DAT-15R5A-PN+是一款50W射频数字步进衰减器，衰减范围为15.5 dB，步长为0.5 dB。该控制器是一个5位并行接口，在双电源电压（正负）下运行。DAT-15R5A-PN+采用独特的硅基CMOS工艺生产，具有GaAs的性能和传统CMOS器件的优点。特征•对闭锁免疫•精度极高，典型值为0.1 dB•并行控制接口•快速开关控制频率，典型值高达1 MHz。•低插入损耗•高IP3，+52 dBm典型值•直流功耗极低•出色的回波损耗，典型值为20 dB•小尺寸4.0 x 4.0毫米应用•基站基础设施•便携式无线•有线电视和数字广播•MMDS和无线局域网•无线本地环路•UNII和Hiper局域网•功率放大器失真消除回路
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2025/10/17 14:10:48
TAMP-362GLN+（符合RoHS标准）采用E-PHEMT技术，采用两级低噪声放大器设计，内置于屏蔽外壳中（尺寸：.591“x.394”x.118“）。插入式模块提供超低噪声系数和高输出IP3，在整个频率范围内具有良好的输入和输出回波损耗，无需外部匹配组件。特征•超低噪声系数，典型值为0.9 dB。•输出功率，典型值高达+16 dBm。•输出IP3良好，典型值为29 dBm。•电压驻波比良好，典型值为1.3:1。•无条件稳定应用•全球微波接入互操作•防御系统雷达•基站收发器、塔式放大器、中继器•通用低噪声放大器
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2025/10/17 14:05:00
Bourns近期推出的SDE0403AT系列车规级SMD功率电感，是一款面向严苛汽车电子环境的高可靠性组件。该产品采用独特的鼓型铁氧体结构与薄型封装设计，可在-55°C至+150°C的宽温范围内稳定工作，并提供高达4.8 A的饱和电流能力。其紧凑外形与高电流密度特性，显著优化了汽车电源系统的效率与布局灵活性。一、技术难点及应对方案在汽车电源设计中，电感元件常需在有限空间内应对高电流负载、极端温度变化与复杂电磁环境的多重挑战。为应对这些挑战，SDE0403AT系列采用了以下关键技术：●鼓型铁氧体磁芯结构：优化磁路设计，在紧凑封装内实现更高的磁通密度和抗饱和能力。●高温材料体系：选用特殊铁氧体与封装材料，确保组件在150°C高温下仍保持电气性能稳定。●低损耗设计：通过降低磁芯与绕组损耗，减少自身发热，有助于在复杂汽车系统中维持热稳定性。二、产品特性●宽温工作能力：工作温度范围-55°C 至 +150°C，适应汽车电子舱内高温环境。●高饱和电流：饱和电流高达4.8 A，能在不饱和的情况下承受高电流。●紧凑薄型封装：高电流密度与薄型设计，为高密度PCB布局提供理想选择。●严格合规认证：符合AEC-Q200车规标准，满足汽车行业对可靠性的严苛要求。●环保合规：产品符合RoHS标准且为无卤产品，满足环保要求。实际应用场景●汽车噪声滤波器：用于滤除车载电源系统中的高频噪声，为敏感电子控制单元（ECU）提供纯净电源。●直流电源线路：在车辆直流配电系统中起到储能与平滑电流的作用，提升电源质量。●汽车电子系统：其高可靠性与耐高温特性，使其适用于发动机舱、变速箱控制单元等高温区域的电子模块。Bourns SDE0403AT系列SMD功率电感凭借其车规级可靠性、4.8A高饱和电流及紧凑薄型设计，为汽车电源工程师提供了应对高温、高密度布局挑战的优质解...
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2025/10/17 13:44:36
圣邦微电子（SGMICRO）近期推出了SGMNQ12340，这是一款40V耐压的N沟道MOSFET，采用紧凑的TDFN-2×2封装。该产品以13mΩ（典型值）的超低导通电阻、8.5nC的低栅极电荷以及9A的连续漏极电流为核心优势，旨在提升VBUS过压保护、AMOLED显示控制、电池管理及DC/DC转换器等场景的能效与功率密度。一、技术难点及应对方案在开发高压紧凑型MOSFET时，需平衡耐压能力、导通电阻与开关损耗之间的矛盾，同时确保小型化封装下的散热可靠性。圣邦微电子通过以下技术应对这些挑战：●低阻沟道设计：通过优化晶圆工艺，将导通电阻典型值控制在13mΩ（@10V VGS），显著降低导通损耗。●快速开关特性：将总栅极电荷（Qg）降至8.5nC（典型值），减少开关过程中的延迟与损耗，支持高频应用。●散热与封装优化：采用TDFN-2×2封装集成散热焊盘，结合150℃最高结温设计，确保高温环境下的稳定运行。二、产品特性●电气性能：漏源电压（VDS）40V，连续漏极电流（ID）9A，栅源阈值电压（VGS_TH）1.2V–2.2V。●能效核心：导通电阻典型值13mΩ（最大值18mΩ），总栅极电荷典型值8.5nC，优化能效与开关频率。●可靠性与环保：工作温度范围-55℃至+150℃，符合RoHS标准及无卤素要求。●物理尺寸：封装尺寸2mm×2mm，适合高密度PCB布局。三、同类竞品对比与分析品牌/型号 耐压 (VDS) 导通电阻 (Rds(on)) 栅极电荷 (Qg) 封装尺寸 关键应用圣邦微 SGMNQ12340 40V 13mΩ (典型) 8.5nC (典型) TDFN-2×2 VBUS保护、DC/DC转换圣邦微 SGMNL12330 30V 9mΩ (典型) 21.1nC TDFN-2×2 无线充电、工业电源TI CSD1731...
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2025/10/17 13:39:42
随着云服务和生成式AI应用的普及，全球数据中心正面临前所未有的存储压力。在这一背景下，东芝电子元件台湾公司于2025年10月14日宣布，已在存储行业率先完成12碟片堆叠技术的验证，计划于2027年向市场推出容量达40TB级别的3.5英寸数据中心专用机械硬盘。这一技术突破标志着机械硬盘容量竞赛进入新阶段。与当前主流大容量3.5英寸机械硬盘最多10碟片的设计相比，12碟片堆叠技术理论上可带来20%的容量提升，同时保持了标准外形尺寸不变，确保了与现有数据中心基础设施的兼容性。技术核心：材料创新与记录技术协同东芝12碟片堆叠技术的实现依赖于多项关键创新。其中最核心的是用玻璃基板替代了传统的铝基板，这一转变使碟片更薄、更坚固，从而为在相同空间内集成更多碟片创造了条件。同时，东芝将这一碟片堆叠技术与微波辅助磁记录技术相结合，通过微波增强写入信号效果，提升了单位面积的磁记录密度。这些技术进步共同带来了机械稳定性、平面精度、存储密度和可靠性的全面提升。按照12碟片封装实现40TB总容量计算，每张碟片的存储密度至少需达到3.3TB。东芝正在研究的另一条技术路线是将12碟片堆叠与热辅助磁记录技术结合，这可能是实现未来更高容量硬盘的关键。市场背景：AI驱动下的存储需求激增东芝此次技术突破正值全球数据存储需求空前增长的时期。云服务扩张、流媒体视频服务普及以及生成式AI和数据科学的快速发展，导致数据生成和存储需求持续爆炸性增长。在AI存储领域，尽管NAND闪存在性能敏感应用中加速替代传统机械硬盘，但机械硬盘在大容量、低成本存储方面仍具有不可替代的优势。和众汇富研究发现，HDD在冷数据归档领域仍有优势，形成了"热数据用NAND、冷数据存HDD"的分层存储格局。东芝美国电子元件公司工程与产品营销副总裁Raghu Gururangan表示："东芝的12碟硬盘平台提供了支持AI...
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2025/10/17 13:31:44
英特尔Fab52工厂已正式投入18A（1.8纳米）制程的量产，这标志着美国在芯片制造领域迈出了关键一步。该工厂将生产下一代笔电处理器PantherLake以及服务器芯片Xeon6+，预计于2026年正式上市。18A制程的技术突破Intel18A制程集成了两项核心技术：RibbonFET和PowerVia。RibbonFET：作为英特尔的全新闸极环绕式（GAA）电晶体结构，它能显著提升电晶体密度。PowerVia：这是一项背面供电技术，通过将供电层移至电晶体背面，有效提升了功率效率与稳定性。这些技术带来了显著的性能提升：与前代Intel3工艺相比，18A制程性能提升15%，芯片密度增加30%，并在相同性能下功耗降低超过25%。Fab52工厂与产能规划Fab52工厂位于亚利桑那州钱德勒市，是英特尔Ocotillo园区的重要组成部分。关键设备：工厂已导入多台ASML的极紫外光（EUV）光刻机。有消息指出，其EUV机台初始每小时产能约为195片晶圆，后续可提升至220片。产能爬坡：18A制程的月产能预计在2026年达到1万至1.5万片，并在2027年后有望进一步提升至3万片的水准。首批产品与应用领域基于18A制程的首批产品旨在强化AI运算能力，涵盖客户端与数据中心市场：PantherLake：作为首款18AAI笔电晶片，它集成了CPU、GPU及专用AI加速器，AI算力最高可达180TOPS。预计2025年底开始出货，2026年1月广泛上市。Xeon6+：这款服务器处理器最多支援288个高效能核心，其每时钟周期指令数（IPC）较前代提升17%，专注于AI训练、推理和高密度运算。这些芯片将应用于AIPC、超大规模数据中心、电信等领域，并将拓展至机器人等边缘应用。战略意义与市场竞争18A制程的量产对英特尔具有重要的战略意义：重夺制程地位：英特尔通过18A技术在超微制程竞赛中抢先在1.8纳...
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2025/10/17 13:31:07
全球内存芯片市场正迎来新一轮增长周期。三星电子近日发布业绩预告，预计2025年第三季度营业利润将达到12.1万亿韩元（约85亿美元），较去年同期大幅增长32%。这一表现不仅远超市场分析师预期的10.1万亿韩元，更创下三星三年多来的最高单季利润。公司计划于10月30日公布各业务部门的详细业绩数据，为市场提供更全面的业绩解读。01 业绩亮眼：利润超预期，股价创新高三星电子第三季度的业绩表现令人瞩目。12.1万亿韩元的营业利润远超市场预期，显示出公司在内存市场的强劲复苏。这一优异表现直接反映在资本市场上。2025年以来，三星股价已累计上涨75%，创下历史新高，凸显投资者对三星未来发展前景的强烈信心。业绩增长的主要推动力来自半导体业务。根据公司披露的数据，三星电子2025年总营收预计将同比增长8.7%，达到86万亿韩元。半导体销售的强劲表现，主要得益于产品价格的上涨和出货量的增加。02 内存市场：传统芯片需求强劲，价格大幅攀升当前内存市场的繁荣主要源于传统DRAM和NAND产品的量价齐升。尽管HBM芯片在内存业务中占比不断扩大，但传统内存产品的收益在供应紧张的情况下表现突出。市场调查机构TrendForce的数据显示，广泛应用于服务器、智能手机和个人电脑的某些DRAM芯片价格，在第三季度与2024年同期相比暴涨了171.8%。这一惊人的价格涨幅直接提升了三星的盈利能力。近年来，内存制造商将投资重点转向HBM等内存产品，客观上限制了传统内存芯片的产量。供应短缺的持续存在，进一步推高了AI服务器所需芯片的价格。03 业务结构：HBM进展滞后，传统内存补位尽管三星在HBM领域的进展略逊于预期，但传统内存业务的强劲表现有效弥补了这一短板。三星向包括英伟达在内的主要客户供应HBM的进度落后于原定计划。路透社报道指出，尽管供应HBM给主要客户的进度有所放缓，但由于服务器和AI相关芯片需求强劲，...
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2025/10/17 13:23:01
ZX75BP-435-S+是一款50Ω 覆盖420至450 MHz的连接器封装中的带通滤波器。这提供了通带内的良好匹配和阻带内的高抑制。特征插入损耗良好，典型值为1.5 dB。通带回波损耗，典型值22dB。阻带抑制，典型值30dB。应用防御军事电信雷达和卫星
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2025/10/16 14:22:39
Mini-Circuits的RDC14.5-182M75+表面贴装定向耦合器为5至1800 MHz的75Ω应用提供14.5 dB的耦合，具有低主线损耗和出色的耦合平坦度。该型号采用全焊接结构的芯线设计。特征低干线损耗0.9 dB典型值。良好的回波损耗20dB，通常高达1800MHz耦合平坦度高，典型值为±0.2 dB。应用有线电视/宽带DOCSIS 4.0
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2025/10/16 14:14:26
ISO1050 是一款电镀隔离的 CAN 转发器，此转发器符合或者优于 ISO11898-2 标准的技术规范。该器件的逻辑输入和输出缓冲器由二氧化硅 (SiO2) 绝缘栅进行分隔；此绝缘栅可为 ISO1050DW 提供高达 5000VRMS的电隔离，为 ISO1050DUB 提供高达 2500VRMS 的电隔离。与隔离式电源一起使用，此器件可防止数据总线或者其它电路上的噪音电流进入本地接地并干扰和损坏敏感电路。作为一个 CAN 转发器，此器件为总线和信令速度高达1 兆比特每秒 (Mbps) 的 CAN 控制器分别提供差分发射能力和差分接收能力。该器件尤其适合工作在恶劣环境下，其具有串线、过压和接地损耗保护（–27V 至40V）以及过热关断功能，共模电压范围为 –12V 至12V。ISO1050 的额定工作环境温度范围为 –55°C 至105°C。特征• 符合 ISO11898-2 的要求• 5000VRMS 隔离 (ISO1050DW)• 2500VRMS 隔离 (ISO1050DUB)• 失效防护输出• 低环路延迟：150ns（典型值）、210ns（最大值）• 50kV/µs 典型瞬态抗扰度• –27V 至 40V 的总线故障保护• 驱动器 (TXD) 显性超时功能• I/O 电压范围支持 3.3V 和 5V 微处理器常见应用• 工业自动化、控制、传感器和驱动系统• 楼宇和空调 (HVAC) 自动化• 安全系统• 运输• 医疗• 电信
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2025/10/16 14:03:20
XCF16PFS48C是赛灵思的一款平台闪存系统可编程配置PROM。特征•在整个工业温度范围内（-40°C至+85°C）运行•IEEE标准1149.1/1532对编程、原型和测试的边界扫描（JTAG）支持•JTAG命令启动标准FPGA配置•可级联存储更长或多个比特流•专用边界扫描（JTAG）输入/输出电源（VCCJ）•I/O引脚兼容1.8V至3.3V的电压电平•使用Xilinx ISE®Alliance和Foundation™软件包提供设计支持•XCF01S/XCF02S/XCF04S♦ 3.3V电源电压♦ 串行FPGA配置接口♦ 提供小尺寸VO20和VOG20封装•XCF08P/XCF16P/XCF32P♦ 1.8V电源电压♦ 串行或并行FPGA配置接口♦ 提供小尺寸VO48、VOG48、FS48和FSG48封装♦ 设计修订技术允许存储和访问多个设计修订以进行配置♦ 与Xilinx高级压缩技术兼容的内置数据解压器
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2025/10/16 13:58:50
HDC302x 是一款基于集成式电容的相对湿度 (RH) 和温度传感器。它能够在宽电源电压范围（1.62V 至 5.5V）内提供高测量精度，并能以 2.5mm × 2.5mm 的小巧封装尺寸实现超低功耗。温度传感器和湿度传感器在量产阶段均经过 100% 测试和修正，可通过 NIST 进行追溯，且使用经 ISO/IEC 17025 标准校准的设备进行了验证。漂移校正功能可减少 RH 传感器因老化、暴露于极端工作条件和污染物环境所产生的偏移，使器件恢复到精度规格内。 在电池供电的物联网应用中，自动测量模式和警报功能可通过更大程度减少 MCU 睡眠时间来降低系统功耗。有四种不同 I2C 地址支持高达 1MHz 的速度。加热元件用于消散冷凝和湿气。HDC302x 采用不带保护套的空腔封装。以下两个器件型号提供保护套选项，以保护空腔 RH 传感器：HDC3021 和 HDC3022。HDC3021 具有可拆卸保护胶带，可用于保形涂层和 PCB 清洗。HDC3022 配有可靠的 IP67 滤膜，起到防尘防水的作用。特征• 相对湿度 (RH) 传感器：– 工作范围：0% 至 100%– 精度：±0.5%（典型值）– 偏移误差校正：减少偏移，使器件恢复到精度规格内– 长期漂移：0.19%RH/年– 通过集成加热器实现冷凝防护• 温度传感器:– 工作温度范围：–40°C 至 125°C– 精度：典型值 ±0.1°C• NIST 可追溯性：相对湿度和温度• 低功耗：平均电流 0.4µA• I²C 接口支持最高 1MHz– 四个可选的 I²C 地址– 通过 CRC 校验和实现数据保护• 电源电压：1.62V 至 5.50V• 具有自动测量模式• 可编程中断• 可编程 RH 和温度测量偏移• 工厂原装聚酰亚胺...
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2025/10/16 13:51:18
AD8131是一款差分或单端输入至差分输出驱动器，无需外部元件就能获得固定增益2。相对于运算放大器，AD8131在驱动长线路信号或驱动差分输入ADC方面取得了重大进步。它具有独特的内部反馈特性，在10MHz时可提供于−68 dB达到平衡的输出增益和相位匹配，能够降低辐射电磁干扰(EMI)并抑制谐波。AD8131采用ADI公司的新一代XFCB双极性工艺制造，-3 dB带宽为400 MHz，提供差分信号，且谐波失真非常低。AD8131可用作通过低成本双绞线或同轴电缆实现高速信号传输的差分驱动器，可以用于模拟、数字视频信号或其它高速数据信号的传输。AD8131驱动器能够驱动3类、5类双绞线或同轴电缆，且线路衰减极小。与分立式线路驱动器解决方案相比，AD8131的成本和性能有明显改善。AD8131提供SOIC和MSOP两种封装，工作温度范围为-40°C至+125°C。特征高速400 MHz，-3 dB全功率带宽2000 V/μs转换速率固定增益为2，无外部组件内部共模反馈，以提高增益和相位平衡：−60 dB@10 MHz单独输入以设置共模输出电压低失真：68 dB SFDR@5 MHz 200Ω负载电源范围+2.7 V至±5 V应用视频线路驱动器数字线路驱动器低功耗差分ADC驱动器差分进/出水平移动差分输出驱动器的单端输入
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2025/10/16 13:37:57
LTC4421可基于用户定义的优先级和有效性将两个输入电源中的一个连接到公共输出。按照定义，连接到V1是较高优先级电源，但可以动态更改。外部电阻式分压器可设置限定有效电压窗口的欠压和过压阈值。强大的栅极驱动器可快速切换大型外部N通道MOSFET。快速切换电路可较大限度降低更改通道时的输出下降，同时避免反向和交叉导通。快速比较器可检测输入短路并快速关闭N通道MOSFET，以便较大限度地减轻干扰。外部检测电阻设置最大浪涌电流和电流限制电流。在电流限制过程中，LTC4421可控制N通道MOSFET栅极，在整个检测电阻上调节25mV电压。在用户可设置的时间内，检测电阻电压调节到25mV时，将会断开通道并生成故障。特征0V至36V宽工作范围（60V容差）驱动用于高输出电流应用的大型外部N沟道MOSFET精确限制涌入电流将最高优先级有效电源连接到输出负载实时更改频道优先级±2%OV，UV输入比较器每个通道的电流限制时间可单独调节可调输入验证时间快速切换可最大限度地减少VOUT下降36引脚5mm×6mm QFN和SSOP封装应用高可靠性系统基于服务器的备份系统工业手持仪器备用电池系统
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2025/10/16 13:33:16
LT3689 是一款可调频率 (350kHz 至 2.2MHz) 单片式降压型开关稳压器，具有一个上电复位和看门狗定时器。稳压器可在输入电压高达 36V 的条件下正常运作，并可安全承受高达 60V 的瞬态电压。低纹波突发模式操作在低输出电流条件下维持了高效率，并在典型应用中将输出纹波抑制在 15mV 以下，且输入静态电流仅为 85μA。当 EN / UVLO 被拉至低电平时，停机电路将输入电源电流减小至 1μA 以下。在 EN / UVLO 引脚上使用一个电阻分压器可提供一种可编程欠压闭锁功能。电流限制、频率折返和热停机电路则提供了故障保护功能。复位和看门狗超时周期可采用外部电容器来独立调节。严格的准确度规格和干扰免疫力确保了系统的可靠复位操作，而不会产生误触发现象。如果输出电压降至编程值以下达 10%，则集电极开路 RST 被拉低。看门狗定时器可通过引脚来选择窗口或超时模式。在超时模式中，如果在检测到一个看门狗变换之前经历了一个过长的周期，则 WDO 将被拉至低电平。在窗口模式中，LT3689 将监视那些聚集得过于靠近或过于疏远的 WDI 下降沿。特征宽输入范围：工作电压范围为3.6V至36V过电压锁定通过60V瞬态保护电路12VIN至3.3VOUT时的85µA IQ低纹波突发模式®操作允许输出纹波可编程、可延迟的看门狗定时器，带窗口或超时控制可编程上电复位定时器（POR）可同步、可调的350kHz至2.2MHz开关频率700mA输出开关稳压器，带内部电源开关固定5V或可调输出电压800mV反馈电压带滞后的可编程输入欠压锁定16引脚3mm×3mm QFN和16引脚MSOP封装应用汽车电子控制单元工业电源
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2025/10/16 13:28:44
AD5252是一款非易失性、双通道、数字控制可变电阻(VR)，具有256位分辨率。它可实现与机械电位计相同的电子调整功能，而且具有增强的分辨率、固态可靠性和出色的低温度系数性能。该器件功能丰富，可通过微控制器进行编程，具有多种工作与调整模式。在直接编程模式下，可以从微控制器直接加载RDAC寄存器（RDAC1和RDAC2）的预设置。在另一种重要工作模式下，可以用以前存储在相应EEMEM寄存器（EEMEM1和EEMEM2）中的设置刷新RDACx寄存器。当更改RDACx寄存器以确立新的游标位时，可以通过执行EEMEM保存操作，将该设置值保存在EEMEMx寄存器中。将设置保存在EEMEMx寄存器之后，系统上电时这些值将自动传输至RDACx寄存器，以便设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能；也可以从外部访问预设选通脉冲。所有内部寄存器内容都可以通过串行数据输出(SDO)读取，这包括：RDAC1和RDAC2寄存器，相应的非易失性EEMEM1和EEMEM2寄存器，以及可用于常数存储的14个备用USER EEMEM寄存器。基本调整模式就是控制游标位设置寄存器(RDACx)的递增和递减命令。可以上移或下移内部便笺式RDACx寄存器，每次移动A端与B端之间的标称电阻一步。这种步进调整使游标至B端电阻(RWB)发生线性改变，幅度为器件端到端电阻(RAB)的一个位置段。若要使游标设置发生指数或对数式改变，可以使用左移/右移命令以±6 dB步进调整电平，这种方式适合声光报警应用。AD5232采用16引脚薄型TSSOP封装，保证工作温度范围为−40°C至+85°C工业温度范围。常见应用机械电位计更换仪器：增益和偏移调整可编程电压电流转换可编程滤波器、延迟和时间常数可编程电源低分辨率DAC更换传感器校准
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2025/10/16 13:25:01
DAC8221在一个CMOS芯片中集成了2个相同的12位乘法数模转换器。该器件中电气性能上与DAC-8212类似，其微处理器接口时序性能得到了提升，采用窄体0.300" DIP封装。单芯片结构可在整个工作温度范围内提供良好的DAC-DAC匹配和跟踪能力。DAC-8221同2个薄膜R-2R电阻梯形网络、2个12位数据锁存器、1个12位输入缓冲和控制逻辑构成。DAC-8221采用单电源供电，电压范围为+5V至+15V。当逻辑电平为0V和+5V且电源电压为+5V时，最大功耗不到0.5mW。DAC-8221基于一种先进的氧化物隔离、硅门极CMOS工艺，采用PMI高度稳定的薄膜电阻制成。PMI改进型防闩锁设计消除了采用外部保护肖特基二极管的需要。利用一个共用12位（TTL/CMOS兼容）输入端口将一个12位宽数据字载入两个DAC之一。该端口的数据加载结构与RAM的写入周期类似，直接与多数12位系统或更宽的总线系统接口。当WR和CS线路处于逻辑低电平时，输入数据寄存器透明。这样，直接无缓冲数据可以直接流向由DAC A/DAC B控制输入选择的DAC输出端。特征• 2个匹配12位DAC集成于单个芯片之中• 采用0.3" 24引脚DIP窄体封装• 直接并行加载所有12位数据，提高数据吞吐量• 12位端点线性度（±1/2 LSB全温度范围）• 2个DAC均具有片内锁存器• +5V至+15V单电源供电• DAC间匹配达到0.2%（典型值）• 四象限乘法• 提高的防静电能力• 提供裸片形式
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2025/10/16 13:21:09
ADRF5547 是一款双通道集成式 RF 前端多芯片模块，专为工作频率为 3.7 GHz 至 5.3 GHz 的时分双工 (TDD) 应用而设计。ADRF5547 采用双通道配置，包含级联两级低噪声放大器 (LNA) 和高功率硅单刀双掷 (SPDT) 开关。在高增益模式下，级联两级 LNA 和开关提供 1.6 dB 的低噪声指数和 33 dB 的高增益（频率为 4.6 GHz）以及 31 dBm（典型值）的输出 3 阶交调点 (OIP3)。在低增益模式下，两级 LNA 的一级处于旁路状态，在 36 mA 的较低电流下提供 18 dB 的增益。在关断模式下，LNA 将关闭，器件流耗为 12 mA。 引脚配置图引脚功能表格引脚号助记符描述1, 2, 4, 7, 9 to 11, 14 to 16, 21, 23, 28, 30, 35 to 37, 40GND接地3ANT - ChA通道A的射频输入。5SWCTRL - ChAB通道A和通道B的开关控制电压6SWVDD - ChAB通道A和通道B的开关供电电压8ANT - ChB通道B的射频输入。12TERM - ChB终端输出。此引脚是通道B的发射路径。13, 18, 19, 25, 32, 33, 38NIC未内部连接。建议将NIC连接到PCB的射频地。17VDD1 - ChB通道B的第1级低噪声放大器（LNA）的供电电压20VDD2 - ChB通道B的第2级低噪声放大器（LNA）的供电电压22RxOUT - ChB射频输出。此引脚是通道B的接收路径24BP - ChB旁路通道B的第2级低噪声放大器（LNA）26PD - ChAB关闭通道A和通道B的所有级低噪声放大器（LNA）27BP - ChA旁路通道A的第2级低噪声放大器（LNA）29RxOUT - ChA射频输出。此引脚是通道A的接收路径31VDD2 - ...
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2025/10/15 11:41:12