2025年6月5日，威世科技推出VIA0050DD/VIA0250DD/VIA2000SD三款隔离放大器，凭借150kV/μs全球CMTI（共模瞬态抗扰度）及±0.05%增益误差（数据来源：Vishay官方测试报告），直指工业自动化、新能源逆变器及医疗设备的信号失真痛点。该系列可在-40℃~125℃宽温域实现免校准精密测量，为高噪声环境下的电流电压监测树立新标准。四大技术困局信号失真：电机启停导致CMTI50kV/μs的瞬态噪声温漂误差：传统隔离器温漂100ppm/℃，需频繁校准响应迟滞：光电隔离器带宽安全风险：母线电压监测故障引发系统宕机核心技术亮点1. 自适应噪声抑制架构● 专利电容隔离技术抑制150kV/μs瞬态干扰● 内置共模电压检测，0.5μs内触发故障保护2. 热稳定性突破● 匹配WSBE分流器，-40℃~125℃全温域线性输出● 温漂系数15ppm/℃（达车规AEC-Q100标准）3. 场景化设计● VIA0050DD：50mV微电压检测，适用电池管理系统● VIA0250DD：250mV宽输入，优化光伏组串监测● VIA2000SD：2V高线性输入，专攻母线电压监测五大应用场景1. 光伏逆变器：150kV/μs CMTI抵御组串电弧干扰2. 电动汽车电驱：125℃高温下精准监测相电流3. 工业伺服电机：400kHz带宽实现μs级过流保护4. 医疗影像电源：±0.05%误差保障设备稳定性5. 数据中心UPS：内置诊断预防母线电压失效典型应用案例阳光电源组串式逆变器项目● 替换光耦方案，CMTI抗扰能力提升2.1倍● 温漂降低至15ppm/℃（原方案85ppm/℃）● 运维校准周期从3个月延长至5年VIA系列的诞生标志着高精度隔离技术实现三重跨越：以150kV/μs CMTI树立噪声免疫新标杆，用±0.05%增益误差终结校准时代，更...
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2025/6/9 14:23:19
全球半导体产业正迎来新一轮增长周期。世界半导体贸易统计组织（WSTS）最新数据显示，2025年全球半导体市场规模预计将达7009亿美元，同比增长11.2%，延续2024年反弹势头。这一数字不仅刷新行业历史纪录，更揭示出技术迭代与市场需求深度共振的新趋势。区域市场呈现马太效应全球半导体产业版图加速重构从地区来看，美洲和亚太地区将引领增长，预计增长率分别为18.0%和9.8%。相比之下，欧洲和日本预计将呈现温和增长。技术趋势与未来展望● AI芯片主导：GPU/TPU等运算芯片增长率上调至17%，美洲市场独占15%份额● 存储技术迭代：HBM3产能扩充推动DRAM增长25%，3D NAND加速替代传统存储● 2026年预测：市场规模将达7607亿美元（+8.5%），存储器、逻辑芯片仍是核心增长点WSTS同步上调2026年预测，全球半导体市场规模将达7607亿美元，年增8.5%。存储器市场有望延续30%以上增速，逻辑芯片与模拟器件协同扩张。值得关注的是，所有区域市场均将实现正增长，其中美洲（12.3%）与亚太（9.1%）继续扮演增长极角色。暗流与机遇并存行业狂飙背后暗藏挑战：地缘贸易摩擦持续扰动供应链，先进制程设备出口管制风险升温；但AIoT、自动驾驶等新兴场景正催生百亿美元级增量市场。对于企业而言，如何平衡传统业务收缩与新兴赛道布局，将成为决胜未来的关键。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/6/9 14:20:30
ADL5536是一款20 dB线性放大器，工作频率最高达1 GHz，可用于各种蜂窝、有线电视、军事和仪器仪表设备。 在现有的内部匹配IF增益模块中，ADL5536提供的动态范围较高。在整个1 GHz频率范围内，同时提供极低的噪声系数和非常高的OIP3特性即可达到这一性能。ADL5536还在整个频率范围内提供极其平坦的增益和P1dB，并且不随温度、电源及器件的不同而改变。ADL5536在输入和输出内部匹配50 Ω，能够简单地使用于各种不同的应用中。只需配置输入/输出交流耦合电容、电源去耦电容和一个外部电感便可工作。采用GaAs HBT工艺制造而成，ESD额定值为±2 kV（2类）。 该器件采用MSL-1级SOT-89封装，使用裸露焊盘，热阻性能出色。采用5 V单电源供电时，ADL5536功耗为105 mA，额定温度范围为−40°C至+85°C。ADL5536还与16 dB增益ADL5535引脚兼容。 每个放大器均提供配置齐全的评估板。特性• 固定增益：20 dB• 工作频率范围：20 MHz至1.0 GHz• 输入和输出内部匹配50 Ω• 集成偏置控制电路• OIP345.0 dBm (190 MHz)49.0 dBm (380 MHz)• 噪声系数2.6 dB (190 MHz)2.7 dB (380 MHz)• P1dB：19.6 dBm (190 MHz)• 5 V单电源供电• MSL-1级SOT-89封装• ESD额定值：±2 kV（2类）• 与16 dB增益ADL5535引脚兼容
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2025/6/6 13:58:36
HMC596LP4(E)是一款低成本4x2开关矩阵产品，采用无引脚QFN 4x4 mm表贴封装，可用于卫星/DBS、LNB和200 MHz至3000 MHz的多路开关。 开关上集成由正电压控制的4位解码器。 该开关可用于75 Ω或50 Ω系统。两个开关输出（OP1和OP2）都能独立选择四个输入（HH、HL、VH、VL）中的任意一个，或者同时选择相同的输入。 注意，开关是双向的，并且输入/输出功能可以互换。 提供的全部数据均在50 Ω（输入/输出）系统中测量。特性• 高电平隔离/低插入损耗• 集成式CMOS兼容4位解码器• 单正电源： Vdd= +5V应用•DBS LNB和多开关•有线电视调制解调器•蜂窝系统
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2025/6/6 13:52:59
ADRF5301 是一款利用硅工艺制造的反射式单刀四掷 (SPDT) 开关。ADRF5301 专为 37 GHz 至 49 GHz 的 5G 应用而开发。该器件具有 1.4 dB 的低插入损耗、30 dB 的高隔离以及 28 dBm 平均值和 36 dBm 峰值射频 (RF) 输入功率处理能力。ADRF5301 包含一个负电压发生器 (NVG)，由施加到 VDD 引脚的 3.3 V 单一正电源供电。该器件采用兼容互补金属氧化物半导体 (CMOS)/低电压晶体管至晶体管逻辑 (LVTTL) 的控制。ADRF5301 采用符合 RoHS 标准的 20 端子 3 mm × 3 mm 岸面栅格阵列封装，并可在 −40°C 至 +105°C 的温度范围内工作。特性• 反射式设计• 低插入损耗：1.4 dB（典型值）• 高隔离：30 dB（典型值）• 高输入线性度：• P0.1dB：36 dBm• 输入 IP3：52 dBm应用• 工业扫描仪• 测试仪器仪表• 蜂窝基础设施毫米波 5G• 军用无线电、雷达和电子对抗 (ECM)• 微波射频和甚小孔径终端 (VSAT)
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2025/6/6 13:50:39
ADRF5250是一款通用型单刀五掷(SP5T)、非反射式开关，采用硅工艺制造。ADRF5250采用4 mm × 4 mm、24引脚引线框芯片级封装(LFCSP)，在100 MHz至6 GHz频率范围内提供高隔离度和低插入损耗。ADRF5250集成负电压发生器，当VSS引脚接地时，可采用施加于VDD引脚的3.3 V至5 V单正电源供电。当−3.3 V外部负电源电压施加于VSS引脚时，可禁用负电压发生器。ADRF5250提供1.8 V逻辑兼容、3引脚控制接口。特性• 非反射式50 Ω设计• 低插入损耗：1.5 dB（4 GHz时）• 高隔离度：50 dB（4 GHz时）• 高输入线性度• 0.1 dB压缩(P0.1dB)：34 dBm（典型值）• 三阶交调截点(IP3)：57 dBm（典型值）• 85°C时高功率处理能力• 33 dBm（通过路径）• 27 dBm（端接路径）• ESD额定值• 3.5 kV HBM，2级• 单电源或双电源供电• 可选内部负电压发生器(NVG)• 1.8 V逻辑兼容控制• 4 mm × 4 mm、24引脚LFCSP封装应用• 蜂窝/4G 基础设施• 无线基础设施• 移动无线电• 测试设备
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2025/6/6 13:48:30
ADRF5024 是一款反射式、单刀双掷(SPDT)开关，采用硅工艺制造。该开关的工作频率范围为 100 MHz 至 44 GHz，提供优于 1.7 dB 的插入损耗和 35 dB 隔离性能。ADRF5024 的通过路径和热切换均具有 27 dBm 的射频(RF)输入功率处理能力。ADRF5024 在 +3.3 V 正电源电压和 -3.3 V 负电源电压下分别消耗 14 µA 和 120 µA 的低电流。该器件采用互补金属氧化物半导体(CMOS) / 低压晶体管对晶体管逻辑(LVTTL)兼容控制特性。ADRF5024 RF 端口设计用于匹配 50 Ω 的特征阻抗。对于超宽带产品，RF 传输线路上的阻抗匹配可以进一步优化高频插入损耗和回波损耗特性。采用符合 RoHS 标准的 2.25 mm × 2.25 mm、12 引脚、基板栅格阵列(LGA)封装，工作温度范围为 −40°C 至 +105°C。特性• 超宽带频率范围：100 MHz至44 GHz• 反射式设计• 具有阻抗匹配的低插入损耗• 1.0 dB（典型值）至18 GHz• 1.4 dB（典型值）至40 GHz• 1.7 dB（典型值）至44 GHz• 不具有阻抗匹配的低插入损耗• 0.9 dB（典型值）至18 GHz• 1.7 dB（典型值）至40 GHz• 2.1 dB（典型值）至44 GHz• 高输入线性度• P1dB：27.5 dBm（典型值）• IP3：50 dBm（典型值）• 高RF输入功率处理• 通过路径：27 dBm• 热切换：27 dBm应用• 工业扫描仪• 测试和仪器仪表• 蜂窝基础设施：5G毫米波• 军用无线电、雷达、电子对抗(ECM)• 微波无线电和甚小孔径终端(VSAT)
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2025/6/6 13:41:05
HMC550A和HMC550AE均为低成本SPST故障安全开关，采用6引脚SOT26塑料封装，适合要求低插入损耗和极低功耗的开关应用。 这些器件具有0.7 dB的典型损耗，可控制频率范围为DC至6 GHz的信号，尤其适合IF和RF应用，包括RFID、ISM、汽车和电池供电标签和笔记本电脑。 “关断”状态下，RF1和RF2反射断开。 “导通”状态下，该开关所需直流电流极低，并与CMOS和一些TTL逻辑系列兼容。 此故障安全拓扑结构使开关通常置于“导通”状态下，即未施加直流偏置时，RF1至RF2具有低插入损耗。特性• 故障安全操作 – 无电时“导通”• 宽Vdd范围： 12V至5V• 极低上电电流： 200 nA应用•RFID和电子收费（ETC）•标签、手机和便携设备•ISM、WLAN、WiMAX和WiBro•汽车远程信息处理•测试设备
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2025/6/6 11:56:44
ADG918是采用CMOS工艺制成、具有高隔离和低插入损耗特点并且频率达1 GHz的宽带开关。 ADG918是一款具有50 Ω端接分流引脚的吸收式（匹配）开关。 这些器件设计为在DC至1 GHz频率范围内具有高隔离特性。 它们集成了片内CMOS控制逻辑，从而无需外部控制电路。 控制输入均兼容CMOS和LVTTL。 这些CMOS器件具有低功耗特性，使其非常适合无线和通用高频开关应用。特性• 宽带开关： -3 dB（4 GHz时）• 吸收式/反射式开关• 高关断隔离：43 dB（1 GHz时）• 低插入损耗：0.8 dB（1 GHz时）• 1.65 V至2.75 V单电源供电• CMOS/LVTTL控制逻辑• 8引脚MSOP和小型3 mm x 3 mm LFCSP封装• 低功耗(应用无线通信通用射频开关双频应用高速过滤器选择数字收发器前端开关中频切换调谐器模块天线分集切换
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2025/6/6 11:50:50
HMC221B是一款单刀双掷(SPDT)开关，额定频率范围为10 kHz至3 GHz，采用6引脚SOT-23塑料封装。该开关提供低于0.8 dB的极低插入损耗（频率高达3 GHz时），非常适合要求低插入损耗和小尺寸的接收器和滤波器开关应用。关断状态下，RF1和RF2反射短路，而两个控制电压（A和B引脚）所需直流偏置电流极低。请注意，HMC197B在备选引脚排列方面具有相似的性能。特性• 低插入损耗：0.4 dB（典型值）• 输出三阶交调截点(IP3)：55 dBm（典型值）• 正控制电压：0 V / 3 V• 超小型封装：SOT-23应用• 工业、科研和医疗(ISM)• PCMCIA无线卡• 蜂窝应用
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2025/6/6 11:40:32
大联大世平集团重磅发布高集成3D打印方案——以恩智浦RT1050高性能MCU为核心引擎，深度融合华邦存储芯片、纳芯微H桥驱动、圣邦微电源管理三件套及杰华特稳压模块，构建全链路国产化Klipper打印平台。该方案通过五大本土芯片协同，实现主控响应速度提升40%且BOM成本压缩30%，为亚太市场提供可量产的进口替代选择。3D打印机又称为增材制造技术，是一种利用数字模型文件，通过逐层堆叠材料来构建物体的技术。在使用中，用户仅需导入设计文件，即可在数小时内将创意转化为任意实体，真正实现“所见即所得”的柔性制造。目前，消费级打印机大多会使用Klipper作为3D打印固件。不同于传统的Marlin固件，Klipper采用执行与逻辑分离架构，由MPU负责逻辑运算，MCU负责执行，可实现更高的打印速度和打印质量。为推动3D打印机应用，大联大世平推出以NXP RT1050 MCU为核心，辅以华邦电子W25Q80 Flash、纳芯微NSD7312 H桥驱动IC、圣邦微SGM8651运算放大器、SGM61410同步降压稳压器、SGM2059 LDO稳压器以及杰华特JWH5141F同步降压稳压器的Klipper 3D打印机方案。本方案由MCU板、驱动板和底板三个部分组成。MCU板采用NXP RT1050 MCU和华邦电子旗下W25Q80 Flash。其中，NXP RT1050基于Arm®Cortex®-M7内核，主频高达600MHz，并配备512KB的SRAM，具有易用性和实时功能。华邦电子W25Q80 Flash具有较强的读取性能，且外观尺寸更小，能够满足工业与消费类应用场景中边缘计算的需求。驱动板由2个纳芯微NSD7312 H桥驱动IC和2个圣邦微SGM8651运算放大器组成。纳芯微NSD7312是一款直流有刷电机驱动芯片，其内置功率N-MOSFET并为功率级提供供电欠压保...
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2025/6/6 11:33:30
在制程竞赛白热化的2025年，台积电传来两大突破性进展：其美国亚利桑那州工厂即将于年底量产英伟达AI芯片，同时2nm制程良率突破90%大关。这座承载着"芯片本土化"战略重任的晶圆厂，正以超预期的产能爬坡速度，重塑全球半导体供应链版图。技术突破：2nm制程良率超90%据台积电内部数据显示，其2nm制程工艺在存储芯片领域已实现90%以上的良率，较3nm制程量产初期提升近15个百分点。这一突破得益于纳米片晶体管架构的成熟应用，以及化学机械抛光（CMP）环节的关键革新。台湾工具厂商Kinik披露，其供应的金刚石磨盘在台积电2nm产线的月需求量已达5万片，印证了制程扩产的强劲势头。美国工厂：产能利用率逼近极限台积电亚利桑那厂自今年初投产以来，产能利用率持续攀升。Cloud Express分析师Nobunaga Chai指出，该厂12英寸晶圆月产能已从1.5万片扩增至2.4万片，并计划在Q4达到3万片设计产能。苹果作为最大客户，将独占初期60%的产出，其M5系列芯片将成为"美国制造"的标杆产品。值得关注的是，英伟达Blackwell架构AI芯片已完成工艺验证，预计Q4量产后将贡献约20%的产能。价格逻辑：成本驱动下的涨价预期尽管产能快速爬坡，但美国制造的高成本压力已开始显现。业界消息称，台积电美国厂代工价格较台湾厂区高出25-30%，这主要源于人力成本（是美国本土厂商的1.8倍）、物流费用（增加40%）及初期良率损失（约5个百分点）。即便如此，英伟达、AMD等客户仍愿意支付溢价，以保障地缘政治风险下的供应链安全。产业影响：重构全球半导体版图台积电美国厂的扩张正引发连锁反应：其一，推动Kinik、Phoenix Silicon等设备材料商扩大北美布局；其二，倒逼英特尔、三星加快制程研发，英特尔18A工艺已进入风险试产阶段；其三，催生"近岸...
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2025/6/6 11:23:54
ADRF5716是一款硅制2位数字衰减器，衰减控制范围为48 dB，步长为16 dB，支持无毛刺操作。该设备的工作频率为100 MHz至30 GHz，插入损耗优于2.9dB，衰减精度优于1.5 dB。ADRF5716的ATTIN和ATTOUT端口在所有状态下的RF输入功率处理能力平均为30 dBm，峰值为33 dBm。ADRF5716需要+3.3V和-3.3V的双电源电压。该器件具有并行模式控制和互补金属氧化物半导体（CMOS）/低压晶体管到晶体管逻辑（LVTTL）兼容控制。ADRF5716还可以在施加单个正电源电压（VDD）的情况下工作，负电源电压（VSS）接地。ADRF5716射频端口设计用于匹配50Ω的特性阻抗。ADRF5716采用20端子、3mm×3mm、符合RoHS标准的焊盘栅格阵列[LGA]封装，工作温度范围为-40°C至+105°C。特性•超宽带频率范围：0.1 GHz至30 GHz•衰减范围：16 dB阶跃至48 dB•插入损耗低•8 GHz时为1.6 dB•18 GHz时为2.2 dB•30 GHz时为2.9 dB•衰减精度•±（衰减状态的0.25+3.6%）dB，典型值高达8 GHz•±（衰减状态的0.10+1.8%）dB，典型值高达18 GHz•±（衰减状态的0.50+2.8%）dB，典型值高达30 GHz•典型步进误差•8 GHz以下典型值为±0.7 dB•±1.0 dB，最高可达18 GHz•高达30 GHz的典型值为±1.5 dB应用工业扫描仪测试和仪器蜂窝基础设施：5G毫米波军用无线电、雷达、电子对抗措施（ECM）微波无线电和甚小口径终端
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2025/6/5 14:26:09
HMC425ALP3E均为宽带6位GaAsIC数字衰减器，采用低成本无引脚表贴封装。工作频率范围2.2GHz到8.0GHz，插入损耗低于4.5dB典型值。衰减器位值为0.5(LSB)、1、2、4、8和16dB，总衰减为31.5dB。衰减精度非常高，典型步长误差为±0.5dB，IIP3为+40dBm。六个控制电压输入，在0和+3至+5V之间切换，用于选择每个衰减状态。需要+3至+5V的VDD单偏置。特性•0.5dBLSB步进至31.5dB•每位单个控制线路•误码率：±0.5dB（典型值）•+5V单电源•3×3mmSMT封装应用WLAN和点对多点光纤和宽带通信微波无线电和VSAT军用
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2025/6/5 14:23:40
HMC540SLP3E是一款宽带4位IC芯片数字衰减器，采用低成本无引脚表贴封装。这款每位单个正电压控制线路的数字衰减器采用片外AC接地电容器，在接近直流的情况下工作，这一特点使得它非常适合各种RF和IF应用。在0.1到8GHz频率下运行，插入损耗低于1dB典型值。对于15dB的总衰减，衰减器位值为1(LSB)、2、4和8dB。它具有出色的衰减精度，典型步长误差为±0.2dB。衰减器还具有+56dBmIP3。四位TTL/CMOS控制输入用于选择各衰减状态。它可采用+3.3V至5V单电源Vdd供电。特性•1dBLSB步进至15dB•步长误差：±0.2dB（典型值）•低插入损耗：1dB•高IP3：+50dBm•每位单个控制线路应用蜂窝通信基础设施ISM,MMDS,WLAN,WiMAX,WiBro微波无线电和VSAT测试设备和传感器
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2025/6/5 14:18:42
MAX7381是一款硅振荡器，可作为陶瓷谐振器、晶体和晶体振荡器模块的低成本替代方案，作为3V、3.3V和5V应用中微控制器和UART的时钟源。MAX7381是集成的振荡器，和晶体及谐振器一样，提供特定的频率，并提供满摆幅、50%占空比方波输出。无需采用锁相环(PLL)就可直接产生振荡频率。无需附加任何元件设置或调整频率。与典型的晶体和陶瓷谐振器不同，MAX7381具有抗震和抗EMI特性。高输出驱动电流和无高阻抗节点使振荡器不易受灰尘或湿度等工作条件影响。宽工作温度范围是该产品线的标准性能规范，这些振荡器用于高要求设备和汽车环境非常理想。MAX7381可提供10MHz至16MHz范围的频率。采用可节省空间的3引脚SC70封装。所有器件都能保证工作在-55°C至+135°C温度范围，并在-40°C至+125°C温度范围内保证性能指标。特性• 2.7V至5.5V工作电压• 工厂校准的振荡器(10MHz至16MHz)• 无需外部元件• ±10mA输出驱动电流• 2%的初始精度• ±100ppm/°C温漂• 快速启动时间：5µs• 最大占空比：40%至60%• 5ns输出上升/下降时间• 超低EMI敏感度(无高阻抗结点)• 无PLL• 低抖动：16MHz时180psP-P• -40°C至+125°C温度范围应用• 电器设备与控制• 汽车• 手持式产品• 微控制器系统• 便携式设备• 白色家电
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2025/6/5 14:12:48
MAX7377双速率硅振荡器内置复位电路，可用于替代陶瓷谐振器、晶振、晶体振荡器模块以及分立的复位电路。该器件为3V、3.3V以及5V应用中的微控制器提供主时钟源与辅助时钟源。MAX7377具有工厂编程的高速振荡器、32.768kHz振荡器和一个时钟选择输入。时钟输出随时可以在高速时钟与32.768kHz时钟之间切换，实现低功耗工作模式。切换由内部同步，时钟切换不会产生脉冲干扰信号。与一般晶体和陶瓷谐振器振荡电路不同，MAX7377具有较高的抗振动与EMI抑制特性。高输出驱动电流和无高阻抗节点等特性，使该振荡器对污浊或潮湿的工作环境不太敏感。MAX7377具有宽工作温度范围，是家用电器、工业与汽车环境应用的理想选择。MAX7377提供从32.768kHz至10MHz的工厂编程频率。标准频率见完整数据资料的表1，若需定制频率请与厂商联系。MAX7377采用5引脚SOT23封装。若需要≥10MHz的频率，请参考MAX7383数据资料。MAX7377标准工作温度范围为-40°C至+125°C。特性• 2.7V至5.5V工作电压• 精确的600kHz至10MHz的高速振荡器• 精确的32kHz低速振荡器• 可随时在高速和低速之间进行无干扰切换• ±10mA时钟输出驱动能力• 2%初始精度• ±50ppm/°C温度系数• 50%占空比• 5ns输出上升与下降时间• 低抖动：8MHz时160ps(P-P) (无PLL)• 3mA快速模式工作电流(8MHz)• 13µA低速模式工作电流(32kHz)• -40°C至+125°C温度范围应用• 电器设备与控制• 消费类产品• 手持式产品• 微控制器系统• 便携式设备• 白色家电
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2025/6/5 14:08:03
DS32kHz是一款输出频率为32.768kHz的温度补偿晶体振荡器(TCXO)。这款器件满足那些要求更高精度的计时应用，用于驱动绝大多数Dallas Semiconductor生产的实时时钟(RTC)、芯片组和其他包含RTC芯片的X1输入引脚。这款器件提供工作在商业级(DS32kHz)和工业级(DS332kHz-N)两种温度范围的型号。特性• 精度±4分钟/年(-40°C至+85°C)• 精度±1分钟/年(0°C至+40°C)• 备用电池用于连续计时• VBAT工作电压：2.7V至5.5V，且VCC接地• VCC工作电压：4.5V至5.5V• 工作温度范围：• 0°C至+70°C (商业级)• -40°C至+85°C (工业级)• 无需校准• 低功耗• 表贴BGA封装应用• 自动功率计• GPS接收机• 服务器、路由器、集线器及交换机中的网络定时与同步• 远程信息处理
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2025/6/5 14:02:48