THS6214是一种双端口、电流反馈结构、差分线路驱动放大器系统，是xDSL系统的理想选择。该设备适用于支持G.993.2 VDSL2 17a配置文件的超高速数字用户线路2（VDSL2）线路驱动系统，该系统支持大于14.5 dBm的线路功率。该设备的速度也足以支持高达30 MHz的14.5 dBm线路功率的中央办公室传输。该设备还可作为线路驱动器应用的宽带或宽带电力线通信（PLC）放大器。THS6214独特的结构使用最小的静态电流，仍然可以实现非常高的线性度。在全偏置条件下，差分失真在1 MHz时为-93 dBc，在10 MHz时仅降至-73 dBc。放大器的固定多个偏置设置允许在不需要放大器的全部性能的情况下，提高线路长度的功率节省。为了实现更大的灵活性和节能，可使用可调电流引脚（IADJ）进一步降低偏置电流。43.2 VPP（100-Ω差分负载）的宽输出摆幅，带±12 V电源，加上超过416 mA的电流驱动（25-Ω负载），允许宽动态净空，保持最小失真。THS6214在VQFN-24或HTSSOP-24电源板中提供™ 包裹
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2021/10/29 14:22:35
OPA2670提供新兴xDSL和电力线调制解调器驱动器应用所需的高输出电流和低失真。OPA2670在单个+12V电源上工作，消耗低30.5mA静态电流，以提供非常高的700mA输出电流。该输出电流甚至支持最苛刻的xDSL要求，最小输出电流大于450mA（+25°C最小值），谐波失真低。差分驱动器应用在全速率ADSL的峰值上行功率水平下提供小于–71dBc的失真。高320MHz带宽还支持最苛刻的VDSL2线路驱动器要求。电源控制功能可使系统电源最小化。两条逻辑控制线允许四种静态电源设置，包括全功率、66%功率、33%功率和关机。
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2021/10/29 14:20:31
ALM2402-Q1 是一款具有保护功能的双路高电压、高电流运算放大器，非常适合用于驱动低阻抗和/或高等效串联电阻 (ESR) 的容性负载。 ALM2402-Q1 由 5.0V 至 16V 范围内的单电源或分离电源供电运行，可提供高达 400mA 的直流输出。每个运算放大器均具有过热标志以及过热关断功能。 该器件还为每个输出级提供了独立的电源引脚，允许用户对输出施加较低电压以限制 Voh，从而限制片上功耗。ALM2402 提供有 12 引脚无引线 DRR 封装和 14 引脚带引线散热薄型小外形尺寸 (HTSSOP) 封装（预览）。 这两种封装均包含导热焊盘，有助于散热。 而且这两种封装的热阻均非常低，能够以最低的芯片温升实现最佳电流驱动能力， 从而使客户在恶劣的温度条件下也能够获得较高的驱动电流。 可从下图中确定器件的最大功耗。
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2021/10/29 14:17:18
OPA521 是一种线路驱动器功率放大器，符合 CENELEC 频带 A、B、C、D 和 ARIB STD-T84、FCC 第 15 部分的电力线通信 (PLC) 传导发射要求。此器件在高电流、低阻抗且具有无功负载的线路上最高可提供 2.5A 电流。OPA521 具备优化的内部保护结构，因此它只需极少的外部保护组件，实现具有经济效益且节省空间的系统。OPA521 带宽为 3.8MHz，可提供 –7V/V 的闭环增益。此单片集成型电路为电源线通信应用提供 高可靠性。OPA521 线路驱动器由 7V 至 24V 电压的单电源供电。在典型负载电流情况下（IOUT = 2.5A，最大值），宽输出摆幅能够以 24V 的标称电源电压提供 10VPP 电压。此器件具有过热和短路保护。故障检测标志显示电流和热限值。提供有一个关断引脚，利用该引脚可将器件置于低功耗状态，消耗电流为 58?A（典型值）。OPA521 可提供表面贴装式 5mm × 5mm 20 引脚 VQFN (RGW) 封装。此器件可在 -40°C 至 +125°C 的扩展工业结温范围内正常运行。
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2021/10/29 14:14:14
热电偶（thermocouple）是把两种不同材料的金属的一端连接起来，利用热电效应来测量温度的传感器。本文主要介绍了用作三相霍尔传感器无刷直流驱动器的Z16FMC微控制器。该微控制器具有使用多电机开发套件的片上集成应用程序阵列，该套件可提供快速而精确的故障控制，以及高系统效率和易于定制的应用程序固件开发。基于三相霍尔传感器无刷直流驱动器的Z16FMC微控制器硬体设计该设计涉及以闭环或开环方式运行BLDC电动机，其速度由电位计设置。如架构图所示，该设计通过Z16FMC微控制器PWM模块生成PWM电压，以运行BLDC电机。显示器运行时，三个霍尔传感器的状态根据转子位置而变化。根据传感器的状态（换向）切换三相的电压。霍尔传感器每60度中断一次捕获计时器刻度，以测量电动机的转子速度。在电流过载，欠压或过压以及温度过高的情况下，可以使用其他外围功能来保护系统。以下各节介绍了硬件。三相桥式MOSFET三相桥式MOSFET由六个以桥式连接的MOSFET组成，用于驱动BLDC电机的三相。直流母线保持在24 V，这与BLDC电机的额定电压相同。每个高端和低端MOSFET相对都使用单独的Hi-Lo栅极驱动器，从而使硬件设计更简单，更可靠。自举电容器充电会驱动高端MOSFET。使用分压器将其降低至合适的值可监控直流母线电压，在直流回路中并联一个分流器可监控直流母线电流。NTC型温度传感器提供与温度成正比的模拟电压输出。PWM模块Z16FMC微控制器包含一个在此应用中配置为以互补模式运行的6通道，12位PWM模块。开关频率设置为20 kHz。PWM输出根据霍尔传感器的输入进行控制。霍尔传感器的输入确定了三相桥式MOSFET的开关顺序。PWM的占空比与加速器电位计输入成正比。占空比的变化控制通过电动机绕组的电流，从而控制电动机转矩。换向逻辑霍尔传感器连接到Z16FMC微控制器上的端口PD3，PD4...
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2021/10/29 14:07:30
10月28日消息，根据市场调研机构TrendForce 表示，在全球电子产品供应链出现芯片荒的同时，晶圆代工产能供不应求衍生的各项涨价效应，推升前十大晶圆代工业者产值在2020 及2021 年连续两年皆出现超越20% 的年增长率，突破千亿美元大关。展望2022 年，在台积电为首的晶圆代工厂的涨价潮带动下，预期明年晶圆代工产值将达1,176.9 亿美元，年增13.3%。芯片荒驱动，晶圆代工厂新产能将陆续于2022 下半年开出TrendForce表示，2021年前十大晶圆代工业者资本支出超越500亿美元，年增43%；2022年在新建厂房完工、设备陆续交货移入的带动下，资本支出预估将维持在500~600亿美元高档，年增幅度约15%，且在台积电正式宣布日本新厂的推升下，整体年增率将再次上修，预估2022年全球晶圆代工8吋晶圆年均产能将新增约6%，12吋晶圆将年增约14%。由于8吋晶圆制造设备价格与12吋相当，但晶圆平均销售单价却相对较低，扩产较难达到成本效益，因此扩产幅度相当有限；12吋方面，从制程来看，12吋新增产能当中，超过50%为现今最为短缺的成熟制程（1Xnm及以上），且相较于2021年新增产能多半来自华虹无锡及合肥晶合，2022年新增产能主要来自台积电及联电，扩产制程集中于现阶段极其短缺的40nm及28nm节点，预期芯片荒将稍有缓解。缺货潮现趋缓，然而长短料问题仍将持续冲击部分终端应用从应用别来看，由于消费型电子终端产品如笔电、汽车以及多数物联网家电等，目前呈现短缺的周边零组件多半以28nm（含）以上成熟制程制造，在2022下半年新增产能陆续开出的前提下，供货上有望稍获缓解；然而，在40nm及28nm产能紧缺出现缓解迹象的同时，8吋产能以及1Xnm制程的紧缺仍然是2022年不容忽视的重点。从8吋供给端来看，在产能增幅有限的情况下，5G手机及电动车渗透率持续提升，大幅带动P...
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2021/10/29 13:55:18
静电放电 (ESD) 现象从一开始就存在。我们第一次接触 ESD 往往是在孩童时代，在干燥的冬日触碰金属门把手时，会有种触电的感觉——这就是静电放电。这种短暂的不适感通常对人类来说不是问题，但是即使是少量的 ESD 也有可能会损毁敏感电路。 手机设计人员一直都面临着何时以及如何解决这一自然现象的挑战。本博客解释了系统级 ESD 保护为何如此重要，同时使大家能够了解提高移动设备中系统级 ESD 保护的测试模型和战略。ESD 模型和波形的测试人体和衣服一天可存储 500 V 至 2,500 V 静电电荷，但是人类只能感受到 3,000 至 4,000 V 的 ESD 脉冲。这远高于电子电路受损的水平，即使人类无法检测到。设计人员必须从多方面解决 ESD 问题，对组件制造商来说，是在其设计阶段和设计工作结束之时。简而言之，ESD 保护需要一种多层面方案。通常，集成电路 (IC) 制造商按照 ESD 行业标准设计、测试和验证其 IC。这可防止在 IC 生产或在 PC 板上组装时出现物理损坏。针对 ESD，通常进行的两种测试包括：● 人体模型 (HBM)。这种测试模拟人体通过接触 IC 释放所积累的静电的 ESD 事件。采用一个带电的 100 pF 电容和一个 1.5 k? 放电电阻进行模拟。● 带电设备模型 (CDM)。这种测试模拟在生产设备和工艺中发生的充电和放电事件。设备在一些摩擦工艺中或静电感应过程中获得电荷，然后突然接触到一个接地物体或表面。虽然设备级测试有助于衡量 IC 的 ESD 稳健性，但系统级测试可衡量现场的电子设备保护（即原始设备制造商 [OEM] 设备或终端产品）。为了更好地了解最终产品所需的 ESD 保护，OEM 应采用系统级 ESD 方法进行设计，然后按照国际...
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2021/10/29 13:45:52
在重负载时，如果MOSFET的体二极管的反向恢复时间trr较长，且有电流残留，则在超前臂的MOSFET关断时，寄生双极晶体管可能会误导通，从而损坏MOSFET。这种问题发生在由关断时产生的对漏源电容CDS的充电电流而使寄生双极晶体管自发地导通（误导通）、瞬间流过大电流时。关键要点在重负载时，如果trr较长，则超前臂关断时，寄生双极晶体管可能会误导通，从而损坏MOSFET。在PSFB电路中，在反向恢复期间体二极管的偏置电压几乎为0V，因此电荷释放速度变慢，最终导致trr变长。在PSFB电路中使用trr小的MOSFET很重要。即使是快速恢复型SJ MOSFET，其性能也会因制造商和产品系列而异，因此在选择时需要充分确认。在重负载时，如果MOSFET的体二极管的反向恢复时间trr较长，且有电流残留，则在超前臂的MOSFET关断时，寄生双极晶体管可能会误导通，从而损坏MOSFET。这种问题发生在由关断时产生的对漏源电容CDS的充电电流而使寄生双极晶体管自发地导通（误导通）、瞬间流过大电流时。在逆变器电路等电路中，在正向电流流过MOSFET的体二极管的状态下，通过施加高反向偏置电压，强制使体二极管中的电荷（Qrr）被快速释放。这种放电所需时间为trr，因此最终会导致trr变短。而在PSFB电路中，在反向恢复期间施加到体二极管的偏置电压几乎为0V，这会使电荷释放速度变慢，最终导致trr变长。下图为超前臂MOSFET的VDS、ID和反向恢复电流示意图。当trr变长时，反向恢复所产生的电流会发生变化，如图中红色虚线所示。也就是说，当关断时，MOSFET中有电荷残存，这使得电流更容易流动，使寄生双极晶体管更容易误导通。t0～t1：从MOSFET的输出电容放电，正向电流开始流过体二极管。t1～t3：体二极管导通的时间段。t1～t5：MOSFET导通，处于导通状态的时间段。t3～t4：体二极管流...
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2021/10/29 13:35:57
AD8045是一款单位增益稳定的电压反馈型放大器，具有超低失真、低噪声和高压摆率特性。该器件在20 MHz时的无杂散动态范围为-90 dBc，堪称超声、自动测试设备(ATE)、有源滤波器和模数转换器(ADC)驱动器等各种应用的理想解决方案。ADI公司专有的新一代XFCB工艺和创新结构造就了如此高性能的放大器。针对LFCSP封装，AD8045采用低失真引脚排列，既改善了二次谐波失真，又简化了电路板布局。该器件的带宽为1 GHz，压摆率为1350 V/µs，0.1%建立时间为7.5 ns。该器件具有宽工作电压范围（3.3 V至12 V）和低失调电压(200 μV)，特别适合需要高动态范围、精度以及高速度的系统。AD8045放大器提供3 mm × 3 mm LFCSP和标准8引脚SOIC两种封装。这些封装都具有裸露焊盘，提供到达印制电路板(PCB)的低热阻路径。可实现更有效的热传输，并提高可靠性。AD8045的工作温度范围为-40°C至+125℃扩展工业温度范围。优势和特点超低失真SFDR-101 dBc (5 MHz)-90 dBc (20 MHz)-63 dBc (70 MHz)三阶截点43 dBm (10 MHz)低噪声3 nV/√Hz3 pA/√Hz高速-3 dB带宽：1 GHz (G = +1)压摆率：1350 V/µs0.1%建立时间：7.5 ns标准及低失真引脚排列电源电流：15 mA失调电压：1.0 mV(最大值)宽电源电压范围：3.3 V至12 V
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2021/10/29 13:24:29
EVAL-ADIS-FX3 是 iSensor 评估产品系列的最新成员，其设计初衷是为了给用户提供易于使用的解决方案，以在实验室和表征环境中捕获可靠的惯性数据。EVAL-ADIS-FX3 具有以最大吞吐量捕获惯性传感器数据的功能，同时与外部测试设备连接，并对外部触发信号做出反应。除了启动重新设计的硬件平台之外，我们还开发了强大的 API，可帮助用户快速构建可捕获可靠传感器数据的自定义应用程序。我们在 API 中囊括了许多有用的功能，使设计人员能够在任何 .NET 兼容环境中表征传感器的性能。应用惯性检测机器人自主驾驶平台稳定性
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2021/10/29 13:19:34
业界领先的半导体供应商兆易创新GigaDevice(股票代码 603986)正式推出基于Arm? Cortex?-M23内核MCU的最新成员，GD32L233系列主流型低功耗微控制器。GD32L233系列MCU以多种运行模式和休眠模式提供了优异的功耗效率和优化的处理性能。与业界同类低功耗产品相比，具备更加丰富的外设资源和应用灵活性，从而为系统级能源效率的持续提升开辟道路，广泛适用于工业表计、小型消费电子设备、便携式医疗设备、电池管理系统、数据采集与传输等典型市场。GD32L233产品组合提供了4种封装类型共10个型号选择，目前已经开始提供样片和开发板卡，并将于11月正式量产供货。GD32L233系列Cortex?-M23内核低功耗MCU全新工艺制程和芯片设计打造先进低功耗产品以低功耗理念贯穿于整个芯片设计过程，在制造工艺的演进、设计理念的发展以及芯片架构的创新等多个层面。全新GD32L233低功耗系列MCU产品，有效地优化系统功耗：基于超低功耗工艺制程。GD32L233系列MCU采用了业界领先的40nm超低功耗(ULP)制造技术，低漏电物理单元从硬件层面降低功耗。 专门优化的低功耗模拟IP。节能型终端设备常处于待机并可随时唤醒的状态，这也决定了芯片的部分模拟电路和外设处于常开模式。GD32L233系列MCU产品集成了专门优化的低功耗模拟IP，有效降低能量损耗。 采用低功耗数字设计方法学。全新芯片遵循了多种低功耗数字设计理念，特别是多电压域设计。在多种工作模式下，芯片能够控制闲置模块的通断电，避免出现不必要的能量流失，从而进一步强化低功耗特性。全面优化的功耗效率为低功耗应用续航GD32L233系列MCU的最高主频为64MHz，集成了64KB到256KB的嵌入式eFlash和16KB到32KB的SRAM，以及连接到两条APB总线的各类增强型I/O和外设资源。...
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2021/10/29 13:14:49
2021 年 10 月 29 日，比利时泰森德洛 - 全球微电子工程公司 Melexis 为应对更具挑战性的客户部署需求，进一步扩展了 MLX90412 产品系列。最新的 2.2A 泵/风扇驱动芯片符合车规要求，在应对高温环境和延长使用寿命方面进行了针对性优化。全球微电子工程公司 Melexis 推出集成有驱动级的单线圈泵/风扇芯片 MLX90412GLW，适用于环境温度较高的应用，例如汽车水泵。MLX90412GLW 可在内燃机（ICE）应用中驱动高达 15W 的泵，最高工作环境温度高达 135℃。在电动汽车（EV）85℃ 的最高环境温度范围内，可驱动高达 20W 的水泵。MLX90412GLW 可以满足日益增加的使用寿命需求。在 EV 应用（例如电池冷却）中可累计使用长达 15,000 小时。专用于汽车的单线圈电机驱动芯片 MLX90412GLW 具备全方位的先进保护。基于霍尔传感器的单线圈水泵具有众所周知的启动可靠性。借助 MLX90412GLW，泵制造商可以实现全面的水泵解决方案组合。MLX90412GLW 可以配置多种 BLDC 换向选项，从正弦波模式（相对于高转矩模式为 EV 提供理想的最低噪声性能）到低 EMI 模式（适用于需要最大限度减少外部 EMI 滤波器组件的开/关驱动模式）不一而足。此外，MLX90412GLW 不但可以驱动最基本的开关模式双线制泵，而且可以通过 PWM 接口驱动变速泵，并接入四线制水泵的诊断反馈，与 Melexis LIN MCU 网关 MLX81113 配合使用时还可以实现基于 LIN 的三线制水泵。与目前市场上现有的传统解决方案相比，MLX90412GLW 的集成度更高，需要的外部组件数量要少得多。用户友好型 GUI 支持配置所有可用选项，快速实现原型设计。整个开发阶段无需借助任何电机控制软件即可完成，以最少的工程资源快速实现产品...
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2021/10/29 13:12:07
ADL9005是一款砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)宽带低噪声放大器，工作频率范围为0.01至26.5 GHz。ADL9005在0.01 GHz至14 GHz范围内提供17.5 dB的典型增益，在14 GHz至20 GHz范围内具有正增益斜率，在0.01 GHz至20 GHz的1 dB压缩(OP1dB)，典型输出功率为13.5 dBm，在0.01 GHz到14 GHz范围内的典型噪声指数为2.5 dB，在0.01 GHz到14 GHz范围内的典型输出三阶交调点(OIP3)为26 dBm，采用5 V电源供电功耗仅80 mA。高达16 dBm的饱和输出功率(PSAT)使低噪声放大器(LNA)可用作ADI公司众多平衡同相/正交(I/Q)或镜像抑制混频器的本振(LO)驱动器。ADL9005还具有内部匹配50 ? 的输入和输出(I/O)，非常适合基于表贴技术(SMT)的高容量微波无线电应用。 ADL9005采用符合RoHS标准的4 mm × 4 mm LFCSP封装。 多功能引脚名称可能仅通过相关功能来引用。 优势和特点 单一正电源 低噪声指数：0.01 GHz 至 14 GHz 时为 2.5 dB（典型值） 高增益：0.01 GHz 至 14 GHz 时为 17.5 dB（典型值） OP1dB：0.01 GHz 至 20 GHz 时为 13.5 dBm（典型值） 高 OIP3：0.01 GHz 至 14 GHz 时为 26 dBm（典型值） 兼容 RoHS 的 24 引脚 4 mm &#...
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2021/10/28 11:36:15
ADL5580 是一款高性能、单端或差分放大器，具有 10 dB 的电压增益，并针对直流至 10.0 GHz 范围的应用进行优化。该放大器在很宽的频率范围内，提供 2.24 nV/√Hz 的低折合到输入 (RTI) 噪声谱密度 (NSD)（在 1000 MHz 时），并针对失真性能进行了优化，因此是高速 12 位至 16 位模数转换器 (ADC) 的理想驱动器。ADL5580 非常适用于高性能、零中频 (IF) 和复杂 IF 接收器设计。此外，对于单端输入驱动器应用，该套件保持低失真。 通过使用两个外部串联电阻，可以将差分输入的 10 dB 增益选择改为较低的增益值。此套件可在 0.5 V 输出共模电压下，保持低失真，在高达 1.4 V p-p 的全部电平下，可以灵活驱动 ADC。 ADL5580采用 +5 V 和 -1.8 V 电源供电，正负电源电流典型值分别为 +276 mA 和 -224 mA。该套件具有电源禁用功能，当电源禁用时，放大器消耗 2 mA 电流。 ADL5580针对在直流至 10.0 GHz 频率范围内的宽带、低失真和低噪声操作进行了优化。这些属性与其可调的增益功能一起，使得此套件成为适合驱动各种 ADC、混频器、Pin 二极管衰减器、表面声波 (SAW) 滤波器和多种离散射频 (RF) 套件的首选放大器。 ADL5580 利用 ADI 公司的高速硅锗 (SiGe) 工艺制造，采用紧凑式 4 mm x 4 mm 20 端子网格阵列封装封装，可在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内工作。 优势和特点 -3 dB 带宽：10.0 GHz 预设 10 dB...
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2021/10/28 11:32:08
ADPA7008CHIP 是一款砷化镓 (GaAs) 假晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT) 微波单片集成电路 (MMIC) 31 dBm 饱和输出功率（1 W）分布式功率放大器，工作频率为 20 GHz 至 54 GHz。该放大器提供 18 dB 的增益， 1 dB 的压缩 (P1dB) 时的输出功率为 30.5dBm， 在 22 GHz 至 42 GHz 时，输出三阶交调 (IP3) 的典型值为 38 dBm 。ADPA7008CHIP 工作时需要 5 V 的电源电压 (VDD) 输送 1500 mA 的电流，其输入和输出内部匹配到 50 ? ，便于集成到多芯片模块 (MCM) 中。所有数据均由通过最小长度为 0.076 毫米（3 密耳）的 0.076 毫米（3 密耳）带状键合连接的 RFIN 和 RFOUT 焊盘获得。 ADPA7008 芯片特性 输出 P1dB ：22 GHz 到 42 GHz 时为 30.5 dBm（典型值） PSAT：22 GHz 到 42 GHz 时为 31 dBm（典型值） 增益：22 GHz 到 42 GHz 范围内为 18 dB（典型值） 输入回波损耗：22 GHz 到 42 GHz 范围内为 22 dB（典型值） 输出回波损耗：22 GHz 到 42 GHz 范围内为 23 dB（典型值） 输出 IP3 ：22 GHz 到 42 GHz 时为 38 dBm（典型值） 电源电压：1500 mA 时为 5 V（典型值） 匹配 50 Ω 的输入输出 裸片尺寸：3.610 mm ×...
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2021/10/28 11:23:34
ADPA1107 是一款氮化镓 (GaN) 宽带功率放大器，可在 4.8 GHz 至 6.0 GHz 带宽范围内实现 45.0 dBm (35 W) 输出，典型功率附加效率 (PAE) 达 56.5%。ADPA1107 在 5.4 GHz 至 6.0 GHz 的带宽内具有 ±0.5 dB 的增益平坦度。 ADPA1107 非常适合脉冲波应用，例如雷达、公共移动射频和通用放大技术。 ADPA1107 采用 40 引脚、6 mm × 6 mm、引线框芯片尺寸级封装 (LFCSP)。 优势和特点 PIN = 27.0 dBm 时的 POUT：5.4 GHz 到 6.0 GHz 时为 45.0 dBm（典型值） 小信号增益：4.8 GHz 到 5.4 GHz 范围内为 30.5 dB（典型值） 频率范围：4.8 GHz 至 6.0 GHz PIN = 27.0 dBm 时的 PAE ：5.4 GHz 到 6.0 GHz 范围内为 56.5%（典型值） VDD：占空比为 10％ 时，在 IDQ = 350 mA 时为 28 V 40 引脚 6 mm × 6 mm LFCSP 应用 气象雷达 船用雷达 军用雷达
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2021/10/28 11:19:09
ADI公司的 ADCA3270 是一款 24 V 功率倍增器、单片微波 IC (MMIC)，具有 25 dB 的功率增益。通过使用先进的电路设计技术，如砷化镓 (GaA) 假晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT) 裸片和氮化镓 (GaN) HEMT 技术，该套件在 18 dB 的倾斜情况下，可实现高 RF 输出，高达 73 dBmV 的复合功率。可以在外部调整直流电流和电源电压，以便在各种输出级别实现最佳失真性能与功耗。ADCA3270 具有高增益，从而简化了 DOCSIS 3.1 基础设施设备的设计和制造。ADCA3270 采用 9 端子耐热性能增强型芯片阵列、小型、无引线腔 [LGA_CAV] 封装，具有标准尺寸。优势和特点RFCM3327 和 RFCM3328 的直接替代品总复合功率：73 dBmV高功率增益：1218 MHz 时为 25 dB出色的线性度极低失真复合三次差拍：-80 dBc（典型值）复合二阶差拍：-80 dBc（典型值）互调噪声的载波：59 dB（典型值）低噪声指数：45 kHz 时为 3 dB（典型值），1218 MHz 时为 4 dB（典型值）无条件稳定可配置电流：24 V 时，为 350 mA 至 480 mA温度监视器9端耐热性能增强型芯片阵列、小外形、无引线腔[LGA_CAV]应用45 MHz 至 1218 MHz 社区开放电视 (CATV) 基础设施放大器系统远程物理层 (PHY)符合 DOCSIS 3.1 标准
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2021/10/28 10:55:58
英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）推出首款汽车电流传感器——全新XENSIV? TLE4972。这款无磁芯电流传感器采用英飞凌久经考验的霍尔技术，可用于精确和稳定的电流测量。凭借其紧凑型设计和诊断模式，TLE4972是用于混合动力汽车和电池驱动汽车的牵引逆变器等xEV应用、以及电池主开关的理想选择。 基于其独特的温度和应力补偿特性，TLE4972可提供最先进的传感技术，并免受磁芯造成的负面影响。由于其差分传感结构，无需磁芯或屏蔽来保护传感器，使其免受杂散场的影响。集成的EEPROM允许为不同的应用定制传感器，支持高达2 kA的测量范围。 为了保护系统，该传感器有两个独立的输出引脚用于过流检测，典型响应时间小于1?s。客户可对灵敏度以及过流限值进行编程，使传感器适应系统要求。此外，灵敏度加上偏移量的温度漂移低于1.6%。 由于采用了磁感应原理，该传感器造成的功率损失非常低。因此，它可以作为400V或800V电池主开关的多功能冗余解决方案使用。小型PG-VSON-6封装实现了紧凑型设计，使该器件成为牵引逆变器的理想选择，此外还提供PG-TDSO-16封装。这两种封装的器件均根据ISO 26262，作为独立安全单元（Safety Element out of Context）研发，可满足ASIL B安全要求。 供应情况 XENSIV TLE4972-AE35D5 (PG-TDSO-16)的样品已经上市，TLE4972-AE35S5 (PG-VSON-6)将于2022年初上市。批量生产计划于2022年初开始。
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2021/10/28 10:48:21