AVA-183P+是一款基于InGaAs E-PHEMT*的宽带正增益斜率MMIC放大器。该设计在单个+5V电源上运行，与50Ω 它采用小巧、轻薄的封装（3 x 3 x 0.89mm），可容纳密集的电路板布局。特征超宽带，0.5至18 GHz正增益斜率单正电源电压应用无线网络无线局域网LTEWiMAXC波段卫星通信
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2025/7/16 14:27:36
AVA-183MP+是一款GaAs pHEMT MMIC宽带分布式放大器，工作频率为0.05至18 GHz。放大器在+8V电源和160mA电流消耗下工作时，提供16.5 dB的增益、+24 dBm P1dB和+31 dBm OIP3以及1.8 dB的噪声系数典型性能。AVA-183MP+提供了宽带、低噪声系数、高线性和输出功率的领先组合，从而形成了50Ω匹配的高动态范围放大器。AVA-183MP+的性能特性非常适合用于宽带防御系统和测试与测量设备。放大器采用行业标准的4x4mm QFN封装。特征超宽带，0.05-18GHz高动态范围P1dB，典型值。+24 dBm增益，典型值。16分贝典型低噪声系数。1.8分贝高OIP3，典型。+31 dBm4x4mm 20引脚QFN型封装应用5G MIMO和回程无线电系统卫星通信测试和测量设备雷达、电子战和电子对抗防御系统
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2025/7/16 14:22:54
AVA-0233LN+是一款GaAs pHEMT MMIC分布式放大器，工作频率为2至30 GHz。该放大器提供16.3 dB增益、2.4 dB噪声系数、+13.6 dB P1dB和+25.7 dBm OIP3的稳定性能，来自仅消耗65 mA的自偏置单+5V电源。控制电压偏置输入VC使增益在整个工作频带内变化超过30 dB。AVA-0233LN+MMIC放大器采用行业标准的5x5mm QFN型封装，内部RF端口与50Ω匹配，便于轻松集成到微波系统PC板中。特征宽带，2至30 GHz典型平坦增益响应。16.3 dB±1 dB典型噪声系数。2.4分贝5x5mm 32引脚SMT封装典型增益控制。30分贝应用5G MIMO和回程无线电系统卫星Ka波段通信测试和测量设备雷达、电子战和电子对抗防御系统
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2025/7/16 14:18:49
RAM-7+（符合RoHS标准）是一款提供高动态范围的宽带放大器。它具有可重复的性能。它被封装在陶瓷表面贴装封装中。RAM-7+使用达林顿配置，并使用InGaP HBT技术制造。在100°C的外壳温度下，预计MTBF为3700年。特征•宽带，直流至2 GHz•可层叠陶瓷封装•内部匹配50欧姆•出色的重复性•可水洗应用•蜂窝•UHF/VHF•通信系统•发射接收器
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2025/7/16 14:15:14
PGA-106W-75+（符合RoHS标准）是一款采用E-PHEMT*技术制造的宽带放大器，在宽频范围内提供极高的动态范围，具有低噪声系数和平坦增益。铅饰面为SnAgNi。它具有可重复的性能，并且封装在SOT-89封装中，具有非常好的热性能。特征高IP3，典型值+36 dBm。1.5 GHz增益，典型值15.9 dB。1.5 GHz高POUT，典型值P1dB+19.5 dBm。1.5 GHz低噪声系数，1.5 GHz时为3.6 dB应用75欧姆卫星L波段DBS
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2025/7/16 14:06:01
Nexperia推出全球首款专为48V汽车通信网络设计的ESD保护二极管，涵盖54V/60V/72V三档电压型号，3.4pF超低寄生电容突破行业极限。通过AEC-Q101认证，单芯片替代传统并联方案，解决CAN-FD/LIN总线在48V系统中的信号完整性与成本难题。核心作用●空间释放：SOT23封装（2.9mm²）替代多芯片并联●成本优化：单片方案降低BOM成本35%●速率保障：10Mbps传输下信号抖动＜0.5ns●安全升级：±30kV接触放电防护（ISO10605标准）关键竞争力●电容王者：3.4pF（行业最低，保障10Mbps信号完整性）●电压覆盖：72V最高防护等级（兼容商用车24V系统浪涌）●车规认证：AEC-Q101 Grade 1（-40℃~125℃）●封装通用：兼容标准SOT23贴装工艺实际应用场景●800V平台BMS：48V通信子网隔离保护（支持72V浪涌）●域控制器互联：CAN-FD主干线（10Mbps全速防护）●线控底盘：FlexRay总线（抗引擎舱电磁干扰）●智能座舱：千兆以太网PHY接口（容抗匹配＜5%）●商用电动车：24V/48V混压系统（单芯片覆盖双压）●充电桩通信：PLC模块防雷击（±30kV防护）Nexperia此系列ESD二极管的推出终结了48V汽车网络“无芯可保”的困境。其3.4pF电容与72V防护能力的组合，不仅解决CAN-FD高速通信痛点，更以单片方案替代冗余设计，推动整车EE架构向48V平滑演进。随着域集中式架构普及，这款兼具“超低容-高耐压-车规可靠”三重特性的保护器件，有助于下一代智能汽车的通信安全发展。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2025/7/16 13:57:53
英飞凌推出第二代CoolSiC™ MOSFET 750V G2，以4mΩ全球最低导通电阻与Q-DPAK顶部散热封装革新功率设计。支持-11V瞬态栅极耐压及175℃结温运行，在车载充电器、光伏逆变器等场景实现98.5%峰值效率。核心作用●能效跃升：硬开关拓扑效率＞98.5%（较IGBT方案+3.2%）●功率密度：体积比D²PAK缩小50%，电流密度提升3倍●安全增强：抗寄生导通能力提升5倍（VGS(th) 4.5V）●兼容拓展：驱动电压兼容-7V~+22V，无缝替换硅基方案关键竞争力●电阻王者：4mΩ导通电阻（当前全球SiC MOSFET最低值）●开关标杆：Qfr降低35%（软开关场景损耗减半）●散热革命：顶部散热热阻较底部散热降低70%●车规认证：AEC-Q101 Grade0（175℃结温）实际应用场景●800V超充桩：25kW模块并联（4mΩ器件降低损耗30%）●车载OBC：22kW拓扑效率＞98%（支持3C快充）●光伏逆变器：1500V系统MPPT（175℃高温无降额）●数据中心电源：钛金认证CRPS模块（功率密度100W/in³）●储能PCS：100kHz开关频率（体积缩小40%）●固态断路器：μs级关断（4mΩ实现2000A分断能力）CoolSiC™ MOSFET 750V G2的发布标志着碳化硅功率器件进入4mΩ时代。其顶部散热Q-DPAK封装破解高功率密度散热难题，-11V栅极耐压为工业恶劣环境提供安全冗余。随着800V电动车平台普及，这款兼具“极致能效-顶级功率密度-车规可靠”三重优势的器件，将重新定义新能源电力电子系统的性能边界。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2025/7/16 13:48:08
根据KeyBanc Capital Markets最新报告，台积电、英特尔、三星电子在2nm制程节点良率表现分化显著：台积电N2工艺良率达65%，英特尔18A提升至55%，而三星SF2仍徘徊在40%水平。分析师John Vinh指出，良率差异将直接影响2025年制程市场竞争格局。技术节点良率解析1. 台积电N2工艺：采用GAAFET架构，通过创新材料与光刻技术，实现65%良率，较3nm节点提升12个百分点，支撑苹果、英伟达等客户2025年旗舰芯片量产。2. 英特尔18A工艺：RibbonFET晶体管技术助力良率从Q1的50%提升至55%，预计2026年18A-P量产时良率可达75%，直接挑战台积电N2P节点。3. 三星SF2工艺：MBCFET结构仍面临良率瓶颈，40%水平较台积电落后25个百分点，需通过2025年技术升级缩小差距。未来节点展望●英特尔18A-P：2026年量产计划不变，若良率达标将抢占数据中心CPU市场，预计2027年贡献代工收入超40亿美元。●台积电N2P：2026年推出增强版，支持背面供电技术，良率目标80%，巩固高端移动SoC市场地位。●三星SF2+：2025年Q4将引入EUV双曝技术，目标良率提升至50%，重点突破车载芯片市场。结语2nm制程良率已成为半导体代工竞争的核心指标。台积电凭借技术积累保持领先，英特尔通过18A-P实现追赶，而三星仍需突破SF2工艺瓶颈。2025-2026年，良率提升速度将直接决定各厂商在AI芯片、高性能计算等高增长市场的份额分配。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2025/7/16 13:44:33
AD5318分别是八通道、10位缓冲电压输出DAC数模转换器，采用16引脚TSSOP封装。采用2.5 V至5.5 V单电源供电，3 V时典型功耗为0.7 mA。内置的片内输出放大器能够提供轨到轨输出摆幅，压摆率为0.7 V/μs。AD5318采用多功能三线式串行接口，能够以最高30 MHz的时钟速率工作，并与标准SPI、QSPI、MICROWIRE、DSP接口标准兼容。八个DAC的基准电压从两个基准电压引脚获得（一个引脚对应四个DAC）。这些基准电压输入可以配置为缓冲、无缓冲或VDD输入。上述器件均内置一个上电复位电路，确保DAC输出上电至0 V并保持该电平，直到对该器件执行一次有效的写操作为止。利用异步LDAC输入则可以同时更新所有DAC的输出。此外还具有省电特性，可将功耗降至400 nA(5 V，3 V时为120 nA)。DAC的8个通道可以各自独立地进入省电模式。特征• AD5318：一个16引脚TSSOP封装中集成8个缓冲10位DAC，A级：±4 LSB INL，B级：±3 LSB INL• 低功耗工作：0.7 mA (3 V)• 掉电模式功耗：120 nA (3 V)，400 nA (5 V)• 双缓冲输入逻辑应用便携式电池供电仪器数字增益和偏移调整可编程电压和电流源光纤网络自动测试设备移动通信可编程衰减器工业过程控制
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2025/7/15 14:38:26
Spartan®-6 器件可提供各种业界的连接特性，如高逻辑引脚比、小型封装、MicroBlaze™ 软处理器、800Mb/s DDR3 支持以及各种多样化支持性 I/O 协议等。这些器件采用 45nm 技术构建，是汽车信息娱乐、消费类以及工业自动化中各种高级桥接应用的理想选择。特征可编程的系统集成·I/O 连接的高引脚数与逻辑之比·超过 40 个 I/O 标准可简化系统设计·具有集成型端点模块的 PCI Express®提升的系统性能·高达 8 个低功耗 3.2Gb/s 串行收发器·带有集成内存控制其的 800Mb/s DDR3BOM 成本削减·针对系统 I/O 扩展进行了成本优化·MicroBlaze 处理器软 IP 可消除外部处理器或 MCU 组件总功耗削减·1.2V 内核电压或 1.0V 内核电压选项·睡眠节电模式支持零功耗加速设计生产力·通过 ISE® Design Suite 实现 - 无成本、前端到后端 （front-to-back）面向 Linux 和 Windows 的 FPGA 设计解决方案·使用整合向导快速完成设计应用·全高清智能数字标识·工业网络·汽车网络和连接功能·高分辨率视频和图形
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2025/7/15 14:35:22
LP38798-ADJ 是一款高性能、低噪声的 LDO，可提供高达 800mA 的输出电流。LP38798-ADJ 的设计满足敏感射频/模拟电路的要求，它采用基于先进 CMOS 工艺的新型线性拓扑技术，可在不同的开关电源频率下提供超低输出噪声和高 PSRR。LP38798SD-ADJ 与陶瓷和钽输出电容器一起工作时均可保持稳定，最小仅需 1µF 的输出电容即可保证稳定。LP38798-ADJ 可在宽输入电压范围（3V 至 20V）内工作，非常适合多种后级调节应用。特征• 宽运行输入电压范围： 3V 至 20V• 超低输出噪声：5µVRMS （10Hz 至 100kHz）• 高电源抑制比 (PSRR)：10kHz 频率时为 90dB，100kHz 频率时为 60dB• 输出电压初始精度为 ±1% (TJ = 25°C)• 超低压降：800mA 时为 200mV（典型值）• 与陶瓷或者钽质输出电容器一起工作时保持稳定• 出色的线路和负载瞬态响应• 具有限流和过热保护• 使用 LP38798 并借助 WEBENCH® 电源设计器创建定制设计方案应用• RF 电源：PLL、VCO、混频器、LNA• 电信基础设施• 无线基础设施• 超低噪声仪表• 精密电源• 高精度高速数据转换器
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2025/7/15 14:31:50
LTC1700是一种电流模式同步升压DC/DC控制器，使用恒频PWM架构驱动外部N沟道和P沟道功率MOSFET。通过感测主MOSFET两端的电压降来提供限流，从而消除了对感测电阻器的需求。这种无RSENSE™技术有助于LTC1700在重负载下保持高效率，而突发模式操作可确保轻负载下的高效率，从而在广泛的负载电流范围内提供高效率。LTC1700在低至0.9V的最小输入电压下工作。该器件具有±1.5%的输出电压精度，仅消耗200µa的静态电流。在关机状态下，它只消耗10µA。为了防止电感器电流失控，占空比限制在90%。还提供过电压保护，在跳闸时关闭两个外部MOSFET。530kHz的高恒定工作频率允许使用小型电感器和输出电容器。LTC1700还可以在400kHz到750kHz之间同步。当设备外部计时或SYNC/Mode引脚拉低以减少噪声和射频干扰时，突发模式操作被禁止。特征•高效率：高达95%•无需电流检测电阻器•恒定频率530kHz操作允许小尺寸表面安装电感器•OPTI-LOOP®补偿可最大限度地减少COUT•可选择的Burst Mode®操作•最低启动电压低至0.9V•可在400kHz和750kHz之间同步•微功率关断：10µA•电流模式操作，实现出色的线路和负载瞬态响应•软启动可减少电源电流瞬态•1.5%输出电压精度•使用低值、小尺寸、表面贴装电感器•提供10导联MSOP封装应用行动电话无线调制解调器射频通信2.5V至3.3V、2.5V至5V转换器电池供电设备电信/网络系统
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2025/7/15 14:23:28
LT8316 是一款微功率、高电压反激式控制器。调节无需使用光隔离器。该器件从出现在变压器第三绕组上的隔离式反激波形对输出电压进行采样。准谐振边界模式可改善负载调整、减小变压器尺寸，并保持高效率。在启动时，LT8316 通过一个高电压电流源为其 INTVCC 电容器充电。在正常运行期间，该电流源关闭，而器件则从变压器上的第三绕组吸取其所需的功率，从而较大限度降低待机功耗。LT8316 可在很宽的输入电源电压范围内工作，并能提供高达 100W 的功率。该器件采用耐热性能增强型 20 引脚 TSSOP 封装，去掉了四个引脚以满足高电压引脚间隔要求。上图为LT8316IFE#PBF的引脚配置特征• 宽输入电压范围：16V至560V（最大值为600V）• 调节无需光耦• 准谐振边界工作模式• 恒流和恒压调节• 低纹波轻载突发工作模式(Burst Mode®)• 低静态电流：75μA应用• 隔离式电信、汽车、工业、医疗电源• 隔离型离线式内务处理电源• 电动车辆和电池组• 用于逆变器栅极驱动器的多输出隔离式电源
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2025/7/15 14:17:55
据央视报道，7月15日，美国英伟达公司创始人兼首席执行官黄仁勋宣布两个重要进展：美国已批准H20芯片销往中国；英伟达将推出RTXpro GPU。黄仁勋表示：“美国政府已经批准了我们的出口许可，我们可以开始发货了，所以我们将开始向中国市场销售H20。我非常期待能很快发货H20，对此我感到非常高兴，这真是个非常、非常好的消息。第二个消息是，我们还将发布一款名为RTX Pro的新显卡。这款显卡非常重要，因为它是专为计算机图形、数字孪生和人工智能设计的。”免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2025/7/15 14:12:54
意法半导体(ST)推出VIPer11B系列离线高压转换器，在4.9×3.9mm超紧凑封装内集成800V MOSFET与高压启动电路，为8W以下智能照明/家电提供10mW待机功耗解决方案。通过独创senseFET电流检测技术省去外部电阻，配合频率抖动EMC优化设计，实现外围元件减少40%的革命性突破。意法半导体的 VIPer11B电源转换器集成丰富的功能，有助于简化电路设计，节省外部元器件数量，从而降低物料清单成本。800V耐压 MOSFET 只需要小缓冲元器件，内部senseFET电流检测功能几乎没有任何损耗，无需外接电阻器。片上集成高压启动电路，只需一个外部电容为 Vcc 供电，而频率抖动振荡器则最大限度地减少了满足电磁兼容性 (EMC) 法规所需的外部滤波元器件。此外，这些转换器采用紧凑的 SSOP10 封装，可在空间狭小的环境中供电，这个优点在外形尺寸要求严格的应用中尤其有用，例如，LED 照明驱动器和智能灯泡。这些转换器还有助于满足生态设计法规的严格要求，低待机电流可将空载功耗降至 10mW 以下，脉冲跳跃操作模式可以提高轻载能效。设计灵活性是其另一大优势，宽压Vcc允许通过变压器辅助绕组或非隔离拓扑结构中的输出为转换器供电。VIPer11B 可用于非隔离反激式降压和降压/升压式拓扑结构，以及原边或副边有稳压器的隔离反激式拓扑结构。VIPer11B 转换器具有输出过载和过压保护功能，并带有自动重启、Vcc 钳位、过温保护和软启动功能，可帮助设计人员构建强大、可靠的电源。VIPer11B 转换器有两款产品在售：漏极最大电流370mA 的 VIPer113B 或漏极最大电流480mA 的VIPer114B。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2025/7/15 14:06:27
TDK株式会社于2025年6月正式量产C1608X7R2A105K080AC商用积层陶瓷贴片电容器（MLCC），在1.6×0.8×0.8mm的1608封装尺寸内实现100V/1μF容量，创下该规格下全球最高电容记录。此突破性产品瞄准48V人工智能服务器、储能系统等高效电源场景，通过10倍于传统电容的密度，显著减少元件数量与PCB占用面积。核心作用●空间压缩：单颗替代10颗传统电容，PCB面积缩减70%●能效提升：高瞬态响应保障48V系统转换效率＞95%●成本优化：BOM器件数量减少，贴装成本降低30%●可靠性强化：工业级温度适应性支持-55℃~125℃严苛环境关键竞争力●密度王者：1608封装1μF/100V（0.78μF/mm³）●性能稳增：较前代产品容量提升10倍9●即插即用：兼容标准SMT工艺，无需设计变更●绿色认证：符合RoHS 2.0与无卤素标准实际应用场景●AI服务器：GPU供电模块输入滤波（单板用量200+颗）●储能变流器：48V DC/AC转换母线电容●5G基站：射频功放电源去耦●工业无人机：电调系统浪涌抑制●医疗设备：便携超声发生器能量缓冲TDK C1608X7R2A105K的推出标志着高密度MLCC技术迈入新纪元。其1μF/100V在毫米级空间的突破性集成，直击48V系统小型化与高效化痛点，为AI基础设施和绿色能源设备提供核心支持。随着三季度产能爬坡，这款“以小博大”的电容解决方案将加速替代传统多颗并联方案，重塑电子电源设计范式。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2025/7/15 14:02:09
威世科技（Vishay）宣布其AC03-CS系列轴向绕线安全电阻新增WSZ引线版本，通过弯线设计实现表面贴装（SMT）兼容，显著降低汽车电子、工业电源等领域的高压电路装配成本。该器件在-40℃至+200℃极端环境下仍可安全熔断过载电流，符合AEC-Q200车规标准。技术难点与突破方案难点一：安全电阻的装配效率瓶颈传统轴向电阻需手工焊接，单板贴装时间＞5分钟，且虚焊率高达8%。✅ Vishay创新方案：WSZ精密弯脚结构（±0.1mm精度）兼容SMT贴片机，贴装速度达24,000cph，虚焊率降至0.1%。难点二：高压场景的二次火灾风险竞品电阻熔断时产生＞500℃电弧，引燃PCB基材。✅ Vishay创新方案：UL 94 V-0级硅酮水泥涂层，熔断瞬间包覆电弧，温升＜150℃，通过IEC 61000-4-5认证。核心作用：高压系统的“安全卫士”▶ 主动熔断防护：120/240VAC主电压误接时2ms内安全断开▶ 浪涌能量吸收：4kV雷击浪涌保护（1.2/50μs波形）▶ 三重安全屏障：突入电流限制+预充电缓冲+紧急熔断典型应用场景1. 新能源汽车OBC模块在800V高压平台中吸收20A突入电流，误接交流电时0.5ms熔断，保护价值$2,000的SiC模块。2. 智能电表防雷击4kV浪涌防护通过GB/T 17626.5测试，野外故障率降至0.01次/年。3. 工业变频器预充电200℃耐温保障电解电容预充电安全，延长驱动器寿命3倍。AC03-CS系列以200℃熔断防护与WSZ弯脚SMD化技术，改写安全电阻行业规则。车规级AEC-Q200认证+4kV浪涌能力，为800V新能源系统提供每颗$0.38的高性价比守护。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2025/7/15 13:58:07
半导体行业工艺竞赛迎来关键转折点。根据KeyBanc Capital Markets最新研究报告，英特尔18A（1.8nm）工艺良品率已提升至55%，超越三星SF2（2nm）的40%水平，虽仍落后于台积电N2（2nm）的65%，但标志着英特尔在制程领域取得重要突破，为其2025年底大规模量产计划注入强心剂。良率突破：从50%到55%的跃升路径报告显示，英特尔18A工艺良率较上一季度提升5个百分点，这一进展得益于其RibbonFET全环绕栅极（GAA）架构和PowerVia背部供电技术的持续优化。相比之下，三星2nm工艺虽略有提升但仍徘徊在40%区间，而台积电N2工艺凭借成熟的GAA实现65%的行业领先良率。Panther Lake量产倒计时：2025年Q4目标70%英特尔正按计划推进18A工艺量产进程，其首款搭载该工艺的移动CPU——Panther Lake系列已进入流片验证阶段。KeyBanc预测，到2025年第四季度，18A工艺良率有望达到70%，虽然难以超越台积电，但足以支撑英特尔在高端笔记本市场推出具有竞争力的产品。技术路线图：从18A到14A的战略布局英特尔采取"内部验证+外部拓展"双阶段策略：先通过18A工艺在Panther Lake等自研产品上验证技术可靠性，再于2026年推出14A（1.4nm）工艺向外部客户开放代工服务。这一路径与台积电A14（1.4nm）形成直接竞争，预计2027年前后将掀起新一轮制程大战。行业影响：重塑半导体代工格局此次良率突破对英特尔意义重大。若18A工艺能按计划在2025年底实现大规模量产，将有效缓解其IDM 2.0战略下的产能压力，并为争夺AMD、高通等潜在客户奠定基础。不过，要真正挑战台积电的霸主地位，英特尔仍需在2026年后的14A节点实现良率与性能的双重突破。结语在制程竞赛中，英特尔正通过"小步...
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2025/7/15 13:53:54