LT6654 是一个小型精准电压基准系列，可提供高准确度、低噪声、低漂移、低压差和低功耗。LT6654 能在高达 36V 的电压条件下运作，并全面规格在 –55ºC 至 125ºC。一个缓冲输出确保了 ±10mA 的输出驱动 (在低输出阻抗条件下) 和精准的负载调节性能。由于兼具上述的诸多特点，因而使 LT6654 非常适合于便携式设备、工业检测和控制以及汽车应用。LT6654 在设计时运用了先进的制造技术和曲率补偿，旨在提供 10ppm/°C 的温度漂移和 0.05% 的初始准确度。低的热迟滞确保了高准确度，而 1.6ppmP-P 的低噪声则较大限度地降低了测量的不确定性。由于 LT6654 还能够吸收电流，因此可以充当一个低功率负电压基准，其精准度与正基准相同。LT6654 基准采用 6 引脚 SOT-23 封装和和 8 引脚 LS8 封装。 LS8 是一个 5mm x 5mm 表面贴装严密封装，可提供出色的稳定性。特征• 低漂移：• A 级：10ppm/°C (最大值)• B 级：20ppm/°C (最大值)• 高准确度：• A 级：±0.05% (最大值)• B 级：±0.10% (最大值)• 低噪声：1.6ppmP-P (0.1Hz 至 10Hz)• 宽电源范围至 36V• 低的热迟滞: LS8 15ppm (–40°C 至 125°C)• 长期漂移: (LS8) 15ppm/√kHr• 电压调整率 (高达 36V)：5ppm/V (最大值)• 低压差电压：100mV (最大值)• 吸收电流和供应电流：±10mA• 负载调整率 (在 10mA 时)：8ppm/mA (最大值)• 全面规格在 –55ºC至 125ºC• 可提供的输出电压选...
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2025/12/3 11:25:43
AD829 采用 Analog Devices 公司专有的互补双极（CB）工艺制造，该工艺使 PNP 与 NPN 晶体管的特征频率 fT 均达到 600 MHz。如图 35 所示，AD829 的输入级为一对 NPN 差分对管，每只管子的集电极电流为 600 μA，因而获得高跨导，进而使 AD829 在 1 kHz 时的噪声密度低至 2 nV/√Hz。输入级驱动一个由高速 PNP 对管构成的折叠共源共栅（folded cascode），后者再驱动电流镜完成差分输入到单端输出的转换。这些高速 PNP 管也用于电流放大输出级，提供高达 40 000 的电流增益。即使在重载条件下，CB 工艺给出的高 fT 仍允许级联两级射极跟随器，同时在闭环带宽大于 50 MHz 时保持 60° 的相位裕度。两级互补射极跟随器还将高阻抗补偿节点（COMP 引脚）与输出端有效隔离，使 AD829 即使驱动低负载阻抗也能保持高直流开环增益：150 Ω 负载下 92 dB，1 kΩ 负载下 100 dB。激光修调与 PTAT 偏置确保低失调电压及低漂移，从而在许多应用中可省去交流耦合。为增加灵活性，AD829 允许用户外接内部频率补偿节点，从而针对具体应用定制频率响应。单位增益稳定时需在引脚 5 对地接 68 pF 补偿电容，此时小信号带宽 66 MHz，压摆率 16 V/μs。压摆率与增益带宽积随补偿电容增大而减小。表 4 与图 37 给出了不同噪声增益下最佳补偿电容及对应的压摆率。噪声增益在 1–20 倍之间时，可按表选取 Ccomp 以保持小信号带宽基本恒定；能否稳定工作的最低增益值取决于外部补偿电容的大小。输出级的 RC 网络（见图 35）在闭环增益 ≥10 时完全消除容性负载影响。低频且负载电容较小时，从补偿节点到输出的增益接近 1，此时电容 C 被自举，几乎不参与补偿；随着负载电容...
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2025/12/3 11:23:41
AD7845是业界首款内置片内放大器的四象限乘法数模转换器。它采用LC2MOS工艺制造，可以在同一芯片上集成精密线性元件与数字电路。12路数据输入可驱动由标准CS与WR信号控制的锁存器，从而与微处理器实现轻松接口。独立工作时，CS与WR输入可以接地，使所有锁存器能够透明操作。所有数字输入均为TTL和5 V CMOS兼容。输出放大器可以向2 kΩ负载提供±10 V电压。它采用内部补偿，而且在晶圆水平上进行激光调整，因此其输入失调电压较低。正常工作时，RFB连至VOUT，但用户也可以选择RA、 RB 或RC来调整输出电压范围。特征带输出放大器的12位CMOS MDAC四象限乘法保证单调（TMIN至TMAX）节省空间的0.3英寸DIP和24或28端子表面安装封装用于增益范围等的片上电阻应用。低功耗LC2 MOS应用自动测试设备数字衰减器可编程电源可编程增益放大器数字转4-20mA转换器如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件商城。
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2025/12/3 11:05:55
操作原理LT8316 是一款高压电流模式开关控制器，专为隔离型反激拓扑设计。此类电路通常遇到的难题是：必须把隔离变压器副边的输出电压信息传回原边，才能实现稳压。传统做法采用光耦隔离电路，这不仅浪费输出功率、增加成本和体积，还存在动态响应受限、非线性、器件间差异及寿命老化等问题。LT8316 无需光耦，它通过检测变压器第三绕组上的反激脉冲波形来获取隔离输出电压信息，仅用两只电阻即可设定输出电压。芯片采用边界模式控制（亦称临界导通模式），工作在连续导通模式与断续导通模式的边界。由于边界模式的特性，当副边电流接近为零时，可从第三绕组电压直接推算输出电压，从而无需额外电阻电容即可改善负载调整率。系统框图给出了整体架构。大部分模块与传统开关电源类似，包括电流比较器、内部基准、LDO、逻辑、定时器和 MOSFET 栅极驱动。创新部分则包含专用采样误差放大器、温度补偿电路、输出电流调节器以及耗尽型启动 FET。耗尽型启动 FETLT8316 内部集成一颗耗尽型 MOSFET。启动时，该管为 INTVcc 电容充电，使芯片获得初始供电并开始开关动作，省去了外部泄放电阻等元件。边界模式工作边界模式是一种变频、电流模式的开关策略。外部 N 沟道 MOSFET 导通后，电感电流上升，直至达到由 Vc 引脚电压与电流检测电阻共同设定的限值。MOSFET 关断后，第三绕组电压上升至“输出电压 × 第三/副边匝比”。当输出二极管电流降为零，第三绕组电压开始下跌。DCM 引脚内的边界检测比较器捕捉到这一负 dV/dt，触发采样保持电路去采样 FB 电压。一旦第三绕组电压跌到最低点并停止下降，边界比较器立即重新开启内部 MOSFET，使开关损耗最低。由于每周期都将副边电流归零，寄生电阻压降不会引起负载调整误差；同时可用更小尺寸的变压器，且不会出现次谐波振荡。断续导通模式工作随着负载变轻，峰值开关...
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2025/12/3 11:01:08
应用信息隔离电源电路ADM2484E 需要在 VDD2 与 GND2 引脚之间提供一路 3.3 V、最大约 75 mA 的隔离电源（具体电流取决于数据速率和终端电阻）。可采用“变压器驱动 + 中心抽头变压器 + LDO”的方案产生隔离 5 V，如图 28 所示。中心抽头变压器实现对 5 V 电源的电气隔离。变压器初级由一对互为 180° 反相的方波激励；次级通过两只肖特基二极管和一个平滑电容完成整流。ADP3330 线性稳压器为 ADM2484E 总线侧电路（VDD2）提供稳定的 3.3 V 电源。PCB 布线ADM2484E 隔离式 RS-485 收发器的逻辑接口无需外部电路。必须在输入/输出电源引脚处进行旁路（见图 29）。建议在 VDD1（引脚 1–2）和 VDD2（引脚 15–16）之间各放一只 0.01 µF–0.1 µF 陶瓷电容；电容两端到芯片电源引脚的总引线长度 ≤ 20 mm；若封装两侧的 GND 引脚未在封装下方就近互连，则再增加引脚 1–8 和引脚 9–16 之间的旁路电容。在高共模瞬态的应用中，应最大限度减小跨越隔离栅的板级耦合；若仍有耦合，应让其同等影响同一侧的所有引脚，否则引脚间可能出现超过绝对最大额定值的电压差，导致闩锁或永久损坏。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2025/12/2 11:54:45
ADM2484E是一款隔离数据收发器，提供±15 kV ESD保护，适用于多点传输线路的高速、半双工或全双工通信。在半双工模式下，发射器输出与接收器输入共用同一传输线路。发射器输出引脚Y和Z分别在外部与接收器输入引脚A和B相连。ADM2484E针对平衡传输线路而设计，符合ANSI TIA/EIA RS-485-A-1998和ISO 8482:1987(E)标准。该器件采用ADI公司的 iCoupler® 技术，将3通道隔离器、三态差分线路驱动器和差分输入接收器集成于单封装中。差分发射器输出和接收器输入具有静电放电电路 ， 可提供人体模型(HBM)±15 kV保护 。 器件逻辑端可以采用5 V或3.3 V电源供电 ， 总线端则要求采用隔离3.3 V电源供电。该器件具有限流和热关断特性 ， 可防止发生输出短路以及总线竞争导致功耗过大的情况。特征• 隔离RS-485/RS-422收发器，可配置为半双工或全双工• RS-485输入/输出引脚提供±15 kV ESD保护• 数据速率：500 kbps• 符合ANSI TIA/EIA RS-485-A-1998和ISO 8482:1987(E)标准• 工作电压(VDD1)：5 V或3.3 V• 高共模瞬变抗扰度：25 kV/µs• 真故障保护接收器输入• 总线上256个节点• 热关断保护应用隔离RS-485/RS-422接口工业现场网络椎间盘多点数据传输系统如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2025/12/2 11:47:14
引脚功能Vin（引脚 1）：Vin 引脚为内部控制电路供电，并由欠压比较器监控。该引脚同时连接到内部功率 NPN 开关管和线性输出 NPN 的集电极。Vin 引脚存在高 di/dt 的跳变，必须在器件附近就近对地放置去耦电容。SHDN（引脚 2）：SHDN 引脚用于关断 LT1939，并将静态电流降至典型值 12 μA。其精确的 0.76 V 阈值及输入电流滞回可作为欠压锁定（UVLO），防止输入电压未达到预设值时稳压器启动。将该引脚拉高或悬空即可正常工作。SS（引脚 3）：SS 引脚用于控制开关稳压器与线性稳压器输出电压的上升斜率。SS 引脚到地的一只电容即可设定软启动速率。PG（引脚 4）：Power-Good 引脚为开漏输出，当 FB 或 LFB 电压跌落至其标称稳压值的 90 % 以下时吸入电流。只要 Vin 2 V，其输出状态保持有效；但在 SHDN、Vin 欠压锁定或热关断期间，其吸流能力会降低。V_C（引脚 5）：V_C 引脚是误差放大器的输出，也是峰值开关电流比较器的输入。通常用于频率补偿，也可用作电流钳位或控制环覆盖。若误差放大器将 V_C 驱动至超过最大开关电流阈值，内部电压钳位激活，表明输出过载，此时会从 SS 引脚抽取电流以降低稳压点。R_T/SYNC（引脚 6）：R_T/SYNC 引脚可用两种方式设定恒定开关频率。该引脚到地接一只电阻，引脚电压被偏置到典型 1 V，开关频率由电阻值决定：15 kΩ 对应 2.5 MHz，200 kΩ 对应 250 kHz。用外部时钟驱动该引脚，可将开关频率同步至外加频率，同步发生在检测到时钟上升沿之后。每个时钟上升沿都会重启振荡器斜坡。内部增益环会伺服振荡充电电流，保持振荡幅度恒定，因此斜率补偿不变。若外部时钟消失，振荡器返回电阻模式，并在同步检测超时后重新建立 1 V 偏置。时钟源的阻抗应设定为：在电阻模式下流...
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2025/12/2 11:41:52
LT1939 采用电流模式控制来调节输出，这简化了环路补偿。特别地，LT1939 的稳定并不依赖输出电容的 ESR，因此你可以自由选择陶瓷电容，以实现低输出纹波和小尺寸电路。频率补偿由连接在 Vc 引脚上的元件完成。通常，一只电容与一只电阻串联到地，共同决定环路增益；另外还会并联一只容量较小的电容，该电容不属于环路补偿，仅用于滤除开关频率处的噪声。环路补偿决定了系统的稳定性和瞬态性能。补偿网络的设计略显复杂，最佳取值取决于具体应用，尤其是输出电容的类型。一种实用的方法是：先在本数据手册中找一款与你应用相近的参考电路，以此为起点微调补偿网络以优化性能；随后必须在所有工作条件（负载电流、输入电压、温度）下检验稳定性。图 6 给出了 LT1939 控制环路的等效电路。误差放大器为具有有限输出阻抗的跨导放大器；功率级（调制器、功率开关和电感）被建模为一只跨导放大器，其输出电流与 Vc 引脚电压成正比。注意：输出电容对该电流进行积分，而 Vc 引脚电容 Cc 则对误差放大器的输出电流进行积分，于是在环路中形成两个极点。大多数情况下需要引入一个零点，该零点可来自输出电容的 ESR，也可来自与 Cc 串联的电阻。只要电感值不是太高，且环路穿越频率远低于开关频率，这一简单模型便足够准确。在反馈分压器两端并联一只相位超前电容 CpL，可进一步改善瞬态响应。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件采购商城。
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2025/12/2 11:38:58
LT®1939 是一款电流模式 PWM 降压型 DC/DC 转换器，具有一个内部 2.3A 开关。3V 至 25V 的宽输入范围使得 LT1939 适合于对来自众多电源的功率进行调节，包括汽车电池、工业电源和未稳压的墙上适配器。 可采用电阻器来设置的 250kHz 至 2.2MHz 频率范围和同步能力实现了效率与外部元件尺寸之间的优化。逐周期电流限制、频率折返和热停机功能提供了针对短路输出的保护。软起动功能可控制输出电压的斜坡速率，从而消除了启动期间的输入浪涌电流，而且还提供了输出跟踪。 LT1939 包括一个具反馈控制功能的内部 NPN 晶体管，它可以被配置成一个线性稳压器或一个线性稳压控制器。 LT1939 的低电流停机模式 (特征• 宽输入范围：3V 至 25V• 在整个输入范围内提供了短路保护• 2A 输出电流能力• 可调/可同步固定频率操作 (250kHz 至 2.2MHz)• 软起动/跟踪能力• 输出可调到低至 0.8V• 具 13mA 电流输出能力的可调线性稳压器/驱动器• 具互补输出的电源良好比较器• 低停机电流：12μA• 耐热增强型 3mm x 3mm DFN 封装应用汽车电池法规工业控制壁式变压器调节分布式电源调节如有型号及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2025/12/2 11:29:33
圣邦微电子正式推出SGM6000系列同步降压转换器，该器件凭借1.75V至5.5V的宽输入电压范围、低至300nA的超静态电流以及高达700mA的输出电流，为电池供电的便携式与物联网设备提供了兼具高效能与长续航的电源解决方案。其微型化的设计特别适用于对功耗和体积极为敏感的应用场景。详细概述SGM6000系列是一款低压、高效的微型同步降压转换器，具备300nA的超低静态电流。该器件的关断电流典型值为6nA，静态电流为300nA，能进一步延长电池供电应用的使用寿命。它可支持最高700mA的负载范围，峰值效率达96%；同时扩展了高效工作区间，在1.75V至5.5V的输入电压范围内，仍能保持超低静态电流，非常适合电池供电应用，可有效延长设备使用时长。SGM6000采用绿色WLCSP-1.31×0.89-6B封装。特征1.75V 至 5.5V 输入电压范围可编程输出电压SGM6000A：VSET 引脚可选输出电压为 0.7V 至 3.3VSGM6000B：固定 VOUT 电压范围为 0.6V、0.8V、1.2V 和 1.8V300nA 超低静态电源电流6nA 关断电流700mA 输出电流峰值效率高达 96%，10μA 电流时效率超过 88%全温度范围内输出电压精度为 ±2.6%在多种使用情况下保护系统主动放电功能外部元件数量最少采用绿色 WLCSP-1.31×0.89-6B 封装应用便携式、空间受限的消费产品可穿戴电子产品耳机和耳塞超低功耗物联网、窄带物联网和蓝牙单节锂离子 (Li+) 和纽扣电池产品有线或无线工业产品如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件商城。
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2025/12/2 11:13:09
Littelfuse公司是一家多元化的工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。新推出两款下一代隧道磁阻 （TMR） 磁性开关： LF21112TMR全极开关 以及 LF11215TMR双极开关。这两款紧凑型器件具有出色的磁灵敏度、热稳定性和超低功耗，为智能电表、可穿戴设备、消费电子产品、工业自动化和家庭安全系统提供节能传感解决方案。通过将TMR技术与超低功耗CMOS设计相结合，这两款开关相较于传统的霍尔效应传感器和旧式磁性开关技术，均展现出卓越的性能表现。这些产品的推出标志着Littelfuse磁传感器产品组合向电池敏感型和常开应用领域的重大拓展。LF21112TMR：公司首款全极TMR开关，能够同时检测南北磁极，使磁体放置更灵活，并简化了设计。典型电流消耗仅为200nA，是超低功耗应用的理想选择。LF11215TMR：一款双极数字TMR开关，以1.5 μA的超低电流消耗和仅17高斯的高磁灵敏度提供高速、精确检测。在需要定向检测的更复杂传感应用中表现出色。全极开关（如LF21112TMR）在暴露于任一磁极时都会触发响应，非常适合空间受限的设计和难以控制磁体对准的应用。双极开关（如LF11215TMR）由特定磁极（通常为北极）触发，并由相反磁极（南极）复位。这种方向灵敏度对于需要旋转或方向感应的应用非常有利。主要功能与特色两种器件均采用紧凑型SOT23-3封装，并具有以下特点：TMR技术可实现更高的灵敏度和热稳定性；推挽式CMOS输出，提供干净的数字信号；施密特触发器输入可降低噪声并提高可靠性；出色的抗外磁干扰能力；宽工作电压：1.8V至5.0V。这些开关可帮助工程师设计出更小、更智能、更节能的产品，同时降低机械复杂性并延长电池寿命。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如...
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2025/12/2 11:03:22
安世半导体PMEG2005BELD是一款平面肖特基势垒整流器，带有用于应力保护的集成保护环，封装在无引线超小SOD882D（DFN1006D-2）表面安装器件（SMD）塑料封装中，带有可见和可焊接的侧焊盘。特征•平均正向电流：IF（AV）≤0.5A•反向电压：VR≤20V•低正向电压VF≤390 mV•超小无引线SMD塑料封装•可焊接侧垫•包装高度类型。0.37毫米应用•低压整流•高效DC-DC转换•开关电源•反极性保护•低功耗应用•超高速切换•用于移动应用的LED背光如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件采购商城。
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2025/12/1 11:16:50
接收器（RECEIVER）接收器部分包含了所有必需的模块，用于接收射频（RF）信号并将其转换为基带处理器（BBP）可用的数字数据。该器件具有三个可复用至信号链的输入通道，使 AD9364 适用于多频段、多天线输入的系统。接收器采用直接转换架构，内部包含一个低噪声放大器（LNA），其后是匹配的同相（I）和正交（Q）放大器、混频器以及带通滤波器，用于将接收到的信号下变频至基带以便进行数字化处理。该器件还支持连接外部 LNA，为设计者提供了根据具体应用需求自定义接收前端的灵活性。增益控制通过预设的增益索引表实现，该表在各个模块之间分配增益，以在每个层级上实现最佳性能。增益控制可通过启用内部自动增益控制（AGC）实现，支持快速或慢速模式，也可采用手动增益控制，由 BBP 根据需要进行增益调整。此外，每个通道都具备独立的接收信号强度指示（RSSI）测量功能、直流偏移跟踪功能，以及完成自校准所需的所有电路。接收器内部集成了 12 位 Δ-Σ 模数转换器（ADC），并支持可调的采样率，可对接收到的信号进行数字化处理。数字信号还可通过一系列抽取滤波器进一步处理，并经过一个完全可编程的 128 抽头 FIR 滤波器，支持额外的抽取设置。每个数字滤波器模块的采样率可通过更改抽取因子进行调整，以产生所需的输出数据速率。发射器（TRANSMITTER）发射器部分由两个差分输出级组成，这些输出可复用至发射通道。发射通道提供了实现直接转换系统所需的所有数字处理、混合信号和射频模块。来自 BBP 的数字数据首先经过一个完全可编程的 128 抽头 FIR 滤波器，支持插值选项。FIR 滤波器的输出随后送至一系列插值滤波器，在到达数模转换器（DAC）之前提供额外的滤波和数据速率插值功能。每个 12 位 DAC 均支持可调的采样率。I 和 Q 两路信号随后被送入射频模块进行上变频处理。当信号被转换为基带模拟信...
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2025/12/1 11:13:35
安世半导体PMEG3020EH是一款平面肖特基势垒整流器，带有用于应力保护的集成保护环，封装在小型SOD123F表面安装器件（SMD）塑料封装中。特征•正向电流：2A•反向电压：30V•超低正向电压•小型扁平引线SMD塑料封装应用•低压整流•高效DC-DC转换•开关电源•反极性保护•低功耗应用如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件采购商城。
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2025/12/1 11:05:55
Atmel®AT24C64D提供65536位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为8192个字，每个字8位。该设备的级联功能允许多达八个设备共享一个公共的2线总线。该设备经过优化，可用于许多低功耗和低电压操作至关重要的工业和商业应用。这些器件有节省空间的8引脚JEDEC SOIC、8引脚TSSOP、8焊盘UDFN、8焊垫XDFN、6引脚WLCSP、5引脚WLCSP和8引脚VFBGA封装。此外，该设备的工作电压范围为1.7V至5.5V。特征低压和标准电压运行VCC=1.7V至5.5V内部组织为8192 x 8（64K）I2C兼容（2线）串行接口施密特触发器，用于噪声抑制的滤波输入双向数据传输协议400kHz（1.7V）和1MHz（2.5V、2.7V、5.0V）兼容性写保护引脚用于硬件保护32-字节页面写入模式允许部分页面写入自定时写入周期（最大5ms）高可靠性耐久性：1000000个写入周期数据保留期：100年无铅/无卤素设备可用绿色封装选项（无铅/卤化物/符合RoHS标准）8-引线JEDEC SOIC、8引线TSSOP、8焊盘UDFN、8焊垫XDFN、6焊盘WLCSP、5焊盘WLCSP和8焊盘VFBGA封装如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2025/12/1 10:25:20
英飞凌科技股份公司近日正式发布MOTIX™ TLE994x与TLE995x系列电机控制系统级芯片（SoC），进一步扩展其32位电机控制产品阵容。这两款产品专为汽车中的有刷直流电机（BDC）和无刷直流电机（BLDC）设计，适用于从电动汽车电池冷却系统到座椅调节、车窗控制等多种场景。随着汽车电动化进程加速，电机数量持续增长，对可靠性、集成度与成本控制提出更高要求。英飞凌凭借在电机控制领域的深厚技术积累，将丰富功能、功能安全与网络安全特性高度集成于单颗芯片中。TLE994x（双相，BDC）与TLE995x（三相，BLDC）均采用高度集成架构，将栅极驱动器、Arm® Cortex®-M23内核微控制器、通信接口与电源管理单元整合于单一芯片，显著缩小系统面积并降低整体成本。芯片搭载最高40MHz的Cortex-M23内核，集成闪存与RAM，支持场定向控制（FOC），确保电机高效精准运行。此外，新产品外设资源更加丰富，支持CCU7生成灵活PWM信号，并具备LIN报文自动处理能力，可有效减轻CPU负载。全系列产品均符合ISO 26262功能安全标准，支持ASIL B等级，满足汽车关键应用对可靠性的严苛要求。芯片集成Arm® TrustZone®技术，为系统提供硬件级安全基础，助力实现更稳固的网络安全防护。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2025/12/1 10:15:02
Bourns新推出了全新的SMLJ-R系列瞬态电压抑制（TVS）二极管。该系列产品以其高效的能量吸收和精准的钳位能力，为便携式通信、计算和视频设备提供了可靠的浪涌防护解决方案。SMLJ-R瞬态电压抑制器（TVS）二极管 专为在DO-214AB（SMC）紧凑型芯片封装尺寸格式中设计用于浪涌和静电放电（ESD）保护。这些TVS二极管的工作峰值反向电压范围为12V至30V，击穿电压高达36.8V，峰值脉冲功率为3000W。典型快速响应时间为1ps以下（单向器件）以及5ps以下（双向器件），从0V到最小击穿电压。SMLJ-R TVS二极管采用可回收、防静电封装，符合ISO 14001低冲击能源标准。这些TVS二极管符合RoHS标准以及符合JEDEC标准。SMLJ-R TVS二极管非常适合便携式通信和计算设备以及视频设备。SMLJ-R系列TVS二极管采用紧凑的DO-214AB封装，兼具高功率耗散和灵活的配置选项。其工作峰值反向电压范围覆盖12 V至30 V，功率耗散能力高达3000瓦，能够有效吸收瞬时高能量冲击，防止设备因电压波动而损坏。此外，该系列提供13种单向型号和8种双向型号，使设计人员能够根据具体应用需求选择最合适的组件，大大提升了设计灵活性。应用便携式通信计算和视频设备电气特性（@ 25°C）免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2025/12/1 10:08:43
三星电子于27日宣布，他们成功研发出一种可将电力消耗最多降低96%的新型NAND闪存技术。这项基础性研究首次在全球范围内发现了一种核心机制，利用铁电材料可将现有NAND闪存的功耗降低高达96%，为解决AI时代的电力危机提供了关键技术方案。这项突破性成果由三星综合技术院（SAIT）与半导体研究所共34名研究人员共同完成，相关论文《用于低功耗NAND闪存的铁电晶体管》已发表于国际顶级学术期刊《自然》。研究团队重新审视了长期以来被视为“不适合高性能芯片”的氧化物半导体材料，发现其较高的“阈值电压”特性反而可在高堆叠层数的3D NAND结构中有效抑制漏电流，从而显著提升能效。传统NAND闪存采用“单元串”结构，随着存储密度提升、堆叠层数增加，即使在关闭状态下也会产生不可忽视的漏电流，导致读写功耗持续上升。而三星的新技术通过引入铁电晶体管，精准控制低于阈值电压的电流流动，在维持高存储容量的同时，大幅削减能耗。据测算，相较现有NAND闪存，新技术可实现最高96%的功耗降低。一旦实现商业化，不仅有助于AI数据中心降低运营成本，还将延长智能手机等移动设备的电池续航时间。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2025/12/1 9:55:55