不平衡，典型值为0.10 dB。•出色的VSWR，典型值1.13:1。•高隔离，典型值28 dB。应用程序•5G•固定卫星•空间研究•移动
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2026/5/26 15:00:58
Mini-Circuits的ZVBP-323-S+是一款同轴腔体滤波器，采用具有极高Q值的谐振结构设计，非常适合窄带、高选择性的应用场景。关于Mini-Circuits的同轴腔体滤波器需要注意，其采用特殊的保护组件，以防止意外失谐，否则将需要昂贵的更换或返厂重新调谐。精密的加工技术使得腔体滤波器能够实现小尺寸，适用于对尺寸要求严格的应用场景。主要特点低插入损耗，典型值0.2dB。良好的回波损耗，典型值22dB。出色的抑制效果，典型值为80dB。高达1500MHz的宽阻带应用测试测量实验室使用
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2026/5/26 14:58:50