AD7781是一款完整的低功耗前端解决方案，适用于桥式传感器产品，包括磅秤、应变计和压力传感器。它包含一个精密、低功耗、20位∑-ΔADC、一个片上低噪声可编程增益放大器（PGA）和一个片内振荡器。AD7781的功耗仅为330μA，特别适用于需要极低功耗的便携式或电池供电产品。AD7781还具有断电模式，允许用户在不转换时关闭电桥传感器的电源并关闭AD7781的电源，从而延长产品的电池寿命。为了便于使用，AD7781的所有功能都由专用引脚控制。每次发生数据读取时，8个状态位都会附加到20位转换中。这些状态位包含一个模式序列，可用于确认串行传输的有效性。片上PGA的增益为1或128，支持±5 V或±39 mV的满标度差分输入。该设备有两个滤波器响应选项。16.7 Hz更新率下的滤波器响应提供了卓越的动态性能。在此更新速率下，稳定时间为120ms。在10 Hz的更新率下，滤波器响应提供了优于-45 dB的阻带衰减。在称重传感器应用中，这种阻带抑制有助于抑制称重传感器的低频机械振动。在此更新速率下，稳定时间为300毫秒。在10 Hz和16.7 Hz的更新速率下，同时发生50 Hz/60 Hz的抑制。AD7781的电源电压为2.7 V至5.25 V。它有窄体、14引脚SOIC封装和16引脚TSSOP封装两种。应用：磅秤压力测量工业过程控制便携式仪表
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2026/4/22 13:37:26
如果RUN引脚上的电压低于0.7V，LTC3642将进入关闭模式，在该模式下，所有内部电路均被禁用，直流电源电流降至3µa。当RUN引脚上的电压超过1.21V时，主控制回路将正常运行。RUN引脚比较器具有110mV的内部滞后，因此必须降至1.1V以下才能禁用主控制回路。HYST引脚为RUN引脚操作提供了额外的灵活性。只要RUN比较器未跳闸，该漏极开路输出就会被拉到地，表明LTC3642未正常运行。在RUN引脚用于通过外部电阻分压器监测VIN电压的应用中，HYST引脚可用于增加有效的RUN比较器滞后。内部1ms软启动功能限制了启动时输出电压的斜坡率，以防止输入电源过度下降。如果需要更长的斜坡时间，从而减少电源下降，可以在SS引脚到地之间放置电容器。从该引脚流出的5µA电流将在电容器上产生平滑的电压斜坡。如果此斜坡率低于内部1ms软启动，则输出电压将受到SS引脚上斜坡率的限制。内部和外部软启动功能在启动时以及输入电源发生欠压或过压事件后重置。为了确保在任何应用中平稳的启动过渡，内部软启动还在1ms的斜坡时间内将峰值电感器电流从25mA斜坡上升到设定的峰值电流阈值。SS引脚上的外部斜坡不会限制启动期间的峰值电感器电流；然而，将电容器从ISET引脚接地确实提供了这种能力。
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2026/4/22 11:55:58
反馈比较器监测VFB引脚上的电压，并将其与内部800mV参考电压进行比较。如果该电压大于参考值，比较器将激活睡眠模式，在该模式下，电源开关和电流比较器将被禁用，从而将VIN引脚电源电流降低到仅12µa。随着负载电流对输出电容器放电，VFB引脚上的电压降低。当该电压降至800mV参考值以下5mV时，反馈比较器会跳闸并启用突发循环。在突发周期开始时，内部高压侧电源开关（P沟道MOSFET）接通，电感器电流开始上升。电感器电流增加，直到电流超过峰值电流比较器阈值或VFB引脚上的电压超过800mV，此时高压侧电源开关关闭，低压侧电源开关（N沟道MOSFET）打开。电感器电流下降，直到反向电流比较器跳闸，表明电流接近零。如果VFB引脚上的电压仍然低于800mV参考值，则高压侧电源开关再次打开，并开始另一个循环。突发循环期间的平均电流通常会大于平均负载电流。对于这种架构，最大平均输出电流等于峰值电流的一半。这种控制架构的滞后特性导致开关频率是输入电压、输出电压和电感器值的函数。这种行为提供了固有的短路保护。如果输出对地短路，电感器电流将在单个开关周期内非常缓慢地衰减。由于高侧开关仅在电感器电流接近零时接通，LTC3642在启动或短路条件下固有地以较低的频率切换。
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2026/4/22 11:54:33
LTC3642是一种高效、高压降压DC/DC转换器，具有内部高压侧和同步电源开关，在空载时仅消耗12µa的典型直流电源电流，同时保持输出电压调节。LTC3642可以提供高达50mA的负载电流，并具有可编程的峰值电流限制，为在低电流应用中优化效率提供了一种简单的方法。LTC3642的Burst Mode®操作、集成电源开关、低静态电流和可编程峰值电流限制的组合在广泛的负载电流范围内提供了高效率。LTC3642具有4.5V至45V的宽输入范围和能够通过60V浪涌保护零件的内部过电压监测器，是一款适用于调节各种电源的坚固转换器。此外，LTC3642还包括精确的运行阈值和软启动功能，以确保在任何环境中都能很好地控制电力系统的启动。LTC3642有热增强型3mm×3mm DFN和MS8E封装。具备的特性如下：宽输入电压范围：4.5V至45V60V输入瞬态耐受性内部高压侧和低压侧电源开关无需补偿50mA输出电流低压差操作：100%占空比低静态电流：12µA0.8V反馈电压参考可调峰值电流限制内部和外部软启动具有可调滞后的精确RUN引脚阈值3.3V、5V和可调输出版本固定输出版本只需要三个外部组件薄型（0.75mm）3mm×3mm DFN和热增强MS8E封装4mA至20mA电流回路常见应用：工业控制用品分布式电力系统便携式仪器电池供电设备汽车动力系统
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2026/4/22 11:42:37
LT8640-1可以在强制连续模式（FCM）下运行，在宽负载范围内实现快速瞬态响应和全频运行。在FCM中，振荡器连续工作，正SW转换与时钟对齐。在轻负载或大瞬态条件下，允许使用负电感电流。在这种模式下，LT8640-1可以从输出端吸收电流，并将这种电荷返回到输入端，从而改善负载阶跃瞬态响应（见下图）。在轻负载下，FCM操作的效率低于Burst Mode®操作或脉冲跳过模式，但在需要将开关谐波保持在信号频带之外的应用中可能是可取的。如果需要输出以吸收电流，则必须使用FCM。要启用FCM（仅限LT8640-1），请浮动SYNC/MODE引脚。此引脚上的漏电流应<1µA。如果VIN引脚保持在37V以上或FB引脚保持在反馈参考电压以上8%以上，则禁用FCM。FCM在软启动期间也被禁用，直到软启动电容器完全充电。当FCM以这些方式禁用时，不允许负电感电流，LT8640-1以脉冲跳过模式运行。为了在宽VIN和VOUT范围内稳健运行，请使用大于LMIN的电感器值。
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2026/4/22 11:37:34
ADRF6720是一款宽带正交调制器，集成有合成器，非常适合3G和4G通信系统。ADRF6720由一个高线性宽带调制器、一个集成分数N锁相环（PLL）和四个低相位噪声多核压控振荡器（VCO）组成。ADRF6720本地振荡器（LO）信号可以通过片上整数N和分数N合成器在内部生成，也可以通过高频低相位噪声LO信号在外部生成。内部集成合成器使用多核VCO实现356.25 MHz至2855 MHz的LO覆盖。在内部LO生成或外部LO输入的情况下，正交信号是用2分频器生成的。当ADRF6720在外部1×LO输入下工作时，多相滤波器会向混频器产生正交输入。ADRF6720为载波馈通优化、边带抑制、HD3/IP3优化和高端或低端LO注入提供了数字可编程性。ADRF6720采用硅锗BiCMOS工艺制造。它采用40引脚、符合RoHS标准、6 mm×6 mm LFCSP封装，带有暴露的焊盘。性能规定在-40°C至+85°C的温度范围内。具备的特性如下：集成分数N PLL的I/Q调制器射频输出频率范围：700 MHz至3000 MHz内部LO频率范围：356.25 MHz至2855 MHz输出P1dB:2140 MHz时为12.2 dBm输出IP3:2140 MHz时为32.6 dBm载波馈通：2140 MHz时为−40.3 dBm边带抑制：2140 MHz时为-37.6 dBc本底噪声：2140 MHz时为-157.9 dBm/Hz基带1 dB调制带宽：>1000 MHz基带输入偏置电平：0.5V电源：3.3 V/425 mA集成射频可调平衡-不平衡转换器，允许单端射频输出多核集成VCOHD3/IP3优化边带抑制和载波馈通优化高侧/低侧LO注入可通过3线串行端口接口（SPI）编程40导联6mm×6mm LFCSP
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2026/4/22 11:32:38
AD7923对电源上的噪声具有很好的抗扰性，如PSRR与电源纹波频率图所示，如下图所示。然而，在接地和布局方面仍应小心。容纳AD7923的印刷电路板的设计应使模拟和数字部分分开并限制在电路板的某些区域。这便于使用易于分离的接地平面。最小蚀刻技术通常最适合接地平面，因为它提供了最佳的屏蔽。AD7923的所有三个AGND引脚都应沉入AGND平面。数字和模拟接地平面应仅在一个位置连接。如果AD7923位于多个设备需要AGND到DGND连接的系统中，则连接仍应仅在一个点进行，即应尽可能靠近AD7923建立的星形接地点。避免在设备下方运行数字线路，因为它们会将噪声耦合到芯片上。应允许模拟接地平面在AD7923下方运行，以避免噪声耦合。AD7923的电源线应使用尽可能大的迹线，以提供低阻抗路径并减少电源线上的毛刺影响。快速开关信号，如时钟，应使用数字接地屏蔽，以避免向电路板的其他部分辐射噪声，时钟信号不应在模拟输入附近运行。避免数字和模拟信号的交叉。电路板两侧的迹线应相互垂直。这减少了电路板馈通的影响。微带技术是迄今为止最好的技术，但双面板并不总是可行的。在这种技术中，电路板的元件侧专用于接地平面，而信号则放置在焊料侧。良好的脱钩也很重要。所有模拟电源应与10µF钽去耦，并与AGND的0.1µF电容器并联。为了从这些解耦组件中获得最佳效果，它们必须尽可能靠近设备放置，最好正好对着设备。0.1µF电容器应具有低有效串联电阻（ESR）和低有效串联电感（ESI），如常见的陶瓷型或表面贴装型，它们在高频下提供低阻抗接地路径，以处理来自内部逻辑开关的瞬态电流。
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2026/4/22 11:27:12
模拟输入功能：文末图片显示了AD7923模拟输入结构的等效电路。两个二极管D1和D2为模拟输入提供ESD保护。必须注意确保模拟输入信号不会超过电源轨200 mV以上；否则这些二极管变为正向偏置并开始将电流传导到基板中。10mA是这些二极管可以传导的最大电流，而不会对零件造成不可逆的损坏。电容器C1，如文末图片所示，通常约为4pF，主要归因于引脚电容。电阻器R1是由跟踪和保持开关的导通电阻组成的集总元件，包括输入多路复用器的导通电阻器。总电阻通常约为400Ω。电容器C2是ADC采样电容器，通常具有30pF的电容。对于交流应用，建议在相关模拟输入引脚上使用RC低通滤波器从模拟输入信号中去除高频分量。在谐波失真和信噪比至关重要的应用中，模拟输入应由低阻抗源驱动。较大的源阻抗会显著影响ADC的交流性能。这可能需要使用输入缓冲放大器。运算放大器的选择取决于特定的应用。当不使用放大器来驱动模拟输入时，源阻抗应限制在低值。最大源阻抗取决于可以容忍的THD量。THD随着源阻抗的增加和性能的降低而增加。
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2026/4/22 11:16:32
AD7923是一款12位、高速、低功耗、4通道、逐次逼近型(SAR) ADC。 采用2.7 V至5.25 V单电源供电，最高吞吐量为200 kSPS。 该器件内置一个低噪声、宽带宽采样保持放大器，可处理高于8 MHz的输入频率。转换过程和数据采集过程通过CS和串行时钟信号进行控制，从而为器件与微处理器或DSP轻松接口创造了条件。 输入信号在CS的下降沿进行采样，而转换同时在此处启动。AD7923采用设计技术，可在最高吞吐速率下实现极低的功耗。 在最高吞吐速率下，采用3 V电源时，最大功耗为1.2 mA；采用5V电源时，最大功耗为1.5 mA。通过配置控制寄存器，模拟输入范围可以在0 V至REFIN或0 V至2 × REFIN间选择，可采用标准二进制或二进制补码输出编码。 AD7923具有4个带通道序列器的单端模拟输入，可以通过预先编程选择通道转换顺序。AD7923的转换时间取决于串行时钟、SCLK、频率，该时钟同时用作转换控制的主时钟。 SCLK频率为20 MHz 时，转换时间可缩短至800 ns。型号亮点：1.高吞吐量，低功耗。AD7923提供高达200kSPS吞吐率。在3 V电源的最大吞吐率下，AD7923仅消耗3.6 mW的功率。2.带通道序列器的四个单端输入。3.具有VDRIVE功能的单电源操作。VDRIVE功能允许串行接口直接连接到独立于AVDD的3 V或5 V处理器系统。4.灵活的电源/串行时钟速度管理。转换速率由串行时钟决定，允许通过串行时钟速度的增加来减少转换时间。该部件还具有各种关闭模式，以在较低的吞吐率下最大限度地提高功率效率。完全停机时，电流消耗最大为0.5μA。5.无管道延误。该部件配备了一个SAR ADC，通过CS输入和一次转换控制精确控制采样时刻。
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2026/4/22 11:08:40
Qorvo将于2026年5月5日星期二下午4点左右（东部时间）发布2026财年第四季度财报。新闻稿将在公司投资者关系网站上发布。关于Qorvo是一家提供创新半导体解决方案，使更美好的世界成为可能。结合产品和技术领导力、系统层面专业知识以及全球制造规模，快速解决客户最复杂的技术难题。Qorvo服务于全球大型市场的多样化高增长细分市场，包括汽车、消费、国防与航空航天、工业与企业、基础设施以及移动。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/4/22 11:00:08
半导体制造商ROHM宣布，开发出新一代EcoSiC™——“第5代SiC MOSFET”，该产品非常适用于xEV（电动汽车）用牵引逆变器*等汽车电动动力总成系统以及AI服务器电源和数据中心等工业设备的电源。ROHM在开发第5代SiC MOSFET的过程中，通过改进器件结构并优化制造工艺，与以往的第4代产品相比，成功地将功率电子电路实际使用环境中备受重视的高温工作时（Tj=175℃）的导通电阻降低约30%（相同耐压、相同芯片尺寸条件下比较）。在xEV用牵引逆变器等需要在高温环境下使用的应用中，该产品有助于缩小单元体积，提高输出功率。第5代SiC MOSFET已于2025年起先行提供裸芯片样品，并于2026年3月完成开发。应用示例：车载设备：xEV用牵引逆变器、车载充电器（OBC）、DC-DC转换器、电动压缩机工业设备：AI服务器及数据中心等的电源、PV逆变器、ESS（储能系统）、UPS（不间断电源）eVTOL、AC伺服免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/4/22 10:58:11
为了在不增加多芯片设计成本和复杂性的前提下应对这些挑战，Microchip 正在扩展其基于可配置逻辑块（CLB）的微控制器（MCU）产品线。PIC16F13276系列和PIC18-Q35系列将类似复杂可编程逻辑器件（CPLD）的可编程逻辑和MCU集成在一个低功耗器件中。Microchip的CLB旨在简化多任务处理，使用户能够在专用硬件中实现逻辑功能，而非软件。这有助于降低功耗，提供更可预测的系统行为，并提升吞吐量，相较于仅软件的MCU解决方案或离散的CPLD加MCU实现。新设备系列提供在开机或复位时自动加载CLB的选项，使逻辑能够独立于CPU初始化，支持功能安全、工业和汽车系统中可能需要的可预测启动行为。PIC16F13276系列拥有32个逻辑元件，PIC18-Q35系列拥有128个逻辑元件，使工程师能够在单芯片上实现并行确定性逻辑与嵌入式控制。这种集成方法可以取代分开的CPLD和MCU设计，从而降低物料清单（BOM）、板块空间以及整体系统成本和复杂性。Microchip MCU业务单元企业副总裁Greg Robinson表示：“我们的新产品开发并非基于与竞争对手的竞争，而是基于高效解决现实设计难题。”“通过在低功耗、低成本的微控制器上实现类似CPLD的功能，这两大家族为工程师提供了一种简单的方式，将可编程逻辑添加到设计中。”这些设备可直接兼容现有的PIC16和PIC18设计，使客户无需完全重新设计系统即可采用基于硬件的逻辑。此外，编程与调试接口禁用（PDID）提供防篡改保护，帮助防止设计被未经授权访问和恶意修改。通过基于硬件的时序路径，Microchip的CLB解决了软件系统中的时序挑战，CLB时序分析工具使设计者能够在设计周期早期识别信号延迟、关键路径和潜在时序风险。提前验证时序问题有助于减少调试时间。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息...
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2026/4/22 10:55:37
一、定义MADL-011141是一款无铅表面贴装高功率限制器，它在紧凑的陶瓷封装中集成了相当于20 PIN、肖特基、限流二极管、电容器、电感器和电阻器。该器件在0.2-1.0 GHz范围内提供卓越的低信号和高信号性能，无直流偏压。MADL-011141非常适合需要更高性能表面安装限制器组件的更高峰值和CW功率接收器保护器微波电路应用。二、特性•CW功率处理：53 dBm•插入损耗：0.1 dB（200-300 MHz）•回波损耗：25 dB（200-300 MHz）•平坦泄漏功率：25 dBm•无铅10.1 x 6.2 x 3.2 mm3包装•符合RoHS标准•密封三、应用•航空航天与国防MADL-011141功能示意图
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2026/4/21 13:16:43
一、定义MAPS-FR1024是一款在X波段工作的高性能GaAs MMIC 6位移相器。该器件的标称相移范围为0-360°，步长为5.625°，并使用开关线和高通/低通滤波器的组合来获得非常低的相位误差和插入损耗变化。它覆盖了8到12 GHz的频率范围。该芯片采用0.18um栅极长度pHEMT技术制造。MMIC使用金焊盘和背面金属化，并采用氮化硅钝化进行完全保护，以获得最高水平的可靠性。二、特性插入损耗：-10 GHz时为-8 dB相移范围：360°RMS相位误差：2.5°输入P1dB:20 dBm@10 GHz输入回波损耗：10 GHz时<-20 dB（所有状态）输出回波损耗：<16 dB@10 GHz（所有状态）0 / 5 V控制线无铅6mm 48导联PQFN封装符合RoHS标准三、应用雷达电信仪器仪表MAPS-FR1024功能示意图
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2026/4/21 11:59:45
一、定义MAAL-011237是一款高动态范围、单级MMIC LNA模块，包括所有必要的RF匹配元件。唯一需要的外部组件是一个旁路电容器。该LNA模块具有出色的低噪声性能、低输入阻抗和高增益特性，适用于多通道线圈3T MRI应用。这种低噪声放大器具有集成的有源偏置电路，可最大限度地减少温度和工艺的变化。集成ESD保护可达到2级HBM等级。0.6“x 0.4”模块使用带有EPIG镀层的非磁性层压板和所有非磁性组件。其他频率和阻抗可应要求提供。二、特性•非磁性层压板模块•3T频率127.74 MHz•50Ω电源阻抗•噪声系数：0.25 dB•增益：28 dB•输入电阻：1.5Ω•输出阻抗：50Ω•输出电压驻波比：1.17:1•单电压偏置：10 V，9 mA•集成有源偏置电路•无条件稳定，k>1•符合RoHS标准三、应用•MRI应用•医疗•射频测量•电流传感器
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2026/4/21 11:37:21
一、定义MAAL-FR0001是一款3级高性能GaAs宽带低噪声放大器，设计工作频率为1至18 GHz。该放大器具有1.2 dB的极低噪声系数和29 dB的高增益以及低功耗。漏极电压通常为1.5V，总电流消耗为50mA。该管芯采用高性能70 nm栅极长度高铟含量MHEMT低噪声技术制造。MMIC使用金焊盘和背面金属化。管芯完全采用氮化硅钝化保护，以获得最高水平的可靠性。二、特性•噪声系数：1.2 dB•增益：29 dB•电流：50 mA DC消耗•电压：1.5 V•无铅3mm PQFN•符合RoHS标准三、应用工业、科学和医疗（频段）多市场MAAL-FR0001功能示意图
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2026/4/21 11:30:10
一、定义MAAL-011264-DIE是一款易于使用的低噪声放大器。它的工作频率为27至31.5 GHz，提供1.5 dB的噪声系数、26.5 dB的增益和2.5 dBm的P1dB。输入和输出完全匹配到50Ω，典型回波损耗>12 dB。该产品采用GaAs pHEMT工艺制造，该工艺具有完全钝化的特点，可提高可靠性。MAAL-011264-DIE可以用作超低功耗低噪声放大器级，也可以用作更高功率应用中的驱动器级。该设备非常适合Ka波段通信系统。二、特性•增益：26.5 dB•低噪声系数：1.5 dB•P1dB:2.5 dBm•OIP3:10 dBm•偏置电压：VDD=+2 V•偏置电流：IDSQ=12mA• 50 Ω 匹配的输入和输出•0.92 x 0.93 x 0.1毫米模具•符合RoHS标准三、应用•卫星通信•低地球轨道空间有效载荷•GEO高通量卫星•雷达•EWMAAL-011264功能示意图
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2026/4/21 11:27:28
一、定义MAAL-011286-DIE是一款易于使用的低噪声放大器。它的工作频率为17.0至21.5 GHz，提供1.4 dB的噪声系数、26 dB的增益和+19 dBm的P1dB。输入和输出完全匹配到50Ω，典型回波损耗>12 dB。该产品采用GaAs pHEMT工艺制造，该工艺具有完全钝化的特点，可提高可靠性。MAAL-011286-DIE可用作低噪声放大器级或更高功率应用中的驱动器级。该设备非常适合Ka波段下行卫星通信系统。二、特性•低噪声系数：1.4 dB•增益：26 dB•P1dB:19 dBm•OIP3:30 dBm•偏置电压：VDD=+3.5 V•偏置电流：IDSQ=90mA• 50 Ω 匹配的输入和输出•1.38毫米x 0.78毫米x 0.1毫米模具•符合RoHS标准三、应用•卫星通信•雷达•EWMAAL-011286功能示意图
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2026/4/21 11:24:23